JPH0629811A - Ｆｅｔスイッチ - Google Patents
ＦｅｔスイッチInfo
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- JPH0629811A JPH0629811A JP5745793A JP5745793A JPH0629811A JP H0629811 A JPH0629811 A JP H0629811A JP 5745793 A JP5745793 A JP 5745793A JP 5745793 A JP5745793 A JP 5745793A JP H0629811 A JPH0629811 A JP H0629811A
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- transmission path
- small signal
- switch
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各伝送経路に最適な特性を持たせることがで
き、一体化すべき他のデバイスに合わせて作製可能なＦ
ＥＴスイッチを提供する。 【構成】 ＦＥＴ２，３から構成され、アンテナ10から
入力される受信用の小信号を伝送する小信号伝送経路１
と、ＦＥＴ12，13，14から構成され、送信用の電力信号
をアンテナ10に伝送する電力伝送経路11とを切り換える
ＦＥＴスイッチ。各伝送経路１，11において、ＦＥＴの
回路構成が異なっており、しかも特性が異なるＦＥＴが
使用されている。
き、一体化すべき他のデバイスに合わせて作製可能なＦ
ＥＴスイッチを提供する。 【構成】 ＦＥＴ２，３から構成され、アンテナ10から
入力される受信用の小信号を伝送する小信号伝送経路１
と、ＦＥＴ12，13，14から構成され、送信用の電力信号
をアンテナ10に伝送する電力伝送経路11とを切り換える
ＦＥＴスイッチ。各伝送経路１，11において、ＦＥＴの
回路構成が異なっており、しかも特性が異なるＦＥＴが
使用されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、それぞれがＦＥＴ（Fi
eld Effect Transisitor）にて構成されている複数の伝
送経路に対して伝送切り換えを行なうＦＥＴスイッチに
関する。
eld Effect Transisitor）にて構成されている複数の伝
送経路に対して伝送切り換えを行なうＦＥＴスイッチに
関する。
【０００２】
【従来の技術】ディジタルコードレス電話，ディジタル
自動車電話等のアンテナスイッチの場合には、１個のア
ンテナにて送信，受信動作を行なっており、アンテナに
て受信された微弱な信号を伝送する一系統の伝送経路
と、送信用の中電力（100 ｍＷ程度）をアンテナに伝送
する他系統の伝送経路とを切り換える際に、ＦＥＴスイ
ッチが使用されている。
自動車電話等のアンテナスイッチの場合には、１個のア
ンテナにて送信，受信動作を行なっており、アンテナに
て受信された微弱な信号を伝送する一系統の伝送経路
と、送信用の中電力（100 ｍＷ程度）をアンテナに伝送
する他系統の伝送経路とを切り換える際に、ＦＥＴスイ
ッチが使用されている。
【０００３】図６は、従来のＦＥＴスイッチの構成図で
あり、一方の第１伝送経路61はＦＥＴ62とＦＥＴ63とか
ら構成され、他方の第２伝送経路71はＦＥＴ72とＦＥＴ
73とから構成されている。各ＦＥＴ62，ＦＥＴ63，ＦＥ
Ｔ72，ＦＥＴ73は同一のプロセス条件にて作製されてお
り、また、ＦＥＴ62，ＦＥＴ72は同一のＦＥＴであり、
ＦＥＴ63，ＦＥＴ73は同一のＦＥＴである。以上のよう
に、第１伝送経路61及び第２伝送経路71は互いに対称な
ＦＥＴ回路構成を有している。
あり、一方の第１伝送経路61はＦＥＴ62とＦＥＴ63とか
ら構成され、他方の第２伝送経路71はＦＥＴ72とＦＥＴ
73とから構成されている。各ＦＥＴ62，ＦＥＴ63，ＦＥ
Ｔ72，ＦＥＴ73は同一のプロセス条件にて作製されてお
り、また、ＦＥＴ62，ＦＥＴ72は同一のＦＥＴであり、
ＦＥＴ63，ＦＥＴ73は同一のＦＥＴである。以上のよう
に、第１伝送経路61及び第２伝送経路71は互いに対称な
ＦＥＴ回路構成を有している。
【０００４】また、図７は従来のＦＥＴスイッチの他の
構成を示す図であり、一方の第１伝送経路81はＦＥＴ82
とＦＥＴ83とＦＥＴ84とから構成され、他方の第２伝送
経路91はＦＥＴ92とＦＥＴ93とＦＥＴ94とから構成され
ている。各ＦＥＴ82，ＦＥＴ83，ＦＥＴ84，ＦＥＴ92，
ＦＥＴ93，ＦＥＴ94は同一のプロセス条件にて作製され
ており、また、ＦＥＴ82とＦＥＴ92、ＦＥＴ83とＦＥＴ
93、ＦＥＴ84とＦＥＴ94とは、それぞれが同一のＦＥＴ
である。以上のように、第１伝送経路81及び第２伝送経
路91は互いに対称なＦＥＴ回路構成を有している。
構成を示す図であり、一方の第１伝送経路81はＦＥＴ82
とＦＥＴ83とＦＥＴ84とから構成され、他方の第２伝送
経路91はＦＥＴ92とＦＥＴ93とＦＥＴ94とから構成され
ている。各ＦＥＴ82，ＦＥＴ83，ＦＥＴ84，ＦＥＴ92，
ＦＥＴ93，ＦＥＴ94は同一のプロセス条件にて作製され
ており、また、ＦＥＴ82とＦＥＴ92、ＦＥＴ83とＦＥＴ
93、ＦＥＴ84とＦＥＴ94とは、それぞれが同一のＦＥＴ
である。以上のように、第１伝送経路81及び第２伝送経
路91は互いに対称なＦＥＴ回路構成を有している。
【０００５】このように、従来のＦＥＴスイッチは、汎
用性を持たせるために、各伝送経路は互いに対称なＦＥ
Ｔ回路構成を有し、しかも各伝送経路を構成するＦＥＴ
自体のプロセス条件も同一にしている。
用性を持たせるために、各伝送経路は互いに対称なＦＥ
Ｔ回路構成を有し、しかも各伝送経路を構成するＦＥＴ
自体のプロセス条件も同一にしている。
【０００６】ところで、アンプ, ミキサ等の他のデバイ
スとスイッチ回路とを組み合わせる場合、マイクロ波領
域では、スイッチ回路はこれらのデバイスとは別に作製
しておき、接続されるデバイスの集積回路の特性に合っ
たスイッチ回路を選択して、両者を組み合わせている。
スとスイッチ回路とを組み合わせる場合、マイクロ波領
域では、スイッチ回路はこれらのデバイスとは別に作製
しておき、接続されるデバイスの集積回路の特性に合っ
たスイッチ回路を選択して、両者を組み合わせている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、集積化
が高度になるにつれて、アンプ, ミキサ等の他のデバイ
スとスイッチ回路とを一体化してＭＭＩＣ化する傾向が
ある。このような場合にあっては、従来のＦＥＴスイッ
チのように、ＦＥＴの回路構成が各伝送経路間で対称で
あってしかも構成ＦＥＴが各伝送経路毎に同一である
と、一方の伝送経路の特性には最適であるが他方の伝送
経路の特性には適していなかったり、どちらの伝送経路
に対してもある程度の特性は得られるが十分ではなかっ
たりするという課題がある。
が高度になるにつれて、アンプ, ミキサ等の他のデバイ
スとスイッチ回路とを一体化してＭＭＩＣ化する傾向が
ある。このような場合にあっては、従来のＦＥＴスイッ
チのように、ＦＥＴの回路構成が各伝送経路間で対称で
あってしかも構成ＦＥＴが各伝送経路毎に同一である
と、一方の伝送経路の特性には最適であるが他方の伝送
経路の特性には適していなかったり、どちらの伝送経路
に対してもある程度の特性は得られるが十分ではなかっ
たりするという課題がある。
【０００８】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、各伝送経路に伝送されるそれぞれの信号に対し
て最良の特性を持たせることができるＦＥＴスイッチを
提供することを目的とする。
であり、各伝送経路に伝送されるそれぞれの信号に対し
て最良の特性を持たせることができるＦＥＴスイッチを
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＦＥＴスイ
ッチは、ＦＥＴにて構成されている複数の伝送経路に対
する信号伝送を切り換えるＦＥＴスイッチにおいて、各
伝送経路を構成するＦＥＴの回路構成が異なっている
か、及び／または各伝送経路が異なる条件のＦＥＴで構
成されていることを特徴とする。
ッチは、ＦＥＴにて構成されている複数の伝送経路に対
する信号伝送を切り換えるＦＥＴスイッチにおいて、各
伝送経路を構成するＦＥＴの回路構成が異なっている
か、及び／または各伝送経路が異なる条件のＦＥＴで構
成されていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明のＦＥＴスイッチでは、各伝送経路間に
おけるＦＥＴの回路構成を異ならせて非対称とするか、
及び／または各伝送経路において使用するＦＥＴの特性
を異ならせている。従って、各伝送経路毎に最適な特性
を持たせることができ、また、一体化するデバイスに合
わせた最適のＦＥＴを各伝送経路毎に設置できる。
おけるＦＥＴの回路構成を異ならせて非対称とするか、
及び／または各伝送経路において使用するＦＥＴの特性
を異ならせている。従って、各伝送経路毎に最適な特性
を持たせることができ、また、一体化するデバイスに合
わせた最適のＦＥＴを各伝送経路毎に設置できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について、携帯電話用
のアンテナスイッチに本発明を適用した場合を例とし
て、具体的に説明する。
のアンテナスイッチに本発明を適用した場合を例とし
て、具体的に説明する。
【００１２】（第１実施例）図１は、本発明に係るＦＥ
Ｔスイッチ（携帯電話用のアンテナスイッチ）の構成図
である。このＦＥＴスイッチには、アンテナ10から入力
される微弱な電力を小信号として小信号増幅器（図示せ
ず）に伝送するための小信号伝送経路１と、電力増幅器
（図示せず）からの送信出力（中電力）をアンテナ10に
伝送するための電力伝送経路11とが存在する。小信号伝
送経路１は、ＦＥＴ２とＦＥＴ３とから構成され、電力
伝送経路11は、ＦＥＴ12とＦＥＴ13とＦＥＴ14とから構
成されている。
Ｔスイッチ（携帯電話用のアンテナスイッチ）の構成図
である。このＦＥＴスイッチには、アンテナ10から入力
される微弱な電力を小信号として小信号増幅器（図示せ
ず）に伝送するための小信号伝送経路１と、電力増幅器
（図示せず）からの送信出力（中電力）をアンテナ10に
伝送するための電力伝送経路11とが存在する。小信号伝
送経路１は、ＦＥＴ２とＦＥＴ３とから構成され、電力
伝送経路11は、ＦＥＴ12とＦＥＴ13とＦＥＴ14とから構
成されている。
【００１３】小信号伝送経路１において、ＦＥＴ２のド
レイン（Ｄ）はアンテナ10に接続し、ＦＥＴ２のゲート
は一方のゲート端子ａに接続している。ＦＥＴ３のゲー
トは他方のゲート端子ｂに接続し、ＦＥＴ３のドレイン
（Ｄ）は接地されている。ＦＥＴ２及びＦＥＴ３のソー
ス（Ｓ）は、小信号増幅器に連なる小信号出力端子ｃに
接続されている。また、電力伝送経路11において、ＦＥ
Ｔ12のドレイン（Ｄ）はアンテナ10に接続し、ＦＥＴ13
のドレイン（Ｄ）は接地され、ＦＥＴ14のドレイン
（Ｄ）は電力増幅器に連なる電力入力端子ｄに接続され
ている。各ＦＥＴ12，13, 14のソース（Ｓ）は互いに接
続している。ＦＥＴ13のゲートは一方のゲート端子ａに
接続し、各ＦＥＴ12，14のゲートは他方のゲート端子ｂ
に接続している。
レイン（Ｄ）はアンテナ10に接続し、ＦＥＴ２のゲート
は一方のゲート端子ａに接続している。ＦＥＴ３のゲー
トは他方のゲート端子ｂに接続し、ＦＥＴ３のドレイン
（Ｄ）は接地されている。ＦＥＴ２及びＦＥＴ３のソー
ス（Ｓ）は、小信号増幅器に連なる小信号出力端子ｃに
接続されている。また、電力伝送経路11において、ＦＥ
Ｔ12のドレイン（Ｄ）はアンテナ10に接続し、ＦＥＴ13
のドレイン（Ｄ）は接地され、ＦＥＴ14のドレイン
（Ｄ）は電力増幅器に連なる電力入力端子ｄに接続され
ている。各ＦＥＴ12，13, 14のソース（Ｓ）は互いに接
続している。ＦＥＴ13のゲートは一方のゲート端子ａに
接続し、各ＦＥＴ12，14のゲートは他方のゲート端子ｂ
に接続している。
【００１４】ＦＥＴスイッチを構成するこれらの各ＦＥ
Ｔは、ゲート端子ａ，ｂへの印加ゲート電圧（Ｖg)によ
りオン, オフが制御される。ゲート端子ａにＶg ＝０Ｖ
の電圧が印加されている場合には、ゲート端子ｂにはＶ
g ＝−３Ｖ（または−５Ｖ）の電圧が印加され、これと
は逆に、ゲート端子ａにＶg ＝−３Ｖ（または−５Ｖ）
の電圧が印加されている場合には、ゲート端子ｂにはＶ
g ＝０Ｖの電圧が印加されるようになっている。そし
て、Ｖg ＝０Ｖの電圧が印加されると各ＦＥＴはオンと
なり、Ｖg ＝−３Ｖ（または−５Ｖ）の電圧が印加され
ると各ＦＥＴはオフとなる。
Ｔは、ゲート端子ａ，ｂへの印加ゲート電圧（Ｖg)によ
りオン, オフが制御される。ゲート端子ａにＶg ＝０Ｖ
の電圧が印加されている場合には、ゲート端子ｂにはＶ
g ＝−３Ｖ（または−５Ｖ）の電圧が印加され、これと
は逆に、ゲート端子ａにＶg ＝−３Ｖ（または−５Ｖ）
の電圧が印加されている場合には、ゲート端子ｂにはＶ
g ＝０Ｖの電圧が印加されるようになっている。そし
て、Ｖg ＝０Ｖの電圧が印加されると各ＦＥＴはオンと
なり、Ｖg ＝−３Ｖ（または−５Ｖ）の電圧が印加され
ると各ＦＥＴはオフとなる。
【００１５】図１に示すように、小信号伝送経路１と電
力伝送経路11とにおいてＦＥＴの回路構成は非対称であ
る。更に、各伝送経路１，11において、スレッシュホー
ルド電圧（Ｖth）が異なるＦＥＴを使用している。例え
ばゲート電圧がオン時０Ｖ，オフ時−５Ｖの場合、小信
号伝送経路１では、直列ＦＥＴ２のしきい値電圧Ｖthは
−2.6 Ｖ、分路ＦＥＴ３のＶthは−4.3 Ｖであり、また
電力伝送経路11においては、直列ＦＥＴ12, ＦＥＴ14の
Ｖthは−4.3 Ｖ、分路ＦＥＴ13のＶthは−2.6Ｖであ
る。このように、小信号伝送経路１の直列ＦＥＴのＶth
と同じＶthを持つＦＥＴを電力伝送経路11の分路ＦＥＴ
に使用し、また電力伝送経路11の直列ＦＥＴが有するＶ
thと同じＶthのＦＥＴを小信号伝送経路１の分路ＦＥＴ
として使用している。なお、電力伝送経路11において２
個の直列ＦＥＴ12, 14を設けている理由は、非線形性を
防ぐためである。各伝送経路１，11におけるＦＥＴの回
路構成及び各伝送経路１，11において使用する各ＦＥＴ
の特性は、伝送される信号に合わせて最良の特性を各伝
送経路１，11に持たせるべく決定される。
力伝送経路11とにおいてＦＥＴの回路構成は非対称であ
る。更に、各伝送経路１，11において、スレッシュホー
ルド電圧（Ｖth）が異なるＦＥＴを使用している。例え
ばゲート電圧がオン時０Ｖ，オフ時−５Ｖの場合、小信
号伝送経路１では、直列ＦＥＴ２のしきい値電圧Ｖthは
−2.6 Ｖ、分路ＦＥＴ３のＶthは−4.3 Ｖであり、また
電力伝送経路11においては、直列ＦＥＴ12, ＦＥＴ14の
Ｖthは−4.3 Ｖ、分路ＦＥＴ13のＶthは−2.6Ｖであ
る。このように、小信号伝送経路１の直列ＦＥＴのＶth
と同じＶthを持つＦＥＴを電力伝送経路11の分路ＦＥＴ
に使用し、また電力伝送経路11の直列ＦＥＴが有するＶ
thと同じＶthのＦＥＴを小信号伝送経路１の分路ＦＥＴ
として使用している。なお、電力伝送経路11において２
個の直列ＦＥＴ12, 14を設けている理由は、非線形性を
防ぐためである。各伝送経路１，11におけるＦＥＴの回
路構成及び各伝送経路１，11において使用する各ＦＥＴ
の特性は、伝送される信号に合わせて最良の特性を各伝
送経路１，11に持たせるべく決定される。
【００１６】次に、動作について説明する。アンテナ10
が小信号を受信した場合には、ゲート端子ａに０ＶのＶ
g を印加し、ゲート端子ｂに−３Ｖ（または−５Ｖ）の
Ｖgを印加する。そうすると、ＦＥＴ２，13はオンとな
り、ＦＥＴ３，12, 14はオフとなる。従って、アンテナ
10にて受信された小信号は小信号伝送経路１に入って、
電力伝送経路11には入らない。そして、ＦＥＴ３はオフ
状態であるので、その小信号は小信号出力端子ｃに達す
る。ここで、ＦＥＴ13をオンとしている理由は、電力伝
送経路11に漏れて入った極めて微弱な小信号をアースに
流して電力入力端子ｄに達することがないようにするた
めである。
が小信号を受信した場合には、ゲート端子ａに０ＶのＶ
g を印加し、ゲート端子ｂに−３Ｖ（または−５Ｖ）の
Ｖgを印加する。そうすると、ＦＥＴ２，13はオンとな
り、ＦＥＴ３，12, 14はオフとなる。従って、アンテナ
10にて受信された小信号は小信号伝送経路１に入って、
電力伝送経路11には入らない。そして、ＦＥＴ３はオフ
状態であるので、その小信号は小信号出力端子ｃに達す
る。ここで、ＦＥＴ13をオンとしている理由は、電力伝
送経路11に漏れて入った極めて微弱な小信号をアースに
流して電力入力端子ｄに達することがないようにするた
めである。
【００１７】アンテナ10に送信用の中電力を伝送する場
合には、ゲート端子ａに−３Ｖ（または−５Ｖ）のＶg
を印加し、ゲート端子ｂに０ＶのＶg を印加して、ＦＥ
Ｔ３，12, 14はオンとして、ＦＥＴ２，13をオフとす
る。電力入力端子ｄに入力された電力信号は、ＦＥＴ
２，13がオフ状態であるので、電力伝送経路11（ＦＥＴ
14, 12）を経てアンテナ10に確実に供給される。ここ
で、ＦＥＴ３をオンとしている理由は、小信号伝送経路
１に漏れて入った微弱な電力信号をアースに流して小信
号出力端子ｃに達することがないようにするためであ
る。
合には、ゲート端子ａに−３Ｖ（または−５Ｖ）のＶg
を印加し、ゲート端子ｂに０ＶのＶg を印加して、ＦＥ
Ｔ３，12, 14はオンとして、ＦＥＴ２，13をオフとす
る。電力入力端子ｄに入力された電力信号は、ＦＥＴ
２，13がオフ状態であるので、電力伝送経路11（ＦＥＴ
14, 12）を経てアンテナ10に確実に供給される。ここ
で、ＦＥＴ３をオンとしている理由は、小信号伝送経路
１に漏れて入った微弱な電力信号をアースに流して小信
号出力端子ｃに達することがないようにするためであ
る。
【００１８】ところで、各伝送経路毎に作製条件が異な
るＦＥＴを設けることは、作製プロセスの増加につなが
る可能性があると考えられる。しかしながら、小信号増
幅器及び電力増幅器と図１に示すようなＦＥＴスイッチ
とを一体化する場合、小信号増幅器のＦＥＴとＦＥＴス
イッチの小信号伝送経路１におけるＦＥＴとを同一に
し、また電力増幅器のＦＥＴとＦＥＴスイッチの電力伝
送経路11におけるＦＥＴとを同一にすることによって、
プロセスを増やすことなく、ＦＥＴスイッチとデバイス
とを一体化することができ、上述のような可能性は希有
である。
るＦＥＴを設けることは、作製プロセスの増加につなが
る可能性があると考えられる。しかしながら、小信号増
幅器及び電力増幅器と図１に示すようなＦＥＴスイッチ
とを一体化する場合、小信号増幅器のＦＥＴとＦＥＴス
イッチの小信号伝送経路１におけるＦＥＴとを同一に
し、また電力増幅器のＦＥＴとＦＥＴスイッチの電力伝
送経路11におけるＦＥＴとを同一にすることによって、
プロセスを増やすことなく、ＦＥＴスイッチとデバイス
とを一体化することができ、上述のような可能性は希有
である。
【００１９】以上のように、第１実施例では、小信号伝
送経路１と電力伝送経路11とにおいて、ＦＥＴの回路構
成を異ならせ、しかも特性が異なるＦＥＴを使用してい
るので、各伝送経路１，11それぞれに最良の特性を持た
せることが可能である。
送経路１と電力伝送経路11とにおいて、ＦＥＴの回路構
成を異ならせ、しかも特性が異なるＦＥＴを使用してい
るので、各伝送経路１，11それぞれに最良の特性を持た
せることが可能である。
【００２０】（第２実施例）図２は、本発明に係るＦＥ
Ｔスイッチ（携帯電話用のアンテナスイッチ）の他の構
成を示す図である。このＦＥＴスイッチには、図１に示
す第１実施例と同様に、アンテナ10にて受信される小信
号を小信号出力端子ｃを介して小信号増幅器（図示せ
ず）へ伝送する小信号伝送経路21と、電力増幅器（図示
せず）からの送信出力を電力入力端子ｄを介してアンテ
ナ10へ伝送する電力伝送経路31とが存在する。小信号伝
送経路21はＦＥＴ22から構成され、電力伝送経路31はＦ
ＥＴ32とＦＥＴ33とから構成されている。この第２実施
例も、第１実施例と同様に、小信号伝送経路21と電力伝
送経路31とにおいて、ＦＥＴの回路構成が異なってお
り、しかも特性が異なるＦＥＴを使用しているので、各
伝送経路21，31それぞれに最良の特性を持たせることが
できる。なお、この第２実施例の動作は、前述の第１実
施例の動作に準じて同様に考えられるので、その説明は
省略する。
Ｔスイッチ（携帯電話用のアンテナスイッチ）の他の構
成を示す図である。このＦＥＴスイッチには、図１に示
す第１実施例と同様に、アンテナ10にて受信される小信
号を小信号出力端子ｃを介して小信号増幅器（図示せ
ず）へ伝送する小信号伝送経路21と、電力増幅器（図示
せず）からの送信出力を電力入力端子ｄを介してアンテ
ナ10へ伝送する電力伝送経路31とが存在する。小信号伝
送経路21はＦＥＴ22から構成され、電力伝送経路31はＦ
ＥＴ32とＦＥＴ33とから構成されている。この第２実施
例も、第１実施例と同様に、小信号伝送経路21と電力伝
送経路31とにおいて、ＦＥＴの回路構成が異なってお
り、しかも特性が異なるＦＥＴを使用しているので、各
伝送経路21，31それぞれに最良の特性を持たせることが
できる。なお、この第２実施例の動作は、前述の第１実
施例の動作に準じて同様に考えられるので、その説明は
省略する。
【００２１】（第３実施例）図３は、本発明に係るＦＥ
Ｔスイッチ（携帯電話用のアンテナスイッチ）の構成図
である。この第３実施例は、各伝送経路におけるＦＥＴ
の回路構成は同じであるが、各伝送経路が異なる条件の
ＦＥＴで構成されている。このＦＥＴスイッチには、ア
ンテナ10から入力される微弱な電力を小信号として小信
号増幅器（図示せず）に伝送するための小信号伝送経路
41と、電力増幅器（図示せず）からの送信出力（最大20
dBm)をアンテナ10に伝送するための電力伝送経路51とが
存在する。小信号伝送経路41は、ＦＥＴ42とＦＥＴ43と
から構成され、電力伝送経路51は、ＦＥＴ52とＦＥＴ53
とから構成されている。
Ｔスイッチ（携帯電話用のアンテナスイッチ）の構成図
である。この第３実施例は、各伝送経路におけるＦＥＴ
の回路構成は同じであるが、各伝送経路が異なる条件の
ＦＥＴで構成されている。このＦＥＴスイッチには、ア
ンテナ10から入力される微弱な電力を小信号として小信
号増幅器（図示せず）に伝送するための小信号伝送経路
41と、電力増幅器（図示せず）からの送信出力（最大20
dBm)をアンテナ10に伝送するための電力伝送経路51とが
存在する。小信号伝送経路41は、ＦＥＴ42とＦＥＴ43と
から構成され、電力伝送経路51は、ＦＥＴ52とＦＥＴ53
とから構成されている。
【００２２】小信号伝送経路１において、ＦＥＴ42のド
レイン（Ｄ）はコイルL1を介してアンテナ10に接続し、
ＦＥＴ42のゲートは一方のゲート端子ａに接続してい
る。ＦＥＴ43のゲートは他方のゲート端子ｂに接続し、
ＦＥＴ43のドレイン（Ｄ）は接地されている。ＦＥＴ42
及びＦＥＴ43のソース（Ｓ）は、小信号増幅器に連なる
小信号出力端子ｃにコイルL2を介して接続されている。
また、電力伝送経路51において、ＦＥＴ52のドレイン
（Ｄ）はアンテナ10に接続し、ＦＥＴ53のドレイン
（Ｄ）は接地されている。ＦＥＴ52のゲートは他方のゲ
ート端子ｂに接続している。ＦＥＴ53のゲートは一方の
ゲート端子ａに接続している。ＦＥＴ52及びＦＥＴ53の
ソース（Ｓ）は、電力増幅器に連なる電力入力端子ｄに
コイルL3を介して接続されている。
レイン（Ｄ）はコイルL1を介してアンテナ10に接続し、
ＦＥＴ42のゲートは一方のゲート端子ａに接続してい
る。ＦＥＴ43のゲートは他方のゲート端子ｂに接続し、
ＦＥＴ43のドレイン（Ｄ）は接地されている。ＦＥＴ42
及びＦＥＴ43のソース（Ｓ）は、小信号増幅器に連なる
小信号出力端子ｃにコイルL2を介して接続されている。
また、電力伝送経路51において、ＦＥＴ52のドレイン
（Ｄ）はアンテナ10に接続し、ＦＥＴ53のドレイン
（Ｄ）は接地されている。ＦＥＴ52のゲートは他方のゲ
ート端子ｂに接続している。ＦＥＴ53のゲートは一方の
ゲート端子ａに接続している。ＦＥＴ52及びＦＥＴ53の
ソース（Ｓ）は、電力増幅器に連なる電力入力端子ｄに
コイルL3を介して接続されている。
【００２３】各ＦＥＴのゲートに加える切り換え電圧
は、オン時０Ｖ，オフ時−３Ｖである。各ＦＥＴのしき
い値電圧Ｖthは、ＦＥＴ42, ＦＥＴ53がＶth＝−0.8
Ｖ、ＦＥＴ43, ＦＥＴ52がＶth＝−2.4 Ｖである。各Ｆ
ＥＴのゲート幅は、ＦＥＴ42：1400μｍ，ＦＥＴ43：20
0 μｍ，ＦＥＴ52：1000μｍ，ＦＥＴ53：200 μｍであ
る。各L1, L2, L3のワイヤボンドのインダクタンス成分
で約0.8 ｎＨである。
は、オン時０Ｖ，オフ時−３Ｖである。各ＦＥＴのしき
い値電圧Ｖthは、ＦＥＴ42, ＦＥＴ53がＶth＝−0.8
Ｖ、ＦＥＴ43, ＦＥＴ52がＶth＝−2.4 Ｖである。各Ｆ
ＥＴのゲート幅は、ＦＥＴ42：1400μｍ，ＦＥＴ43：20
0 μｍ，ＦＥＴ52：1000μｍ，ＦＥＴ53：200 μｍであ
る。各L1, L2, L3のワイヤボンドのインダクタンス成分
で約0.8 ｎＨである。
【００２４】図４，図５に図３におけるＦＥＴスイッチ
の回路特性を示す。図４は、ＦＥＴ42，53がオン、ＦＥ
Ｔ43，52がオフの状態、つまり小信号伝送経路41がオン
状態の場合の挿入損失とアイソレーションとを横軸に周
波数をとって示したグラフである。また、図５は、ＦＥ
Ｔ43，52がオン、ＦＥＴ42，53がオフの状態、つまり電
力伝送経路51がオン状態の場合の挿入損失とアイソレー
ションとを横軸に周波数をとって示したグラフである。
携帯電話の動作周波数1.9 ＧＨｚにおいて、小信号伝送
経路41がオン状態では、挿入損失が0.55ｄＢ、アイソレ
ーションが31ｄＢであり、電力伝送経路51がオン状態で
は、挿入損失が0.65ｄＢ、アイソレーションが24ｄＢで
ある。また、P1ｄＢ（１ｄＢ Compression) は25.4dBm
であり、優れた特性が得られる。
の回路特性を示す。図４は、ＦＥＴ42，53がオン、ＦＥ
Ｔ43，52がオフの状態、つまり小信号伝送経路41がオン
状態の場合の挿入損失とアイソレーションとを横軸に周
波数をとって示したグラフである。また、図５は、ＦＥ
Ｔ43，52がオン、ＦＥＴ42，53がオフの状態、つまり電
力伝送経路51がオン状態の場合の挿入損失とアイソレー
ションとを横軸に周波数をとって示したグラフである。
携帯電話の動作周波数1.9 ＧＨｚにおいて、小信号伝送
経路41がオン状態では、挿入損失が0.55ｄＢ、アイソレ
ーションが31ｄＢであり、電力伝送経路51がオン状態で
は、挿入損失が0.65ｄＢ、アイソレーションが24ｄＢで
ある。また、P1ｄＢ（１ｄＢ Compression) は25.4dBm
であり、優れた特性が得られる。
【００２５】なお、上述の各実施例におけるソース
（Ｓ），ドレイン（Ｄ）は逆にしても同様の効果を奏す
る。
（Ｓ），ドレイン（Ｄ）は逆にしても同様の効果を奏す
る。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明のＦＥＴスイッチ
では、各伝送経路においてＦＥＴの回路構成が異なって
いるか、及び／または各伝送経路を構成するＦＥＴの特
性が異なっているので、各伝送経路を伝送される信号に
対して最適の特性を持たせることができる。この結果、
本発明のＦＥＴスイッチでは、アンプ，ミキサ等のデバ
イスに一体化させても、優れたスイッチイング特性を発
揮できる。
では、各伝送経路においてＦＥＴの回路構成が異なって
いるか、及び／または各伝送経路を構成するＦＥＴの特
性が異なっているので、各伝送経路を伝送される信号に
対して最適の特性を持たせることができる。この結果、
本発明のＦＥＴスイッチでは、アンプ，ミキサ等のデバ
イスに一体化させても、優れたスイッチイング特性を発
揮できる。
【図１】本発明の一実施例のＦＥＴスイッチの構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明の他の実施例のＦＥＴスイッチの構成図
である。
である。
【図３】本発明の更に他の実施例のＦＥＴスイッチの構
成図である。
成図である。
【図４】図３における回路特性を示すグラフである。
【図５】図３における回路特性を示すグラフである。
【図６】従来のＦＥＴスイッチの構成図である。
【図７】従来の他のＦＥＴスイッチの構成図である。
１，21, 41 小信号伝送経路 ２，３，22, 42, 43 小信号伝送経路のＦＥＴ 10 アンテナ 11，21, 41 電力伝送経路 12, 13, 14, 32, 33, 52, 53 電力伝送経路のＦＥＴ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＦＥＴにて構成されている複数の伝送経
路に対する信号伝送を切り換えるＦＥＴスイッチにおい
て、各伝送経路を構成するＦＥＴの回路構成が異なって
いるか、及び／または各伝送経路が異なる条件のＦＥＴ
で構成されていることを特徴とするＦＥＴスイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5745793A JPH0629811A (ja) | 1992-04-15 | 1993-03-17 | Ｆｅｔスイッチ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12260492 | 1992-04-15 | ||
| JP4-122604 | 1992-04-15 | ||
| JP5745793A JPH0629811A (ja) | 1992-04-15 | 1993-03-17 | Ｆｅｔスイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629811A true JPH0629811A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=26398507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5745793A Pending JPH0629811A (ja) | 1992-04-15 | 1993-03-17 | Ｆｅｔスイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629811A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580107B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-06-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor device with depletion layer stop region |
| US6873828B2 (en) | 2000-05-15 | 2005-03-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor switching device for high frequency switching |
| US6882210B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-04-19 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Semiconductor switching device |
| US7206552B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor switching device |
| JP2012009981A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波スイッチ回路およびその設計方法 |
| US10120095B2 (en) | 2016-01-22 | 2018-11-06 | Omron Corporation | Proximity switch |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5745793A patent/JPH0629811A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6873828B2 (en) | 2000-05-15 | 2005-03-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor switching device for high frequency switching |
| US6580107B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-06-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor device with depletion layer stop region |
| US6867115B2 (en) | 2000-10-10 | 2005-03-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor device |
| US7206552B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor switching device |
| US6882210B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-04-19 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Semiconductor switching device |
| JP2012009981A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波スイッチ回路およびその設計方法 |
| US10120095B2 (en) | 2016-01-22 | 2018-11-06 | Omron Corporation | Proximity switch |
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