JP2012009981A - 高周波スイッチ回路およびその設計方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】共通端子と個別端子との間に高周波スイッチ部を備え、高周波スイッチ部は、スタック段数n段の直列スイッチ素子群と、スタック段数n+1段以上の直列スイッチ素子群で構成されている。スタック段数の異なる直列スイッチ素子群は、レイアウト面積と高調波特性に関連するコスト係数のトレードオフ関係を微調整し、最適なひずみ特性を実現しつつ、チップ面積の増加を抑制する。
【選択図】図4
Description
Modulation Distortion:相互変調ひずみ)特性などが所望の範囲であることが要求されている。ここで、高調波ひずみとは、通過経路を伝送する信号周波数に対する整数倍の周波数信号の不要漏れ信号レベルを指す。
Pole 6 Throw:単極6投)スイッチのレイアウト図で、図11Aはスタック段数が2段の場合、図11Bはスタック段数が3段とし、さらにゲート幅を1.5倍と広くしている場合を示している。なお図11では、FETのゲート制御電極、配線などの詳細な構造は省略し、レイアウトサイズの比較を行っている。
Pmax>2{N(Vp−VC)}2/Zo
ここでNはFETのスタック段数、Vpは使用するFETのピンチオフ電圧、VCは切替電圧、Zoは特性インピーダンスである。Zoは50Ωとするのが一般的である。Pmaxは共通端子PCに供給される最大電力である。切替電圧VCは高周波スイッチ素子の制御電圧であり、RF信号が流れるRFライン上の電位をV0とし、高周波スイッチ素子をOFF状態にする際の制御電圧をVOFFとすると、VC=V0−VOFFである。例えばV0=0V、すなわちGND電位とし、VOFF=−6Vとすると、VC=6Vとなる。同じVCとなる別の例としては、V0=6Vとし、VOFF=0Vとする場合もある。ピンチオフ電圧VpはnチャネルディプレッションモードGaAsFETの場合には負値で表現する場合もあるが、上記Vpは正の値とする。すなわち負値である−0.5V〜−1.0V程度に対して、Vpは0.5〜1.0Vとなる。例えばPmax=36dBm(=4W)、Vp=0.8V、N=3とすると、VC>4.13Vとなる。この例で示したVC>4.13Vという条件は最低限必要な電圧であり、実際には使用するプロセス、デバイスルールによって、これ以上が必要になる場合もある。
によって求められる。ここで求めるfは3次高調波に対する歩留に相当する。そこで歩留fで高周波スイッチ回路のサイズを割ると、コストに相当する値が求められる。ここではこれをコスト係数と呼ぶことにする。
Pole Throw:双極m投)、3PmT(3 Pole m Throw:3極m投)スイッチに同様に適用することができることはいうまでもない。
Claims (2)
- 1または2以上の共通端子と、送信端子または送受信端子からなる3以上の個別端子と、前記共通端子と前記個別端子との間に接続され、制御端子から入力される制御信号により接続状態、非接続状態を切り替える高周波スイッチ部とを備えた高周波スイッチ回路であって、
前記高周波スイッチ部は、電界効果トランジスタからなる高周波スイッチ素子が2以上直列に接続し、
前記共通端子と前記個別端子の1つとの間に接続されている高周波スイッチ部は、n(nは2以上の自然数、以下同様)個の前記高周波スイッチ素子が直列接続した第1の直列スイッチ素子群で構成され、
前記共通端子と前記個別端子の別の1つとの間に接続されている高周波スイッチ部は、n+1個以上の前記高周波スイッチ素子が直列接続した第2の直列スイッチ素子群とで構成されており、
前記第2の直列スイッチ素子群を構成する前記高周波スイッチ素子のゲート幅は、前記第1の直列スイッチ素子群を構成する前記高周波スイッチ素子のゲート幅より広く設定されていることを特徴とする高周波スイッチ回路。 - 1または2以上の共通端子と、送信端子または送受信端子からなる3以上の個別端子と、前記共通端子と前記個別端子との間に接続され、制御端子から入力される制御信号により接続状態、非接続状態を切り替える高周波スイッチ部とを備えた高周波スイッチ回路であって、
前記高周波スイッチ部は、電界効果トランジスタからなる高周波スイッチ素子が2以上直列に接続し、
前記共通端子と前記個別端子の1つとの間に接続されている高周波スイッチ部は、n個の前記高周波スイッチ素子が直列接続した第1の直列スイッチ素子群で構成され、
前記共通端子と前記個別端子の別の1つとの間に接続されている高周波スイッチ部は、n+1個以上の前記高周波スイッチ素子が直列接続した第2の直列スイッチ素子群で構成されており、
前記第2の直列スイッチ素子群を構成する前記高周波スイッチ素子のゲート幅は、前記第1の直列スイッチ素子群を構成する前記高周波スイッチ素子のゲート幅より広く設定されている高周波スイッチ回路の設計方法において、
前記第2の直列スイッチ素子群の数は、前記高周波スイッチ部の面積を累積度数確率分布で割って求められるコスト係数から設定することを特徴とする高周波スイッチ回路の設計方法。
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