JPS61101023A - 堆積膜形成法 - Google Patents

堆積膜形成法

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JPS61101023A
JPS61101023A JP59222211A JP22221184A JPS61101023A JP S61101023 A JPS61101023 A JP S61101023A JP 59222211 A JP59222211 A JP 59222211A JP 22221184 A JP22221184 A JP 22221184A JP S61101023 A JPS61101023 A JP S61101023A
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JP
Japan
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film
compound
space
gas
forming
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JP59222211A
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Shunichi Ishihara
俊一 石原
Masaaki Hirooka
広岡 政昭
Shigeru Ono
茂 大野
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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    • HELECTRICITY
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    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02524Group 14 semiconducting materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はシリコンを含有する堆積膜、とりわけ機能性膜
、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画
像入力用のラインセンサー、撮像デバイスなどに用いる
アモルファスシリコンあるいは多結晶シリコンの堆積膜
を形成するのに好適な方法に関する。
〔従来技術〕
例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着
法、プラズマCVD法、CVD法、反応性スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法、光CVD法などが試み
られており、一般的には、プラズマ,CVD法が広く用
いられ、企業化されている。
面乍らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労”特性あるい
は使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性
、量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る
余地がある。
従来から一般化されているプラズマCVD法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のCVD法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、(例えば、基板温度、導入ガ
スの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造、
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など)こ
れら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装置
特有のパラメータを装置ごとに選定しなければならず、
したがって製造条件を一般化することがむずかしいのが
実状であった。一方、アモルファスシリコン膜として電
気的、光学的、光導電的乃至は機械的特性が各用途を十
分に満足させ得るものを発現させるためには、現状では
プラズマCVD法によって形成することが最良とされて
いる。
面乍ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を七分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマCVD法によるアモルファスシリコン堆積膜の
形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要とな
り、またその量産の為の管理項目も複雑になり、管理許
容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることから、こ
れらのことが、今後改善すべき問題点として指摘されて
いる。他方、通常のCVD法による従来の技術では、高
温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られ
ていなかった。
(−述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、
その実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コス
トな装置で酸度化できる形成方法を開発することが切望
されている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒
化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於て
も同様なことがいえる。
本発明は、上述したプラズマCVD法の欠点を除去する
と時に、従来の形成方法によらない新規な14ト積膜形
成法を提供するものである。
〔発明の目的及び概要〕
本発明の目的は、形成される膜の特性、成膜速度、再現
性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面積
化に適し、膜の生産性の向上及びril産化な容易に達
成することのできる堆積膜形成法を提供することにある
1−記目的は、基体−にに堆積膜を形成する為の成膜空
間内に、堆積膜形成用の原料となるケイ素化合物と、ゲ
ルマニウムとハロゲンを含む化合物を分解することによ
り生成され、前記ケイ素化合物と化学的相互作用をする
活性種とを夫々別々に導入し、これらに光エネルギーを
照射し前記ケイ素化合物を励起し反応させる事によって
、前記基体上に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明
の堆積膜形成法によって達成される。
〔実施態様〕
本発明方法では、堆積膜を形成する為の成膜空間におい
てプラズマを生起させる代りに、光エネルギーを用い成
膜原料のガスを励起し反応させるため、形成される堆積
膜は、エツチング作用、或いはその他の例えば異常放電
作用などによる悪影響を受けることは実質的にない。
又、本発明によれば、成膜空間の雰囲気温度、基板温度
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たCVD法とすることができる。
更に、励起エネルギーは基体近傍に到達した原料に一様
にあるいは選択的制御的に付与されるが、光エネルギー
を使用すれば、適宜の光学系を用いて基体の全体に照射
して堆積膜を形成することができるし、あるいは所望部
分のみに選択的制御的に照射して部分的に堆積膜を形成
することができ、またレジスト等を使用して所定の図形
部分のみに照射し堆積膜を形成できるなどの便利さを有
しているため、有利に用いられる。
本発明の方法が従来のCVD法と違う点の1つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間(以下、分解空間という
)に於いて活性化された活性種を使うことである。この
ことにより、従来のCVD法より成膜速度を飛躍的に伸
ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基板温度も一
層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した
堆積膜を1業的に大量に、しかも低コストで提供できる
尚、本発明での前記活性種とは、前記堆積膜形成用原料
の化合物あるいはこの励起分解物と化学的相互作用を起
して例えばエネルギーを付午したリ、化学反応を起した
りして、堆積膜の形成を促す作用を有するものを云う。
従って、活性種としては、形成される堆積膜を構成する
構成要素に成る構成要素を含んでいても良く、あるいは
その様な構成要素を含んでいなくともよい。
本発明では、成膜空間に導入される分解空間からの活性
種は、生産性及び取扱い易さなどの点から、その寿命が
5秒以上、より好ましくは15以−ト、最適には30秒
以上あるものが、所望に従って選択されて使用される。
本発明で使用する堆M膜形成原料となるケイ素化合物は
、成膜空間に導入yれる以前に既に気体状態となってい
るか、あるいは気体状態とされて導入されることが好ま
しい。例えば液状の化合物を用いる場合、化合物供給源
に適宜の気化装置を接続して化合物を気化してから成膜
空間に導入することができる。ケイ素化合物としては、
ケイ素に水素、酸素、ハロゲン、あるいは炭化水素基な
どが結合したシラン類及びシロキサン類等を用いること
ができる。とりわけ鎖状及び環状のシラン化合物、この
鎖状及び環状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部
をハロゲン原子で置換した化合物などが好適である。
11体的には、例えば、SiH4,St2 H6、Si
3 HB、Si4 H,6,5i51(12、好ましく
は1−15、より好ましくは1〜lOの整数である。)
で示Sれる直鎖状シラン化合物、SiH3Sin (S
iH3)SiH3,5iH3Sift (SiH3)S
i3H7,Si7 H5Si(pは前述の意味を有する
。)で示される分岐を有する鎖状シラン化合物、これら
直鎖状又は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素原子
の一部又は全部をハロゲン原子で置換した化合物、5i
3116、Si4 )(B、5i5H1゜、5i6H+
2等のSt  H(qは3以し、好ましくは3〜 2q 6の整数である。)で示される環状シラン化合物、該環
状シラン化合物の水素原子の一部又は全部を他の環状シ
ラニル基及び/又は鎖状シラニル基で置換した化合物、
上記例示したシラン化合物の水素原子の一部又は全部を
ハロゲン原子で置換した化合物の例として、5fH3F
、5iH3x (xはハロゲン原子、rは1以に、好ま
しくは1−10、より好ましくは3〜7の整数、s+t
=2r+2又は2rである。)で示されるハロゲン置換
鎖状又は環状シラン化合物などである。
これらの化合物は、1種を使用しても2種以I−を併用
してもよい。
本発明において、分解空間に導入されるゲルマニウムと
ハロゲンを含む化合物としては1例えば鎖状又は環状水
素化ゲルマニウム化合物の水素原子の一部乃至全部をハ
ロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的には、
例えば、GeLLY2u+2(uはl以りの整数、Yは
F、C1、Br又は■である。)で示される鎖状ハロゲ
ン化ゲルマニウム、Ge、Y  (vは3以]−の整数
、v    2v Yは前述の意味な有する。)で示される環状ハロは前述
の意味を有する。 X−1y=2u又は2u+2である
。)で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられる。
具体的には例えばGeF4、(GeF2)5、(GeF
2)6、(GeF2 )4 、Ge、、F6、Ge3F
s 、GeI(F3 、GeI(、、F2、GeC14
(GeCl2)5t GeBr4、(GeB r2) 
5、Ge、、C16、Ge2 C13F3などのガス状
態の又は容易にガス化し得るものが挙げられる。
また、本発明においては、前記ゲルマニウムとハロゲン
を含む化合物を分解することにより生成される活性種に
加えて、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解すること
により生成される活性種及び/又は炭素とハロゲンを含
む化合物を分解することにより生成される活性種を併用
することができる。
このケイ素とハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖
状又は環状シラン化合物の水素原子の−・部乃至全部を
ハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的には
、 例えば、 5tuY     (uは1以上の整数
、YはF、CI、2u+2 Br又はIである。)で示される鎖状ノ\ロゲン化ケイ
素、 SiY    (vは3以上の整数、v    
2v Yは前述の意味を有する。)で示される環状/\ロゲン
化ケイ素、  Si  HY  (u及びYu   X
   y は前述の意味を有する。 x+y=2u又は2u+2で
ある。)で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられ
る。
■L体的には例えばS i F4、(SiF2)s、(
S i F2 ) r、、(SiF2)4.Si7 F
6、S I3 F8.S i’HF3 、S iH2F
7.5iC14(SiC12)5.5ij3r4、(S
iBr、)’s、S I2 C16,5i7CI3F3
などのカス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げら
れる。
これらのケイ素化合物は、1種用いても2挿具1−を1
1(川してもよい。
また、炭素とハロゲンを含む化合物としては。
例えば鎖状又は環状炭化水素化合物の水素原子の−・部
乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、
具体的には、例えば、CY u  2u+2 (Uはl以トの整数、YはF、C1,Br又はIである
。)で示される鎖状ハロゲン化炭素、CY   (vは
3以1−の整数、Yは前述の意  2v l 味を有する。)で示される環状ハロゲン化ケイす名。 
 x+y=2u又は2u+2である。)で示される鎖状
又は環状化合物などが挙げられる。
具体的には例えばCF4、(CF2)S、(CF2)6
、(CF2)4.C2F6.C3FB、CHF3.CH
2F2 、CC14(CC12)5、CBr4、(CB
r2)5.02C16,02C13F3などのガス状態
の又は容易にガス化し得るものが挙げられる。
これらの炭素化合物は、1種用いても2種以上を併用し
てもよい。
活性種を生成させるためには、例えば前記ゲルマニウム
とハロゲンを含む化合物の活性種を生成させる場合には
、この化合物に加えて、必要に応じてゲルマニウム単体
等信のゲルマニウム化合物、水素、ハロゲン化合物(例
えばF2ガス、C12ガス、ガス化したBr2.I2等
)などを併用することができる。
本発明において、分解空間で活性種を生成させる方法と
しては、各々の条件、装置を考慮して放電エネルギー、
熱エネルギー、光エネルギーなどの励起エネルギーが使
用される。
(−述したものに、分解空間で熱、光、放電などの分解
エネルギーを加えることばより、活性種が生成される。
本発明において、成膜空間における堆積膜形成用原村と
なるケイ素化合物と分解空間からの活性種との計の割合
は、堆積条件、活性種の種類などで適宜所望に従って決
められるが、好ましくはlO:1〜1:10(導入流量
比)が適当であり、より好ましくは8:2〜4:6とさ
れるのが望ましい。
本発明において、ケイ素化合物の他に、成膜のための原
料として水素ガス、ハロゲン化合物(例えばF2ガス、
C12ガス、ガス化したBr2、I2等)、アルゴン、
ネオン等の不活性ガスなどを成膜空間に導入して用いる
こともできる。これらの原料カスの複数を用いる場合に
は、予め混合して成膜空間内に導入することもできるし
、あるいはこれらの原料ガスを夫々独ir Lだ供給源
から各個別に供給し、成膜空間に導入することもできる
また本発明の方法により形成される堆積膜を不純物元素
でドーピングすることが可能である。使用する不純物元
素としては、p型不純物として、周期率表第1II  
族Aの元素、例えばB、AI。
G a 、 I n 、 T I等が好適なものとして
挙げられ、n型不純物としては、周期率表第V 族Aの
元素、例えばN、P、As、Sb、Bi等が好適なもの
として挙げられるが、特にB、Ga、P。
sb等が最適である。ドーピングされる不純物の量は、
所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定される
かかる不純物元素を成分として含む化合物としては、常
温常圧でガス状態であるか、あるいは少なくとも堆積膜
形成条件下で気体であり、適宜の気化装置で容易に気化
し得る化合物を選択するのが好ましい。この様な化合物
としては、PH,、P2 )1q  、 P  F3 
 、  P Fs  、  PC13、AsH3、A、
sF3 、 AsF5.  As、CI3  、S  
bH:+  、、  S  b  F、、、S  i 
、H3、BF3  、BCl3.  B、Br3.  
B2H6,B41t+o  、B、、If9 、  B
、、H,、、B6 H,。 、Bl、H,、、、AlC
l3等を挙げることができる。不純物元素を含む化合物
は、1種用いても2挿置1: 1Jj用してもよい。
不純物元素を成分として含む化合物な成膜空間内に導入
するには、予め前記ケイ素化合物等と混合して導入する
か、あるいは独立した複数のガス供給源よりこれらの原
料ガスを各個別に導入することができる。
次に、本発明方法によって形成される電子写真用像形成
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
第1・図は、本発明によって得られる典型的な光導電部
材の構成例を説明するための模式図である。
第1図に示す光導電部材、lOは、電子写真用像形成部
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての支持体11の−Lに、必要に応じて設けられる中間
層12、及び感光層13で構成される層構成を有してい
る。
支持体11としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い。導電性支持体としては、例えば、NiCr、ステ
ンレス、A1.Cr、Mo、Au、I r、Nb、Ta
、■、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ1m化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がNiCr、A1、C
r、Mo、Au、I r、Nb、Ta、V、 T  i
、、Pt、  Pd、  I  n2 03  、  
S  n02  、I To、 (■n203 + S
 n02 )等の薄膜を設けることによって導電処理さ
れ、あるいはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、Nr  q r 、 AI、  Ag、 
 Pb、 Zn、  Ni  1.Au 、Cr、  
Mo、  I  r、  Nb、  Ta、  V、 
Tj  、 Pt等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネー
ト処理して、その表面が導電処理される。支持体の形状
としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし
得、所望によって、その形状が決定されるが、例えば、
第1図の光導電部材lOを電子写真用像形成部材として
使用するのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。
例えば中間層12には、支持体11の側から感光層13
中へのキャリアの流入を効果的に阻II−シ11つ電磁
波の照射によって感光層13中に生じ。
支持体11の側に向って移動するフォトキャリアの感光
層13の側から支持体11の側への通過な容易に許す機
能を有する。
この中間層12は、水素原子(H)及び/又はハロケン
i子(X)を含有するアモルファスシリコン(以下、a
−3i(H,X)と記す。)で構成されると共に、電気
伝導性を支配する物質として、例えばB等のp型不純物
あるいはP等のP型不純物が含有されている。
本発明に於て、中間層12中に含有されるB。
P等の伝導性を支配する物質の含有酸としては、好適に
は、0.001〜5XlO’ at omicppm、
より好適には0.5〜IXIO4atomic  pp
m、最適には1〜5×lO3103ato  ppmと
Sれるのが望ましい。
中間層12を形成する場合には、感光層13の形成まで
連続的に行なうことができる。その場合には、中間層形
成用の原料として、分解空間で生成された活性種と、気
体状態のケイ素化合物、必要に応じて水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合
物のガス等と、を夫々別々に支持体11の設置しである
成敗空間に導入し、光エネルギーを用いることにより、
前記支持体l1l−に中間層12を形成させればよい。
中間層12を形成させる際に分解空間に導入されて活成
種を生成するゲルマニウムとハロゲンを含む化合物は、
高温下で容易に例えばGeF2木の如き活性種を生成す
る。
中間層12の層厚は、好ましくは、30A〜10pL、
より好適には40A〜8JL、最適には50A〜5終と
されるのが望ましい。
感光層13は、例えばA−3i (H、X) テ構成さ
れ、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生す
る電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両
機能を有する。
感光層13の層厚としては、好ましくは、l〜+00p
−1より好適には1〜80延、最適には2〜50yLと
されるのが望ましい。
感光層13は、ノンドーブノa−3i (H。
X)層であるが、所望により中間層12に含有される伝
導特性を支配する物質の極性とは別の極性(例えばn型
)の伝導特性を支配する物質を含有させでもよいし、あ
るいは、同極性の伝導特性を支配する物質を、中間層1
2に含有される実際の間が多い場合には、核酸よりも一
段と少ないμにして含有させてもよい。
感光層13の形成も、中間層12の場合と同様に、分解
空間にゲルマニウムとノ\ロゲンを含む化合物が導入さ
れ、高温下でこれ等を分解することで活性種が生成され
、成膜空間に導入される。また、これとは別に、気体状
態のケイ素化合物と、必要に応じて、水素、ハロゲン化
合物、不活性ガス、不純物元素を成分として含む化合物
のガス等を、支持体11の設置しである成膜空間に導入
し、光エネルギーを用いることにより、前記支持体11
−J、に中間層12を形成させればよい。第2図は、本
発明方法を実施して作製される不純物元素でドーピング
されたa−3i堆積膜を利用したPIN型ダイオード・
デバイスの典型例を示した模式図である。
図中、21は基板、22及び27は薄膜電極、23は半
導体膜であり、n型のa−3i層24、i型のa−3i
層25、p型のa−3i層26によって構成される。2
8は導線である。
基板21としては半導電性、好ましくは電気絶縁性のも
のが用いられる。半導電性基板としては、例えば、Si
、Ge等の半導体が挙げられる。薄膜電極22.27と
しては例えば、NiCr、A1.Cr、Mo、Au、I
r、Nb、Ta、■、Ti、Pt、Pd、In2O3,
5n02.ITO(In203+5n02)等の薄膜を
、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等の処理
で基板上に設けることによってイ!Iられる。電極22
.27の膜厚としては、好ましくは30〜5X104A
、より好ましくは100〜5X103Aとされるのが望
ましい。
a−3iの半導体層23を構成する膜体を必要に応じて
n型24又はp型26とするには、層形成の際に、不純
物元素のうちn型不純物又はp型不純物、あるいは両不
純物を形成される層中にその早を制御し乍らドーピング
してやる事によって形成される。
n型、i型及びp型のa−3i層を形成するには、未発
明方が、により1分解空間にゲルマニウムとハロゲンを
含む化合物が導入され、高温下でこれ等を分解すること
で、例えばGeF2”等の活性種が生成され、成膜空間
に導入される。また、これとは別に、気体状態のケイ素
化合物と、必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を成
分として含む化合物のガス等を、支持体11の設置しで
ある成膜空間に導入し、光エネルギーを用いることによ
り形成させればよい。n型及びp型のa−3i層の膜厚
としては、好ましくはlOO〜104望ましい。
また、i型のa−3i層の膜厚としては、好ましくは5
00〜104A、より好ましくは1000〜toooo
λの範囲が望ましい。
以下に、本発明の具体的実施例を示す。
実施例1 第3図に示した装置を用い、以下の如き操作によってi
型、p型及びn型のa−3i堆積膜を形成17た。
第3図において、101は堆積室であり、内部の基体支
持台102 hに所望の基体103が載置される。
104は基体加熱用のヒーターであり、導線105を介
して給電され、発熱する。基体温度は特に制限されない
が、本発明方法を実施するにあたっては、好ましくは5
0〜150℃、より好ましくは100〜150°Cであ
ることが望ましい。
106乃至109は、ガス供給源であり、ケイ素化合物
、及び必要に応じて用いられる水素、ハロゲン化合物、
不活性ガス、不純物元素を成分とする化合物の数に応じ
て設けられる。原料化合物のうち液状のものを使用する
場合には、適宜の気化装置を具備させる。図中ガス供給
源106乃至109の符合にaを付したのは分岐管、b
を付したのは流量計、Cを付したのは各流量計の高圧側
の圧力を計測する圧力計、d又はeを付したのは各気体
流量を調整するためのバルブである。110は成膜空間
へのガス導入管、111はガス圧力計である。図中11
2は分解空間、113は電気炉、114は固体Ge粒、
115は活性種の原料となる気体状態のゲルマニウムと
ハロゲンを含む化合物の導入管であり、分解空間112
で生成された活性種は導入管116を介して成膜空間1
01内に導入される。
117は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラ
ンプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーサー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等が用いられる。
光エネルギー発生装置117から適宜の光学系を用いて
基体全体あるいは基体の所望部分に向けられた光118
は、矢印119の向きに流れている原料ガス等に照射さ
れ、成膜原料のガス等を励起し反応させる事によって基
体103の全体あるいは所望部分にa−3iの堆積膜を
形成する。また、図中、120は排気パルプ、121は
排気管である。
先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルム基板103
を支持台102−f:に載置し、排気装置を用いて堆積
空間101内を排気し、1O−6T。
rrに減圧した。第1表に示した基板温度で、ガス供給
源106を用いて5t5H1(,150SCCM、ある
いはこれとPH3ガス又はB2H6ガス(何れも110
00pp水素ガス希釈)40SCCMとを混合したガス
を堆積空間に導入した。
また、分解空間102に固体Ge粒114を詰めて、電
気炉113により加熱し、Geを溶融し、そこへボンベ
からGeF4の導入管115により、GeF4を吹き込
むことにより、GeF2の活性種を生成させ、導入管1
16を経て、成膜空間101へ導入する。
成膜空間101内の気圧を0.ITorrに保ちつつ1
KWXeランプから基板に垂直に照射して、ノンドープ
のあるいはドーピングされたa−3i膜(膜厚700 
A)を形成した。成膜速度は35 A / s e c
であった。
次いで、得られたノンドープのあるいはp型のa −S
 ’i膜試ネ゛lを蒸着□槽に入れ、真空度10−5 
Torrでクシ型のAIキャップ電極(長さ250用、
巾5 mm)を形成した後、印加電圧lO■で暗膜を評
価した。結果を第1表に示した。
実施例2〜4 Si3I(1,の代りに直鎖状5i4H,。、分岐状5
i4H1,、又はH6Si、F、を用いた以外は、実施
例1と同じのa−3i膜を形成した。暗導電率を測定し
、結果を第1表に示した。
第1表から、本発明によると低い基板温度でも電気特性
に優れた、即ち高いσ値のa−3i膜がイqられ、また
、ドーピングが十分に行なわれたa−3i膜が得られる
実施例5 第4図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第1
図に示17た如き膜構成のドラム状電子写真用像形成部
材を作成した。
第4図において、201は成膜空間、202は分解空f
lJI、203は電気炉、204は固体Ge粒、205
は活性種の原ネ゛1物質導入管、206は活性種導入管
、207はモーター、208は加熱ヒーター、209は
吹き出し管、210は吹き出し管、211はA1シリン
ダー、212は抽気パルプを示している。また、213
乃至21Bは第1図中106乃至109と同様の原料ガ
ス供給源であり、217はガス導入管である。
成膜空間201にAlシリンダー211をつり下げ、そ
の内側に加熱ヒーター208を備え、モーター207に
より回転できる様にする。218.218・・◆は光エ
ネルギー発生装置であって、Alシリンダー211の所
望部分に向けて光219が照射される。
また、分解空間202に固体Ge粒204を詰めて、電
気炉203により加熱し、Geを溶融し、そこへボンベ
からGeF4を吹き込むことにより、G e F 2’
の活性種を生成させ、導入管206を経て、成膜空間2
01へ導入する。
−・方、導入管217よりSi2H6とH3を成11分
空間201に導入さぜる。成膜空間201内の気圧を1
 、 OTo r rに保ちつつ、l K W X e
う77’21B、218・・・・・争からAlシリンダ
ー211の周面に対し垂直に光照射する。
A1シリンダー211は280’Cにヒーター208に
より加熱、保持され、回転させ、排ガスは損気パルプ2
12を通じて排気させる。このようにして感光層13が
形成される。
また、中間層は、導入管217よりH2’/ B 2I
【6(合綴%でB2H6が0.2%)の混合ガスを導入
し、膜厚2000Aで成膜された。
比較i#1 一般的なプラズマcVD法により、SiF4とS i2
 H6、H2及びB2H6から第4図の成膜空間201
に13.56MHzの高周波装置を備えて、アモルファ
スシリコン堆積膜を形成した。
実施例5及び比較例1で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第2表に示した。
実施例6 ケイ素化合物として5i3H6を用いて第3図の装置を
用いて、第2図に示したPIN型ダイオードを作製した
まず、1000人のITO膜22を蒸着したポリエチレ
ンナフタレートフィルム21を支持台に載置し、10−
6T o r rに減圧した後、実施例1と同様に導入
管116からG e F 2の活性種、また導入管11
0からS t3H6150SCCM、フォスフインガス
(PH311000pp水素希釈)を導入し、別系統か
らハロゲンガス20SCCMを導入し、O,1Torr
に保ちながらIKWXeランプで光照射してPでドーピ
ングされたn型膜−3t膜24(膜厚700A)を形成
した次いで、PH3ガスの導入を停止トした以外はn型
膜−3i膜の場合と同一の方法でi−型a−3i膜25
(膜厚5000人)を形成した。
次いで、H2ガスと共にジポランガス(B2H6100
0ppm水素希釈)405CCM、それ以外はn型と同
じ条件でBでドーピングされたP型膜−3i膜26(膜
厚700人)を形成した。更に、このp型膜」−に真空
蒸着により膜厚1000AのAI電極27を形成し、P
IN型ダイオードを得た。
かくして得られたダイオード素子(面積1cm2)のI
−V特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価し
た。結果を第3図に示した。
また、光照射特性においても、基板側から光を導入し、
光照射強度AMI (約100mW/cm2)で、変換
効率8.5%以ト、開放端電圧0.92V、短絡電流1
0.5mA/cm2が得られた。
実施例7 ケイ素化合物として5t3H6の代りに、直鎖状5i4
H1(、、分岐状5i4H1,、又はH65i6F6を
用いた以外は、実施例6と同一のPIN型ダイオードを
作製した。整流特性及び光起電力効果を評価し、結果を
第3表に示した。
第3表から、本発明によれば、従来に比べ低い基板温度
においても良好な光学的・電気的特性を有するa −S
 ’i堆積膜が得られる。
〔発明の効果〕
本発明の堆積膜形成法によれば、形成される11りに所
望される電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向
上し、しかも低い基板温度で高速成膜が可能となる。ま
た、成膜における再現性が向1−し、膜品質の向−1−
と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化に有
利であり、膜の生産性の向ト並びに量産化を容易に達成
することができる。更に、励起エネルギーとして光エネ
ルギーを用いるので、耐熱性に乏しい基体トにも成膜で
きる、低温処理によって工程の短縮化を図れるといった
効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を用いて製造される電子写真用像形
成部材の構成例を説明するための模式図である。 第2図は本発明方法を用いて製造されるPIN型ダイオ
ードの構成例を説明するための模式図である。 第3図及び第4図はそれぞれ実施例で用いた本発明方法
を実施するための装置の構成を説明するための模式図で
ある。 10 ・・・ 電子写真用像形成部材、11 ・・・ 
基体、 12 ・・・ 中間層、 13 ・・会 感光層、 21 ・・9 基板、 22 、27  ・・・ 薄膜電極、 24  II II 11  H型a−5t層、25 
6 e e  i型a−5i層、26 ・・・ p型a
−5i層、 lot、201 −−、  成膜空間、111.202
  、・・ 分解空間、106.107,108,10
9゜ 213 、 ’214 、215 、216・φ・ガス
供給源、 103.211  、・・ 基体、 117.218  ・・・ 光エネルギー発生装置。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、堆積膜
    形成用の原料となるケイ素化合物と、ゲルマニウムとハ
    ロゲンを含む化合物を分解することにより生成され、前
    記ケイ素化合物と化学的相互作用をする活性種とを夫々
    別々に導入し、これらに光エネルギーを照射し前記ケイ
    素化合物を励起し反応させる事によって、前記基体上に
    堆積膜を形成する事を特徴とする堆積膜形成法。
JP59222211A 1984-10-24 1984-10-24 堆積膜形成法 Pending JPS61101023A (ja)

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US08/371,610 US5476694A (en) 1984-10-24 1995-01-12 Method for forming deposited film by separately introducing an active species and a silicon compound into a film-forming chamber

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