JPS61100971A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタの製造方法

Info

Publication number
JPS61100971A
JPS61100971A JP59223709A JP22370984A JPS61100971A JP S61100971 A JPS61100971 A JP S61100971A JP 59223709 A JP59223709 A JP 59223709A JP 22370984 A JP22370984 A JP 22370984A JP S61100971 A JPS61100971 A JP S61100971A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
drain
transistor
transistors
short
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59223709A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH0457114B2 (cg-RX-API-DMAC7.html
Inventor
Kenichi Oki
沖　賢一
Satoru Kawai
悟 川井
Tomotaka Matsumoto
友孝 松本
Yasuhiro Nasu
安宏 那須
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59223709A priority Critical patent/JPS61100971A/ja
Publication of JPS61100971A publication Critical patent/JPS61100971A/ja
Publication of JPH0457114B2 publication Critical patent/JPH0457114B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
JP59223709A 1984-10-23 1984-10-23 薄膜トランジスタの製造方法 Granted JPS61100971A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59223709A JPS61100971A (ja) 1984-10-23 1984-10-23 薄膜トランジスタの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59223709A JPS61100971A (ja) 1984-10-23 1984-10-23 薄膜トランジスタの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61100971A true JPS61100971A (ja) 1986-05-19
JPH0457114B2 JPH0457114B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) 1992-09-10

Family

ID=16802432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59223709A Granted JPS61100971A (ja) 1984-10-23 1984-10-23 薄膜トランジスタの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61100971A (cg-RX-API-DMAC7.html)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6486113A (en) * 1987-09-29 1989-03-30 Casio Computer Co Ltd Manufacture of thin film transistor
JPH02116831A (ja) * 1988-10-27 1990-05-01 Sharp Corp 表示電極基板の製造方法
JPH06347821A (ja) * 1990-05-15 1994-12-22 Centre Natl Etud Telecommun (Ptt) 表示スクリーン製造方法及び該方法で製造された表示スクリーン
WO2006046676A1 (ja) * 2004-10-25 2006-05-04 Pioneer Corporation 電子回路基板及びその製造方法
JP2013117644A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Japan Display Central Co Ltd 平面表示装置用アレイ基板及びその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6486113A (en) * 1987-09-29 1989-03-30 Casio Computer Co Ltd Manufacture of thin film transistor
JPH02116831A (ja) * 1988-10-27 1990-05-01 Sharp Corp 表示電極基板の製造方法
JPH06347821A (ja) * 1990-05-15 1994-12-22 Centre Natl Etud Telecommun (Ptt) 表示スクリーン製造方法及び該方法で製造された表示スクリーン
WO2006046676A1 (ja) * 2004-10-25 2006-05-04 Pioneer Corporation 電子回路基板及びその製造方法
JPWO2006046676A1 (ja) * 2004-10-25 2008-05-22 パイオニア株式会社 電子回路基板及びその製造方法
US7968458B2 (en) 2004-10-25 2011-06-28 Pioneer Corporation Electronic circuit board and its manufacturing method
JP4746557B2 (ja) * 2004-10-25 2011-08-10 パイオニア株式会社 電子回路基板及びその製造方法
JP2013117644A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Japan Display Central Co Ltd 平面表示装置用アレイ基板及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0457114B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) 1992-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4180575B2 (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP3763381B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
TWI388912B (zh) 製造陣列基板之方法
KR960011942B1 (ko) 박막트랜지스터(tft)패널 제조방법
US6808963B2 (en) Process for fabricating a thin-film device having inclined sides
KR100264112B1 (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법
US4894690A (en) Thin film transistor array incorporating a shorted circuit bypass technique
JPS63265223A (ja) 薄膜トランジスタアレイおよびその製法
JP2741883B2 (ja) 液晶パネルの製造方法
JPH10339888A (ja) 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法
US5466620A (en) Method for fabricating a liquid crystal display device
JPS61100971A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
KR0161325B1 (ko) 박막트랜지스터 어레이 및 액정표시장치
US5523866A (en) Liquid-crystal display device having slits formed between terminals or along conductors to remove short circuits
JPH01185522A (ja) 表示装置駆動用基板
JP3076483B2 (ja) 金属配線基板の製造方法および薄膜ダイオードアレイの製造方法
JPH022522A (ja) Ｔｆｔパネルの製造方法
JPS61100972A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP3087408B2 (ja) 薄膜トランジスタパネルの製造方法
JPS63316084A (ja) 薄膜能動素子アレイの製造方法
JPH08110528A (ja) アクティブマトリックスパネルおよびその製造方法
JP3277137B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JPH0682823A (ja) 論理・駆動回路およびその製造方法
JPH0340511B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP3231395B2 (ja) アクティブマトリクス基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees