JPS6092684A - 埋め込み型半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込み型半導体レ−ザInfo
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- JPS6092684A JPS6092684A JP20040783A JP20040783A JPS6092684A JP S6092684 A JPS6092684 A JP S6092684A JP 20040783 A JP20040783 A JP 20040783A JP 20040783 A JP20040783 A JP 20040783A JP S6092684 A JPS6092684 A JP S6092684A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- buried
- semiconductor
- semiconductor layer
- type
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電流狭窄をほどこし７た埋め込み型半導体レ
ーザに関するものである。
ーザに関するものである。
これまでの埋め込み型半導体レーザの構造としては第１
図に示す様な構造があった。すなわち、第１図において
−Ｉ Ｆｉ ｎ Ｗ （］ａＡｓ基板、２はｎ型Ａ１０
．＊ Ｇａ６．６ Ａｓ層、３はＡ亀。、。ｓ ａａ６
−６８ Ａｓ活活性−１それ示す。
図に示す様な構造があった。すなわち、第１図において
−Ｉ Ｆｉ ｎ Ｗ （］ａＡｓ基板、２はｎ型Ａ１０
．＊ Ｇａ６．６ Ａｓ層、３はＡ亀。、。ｓ ａａ６
−６８ Ａｓ活活性−１それ示す。
この構造Ｖこおいてｉｐ型電極１Ｏ１ｎ型電極１１に順
方ｊｉ１に圧を印加し、ＡＩ ０．０１ ａａｏ、＊ｇ
ＡＳ活性層３に電流を注入して発光再結合させてレー
ザ動作を可能にするものであシ、ｐ ＩＪｌＡ １６４
ｓ （ｌ Ｂ １１．１１ Ｓ Ａｓ埋め込みＰｆＩ
６によシメサ領域以外に流れる電流を阻止し、効率よく
メサ部分に電流注入しでレーザ発振の効率を高める様に
なされている。
方ｊｉ１に圧を印加し、ＡＩ ０．０１ ａａｏ、＊ｇ
ＡＳ活性層３に電流を注入して発光再結合させてレー
ザ動作を可能にするものであシ、ｐ ＩＪｌＡ １６４
ｓ （ｌ Ｂ １１．１１ Ｓ Ａｓ埋め込みＰｆＩ
６によシメサ領域以外に流れる電流を阻止し、効率よく
メサ部分に電流注入しでレーザ発振の効率を高める様に
なされている。
しかしながら、この様な半導体レーザを作製するために
は、化学工、チング等によシ、ｎ壓ＧａＡ。
は、化学工、チング等によシ、ｎ壓ＧａＡ。
基板ｌが露出した、層２，３，４．５を含む帯状のメサ
部を形成した後、２回目の液相成長工程によシこのメサ
部を包囲する様にｐ ｆｆ１Ａｌ、、８．Ｇａ、、。。
部を形成した後、２回目の液相成長工程によシこのメサ
部を包囲する様にｐ ｆｆ１Ａｌ、、８．Ｇａ、、。。
Ａｓ埋め込み層６及びｎ型ＡｌＯ，ｌｌＩ ｏａｏ−ｓ
ｓ Ａｓ埋め込み層７を順次成長する必要がある。しか
しながら、２回目の液相成長工程において、ｐ型Ａ１０
．ＩＩＩＩＧａＯ，１ｌｌｌ 。
ｓ Ａｓ埋め込み層７を順次成長する必要がある。しか
しながら、２回目の液相成長工程において、ｐ型Ａ１０
．ＩＩＩＩＧａＯ，１ｌｌｌ 。
Ａ８ 埋め込み層６の成長表面を第１図に示す様にＡ１
０．。ｌＧａ０−９ｌＩＡｓ 活性層３の位置に精度よ
く合わせることが困難であり、むしろ第２図に示す様に
ｐ型ＡＩ ｏ、ｓｓ Ｇａ（１，１１１Ａｓ埋め込み層
６がメサ側面上部（・し良好な埋め込み成長を達成する
に杜、過飽和度の大きな成長溶液を用いなけれはならず
、従がって結晶成長厚さを制御性よ（形成することが難
かしいことによる。
０．。ｌＧａ０−９ｌＩＡｓ 活性層３の位置に精度よ
く合わせることが困難であり、むしろ第２図に示す様に
ｐ型ＡＩ ｏ、ｓｓ Ｇａ（１，１１１Ａｓ埋め込み層
６がメサ側面上部（・し良好な埋め込み成長を達成する
に杜、過飽和度の大きな成長溶液を用いなけれはならず
、従がって結晶成長厚さを制御性よ（形成することが難
かしいことによる。
従がって、第２図に示す様な構造の場合ｔｃＦｉｐ展Ａ
ｌ ｏ−ｓｓ ａａｏ、ｌ１ｌＡｓ埋め込み層６とｐ型
Ｇ ａ Ａ ｓ 層５とが電気的に同電位となシ易く、
メサ部領域以外に電流が容易に流れ、レーザ発振が困姉
になる欠点があった。
ｌ ｏ−ｓｓ ａａｏ、ｌ１ｌＡｓ埋め込み層６とｐ型
Ｇ ａ Ａ ｓ 層５とが電気的に同電位となシ易く、
メサ部領域以外に電流が容易に流れ、レーザ発振が困姉
になる欠点があった。
また、単一モード見損を可能ならじめるために、活性層
幅を２μｍ程度の狭い幅に精度よく形成する必要があシ
、そのためにＬ、工、チング量の高直な制御と工、チン
グする成長層の厚さの一様性が必要となるため、肖現性
及び量産性の点で問題があった。
幅を２μｍ程度の狭い幅に精度よく形成する必要があシ
、そのためにＬ、工、チング量の高直な制御と工、チン
グする成長層の厚さの一様性が必要となるため、肖現性
及び量産性の点で問題があった。
本発明の目的は、前記従来の半導体レーザの欠点を除去
し、錐実な電流狭窄効果を自し、かつ製作が容易で内規
性が良好な埋め込み型半導体レーザを提供するものであ
る。
し、錐実な電流狭窄効果を自し、かつ製作が容易で内規
性が良好な埋め込み型半導体レーザを提供するものであ
る。
本発明の半導体レーザｈ、第１導電型の半導体基板上に
、少なくとも第１専１１Ｌｍの第１半導体層と該第１半
導体層よシも禁制帯幅の小さいＷｉ性層と前記第１半導
体層よシも禁制帯幅の大きい第２導を凰の第２半導体層
と該第２半導体屑よりもヤ制帯幅の小さい第２導′ＷＬ
型の第３早尋体りを順次積層して成るストライプ状の多
層構造を備え、前記活性層と第２半導体層のストライプ
幅が前記ストライプの幅よりも狭く、かつ、前記第１半
導体層の側面には、前記半導体基板よシも禁制帯幅の大
きい第２導電屋の第４牛導体層を備え、該第４半導体層
上には前記半導体基板よりも禁制帯幅の大きい第１導電
型の半導体層を備え、前記活性層、第３及び第４半導体
層の側面には前記活性層よシも禁制帯幅の大きい第２導
電屋の半導体層を備えたことに特徴がある。
、少なくとも第１専１１Ｌｍの第１半導体層と該第１半
導体層よシも禁制帯幅の小さいＷｉ性層と前記第１半導
体層よシも禁制帯幅の大きい第２導を凰の第２半導体層
と該第２半導体屑よりもヤ制帯幅の小さい第２導′ＷＬ
型の第３早尋体りを順次積層して成るストライプ状の多
層構造を備え、前記活性層と第２半導体層のストライプ
幅が前記ストライプの幅よりも狭く、かつ、前記第１半
導体層の側面には、前記半導体基板よシも禁制帯幅の大
きい第２導電屋の第４牛導体層を備え、該第４半導体層
上には前記半導体基板よりも禁制帯幅の大きい第１導電
型の半導体層を備え、前記活性層、第３及び第４半導体
層の側面には前記活性層よシも禁制帯幅の大きい第２導
電屋の半導体層を備えたことに特徴がある。
以下、本発明に係る実施例について図面を参照して具体
的に説明する。第３図は本発明に係る一実施例を示す。
的に説明する。第３図は本発明に係る一実施例を示す。
図では、第１図で説明した部分と同一部分は同記号で示
しである。
しである。
先ず、第１の液相成長工程において、ｎ厘Ｇ、Ａ。
基板ｌ上に順次、 ｎ ｆｊｌ Ａｌ （１＋４ Ｇａ
６．＠ Ａ＠層２、Ａｔ、、、。
６．＠ Ａ＠層２、Ａｔ、、、。
Ｇａ（１・１ｇ ＡＩ活性層３ ｓ ｐ ＩＪ、 Ａｔ
、、、 Ｇａ、、、 Ａｓ層１２゜ｐ ｆＪ、 ＡＩ
Ｏ−４ａａ （１・１１ Ａｓ層４、ｐ ＭＩ Ｇａ
Ａｓ層５を形成する。各層厚は各々、１．５μｍ、０．
１μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ、１．０μｍとした。
、、、 Ｇａ、、、 Ａｓ層１２゜ｐ ｆＪ、 ＡＩ
Ｏ−４ａａ （１・１１ Ａｓ層４、ｐ ＭＩ Ｇａ
Ａｓ層５を形成する。各層厚は各々、１．５μｍ、０．
１μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ、１．０μｍとした。
従来構造と異なる点は、上記活性層３上ＫＡＩの組成比
の大きいｐ’Ｊ Ａｌ ｏ−＊Ｇ、、、、Ａ＠層１２が
積層していることである。
の大きいｐ’Ｊ Ａｌ ｏ−＊Ｇ、、、、Ａ＠層１２が
積層していることである。
しかる後、従来構造を形成すると同様なエツチング工程
によシｎＷＧａＡｇ基板ｌに達するまで帯状にメサエッ
チングを行ない、活性領域を有するメサ部を形成する。
によシｎＷＧａＡｇ基板ｌに達するまで帯状にメサエッ
チングを行ない、活性領域を有するメサ部を形成する。
次に、ＨＦ液を用いて数秒間工、チングすると、ｐ型Ａ
ｌ ６．ｓ Ｇ Ｂ ６．ｓ Ａ ｇ 層１２のみが
選択的に工、チングされる。さらＫＨ，０，＋Ｈ１ＰＯ
４＋ ３ＣＨＨＯＨｚ 、チャントで露出したＡ１０−
ａｌｌＧａＯ，１＋１１ＡＩ 活性層３を数秒間軽く工
、チングすると、第３図に示す様にメサ幅より０．３
ｐ ｍ程幅の狭くなったくびれ１３が形成される。次に
、２回目の結晶成長工程により上記メサ部を包囲する様
に、電流狭窄層となるｐｍ Ａ１６４５ Ｇａ ６．６
＠ Ａ８埋め込み層６％ｎ型Ａｌ （１，ｍｌ Ｇａ
ｓ、ｓｗ Ａｓ埋め込み層１４、ｐ型ＡＩＯ，１ｌｌＧ
ａ０４１ＡＩＩ埋め込み層１５を順次形成する。
ｌ ６．ｓ Ｇ Ｂ ６．ｓ Ａ ｇ 層１２のみが
選択的に工、チングされる。さらＫＨ，０，＋Ｈ１ＰＯ
４＋ ３ＣＨＨＯＨｚ 、チャントで露出したＡ１０−
ａｌｌＧａＯ，１＋１１ＡＩ 活性層３を数秒間軽く工
、チングすると、第３図に示す様にメサ幅より０．３
ｐ ｍ程幅の狭くなったくびれ１３が形成される。次に
、２回目の結晶成長工程により上記メサ部を包囲する様
に、電流狭窄層となるｐｍ Ａ１６４５ Ｇａ ６．６
＠ Ａ８埋め込み層６％ｎ型Ａｌ （１，ｍｌ Ｇａ
ｓ、ｓｗ Ａｓ埋め込み層１４、ｐ型ＡＩＯ，１ｌｌＧ
ａ０４１ＡＩＩ埋め込み層１５を順次形成する。
ここにおいて、メサ部にくびれ１３があるため、２回目
の結晶成長工程の一番目に形成するｐ型Ａ１０．１１
ＧｔｌＯ，＠ＩＩ Ａｓ埋め込み層６は、くびれ１３よ
り上部に紘成長せず、必らずくびれ１３部分に止めるこ
とができる。これは、くびれを存する各種メサ形状を、
種々の過飽和度を有する成長溶液を用いて結晶成長実験
を行なった結果、くびれ部分において結晶成長が阻止さ
れる液相成長工程に特徴的な性質があり、再現性良く成
長層を形成できることが判っ九。又、第３図に示す様に
成長層厚を制御しＰ ｆｌｌＡｌ ｏ−ｓｓ ａａＯ−
１１１ム８埋め込み層６表面をわん曲することによって
、続いて形成するｎｍＡｌ ｏ、ｓｓ ’ｊａｏ、ｓｓ
Ａｓ埋め込み層１４も同禄、くびれ部分１３部分に止
めることができる。従がりて、ｐｆｆｉＡｌ。−ｓｍＧ
ａｏ、。、Ａｓ埋め込み層６上のみに選択的にｎ １１
Ａ１６．ｎｓ Ｇｎｏ、ａｍ Ａ８埋め込み層１４を
形成できる。
の結晶成長工程の一番目に形成するｐ型Ａ１０．１１
ＧｔｌＯ，＠ＩＩ Ａｓ埋め込み層６は、くびれ１３よ
り上部に紘成長せず、必らずくびれ１３部分に止めるこ
とができる。これは、くびれを存する各種メサ形状を、
種々の過飽和度を有する成長溶液を用いて結晶成長実験
を行なった結果、くびれ部分において結晶成長が阻止さ
れる液相成長工程に特徴的な性質があり、再現性良く成
長層を形成できることが判っ九。又、第３図に示す様に
成長層厚を制御しＰ ｆｌｌＡｌ ｏ−ｓｓ ａａＯ−
１１１ム８埋め込み層６表面をわん曲することによって
、続いて形成するｎｍＡｌ ｏ、ｓｓ ’ｊａｏ、ｓｓ
Ａｓ埋め込み層１４も同禄、くびれ部分１３部分に止
めることができる。従がりて、ｐｆｆｉＡｌ。−ｓｍＧ
ａｏ、。、Ａｓ埋め込み層６上のみに選択的にｎ １１
Ａ１６．ｎｓ Ｇｎｏ、ａｍ Ａ８埋め込み層１４を
形成できる。
これは、わん曲した表面には成長核が発生しやすく、第
３図に示す様なくびれ１３部分に露出したｎ ｆｉｌｌ
Ａｌ ６．４ Ｇａ６．＠ Ａｓ層層表表面シもｐｍ
Ａｔ、、、。
３図に示す様なくびれ１３部分に露出したｎ ｆｉｌｌ
Ａｌ ６．４ Ｇａ６．＠ Ａｓ層層表表面シもｐｍ
Ａｔ、、、。
Ｏａ、、ｅＩＡＩ 埋め込み層６表面に積層しやすい液
相成長工程に特徴的な性質によるものである。従がって
、続いて形成するｐ ＩＪｉ Ａｌ ６４． ａａＯ，
ｌｌＩ Ａｓ埋め込み層１５は、ｎ型Ａ３０４＠ ａａ
ｇｌ、１１１ Ａｓ埋め込み層１４がはぼ平坦なため、
容易に第３図に示す様な形状に埋め込むことが可能であ
る。
相成長工程に特徴的な性質によるものである。従がって
、続いて形成するｐ ＩＪｉ Ａｌ ６４． ａａＯ，
ｌｌＩ Ａｓ埋め込み層１５は、ｎ型Ａ３０４＠ ａａ
ｇｌ、１１１ Ａｓ埋め込み層１４がはぼ平坦なため、
容易に第３図に示す様な形状に埋め込むことが可能であ
る。
しかる後、ｐ屋不純物拡散層８、ｐｍ電極ｌ１０１ｎ電
極１１を形成して本発明に係る半導体レーザが形成され
る。
極１１を形成して本発明に係る半導体レーザが形成され
る。
本構造においては、電流狭窄層として働らくｐ型ＡＩｏ
、ｓ ＊ Ｇｔ４ ｏ、ｓ ＊ Ａ、ｓ埋め込み層６の
成長表面をＡｌ、、。ｌ０１ｇ＋−９ｌＡｓ活性層３の
位置に確実に合わせることが可能であシ、かつ、へこみ
１３部分に露出したｎ ＢＭ Ａ１６．４０ａ ６４１
５層２とｐ 厘Ａ ｌ ６．Ｈ１１（ｊ ａ ６．６
ＨＡｓ埋め込み層９との接合ビルトイン電圧が活性層３
領域よシも高いことから、メサ領域以外へ流れる電流を
有効に阻止でき、本構造を採用することによって、低発
振しきい値電流で高効率のレーザ発振を可能にできる。
、ｓ ＊ Ｇｔ４ ｏ、ｓ ＊ Ａ、ｓ埋め込み層６の
成長表面をＡｌ、、。ｌ０１ｇ＋−９ｌＡｓ活性層３の
位置に確実に合わせることが可能であシ、かつ、へこみ
１３部分に露出したｎ ＢＭ Ａ１６．４０ａ ６４１
５層２とｐ 厘Ａ ｌ ６．Ｈ１１（ｊ ａ ６．６
ＨＡｓ埋め込み層９との接合ビルトイン電圧が活性層３
領域よシも高いことから、メサ領域以外へ流れる電流を
有効に阻止でき、本構造を採用することによって、低発
振しきい値電流で高効率のレーザ発振を可能にできる。
さらに、本構造においては、ｐ屋不純物拡散層及びｐ型
電極幅を従来構造よシも広くしても、電流狭窄効果を損
なうことがないため、放熱特性も改善され高温下におい
てもレーザ発振を充分性なわせることができる。また、
従来構造よυも広いメサ幅の工、チングを行なっても、
くびれの深さを１瞥することによって、２μｍ程度の狭
い活性層幅を再現性よく形成できる利点も有しておシ、
量産性の点でも優れた構造である。
電極幅を従来構造よシも広くしても、電流狭窄効果を損
なうことがないため、放熱特性も改善され高温下におい
てもレーザ発振を充分性なわせることができる。また、
従来構造よυも広いメサ幅の工、チングを行なっても、
くびれの深さを１瞥することによって、２μｍ程度の狭
い活性層幅を再現性よく形成できる利点も有しておシ、
量産性の点でも優れた構造である。
以上、述べた様に、本発明によれば従来の半導体レーザ
の欠点を除き、メサ領域以外へ流れる電流を有効に阻止
でき、高効率、・高光出力動作でかつ放熱特性及び量産
性にも優れた半導体レーザを再現性良く形成することが
できる。
の欠点を除き、メサ領域以外へ流れる電流を有効に阻止
でき、高効率、・高光出力動作でかつ放熱特性及び量産
性にも優れた半導体レーザを再現性良く形成することが
できる。
尚、以上の実施例ではＡｉＸａａ、ｚＡｓ ＧａＡｓ
系半導体を用いた例について述べたが、他の化合物半導
体１例えはＩｎＧａＡｍＰ −ＩｎＰ系等の半導体を用
いてもよいことは言うまでもない。
系半導体を用いた例について述べたが、他の化合物半導
体１例えはＩｎＧａＡｍＰ −ＩｎＰ系等の半導体を用
いてもよいことは言うまでもない。
第１図及び第２図は従来の埋め込み型半導体レーザの構
造断面図、第３図は本発明による一実施例の構造断面図
をそれぞれ示す。 図において、１− ｎ 屋ＯａＡｇ基板、２−ｎ １ｉ
Ａｌ、、、 Ｇａ、、、 Ａ、層、３”’ Ａ１０．＜
１ＩＩＯａ１１．ｌｌＡｓ活性層、４°−ｐ ｍ ＡＩ
、、、 Ｇａ、、、 Ａ、層、５− ｐ 麗ＧａＡｓ
層、６ 、１ Ｂ 、、、 、型Ａｌ ＠、３８ ａ
ｇｅ−ｓｓ ＡＳ 埋め込み層、７゜１４ 、、、 ｎ
型Ａ１０．Ｉｌ ａａｏ−ｓｓ ＡＩＩ 埋め込み層、
８．、−ｐ型不純物拡散層、９・・・８４０．膜、１０
・・・ｐ型電極、１１・ｎ’ｍ−電極、１２．、、Ｐ型
Ａ ｌ ｇ４ （ｘａ ６４ Ａｓ層、１３・・・くび
れ、をそれぞれ示す。 亭 １ 口 竿 ２ 口
造断面図、第３図は本発明による一実施例の構造断面図
をそれぞれ示す。 図において、１− ｎ 屋ＯａＡｇ基板、２−ｎ １ｉ
Ａｌ、、、 Ｇａ、、、 Ａ、層、３”’ Ａ１０．＜
１ＩＩＯａ１１．ｌｌＡｓ活性層、４°−ｐ ｍ ＡＩ
、、、 Ｇａ、、、 Ａ、層、５− ｐ 麗ＧａＡｓ
層、６ 、１ Ｂ 、、、 、型Ａｌ ＠、３８ ａ
ｇｅ−ｓｓ ＡＳ 埋め込み層、７゜１４ 、、、 ｎ
型Ａ１０．Ｉｌ ａａｏ−ｓｓ ＡＩＩ 埋め込み層、
８．、−ｐ型不純物拡散層、９・・・８４０．膜、１０
・・・ｐ型電極、１１・ｎ’ｍ−電極、１２．、、Ｐ型
Ａ ｌ ｇ４ （ｘａ ６４ Ａｓ層、１３・・・くび
れ、をそれぞれ示す。 亭 １ 口 竿 ２ 口
Claims (1)
- 第１導電屋の半導体基板上に、少なくとも第１導電屋の
第１半導体層と該第１半導体層よシも禁制帯幅の小さい
活性層と前記第１半導体層よりも禁制帯幅の大きい第２
導電屋の第２半導体層と該第２半導体層よ〕も禁制帯幅
の小さい第２導１［の第３半導体層を順次積層して成る
ストライプ状の多層構造を備え、前記活性層と第２半導
体層のストライプ幅が前記ストライプ幅よシも狭く、か
つ、前記第１半導体層の側面には、前記半導体基板よシ
も禁制帯幅の大きい第２導電型の第４半導体層を備え、
該第４半導体層上には、前記半導体基板よりも禁制帯幅
の大きい第１導電屋の半導体層を備え、前記活性層、第
２反び組３半導体層の側面には前記活性層よシも禁制帯
幅の大きい第２導電渥の半導体層を備えた仁とを特徴と
する埋め込み屋半導体し−ザウ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20040783A JPS6092684A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 埋め込み型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20040783A JPS6092684A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 埋め込み型半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092684A true JPS6092684A (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=16423801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20040783A Pending JPS6092684A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 埋め込み型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092684A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5325385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-06-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Buried-type semiconductor laser device |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP20040783A patent/JPS6092684A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5325385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-06-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Buried-type semiconductor laser device |
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