JPH01251684A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH01251684A JPH01251684A JP7608988A JP7608988A JPH01251684A JP H01251684 A JPH01251684 A JP H01251684A JP 7608988 A JP7608988 A JP 7608988A JP 7608988 A JP7608988 A JP 7608988A JP H01251684 A JPH01251684 A JP H01251684A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001023092 Condylactis gigantea Delta-actitoxin-Cps1a Proteins 0.000 description 1
- 101000958041 Homo sapiens Musculin Proteins 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 241001267494 Microdes Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 102000046949 human MSC Human genes 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012716 precipitator Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は電流狭窄効果と光導波効果を有するＩｎＧａＡ
ＩＰ系半導体レーザ装置に係わり、特に有機金属を用い
た化学気層成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と略す）による半
導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
ＩＰ系半導体レーザ装置に係わり、特に有機金属を用い
た化学気層成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と略す）による半
導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、ＭＯＣＶＤ法の結晶成長技術の向上に伴い、Ｈｅ
−Ｎｅレーザと同程度の発振波長が得られるＩｎＧａＡ
ＩＦ化合物半導体を使用した半導体レーザが作られるよ
うになってきている（ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥ
ＶＩＣＥ８ １９８５年１１月号）。
−Ｎｅレーザと同程度の発振波長が得られるＩｎＧａＡ
ＩＦ化合物半導体を使用した半導体レーザが作られるよ
うになってきている（ＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥ
ＶＩＣＥ８ １９８５年１１月号）。
ところで、これらの半導体レーザを、近年注目されてい
るところのビデオディスクやレーザプリジターの光源と
して使用する場合、解決しなけれ、 ばならない問題
があった。すなわち、光の損失とむだな再結合を最小と
するため特定領域に光エネルギー及び注入電流を閉じ込
める構造に加え、１μｍオーダの微少スポットに絞り込
む必要があるため半導体レーザの活性層に平行方向の光
の閉じ込めすなわち横モードの制御が必要であった。そ
こで本発明者等は、これらの条件を満たすレーザ構造と
して、リッジ埋め込み型のレーザを作製し基本横モード
発振することを確認した（参考文献；第３３回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集４ｐｋ−に−１４ｐ−１７
３’）。まず、このリッジ埋め込み型のレーザの概略断
面を第２図（ｄ）に示し、その構造及び製法について第
２図（ａ） 、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）をもちいて簡単
に説明する。このリッジ埋め込み型のレーザは、ｎ−Ｇ
ａＡｓ半導体基板（１）上にｎ−ＧａＡＳバッフ７−＃
（２）及びｎ−ＩｎＧａ Ｐ ｔ＜ ッ７７−層（３）
、 ｎ −Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐ り５ ｙド
層（４） 、 Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ活性ＪＷ（５）、
Ｐ −ＩｎＧａＡＩＰクラ、ド層（５）、Ｐ−ＧａＡｓ
オー ミックコンタクト層（７）を順次形成したのち、
ｓｔ０．（８）をマスクにｐ−ＧａＡｓオーミックコン
タクト層をＳＨエツチング液（硫酸８＋過酸化水素水１
＋水ｌの混合液）によりエツチングしストライブ状のメ
サを形成し、次いでこれをマスクに熱硫酸を用いた選択
エツチングによりｐ−ＩｎＧａＡＩＦクラ、ド層の一部
に達する深いエツチングで、厚さｈだけｐ−ＩｎＧａＡ
ＩＰクラッド層を残し、Ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタ
クト層を含むストライプ状のメサ（７）を形成する。次
いで、このＳｉｎ、を選択成長用マスクとして減圧ＭＯ
ＣＶＤ法を用いた選択成長（参考文献：応用物理学会結
晶工学分科会第２回結晶工学シンポジウム講演集ｐ１１
（１９８５））により５ｔＯｔマスクのある部分を除き
ｎ −ＧａＡｓオー（Ｉで埋め込む。
るところのビデオディスクやレーザプリジターの光源と
して使用する場合、解決しなけれ、 ばならない問題
があった。すなわち、光の損失とむだな再結合を最小と
するため特定領域に光エネルギー及び注入電流を閉じ込
める構造に加え、１μｍオーダの微少スポットに絞り込
む必要があるため半導体レーザの活性層に平行方向の光
の閉じ込めすなわち横モードの制御が必要であった。そ
こで本発明者等は、これらの条件を満たすレーザ構造と
して、リッジ埋め込み型のレーザを作製し基本横モード
発振することを確認した（参考文献；第３３回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集４ｐｋ−に−１４ｐ−１７
３’）。まず、このリッジ埋め込み型のレーザの概略断
面を第２図（ｄ）に示し、その構造及び製法について第
２図（ａ） 、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）をもちいて簡単
に説明する。このリッジ埋め込み型のレーザは、ｎ−Ｇ
ａＡｓ半導体基板（１）上にｎ−ＧａＡＳバッフ７−＃
（２）及びｎ−ＩｎＧａ Ｐ ｔ＜ ッ７７−層（３）
、 ｎ −Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐ り５ ｙド
層（４） 、 Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ活性ＪＷ（５）、
Ｐ −ＩｎＧａＡＩＰクラ、ド層（５）、Ｐ−ＧａＡｓ
オー ミックコンタクト層（７）を順次形成したのち、
ｓｔ０．（８）をマスクにｐ−ＧａＡｓオーミックコン
タクト層をＳＨエツチング液（硫酸８＋過酸化水素水１
＋水ｌの混合液）によりエツチングしストライブ状のメ
サを形成し、次いでこれをマスクに熱硫酸を用いた選択
エツチングによりｐ−ＩｎＧａＡＩＦクラ、ド層の一部
に達する深いエツチングで、厚さｈだけｐ−ＩｎＧａＡ
ＩＰクラッド層を残し、Ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタ
クト層を含むストライプ状のメサ（７）を形成する。次
いで、このＳｉｎ、を選択成長用マスクとして減圧ＭＯ
ＣＶＤ法を用いた選択成長（参考文献：応用物理学会結
晶工学分科会第２回結晶工学シンポジウム講演集ｐ１１
（１９８５））により５ｔＯｔマスクのある部分を除き
ｎ −ＧａＡｓオー（Ｉで埋め込む。
次に、ｐ型電極αＢ及びｎ型電極αのを形成して完成す
る。ところで、この構造のレーザは第２図（ｂ）に示し
たストライプ状のメサの幅及びｐ −ＩｎＧａＡＩＦク
ラッド層の厚さｈによって特性は大きく変化してしまう
ため、このメサの幅及び厚さｈを精度良く制御すること
は、プロセス上重要なこととなっている。また、選択成
長の際ｎ−ＧａＡｓＪｌを結晶性良く成長させることは
ｎ−ＧａＡＳ層を通って流れる無効電流を抑えストライ
ブ状のメサ部のみに電流を効率良く流す為にもマウント
した際に表面からの熱を効率良く逃がす為にも重要なこ
ととなっている。ところが従来の製法ではｐ −ＩｎＧ
ａＡＩＰクラッド層の厚さｈの制御はエツチングの時間
で行っていたためにその制御は非常に困難であった。
る。ところで、この構造のレーザは第２図（ｂ）に示し
たストライプ状のメサの幅及びｐ −ＩｎＧａＡＩＦク
ラッド層の厚さｈによって特性は大きく変化してしまう
ため、このメサの幅及び厚さｈを精度良く制御すること
は、プロセス上重要なこととなっている。また、選択成
長の際ｎ−ＧａＡｓＪｌを結晶性良く成長させることは
ｎ−ＧａＡＳ層を通って流れる無効電流を抑えストライ
ブ状のメサ部のみに電流を効率良く流す為にもマウント
した際に表面からの熱を効率良く逃がす為にも重要なこ
ととなっている。ところが従来の製法ではｐ −ＩｎＧ
ａＡＩＰクラッド層の厚さｈの制御はエツチングの時間
で行っていたためにその制御は非常に困難であった。
厚さｈの制御を時間で行なう場合ウェーハの場所によっ
ては既に所望の厚みｈが得られているにもかかわらず他
の場所ではまだ所望の厚みに達していないことがあった
。近年、より−１の特性改善のため、電流狭窄層のｎ型
不純物濃度をあげ、かつ、厚みも厚くすることが試みら
れる様になった。
ては既に所望の厚みｈが得られているにもかかわらず他
の場所ではまだ所望の厚みに達していないことがあった
。近年、より−１の特性改善のため、電流狭窄層のｎ型
不純物濃度をあげ、かつ、厚みも厚くすることが試みら
れる様になった。
すなわち、不純物濃度をあげることにより、吸収光によ
り発生したキャリアを捕獲してしまうことにより電流狭
窄効果を上げかつ、厚みを厚くすることにより前述した
効果を高めることが出来、また、マウント時における活
性層の短絡故障を防ぐ効果もあり、大幅な歩留り向上が
期待される。ところが、ここで、ｎ不純物濃度の増加及
び結晶成長時間の増加によって新たな問題として、この
ｎ型不純物がｐ−ＩｎＧａＡＩＰ クラッド層に拡散す
るという問題が発生した。
り発生したキャリアを捕獲してしまうことにより電流狭
窄効果を上げかつ、厚みを厚くすることにより前述した
効果を高めることが出来、また、マウント時における活
性層の短絡故障を防ぐ効果もあり、大幅な歩留り向上が
期待される。ところが、ここで、ｎ不純物濃度の増加及
び結晶成長時間の増加によって新たな問題として、この
ｎ型不純物がｐ−ＩｎＧａＡＩＰ クラッド層に拡散す
るという問題が発生した。
（発明が解決しようとする課題）
［［べたようにストライプ幅及びｈを精度良くエツチン
グすることが必要であり、かつ上記したように、特性向
上のための方策によるｎ型不純物の拡散をふせぐ必要が
あった。
グすることが必要であり、かつ上記したように、特性向
上のための方策によるｎ型不純物の拡散をふせぐ必要が
あった。
本発明は、これらの問題についてなされたものでストラ
イプ幅及びｈを精度良くエツチングすることが可能であ
り、かつ特性向上のための方策によりｎ型不純物の拡散
をふせぐことか可能である半導体レーザ装置及びその製
造方法を提供することを目的とする。
イプ幅及びｈを精度良くエツチングすることが可能であ
り、かつ特性向上のための方策によりｎ型不純物の拡散
をふせぐことか可能である半導体レーザ装置及びその製
造方法を提供することを目的とする。
（３題を解決するための手段）
上記問題点を解決するための手段として、われわれは、
実験によりエツチングストップ層及び拡散ストラフ層ト
シＣｐ−Ｉ ｎ ０．ｓ （Ｇａ １−ＸＡＩＸ）０．
５Ｐクラッド層に対してＸ−ｙ≧２・、 ５〉Ｙ＞Ｏｌ
のｐ−Ｉ ｎ ０．ｓ （Ｇａ１−ｙＡＩｙ）０．ｓＰ
層が有効であることを見いだした。そして、これをｐ−
Ｉｎ ０．５（Ｇａ １−ＸＡＩＸ）０．５Ｐとｐ−Ｉ
ｎ０．ｓ （Ｇａｌ−ｙＡＩｙ）０．ｓ Ｐの選択エ
ツチング液である熱硫酸でエツチングすることによりエ
ツチングストップ層及び拡散ストップ層として働くこと
を確認した０ （作用） ｐ−Ｉ ｎ ０．ｓ （Ｇａ １−ＸＡＩＸ） ０．ｓ
Ｐクラッド層の中間にｘ−ｙ≧２．ｓ＞ｙ＞０．のｐ
−Ｉｎ０．５ （Ｇａｘ−ＸＡＩＸ）０．ｓ Ｐ層を設
けることにより所望のストライプ幅及びｈを得ることが
でき、また再成長後の表面状態及び結晶性も確保され、
かつｎ型不純物の拡散を防ぐことを可能にする。
実験によりエツチングストップ層及び拡散ストラフ層ト
シＣｐ−Ｉ ｎ ０．ｓ （Ｇａ １−ＸＡＩＸ）０．
５Ｐクラッド層に対してＸ−ｙ≧２・、 ５〉Ｙ＞Ｏｌ
のｐ−Ｉ ｎ ０．ｓ （Ｇａ１−ｙＡＩｙ）０．ｓＰ
層が有効であることを見いだした。そして、これをｐ−
Ｉｎ ０．５（Ｇａ １−ＸＡＩＸ）０．５Ｐとｐ−Ｉ
ｎ０．ｓ （Ｇａｌ−ｙＡＩｙ）０．ｓ Ｐの選択エ
ツチング液である熱硫酸でエツチングすることによりエ
ツチングストップ層及び拡散ストップ層として働くこと
を確認した０ （作用） ｐ−Ｉ ｎ ０．ｓ （Ｇａ １−ＸＡＩＸ） ０．ｓ
Ｐクラッド層の中間にｘ−ｙ≧２．ｓ＞ｙ＞０．のｐ
−Ｉｎ０．５ （Ｇａｘ−ＸＡＩＸ）０．ｓ Ｐ層を設
けることにより所望のストライプ幅及びｈを得ることが
でき、また再成長後の表面状態及び結晶性も確保され、
かつｎ型不純物の拡散を防ぐことを可能にする。
（実施例）
本発明による実施例を第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、
（ｄ）を用いて以下具体的に説明する。第１図（ｄ）は
本発明の一実施例に係わる半導体レーザ装置の概略構造
を第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）は上記レーザ
の製造工程を示す図である。まず第１図に示すようにｎ
−ＧａＡｓ半導体基板（１）上にｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ ｔ＜ ツ７７−Ｎ（２）及びｎ −Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ｐ ｔ＜ ツ７ アー層（３）、ｎ−Ｉ ｎ ０．ｓ
（Ｇａ １−ＸＡＩＸ） ０．ｓ Ｐり５ ｙド層Ｘ
＝ ０． ７ （４）、ＩｎＧａＰ活性Ｎ 活性）を
成長後、所望の値すなわちｈだけ第一〇ｐ−Ｉ ｎ ０
．５（Ｇａ １ −ＸＡＩＸ）０．ｓＰクラッド層α３
を成長し、次いでエツチングストッパー及び拡散阻止層
としてｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａｌ−ｙＡＩｙ）０．ｓＰ、
ｙ＝０．５Ｉを約Ｑ、Ｑ１μｍ、次いで第二のｐ−Ｉｎ
０．５ （Ｇａｌ−ＸＡＩＸ）０．ｓ Ｐり５ツドｆｆ
ｊ（１５Ｓｐ−〇ａＡｓオーミックコンタクト層（６）
を順次形成した。次イテ、５ｉ０２ｆ８）をＴ スクニ
ｐ−Ｇ ａ Ａ ｓオーミックコンタクト層をＳＨエツ
チング液（硫酸８＋過酸化水素水ｌ十水１の混合液）に
よりエツチングし、ストライプ状のメサを形成する。次
イテ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ＸＡＩＸ）０．ｓ Ｐ
Ｘ＝０，７及びＩ ｎ ０．ｓ （Ｇａ １−ｙＡＩ
ｙ ） ０．ｓＰＹ ＝ ０．５ 及ヒＧ ａ Ａ ｓ
とに選択性がある熱硫酸を用いてエツチングストッパー
及び拡散阻止層としてのｐ−Ｉｎ０．ｓ （Ｇａｌ−
ｙＡＩｙ）０．ｓＰ ｙ：＝ ０． ５ ＋１に達す
るまでエツチングを行いストライプ状のメサを形成した
。この時、熱硫酸は人１混晶比Ｘ ＝ ０．７に対しＡ
ｔ混晶比ｙ ＝ ０．５のエツチング速度が約１／４で
あり、その差が０．２以上ある場合にはＩｎ ０．ｓ
（Ｇａ １−ｙＡＩ ｙ ） ０．５ＰＹ ＝ ０．
５層がウェハー全体に渡って露出するまでエツチングを
行うことができ、それにより所望のｈを得ることができ
た。なお、このＡｌ混晶比が０．２以下になると選択比
が小さくなりｈの制御は次第に困難となった。次いで、
このＳｉｎ、を選択成長用マスクとして減圧ＭＯＣＶＤ
法を用いた選択成長によりＳｉｎ、マスクのある部分を
除きｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ （８）で埋め込むこの時エ
ツチングストッパー及び拡散阻止層としてのｐ−■ｎ０
．５（Ｇａ １−ｙＡＩｙ ）０．５Ｐｙ＝０．５層は
Ｉｎ０．５（Ｇａ １−ＸＡ Ｉ Ｘ ） ０．ｓＰ
Ｘ＝０．７と異：’ｊ’）Ａｌのｍ酸比が小さい為、エ
ツチング後大気に曝しても表面の酸化が少なくその上に
再成長をおこなったとしても問題がなく、我々のさらな
る研究の結果その表面がＩｎ０．ｓ （Ｇａ １−ｙＡ
Ｉｙ ）０．５ＰＹ＞０．５である場合に比較して格段
に結晶性の改善が見られた。次にｎ型電極（１１１及び
ｎ型電極（１ｚを形成して完成した。本実施例によれば
エツチングによるｈの均一性は確保され、また再成長後
の表面状態及び結晶性も確保され、また、エツチングス
トッパー及び拡散阻止層としてのｐ−Ｉｎ０．ｓ （
Ｇａ １−ｙＡＩ ｙ ） ０．５Ｐ ｙ＝０．５層
は約０．０１μｍと薄く、また、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ活
性層より、バンドギャップが大きい為発振光を吸収する
ことなく光のモードに対する影響は少なかった。そして
、このエツチングストッパー及び拡散阻止層としてノｐ
−Ｉ ｎ ０．ｓ （Ｇａ １−ｙＡＩ ｙ ） ０
．ｓＰ ニ対してｎ型不純物の拡散の程度をＡＩの組成
比を変え調べてみたところＡＩを含む組成であれば実用
上、無視出来る程度にしかならないことがわかった。
（ｄ）を用いて以下具体的に説明する。第１図（ｄ）は
本発明の一実施例に係わる半導体レーザ装置の概略構造
を第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）は上記レーザ
の製造工程を示す図である。まず第１図に示すようにｎ
−ＧａＡｓ半導体基板（１）上にｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ ｔ＜ ツ７７−Ｎ（２）及びｎ −Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ｐ ｔ＜ ツ７ アー層（３）、ｎ−Ｉ ｎ ０．ｓ
（Ｇａ １−ＸＡＩＸ） ０．ｓ Ｐり５ ｙド層Ｘ
＝ ０． ７ （４）、ＩｎＧａＰ活性Ｎ 活性）を
成長後、所望の値すなわちｈだけ第一〇ｐ−Ｉ ｎ ０
．５（Ｇａ １ −ＸＡＩＸ）０．ｓＰクラッド層α３
を成長し、次いでエツチングストッパー及び拡散阻止層
としてｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａｌ−ｙＡＩｙ）０．ｓＰ、
ｙ＝０．５Ｉを約Ｑ、Ｑ１μｍ、次いで第二のｐ−Ｉｎ
０．５ （Ｇａｌ−ＸＡＩＸ）０．ｓ Ｐり５ツドｆｆ
ｊ（１５Ｓｐ−〇ａＡｓオーミックコンタクト層（６）
を順次形成した。次イテ、５ｉ０２ｆ８）をＴ スクニ
ｐ−Ｇ ａ Ａ ｓオーミックコンタクト層をＳＨエツ
チング液（硫酸８＋過酸化水素水ｌ十水１の混合液）に
よりエツチングし、ストライプ状のメサを形成する。次
イテ、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ＸＡＩＸ）０．ｓ Ｐ
Ｘ＝０，７及びＩ ｎ ０．ｓ （Ｇａ １−ｙＡＩ
ｙ ） ０．ｓＰＹ ＝ ０．５ 及ヒＧ ａ Ａ ｓ
とに選択性がある熱硫酸を用いてエツチングストッパー
及び拡散阻止層としてのｐ−Ｉｎ０．ｓ （Ｇａｌ−
ｙＡＩｙ）０．ｓＰ ｙ：＝ ０． ５ ＋１に達す
るまでエツチングを行いストライプ状のメサを形成した
。この時、熱硫酸は人１混晶比Ｘ ＝ ０．７に対しＡ
ｔ混晶比ｙ ＝ ０．５のエツチング速度が約１／４で
あり、その差が０．２以上ある場合にはＩｎ ０．ｓ
（Ｇａ １−ｙＡＩ ｙ ） ０．５ＰＹ ＝ ０．
５層がウェハー全体に渡って露出するまでエツチングを
行うことができ、それにより所望のｈを得ることができ
た。なお、このＡｌ混晶比が０．２以下になると選択比
が小さくなりｈの制御は次第に困難となった。次いで、
このＳｉｎ、を選択成長用マスクとして減圧ＭＯＣＶＤ
法を用いた選択成長によりＳｉｎ、マスクのある部分を
除きｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ （８）で埋め込むこの時エ
ツチングストッパー及び拡散阻止層としてのｐ−■ｎ０
．５（Ｇａ １−ｙＡＩｙ ）０．５Ｐｙ＝０．５層は
Ｉｎ０．５（Ｇａ １−ＸＡ Ｉ Ｘ ） ０．ｓＰ
Ｘ＝０．７と異：’ｊ’）Ａｌのｍ酸比が小さい為、エ
ツチング後大気に曝しても表面の酸化が少なくその上に
再成長をおこなったとしても問題がなく、我々のさらな
る研究の結果その表面がＩｎ０．ｓ （Ｇａ １−ｙＡ
Ｉｙ ）０．５ＰＹ＞０．５である場合に比較して格段
に結晶性の改善が見られた。次にｎ型電極（１１１及び
ｎ型電極（１ｚを形成して完成した。本実施例によれば
エツチングによるｈの均一性は確保され、また再成長後
の表面状態及び結晶性も確保され、また、エツチングス
トッパー及び拡散阻止層としてのｐ−Ｉｎ０．ｓ （
Ｇａ １−ｙＡＩ ｙ ） ０．５Ｐ ｙ＝０．５層
は約０．０１μｍと薄く、また、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ活
性層より、バンドギャップが大きい為発振光を吸収する
ことなく光のモードに対する影響は少なかった。そして
、このエツチングストッパー及び拡散阻止層としてノｐ
−Ｉ ｎ ０．ｓ （Ｇａ １−ｙＡＩ ｙ ） ０
．ｓＰ ニ対してｎ型不純物の拡散の程度をＡＩの組成
比を変え調べてみたところＡＩを含む組成であれば実用
上、無視出来る程度にしかならないことがわかった。
すなわち、ＩｎＧａＡＬＰが表面にある場合とＩｎＧａ
Ｐが表面にある場合とでは、その下の層への拡散の速度
が大幅に異なることがわかった。
Ｐが表面にある場合とでは、その下の層への拡散の速度
が大幅に異なることがわかった。
以上のように本発明によればエツチングによるｈの均一
性は確保され、また再成長後の表面状態及び結晶性も確
保され、また、エツチングストッパー及び拡散阻止層と
しての効果をもたせることも可能であり、ｎ型不純物の
拡散がおさえられることにより、電流狭窄効果を上げか
つ、厚みを厚くすることができるため、マウント時にお
ける短絡故障を防ぐことができ、大幅な歩留り向上及び
特性の向上が可能になった。
性は確保され、また再成長後の表面状態及び結晶性も確
保され、また、エツチングストッパー及び拡散阻止層と
しての効果をもたせることも可能であり、ｎ型不純物の
拡散がおさえられることにより、電流狭窄効果を上げか
つ、厚みを厚くすることができるため、マウント時にお
ける短絡故障を防ぐことができ、大幅な歩留り向上及び
特性の向上が可能になった。
第１図は本発明の実施例を示す工程断面図、第２図は従
来技術の工程断面図である。 １・・・ｎ−ＧａＡｓ半導体基板、 ２ ・・・ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ ハ：／ ７７− 層
、３ ・・・ｎ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ ハラ７７ ７
７１ ％４−−−ｎ−Ｉ ｎＧａＡｌ Ｐクラｙ ）’
層１５−−− Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ活性層、６−−−
ｐ −Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐクラ２１層、７°−
ｐ −Ｏａ Ａ ｓオーミックコンタクト層、８・・・
Ｓ １０２７スク、 ９・・・ストライブ状メサ（リッジ）Ｓ１０・・・ｎ−
ＧａＡＳｌ １１・・・ｐ型電極、 １２・・・ｎ型電極、 １３−・・第１のＩｎＧａＡＩＰｊ ラｙｌ’ 層、１
４・・・ストッパー及び拡散阻止層としてのＩ ｎＧａ
Ａ Ｉ Ｐ層１ １５・・・第２のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐクラ２１
層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松 山 光 之 第１図
来技術の工程断面図である。 １・・・ｎ−ＧａＡｓ半導体基板、 ２ ・・・ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ ハ：／ ７７− 層
、３ ・・・ｎ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ ハラ７７ ７
７１ ％４−−−ｎ−Ｉ ｎＧａＡｌ Ｐクラｙ ）’
層１５−−− Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｐ活性層、６−−−
ｐ −Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐクラ２１層、７°−
ｐ −Ｏａ Ａ ｓオーミックコンタクト層、８・・・
Ｓ １０２７スク、 ９・・・ストライブ状メサ（リッジ）Ｓ１０・・・ｎ−
ＧａＡＳｌ １１・・・ｐ型電極、 １２・・・ｎ型電極、 １３−・・第１のＩｎＧａＡＩＰｊ ラｙｌ’ 層、１
４・・・ストッパー及び拡散阻止層としてのＩ ｎＧａ
Ａ Ｉ Ｐ層１ １５・・・第２のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ｐクラ２１
層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松 山 光 之 第１図
Claims (3)
- （１）導電型半導体基板上に、第一導電型のＩｎ＿０＿
．＿５（Ｇａ１−ＸＡＩＸ）＿０＿．＿５Ｐクラッド層
、ＩｎＧａＰ活性層、第二導電型のＩｎ＿０＿．＿５（
Ｇａ１−ＸＡＩＸ）＿０＿．＿５Ｐクラッド層、オーミ
ックコンタクト層を順次形成後、前記第二導電型のＩｎ
＿０＿．＿５（Ｇａ１−ＸＡＩＸ）＿０＿．＿５Ｐクラ
ッド層の途中まで選択エッチングを行い、凸状のストラ
イプを形成し、次いで凸状のストライプ部を除き電流阻
止層を形成してなる半導体レーザ装置に於て、前記第二
導電型のＩｎ＿０＿．＿５（Ｇａ１−ＸＡＩＸ）＿０＿
．＿５Ｐクラッド層の中間にはＡＩ混晶比．５＞ｙ＞０
である第二導電型のＩｎ＿０＿．＿５（Ｇａ１−ｙＡＩ
ｙ）＿０＿．＿５Ｐ層が設けられてることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - （２）前記第二導電型のＩｎ＿０＿．＿５（Ｇａ１−Ｘ
ＡＩＸ）＿０＿．＿５Ｐクラッド層及びＩｎ＿０＿．＿
５（Ｇａ１−ｙＡＩｙ）＿０＿．＿５Ｐ層のＡＩ混晶比
は、Ｘ−ｙ≧０．２である請求項１記載の半導体レーザ
装置。 - （３）導電型半導体基板上に、第一導電型のＩｎ＿０＿
．＿５（Ｇａ１−ＸＡＩＸ）＿０＿．＿５Ｐクラッド層
、ＩｎＧａＰ活性層、第二導電型のＩｎ＿０＿．＿５（
Ｇａ１−ＸＡＩＸ）＿０＿．＿５Ｐクラッド層、オーミ
ックコンタクト層を順次形成後、前記第二導電型のＩｎ
＿０＿．＿５（Ｇａ１−ＸＡＩＸ）＿０＿．＿５Ｐクラ
ッド層の途中まで選択エッチングを行い、凸状のストラ
イプを形成し、次いで凸状のストライプ部を除き電流阻
止層を形成してなる半導体レーザ装置に於て、前記第二
導電型のＩｎ＿０＿．＿５（Ｇａ１−ＸＡＩＸ）＿０＿
．＿５Ｐクラッド層の中間にはＡＩ混晶比．５＞ｙ＞０
である第二導電型のＩｎ＿０＿．＿５（Ｇａ１−ｙＡＩ
ｙ）＿０＿．＿５Ｐ層を設け、前記クラッド層の凸部の
形成には熱硫酸を用いることを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7608988A JPH01251684A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7608988A JPH01251684A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251684A true JPH01251684A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13595108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7608988A Pending JPH01251684A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01251684A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0449553A2 (en) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| JPH04253389A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US5357535A (en) * | 1992-01-14 | 1994-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer |
| US7042023B2 (en) * | 2002-07-23 | 2006-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7608988A patent/JPH01251684A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0449553A2 (en) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| JPH04253389A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US5357535A (en) * | 1992-01-14 | 1994-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer |
| US5420066A (en) * | 1992-01-14 | 1995-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor laser device using etch stop layer |
| US7042023B2 (en) * | 2002-07-23 | 2006-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
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