JPS6091759A

JPS6091759A - 読取り装置

Info

Publication number: JPS6091759A
Application number: JP58200414A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Morita; 啓徳森田; Chiaki Matsuyama; 松山　千秋
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1983-10-25
Filing date: 1983-10-25
Publication date: 1985-05-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、たとえば、ファクシミリ送信機などにおいて
、／Ｊｉｔ稿像全光像全光学的るための読取り装置に関
し５もつと詳しくは、共通電極上に光導電体を配置し、
共通電極の背後に光源を配置し。

共通電極と光導電体とＫけ、光源からの光を通過する光
通過孔近傍成し、光源から光通過孔を介する原稿による
反射光をその光通過孔近傍で光導電体によって受光して
電気信号に変換するための読取り装置に関する。

典型的な先行技術げ、ファクシミリ送信機のいわゆるホ
トセンサアレイであり、その電気回路は第１図に示され
ている。共通電極１上には、アモルファスシリコン光導
電体が配置されて、原稿の幅方向に一列に配置されてフ
ォトダイオードＤ１〜Ｄｎｅ構成する。各フォトダイオ
ードＤ１〜Ｄｎ　ｒｌ　、　４ＮＪ　別画にアナログス
イッチＳ１〜Ｓｎｋ介してライン２Ｖｃ接地される。共
通電極１に接続さｊるライン３と前記ライン２との間に
は、負荷抵抗４とバイアス電源５とが接続されている。

ライン３からの出力は、結合コンデンサ６からバンファ
アンプ７を介して、ライン８から信号が導出される。ア
ナログスイッチ５ｌ−５ｎｌ’ｔ、シフトレジスフＳＲ
Ｉによって順次的に導通して、走査される。フォトダイ
オードＤ　Ｉ−Ｄｎｕ、　蓄ＷｔコンデンサＣ１〜Ｃｎ
を有する。

フォトダイオードＤ　１　”　Ｄ　ｎが受光していると
き、アナログスイッチ８１〜Ｓｎが導通すると。

バイアス電源５から負荷抵抗４を介して電流が流れ、受
光量に対応した波形が出力端子８から導出される。アナ
ログスイッチ５１〜Ｓｎが開いているとき、蓄積コンデ
ンサＣ１〜ＣｎＨバイアス電源５によってすでに充電さ
れている。たとえばフォトダイオードＤＩが受光したと
き、そのフォトダイオードＤ１が導通し、これによって
蓄積コンデンサＣ１の電荷が放電される。こののちアナ
ログスイッチＳ１が閉じた直後に残余のフ第１・ダイオ
ードＤ２．Ｄ３．・・・、Ｄｎに対応した蓄積コンデン
サＣ２，Ｃ３，・・・＋ＣｎとアナログスイッチＳ２．
Ｓ３．・・・、Ｓｎのそれぞれが有している入力容量Ｓ
Ｃ２，ＳＣ３，・・・、　ＳＣｎの電荷が共通電極１ケ
介してフォトダイオードＤ１に流れこむことになる。そ
のためアナログスイッチＳ１が導通しているとき、バイ
アス電源５が負荷抵抗４全介シてフォトダイオードＤ１
に流れる電流が減少する。そのため出力端子８に導出さ
れる信号のレベルが低下することになり感度が悪くなる
。

本発明の目的は、フォトダイオードなどの容量に起因し
た感度の低下を防ぐようにした改良された読取り装置を
提供することである〇第２図は本実施例の電気回路図である。アモルファスン
リコン半導体によって実現されるフォトダイオードＤｌ
ｌ〜Ｄｌｉ、Ｄ２１〜Ｄ２ｉ、Ｄ３１〜Ｄ３　ｉ　、−
、Ｄｎ　１〜Ｄｎ　ｉは複数ｎのグループＧ１〜Ｇｎに
グループ化される。１つのグループＧｌでは、フォトダ
イオードＤｌｌ−ＤＩｉけ共通電極Ｐ１に接続される。

この共通電極Ｐ１け、負荷抵抗Ｒ１を介してバイアス電
源５に接続される。共通電極Ｐ１けバッファアンプＡ１
に接続され、ライン１１に信号を導出する。フォトダイ
オードＤｌｌ〜ＤｌｉＩ″ｉ、アナログスイッチＳｌｌ
〜Ｓｌｉ全介してライン１２に接続され、このライン１
２はバイアス電源５の他方の端子に接続されて接地され
る。アナログスイッチＳｌｌ〜Ｓｌｉは、ソフトレジス
タＳＲ２に接続される。

このようなグループＧＩＩＣ関する構成に、残余のグル
ープＧ２．Ｇ３．・・・、Ｇｎに関しても同様であシ、
対応する参照符を付して説明を省く。シフトレジスタ５
Ｒ２ｉ１ｔアナログスイツチＳｌｌ〜Ｓ１ｉ、Ｓ２１〜
５２４．５３１〜Ｓ３ｉ、・・・、Ｓｎ１〜Ｓｎｉ’に
順次的ＶＣ１つずつ導通して走査する。フォトダイオー
ドＤ　１１−Ｄ　１　ｉｌｄ、蓄積コンデンサＣ１ｌ〜
Ｃ１ｉで示される菓子並列容量を有する。またアナログ
スイッチＳｌｌ〜Ｓｌｉには、それぞれ入力容量５ＣＩ
Ｉ〜５Ｃ１ｉ金有する。残余のグループＧ２．Ｇ３．・
・・、ＧｎｌＣ関しても同様である。

シフトレジスタＳＲ２がアナログスイッチ５１１〜Ｓｎ
ｉを順次的に導通して走査し、たとえばアナログスイッ
チＳｌｌが導通した場合を想定する。この場合、フォト
ダイオードＤｌｌが受光しているとき、バイアス電源５
から負荷抵抗Ｒ１％フォトダイオードＤｌｌおよびアナ
ログスイッチＳｌｌ’に介して′ｖＬ流が流れる。この
共通電極Ｐ１におけるフォトダイオードＤｌｌの受光量
ＩＣ対応した電圧は、バッファアンプＡ１からライン１
１に導出てれる。こうして残余のフォトダイオードＤ１
２〜Ｄｌｉも同様に検出され、また他のグループＧ２．
Ｇ３．・・・、Ｇｎに関しても同様である。

アナログスイッチＳｌｌが導通し、このとき。

フォトダイオードＤｌｌが受光していると、グループＧ
１の残余のフォトダイオードＤ１２〜Ｄ１１に並列接続
された蓄積コンデンサＣ１２〜Ｃ１１および残余のアナ
ログスイッチ８１２〜Ｓｌｉの入力容量５Ｃ１２〜５Ｃ
１ｉの電荷がフォトダイオードＤｌｌ’ｅ介して流れ、
その分だけノ（イアスミ源５から負荷抵抗Ｒ１を介する
電流値が減少することになる。この実施例では、フォト
ダイオードＤｌｌ〜Ｄｎｉけ、複数ｎのグループ０１〜
Ｇｎに分けられている。したがって、たとえばグループ
Ｇ１に含まれるフォトダイオードの数は、複数ｎよりも
少ない数ｉである。したがって、受光したフォトダイオ
ードＤｌｌにアナログスイッチＳｌｌの導通時に蓄積コ
ンデンサＣ１２〜Ｃ１１、入力容量５Ｃ１２〜５Ｃ１ｉ
から流れる電流は、比較的少ない。これによって負荷抵
抗Ｒ１を流れる電流の減少を抑制することができ、感度
を向上することが可能となる。

第３図は第２図に示されたフォトダイオードＤ１１〜Ｄ
ｎｉの具体的な構成を示す斜視図であり。

第４図はその平面図であり、第５図は第４図の切断面線
■−■から見た断面図であり、第６図に第４図の切断面
線Ｗ−ｗから見た断面図であり、第７図は第４図の切断
面線■−■から見た断面図である。これらの図面を参照
して、光透過性の透明材料たとえばガラスなどから成る
基板１３上には、遮光部材１４が配置される。この遮光
部材１４に。

たとえばクロムやアルミニウムなどの材料が蒸着されて
成る。遮光部材１４上１ｃは、光透過性の透明であって
しかも電気絶縁性を有する絶縁層１５が形成される。こ
の絶縁層１５上には、共通電極Ｐｉ、Ｐ２が間隔Ｗ＝あ
けて形成される。共通電極ＰＩ、Ｐ２は、クロムやアル
ミニウムなどが蒸着されて形成される。共通電極ＰＬ、
Ｐ２上１ｃは。

フォトダイオードＤＩｌ〜Ｄｉ　ｉ、Ｄ２１〜Ｄ２ｉｔ
＝形成するためのアモルファスシリコン半導体などの光
導電体１６が形成される。光導電体１６上１ｃは、スズ
−インジウム酸化物などのような光透過性の透明の材料
から成る透明電極１７がスパッタまたは蒸着により形成
される。透明電極１７は、フォトダイオードＤｌｌ〜Ｄ
ｎ　ｉｖｃ個別的に形成される。この透明電極１７には
、引出し電極１８が個別的に接続される。引出し電極１
８は、クロムが蒸着されて形成される。最上部には、光
透過性の透明の材料たとえば、ガラスなどから成る保護
層１９が形成される。

共通電極Ｐ１．光魯電体１６および透明電極１７には、
光通過孔２０が形成される。基板１３の背後（第５図の
下方）には、光源としての螢光燈２１が配置される。保
護層１９の前方（第５図の上方）には、Ｗ、稿２２が配
置σれる。螢光燈２１からの光は、基板１３．絶縁層１
５．保護層１９全経て、原稿２２に照射される。原稿２
２の反射光は、光通過孔２０付近の透明電極１７ｔ−透
過し。

光導電体１６によって受光される。こうして、光通過孔
２０の近傍にフォトダイオードＤｌｌ−Ｄｎｉが形成さ
れる。光通過孔２０は、原稿２２の幅方向、したがって
螢光燈２１の軸線方向（第５図の紙面に垂直方向）に沿
って間隔をあけて配置される。基板１３上にはシフトレ
ジスタＳＲ２などの集積回路が搭載される。

遮光部材１４は、共通電極Ｐｉ、Ｐ２の相互の間隔Ｗを
塞ぐ位置に配置きれておシ、したがって螢光燈２１から
の光が原稿２２側に通過することを防ぐ。これによって
間隔Ｗの近傍にある光通過孔２０近傍において、不所望
な光が受光されることが防がれ、誤検出が防がれる。こ
の遮光部材１４は１間隔Ｗを螢光燈２１からの光が通過
することを防ぐに必要な大きさを有しており、共通電極
ＰＩ、Ｐ２の下部にわずかに重なっているだけであって
共通電極ＰＩ、Ｐ２に犬きく重なっていることは無い。

したがって絶縁層１５１７ｉ！：わずかなピンホールが
あり、したがって一方の隣接する共通電極Ｐ１が、その
ピンホールを経て遮光部材１４に導通し、この遮光部材
１４は、もうひとつの隣接する共通電極Ｐ２に他のピン
ホールを介して導通してしまうというおそれが可及的に
防がれる。

またこの遮光部材１４け、共通電極ＰＬ、Ｐ２とせいぜ
いわずかな面積で重なっているだけであり。

したがって共通電極Ｐｉ、Ｐ２と遮光部材１４との間に
生じる浮遊容量は、ごくわずかに抑えられる。こうして
読取り装置の特性の劣化を防止することができる。この
ような構成は残余のグループＧ３〜Ｇｎに関しても同様
である。

上述の構成を有する読取り装置によれば１本件発明者の
実験では、第１図に示される従来からの読取り装置に比
べて共通電極Ｐ１〜Ｐｎを分割することによって導出さ
れる出力信号は、７倍に増加したことが確認された。ま
た遮光部材１４？：本発明に従って設けたことによって
、そのような遮光部材１４を設けない構成に比べてノイ
ズレベルを１　／　４．５に減少することが確認された
。

第８図は１本発明の他の実施例の断面図である。

前述の実施例では、遮光部材１４ｉｊ、クロムやアルミ
ニウムなどから成り、したがって遮光部材１４が共通電
極ＰＬ、Ｐ２と電気的に導通することを防ぐために絶縁
層１５が介在された。これに対して、第８図示の実施例
では、遮光部材１４ａば。

光を遮断すると共に電気絶縁性である材料から成り、し
たがって前述の絶縁層１５が省略され好都合である。

上述の実施例でに、主としてグループＧｌ、Ｇ２に関し
て説明したけれども、残余のグループも同様である。ま
た、受光素子として上述の実施例でに、フォトダイオー
ドを使用したが他の受光素子を用いてもよい。

効果以上のように本発明によれば、複数の受光素子が、グル
ープ化さハ各グループに対応した共通電極上に形成され
るので、それらの浮遊容量に起因した感度の低下が防が
れる。加えて共通電極相互間にけ、共通電極と電気的に
絶縁されかつ光源から原稿側への光を遮断する遮光部材
が配置されているので、外乱光によるノイズの低減が図
られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は先行技術の電気回路図、第２図は本発明の一実
施例の電気回路図、第３図は本発明の一実施例のフォト
ダイオードＤｌｌ〜Ｄｎｉの斜視図、第４図は第３図に
示されたフォトダイオードＤＩｌ〜Ｄｎｉの平面図、第
５図は第４図の切断面線■−■から見た断面図、第６図
は第４図の切断面線Ｍ−Ｍから見た断面図、第７図は第
４図の切断面線■−■から見た断面図、第８図は本発明
の他の実施例の断面図である。５、・・バイアス電源、１３・・・基板、１４．１４ａ
・・・遮光部材、１５・・・絶縁層、１６・・・光導電
体、１７・・・透明電極、１８・・・取出し電極、１９
・・・保護層。２０・・・光通過孔、２１・・・螢光燈、２２・・・原
稿％Ｄ１１〜Ｄｎｉ・・・フォトダイオード、Ｐ１〜Ｐ
ｎ・・・共通電極、Ｒ１−Ｒｎ・・・負荷抵抗、Ｓ１１
〜Ｓｎｉ・・・アナログスイッチ％　Ｃ，１１〜Ｃｎｉ
・・・蓄積、コンデンサ、５ｏｉｌ〜ＳＣｎ　ｉ・・・
アナログスイッチの入力容量、ＳＲ２・・−シフトレジ
スタ代理人　弁理士　西教圭一部尾４図２５尾５図手続補正書昭和５９年　１月２７日特許庁長官　殿　− 特願昭５８−２１１ｆ）４１４２、発明の名称読取り装置３、補正をする者事件との関係　出願人住所名称　ポ七う株式公社代表者４、代理人住　所　大阪市西区西本町１丁目１３番３８号　新興産
ビル国際ＦＡＸ　ＧＩＩＩ＆Ｇｌ　（０６）５３１３−
０２４７自兄肴わ正６、補正の対象図面７、補正の内容１１１図凹０第６図を別紙のとおり訂正する。以上

Claims

【特許請求の範囲】

光導電体を、隣接してかつ間隔をあけて配置された複数
の共通電極上に配置し、共通電極の背後に光源を配置し
、共通電極と光導電体とＶＣは、光源からの光音通過す
る光通過孔を形成し、その光通過孔を介する光の原稿に
よる反射光を光通過孔近傍で光導電体によって受光し、
共通電極相互間には、共通電極と亀；気的に絶縁されか
つ前記光源から原稿側への光を遮断する遮光部材を配置
したことを特徴とする読取り装置。