JPS6088463A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS6088463A JPS6088463A JP58197041A JP19704183A JPS6088463A JP S6088463 A JPS6088463 A JP S6088463A JP 58197041 A JP58197041 A JP 58197041A JP 19704183 A JP19704183 A JP 19704183A JP S6088463 A JPS6088463 A JP S6088463A
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- JP
- Japan
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- region
- film
- photo
- oxide film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像素子に関する。
最近固体撮像素子はファクシミリ、計測器等に使用され
はじめ特に二次元固体撮像素子においてはＶＴＲカメラ
用に撮像管にとって代わろうとしています。また固体撮
像素子においては最近の半導体工業の微細加工技術を用
いた高解像度素子の開発がさかんに行なわれている。高
解像度化の方法は従来半導体工業における微細パターン
化の発展とともになされてきた。−万最近高解像度化の
方法としてレジスタの転送電極とトランスフ丁ゲート電
極を同一電極にて形成し前記電極の基板表面不純物濃度
を変えることによシ、前記二つの機能を分離する方法も
提案されている。
はじめ特に二次元固体撮像素子においてはＶＴＲカメラ
用に撮像管にとって代わろうとしています。また固体撮
像素子においては最近の半導体工業の微細加工技術を用
いた高解像度素子の開発がさかんに行なわれている。高
解像度化の方法は従来半導体工業における微細パターン
化の発展とともになされてきた。−万最近高解像度化の
方法としてレジスタの転送電極とトランスフ丁ゲート電
極を同一電極にて形成し前記電極の基板表面不純物濃度
を変えることによシ、前記二つの機能を分離する方法も
提案されている。
本発明は前記トランスファゲート領域の形成を光電変換
領域およびシフトレジスタ領域と自己整合で行い、前記
トランスファゲート領域形成時に生じるパターン目金せ
余裕を不要にし精度よいパターン形成でかつ高解像度固
体撮像素子の提供を可能とするものである。
領域およびシフトレジスタ領域と自己整合で行い、前記
トランスファゲート領域形成時に生じるパターン目金せ
余裕を不要にし精度よいパターン形成でかつ高解像度固
体撮像素子の提供を可能とするものである。
次に本発明を図面を用いてわかシやすく説明する。まず
はじめに半導体基板１上の不活性領域にチャンネルスト
ップ用高濃度拡散２および厚い絶縁酸化膜３を形成し活
性領域に薄い絶縁酸化膜４を形成すると第１図（ａ）と
なる。次に電極となる高濃度不純物を含んだ多結晶シリ
コン層および該多結晶シリコン層に接して絶縁酸化膜６
を全面に形成した後、フォトレジスタ膜をマスクトシて
トランス７丁ゲート嶺域外を選択的にエツチングし、前
記フォトレジスト膜を除去すると第１図（ｂ）となる。
はじめに半導体基板１上の不活性領域にチャンネルスト
ップ用高濃度拡散２および厚い絶縁酸化膜３を形成し活
性領域に薄い絶縁酸化膜４を形成すると第１図（ａ）と
なる。次に電極となる高濃度不純物を含んだ多結晶シリ
コン層および該多結晶シリコン層に接して絶縁酸化膜６
を全面に形成した後、フォトレジスタ膜をマスクトシて
トランス７丁ゲート嶺域外を選択的にエツチングし、前
記フォトレジスト膜を除去すると第１図（ｂ）となる。
次に全面に半導体基板と逆導電形の不純物を高エネルギ
でイオン注入し薄い絶縁酸化膜］の基板表面に選択的に
光電変換領域７およびシフトレジスタ領域８に不純物Ｍ
をそれぞれ形成し！！１図（Ｃｉ得る。更にシフトレジ
スタ領域８上の多結晶シリコン層をフォトレジスト膜９
で被う。この時前記フォトレジスト膜の端はトランスフ
ァゲート領域９上の絶縁酸化膜６上に位置させる。その
稜前記フォトレジスト膜および絶縁酸化膜６をマスクと
して多結晶シリコン層５を選択的にエツチング除去し第
１図（ｄｌを得る１、最後に前記フォトレジスト膜９お
よび絶縁酸化膜６をエツチング除去した後層間絶縁Ｂｔ
Ａ１０を形成し、元シールド用Ａ７を選択的に形成し第
１図（ｅｌを得る。
でイオン注入し薄い絶縁酸化膜］の基板表面に選択的に
光電変換領域７およびシフトレジスタ領域８に不純物Ｍ
をそれぞれ形成し！！１図（Ｃｉ得る。更にシフトレジ
スタ領域８上の多結晶シリコン層をフォトレジスト膜９
で被う。この時前記フォトレジスト膜の端はトランスフ
ァゲート領域９上の絶縁酸化膜６上に位置させる。その
稜前記フォトレジスト膜および絶縁酸化膜６をマスクと
して多結晶シリコン層５を選択的にエツチング除去し第
１図（ｄｌを得る１、最後に前記フォトレジスト膜９お
よび絶縁酸化膜６をエツチング除去した後層間絶縁Ｂｔ
Ａ１０を形成し、元シールド用Ａ７を選択的に形成し第
１図（ｅｌを得る。
以上本発明の一実施例について最もわかシやすい例で説
明したが、他の方法として、はじめに光電変換領域７お
よびレジスタ領域８の形成後不活性領域２を形成する方
法あるいは、途中第１図（ｄｌの工程において光電変換
領域７に更に不純物層を拡散しレジスタ領域８との不純
物濃度を変える方法等が考えられる。しかしながら本発
明の目的はトランスファゲート領域およびシフトレジス
タ領域に対して自己整合で形成し高密度固体撮像素子を
得ることにあり、上記実施例は全て本発明が適用される
ものである。
明したが、他の方法として、はじめに光電変換領域７お
よびレジスタ領域８の形成後不活性領域２を形成する方
法あるいは、途中第１図（ｄｌの工程において光電変換
領域７に更に不純物層を拡散しレジスタ領域８との不純
物濃度を変える方法等が考えられる。しかしながら本発
明の目的はトランスファゲート領域およびシフトレジス
タ領域に対して自己整合で形成し高密度固体撮像素子を
得ることにあり、上記実施例は全て本発明が適用される
ものである。
第１図（ａ）〜（ｅｌは本発明の一実施を各工程に渡っ
て説明したものであシ、同一符号は同じものを示す。 １ ・・・・半導体基板、２ ・チャンネルストップ用
拡散層、３１４，６および１０・・・・・絶縁町ヒ膜、
５ ・・・・多結晶シリコン、７・・・・・ブＣ電変換
用不純物層、８・・・・・・シフトレジスフ用不純物層
、９・・・・・トランス７丁ゲート領域、１１ ・・・
・光シールド用Ａ１代理人 弁理士 内 原 晋 °′
、（σ） 乃ｌ閃 （Ｃ） （ｄ） 烏ｌ閃
て説明したものであシ、同一符号は同じものを示す。 １ ・・・・半導体基板、２ ・チャンネルストップ用
拡散層、３１４，６および１０・・・・・絶縁町ヒ膜、
５ ・・・・多結晶シリコン、７・・・・・ブＣ電変換
用不純物層、８・・・・・・シフトレジスフ用不純物層
、９・・・・・トランス７丁ゲート領域、１１ ・・・
・光シールド用Ａ１代理人 弁理士 内 原 晋 °′
、（σ） 乃ｌ閃 （Ｃ） （ｄ） 烏ｌ閃
Claims (1)
- 半導体基板上に光電変換領域と電荷を転送するシフトレ
ジスタと前記光電変換領域に蓄積された電荷を前記シフ
トレジスタに転送するトランスファゲートからなる固体
撮像素子において、前記トランス７丁ゲートが前記光電
変換領域およびシフトレジスタに対して自己整合で形成
されていることを特徴とする固体撮像素子０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197041A JPS6088463A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197041A JPS6088463A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088463A true JPS6088463A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16367735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58197041A Pending JPS6088463A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088463A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56115574A (en) * | 1980-01-16 | 1981-09-10 | Nec Corp | Semiconductor image pickup element |
| JPS56132875A (en) * | 1980-03-22 | 1981-10-17 | Toshiba Corp | Solid image pickup equipment |
| JPS58142683A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Nec Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP58197041A patent/JPS6088463A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56115574A (en) * | 1980-01-16 | 1981-09-10 | Nec Corp | Semiconductor image pickup element |
| JPS56132875A (en) * | 1980-03-22 | 1981-10-17 | Toshiba Corp | Solid image pickup equipment |
| JPS58142683A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Nec Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
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