JPS6088436A - 半導体装置のスクリ−ニング装置 - Google Patents

半導体装置のスクリ−ニング装置

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Publication number
JPS6088436A
JPS6088436A JP58197049A JP19704983A JPS6088436A JP S6088436 A JPS6088436 A JP S6088436A JP 58197049 A JP58197049 A JP 58197049A JP 19704983 A JP19704983 A JP 19704983A JP S6088436 A JPS6088436 A JP S6088436A
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JP
Japan
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semiconductor device
magazine case
case
screening
light
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Pending
Application number
JP58197049A
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English (en)
Inventor
Isamu Okamoto
勇 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6088436A publication Critical patent/JPS6088436A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/326Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止形の半導体装置及び集積回路装置等の
スクリーニング装置に関するものである。
樹脂封止された半導体装置の特に小型の品種では、使用
時の便亘性を計った保管方式としてプラスチックマガジ
ンケースに整列して収納されている。この様な形態のも
のを服大定格以下の高温でスクリーニングをする必要が
ある場合、プラスチック製マガジンケースの耐熱性がな
いため収納した半導体装置をプラスチックマガジンケー
スより1個ずつ取り出して作業を行ない、その後またプ
ラスチックマガジンケースへ戻すという慎しい作業が必
要でめった。
本発明の目的は811記の問題を解決するために半導体
装置の電気的特性測定を実施する工程に於いて半導体装
置がマガジンケース内に収納された状態で該半導体装置
に外部より赤外線投光方式を用いて熱を与えることによ
りマガジンケースの温ft上けずに半導体装置のみを高
温状態にして電気的特性の測定を可能としたスクリーニ
ング装置を提供することである。
次に本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。第
1図は個々に分離され収納された半導体装[itlとそ
のプラスチックケース2を示し、ケース2内でリード整
形が施される。更に半導体装置1は耐熱用マガジンケー
ス3に移し替えられホットプレート4上に配列され、高
温状態となった所で電気的特性測定を行ない、スクリー
ニング完了後、の半導体装置1′が元のマガジンケース
2に戻される。これは従来0例である。
第2図は本発明の一実施例を゛示すものでありリード整
形済の半導体装置21はプラスチックマガジンケース2
2に収納され、半導体装置21の頭部に例えは赤外線ラ
ンプ24を利用して集中投光される。該赤外線ラング2
4は半導体装置21の樹脂面に集中投光され、半導体装
置21を高温状態にしたまま電気的特性測定かaJ能と
なる。従って、ケースからの出入れが不狭となり短時間
でスクリーニングすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図18)はプラスチックマガジンケースに収納され
た半導体装置の平面図、同図(b)はその断面図、同図
(C)は耐熱用マガジンケースに移された状態の半導体
装置の断面図である。第2図は本発明の一実施例による
リード整形後の半導体装置のプラスチックケース収納状
態の平面図、同図(b)は集中投光時のスクリーニング
装置の要部断面図である。 1 、1’、 21 、21’・・・・・・半導体装置
、2,2’、22゜22′・・・・・・プラスチックマ
ガジンケース、3・・・・・・耐熱用マガジンケース、
4・・・・・・ホットフレート、23・・・・・・集中
投光用外壁、24・・・・・・赤外線ランプ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 樹脂封止された牛努体装置tをプラスチック製マガジン
    ケースに収1’lした状態て、該半祷体装鉦の樹脂表面
    に集中して投光することによって半導体装置のみを選択
    的に加熱した状態で電気的特性を測定するようにしたこ
    と全特徴とするスクリーニング装置。
JP58197049A 1983-10-21 1983-10-21 半導体装置のスクリ−ニング装置 Pending JPS6088436A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437680U (ja) * 1987-08-31 1989-03-07

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437680U (ja) * 1987-08-31 1989-03-07

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