JPS6085579A - 発光受光素子の製造方法 - Google Patents
発光受光素子の製造方法Info
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- JPS6085579A JPS6085579A JP58193801A JP19380183A JPS6085579A JP S6085579 A JPS6085579 A JP S6085579A JP 58193801 A JP58193801 A JP 58193801A JP 19380183 A JP19380183 A JP 19380183A JP S6085579 A JPS6085579 A JP S6085579A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、１つの基板上に発光素子および受光素子を有
する半導体素子、即ち発光受光素子に関する。
する半導体素子、即ち発光受光素子に関する。
光ファイバーを用いて行なう従来の一般的な光通信方式
は、発光素子から発した光を光フアイバー中を伝達させ
受光素子上に集光し受光させる。
は、発光素子から発した光を光フアイバー中を伝達させ
受光素子上に集光し受光させる。
この方式において双方向通信を行なうには、発光素子、
光ファイバ及び受光素子からカる系が２組必要となるの
で、システムの価格が非常に高価となる。これを解決す
るためには発光及び受光の両機能をもつ発光受光素子が
必要である。
光ファイバ及び受光素子からカる系が２組必要となるの
で、システムの価格が非常に高価となる。これを解決す
るためには発光及び受光の両機能をもつ発光受光素子が
必要である。
従来の発光受光素子としては、一般的な発光素子の活性
層の一部を発光素子部から分離し逆バイアスを印加して
受光素子として使用したものがある。第１図はこうした
構造金有する発光受光素子の模式的断面図である（但い
本図及び以下の各図では、基板及び成長層は）・７チン
グが省略して描いである）。図において、１はｎ”−Ｉ
口Ｐ基板、２はｎ” −Ｉ ｎＰ層、３はｎ −ＩｎＧ
ａＡｓＰ層、４はｐ−ＩｎＰ層、５は絶縁膜、６は受光
素子部のｐ（ｔ１１電極、７は発光素子部のｐ（ＩＩＩ
電極、８は発光素子部からのもれ光が受光素子部に入射
することを防ぐ遮光部、９はｎ側電極である０この発光
受光素子では、発光素子部１０受光素子部１１ともにｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ層３とｐ”−ＩｎＰ層によりｐｎ接
合が椙成されている。岡、遮光部８を備えた発光受光素
子はすでに本願発明者によって提案され、特許用Ｍ（特
願昭５７−１７８８２８ ）してある。
層の一部を発光素子部から分離し逆バイアスを印加して
受光素子として使用したものがある。第１図はこうした
構造金有する発光受光素子の模式的断面図である（但い
本図及び以下の各図では、基板及び成長層は）・７チン
グが省略して描いである）。図において、１はｎ”−Ｉ
口Ｐ基板、２はｎ” −Ｉ ｎＰ層、３はｎ −ＩｎＧ
ａＡｓＰ層、４はｐ−ＩｎＰ層、５は絶縁膜、６は受光
素子部のｐ（ｔ１１電極、７は発光素子部のｐ（ＩＩＩ
電極、８は発光素子部からのもれ光が受光素子部に入射
することを防ぐ遮光部、９はｎ側電極である０この発光
受光素子では、発光素子部１０受光素子部１１ともにｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ層３とｐ”−ＩｎＰ層によりｐｎ接
合が椙成されている。岡、遮光部８を備えた発光受光素
子はすでに本願発明者によって提案され、特許用Ｍ（特
願昭５７−１７８８２８ ）してある。
つぎに、第１図の発光受光素子の製造方法の一例を説明
する。第２図（ａ）〜（ｄ）はこの製造方法の各中間工
程で生じる半製品の模式的断面図である０ｎ−ＩｎＰ基
板１（不純物濃度１×１０ ｍ ）上にバ、ファ一層と
してｎ＋−ＩｎＰ層２（不純物濃度ｌＸ１０ ｃｒｎ
）を約４ 、ａｍ、 ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層３（不純物
濃度Ｉ Ｘ １０１７ｃｍＴ３、フォトルミビーク波長
１．３ ｔｔｍ ）を約２ μｍ 、 ｐ” −■ｍｐ
層４（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ３）を約２μｍ
を成長させたウェーハを形成し〔本図（ａ） ） 、フ
ォトレジスト処理工程等によυｎ”−ＩｎＰ層２に達す
るまでリング状に工、チングする〔本図（ｂ） ） ％
その後に絶縁膜５とＬ テＯＶＤ −Ｓｉ ０２膜１２
５００Ａ形成する〔本図（Ｃ）〕。
する。第２図（ａ）〜（ｄ）はこの製造方法の各中間工
程で生じる半製品の模式的断面図である０ｎ−ＩｎＰ基
板１（不純物濃度１×１０ ｍ ）上にバ、ファ一層と
してｎ＋−ＩｎＰ層２（不純物濃度ｌＸ１０ ｃｒｎ
）を約４ 、ａｍ、 ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層３（不純物
濃度Ｉ Ｘ １０１７ｃｍＴ３、フォトルミビーク波長
１．３ ｔｔｍ ）を約２ μｍ 、 ｐ” −■ｍｐ
層４（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ３）を約２μｍ
を成長させたウェーハを形成し〔本図（ａ） ） 、フ
ォトレジスト処理工程等によυｎ”−ＩｎＰ層２に達す
るまでリング状に工、チングする〔本図（ｂ） ） ％
その後に絶縁膜５とＬ テＯＶＤ −Ｓｉ ０２膜１２
５００Ａ形成する〔本図（Ｃ）〕。
かかる後にｐ側電極としてＡｕ Ｚｎのアロイ電極とそ
のボンディング用パッドのＴ ｉ ／Ｐ ｔ ／Ａｕの
多層構造によシ、受光素子部のｐ側電極６、発光素子部
のｐ側電極７、遮光部８を同時に形成する。その後裏面
研磨により全厚６０μｍとしｎ”−ＩｎＰ基板側にＡｕ
Ｇｅのアロイ電極とボンディング用パ。
のボンディング用パッドのＴ ｉ ／Ｐ ｔ ／Ａｕの
多層構造によシ、受光素子部のｐ側電極６、発光素子部
のｐ側電極７、遮光部８を同時に形成する。その後裏面
研磨により全厚６０μｍとしｎ”−ＩｎＰ基板側にＡｕ
Ｇｅのアロイ電極とボンディング用パ。
トのＡｕとからなるｎ側電極９を形成する〔本図（ｄ）
〕。
〕。
かかる製造工程例にょ９製作された従来の発光受光素子
は、発光素子部１ｏの活性層であるｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
層３と受光素子部１１のブ０吸収層であるｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ層３とに同一の成長層を使用している。ところが
、活性層は高速作動のために１×１０ 程度以上の不純
物濃度がめられ、他方の光吸収層は１×１０１６程度以
下の不純物濃度が望ましい。第２図（ａ）〜（ｄ）を参
照して述べた従来の発光受光素子の組成は、発光素子部
１ｏの特性を重視しているから、受光素子部ＩＪでの空
乏層幅は最大でも０．４μｍ程度しか得ることができな
い。
は、発光素子部１ｏの活性層であるｎ−ＩｎＧａＡｓＰ
層３と受光素子部１１のブ０吸収層であるｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ層３とに同一の成長層を使用している。ところが
、活性層は高速作動のために１×１０ 程度以上の不純
物濃度がめられ、他方の光吸収層は１×１０１６程度以
下の不純物濃度が望ましい。第２図（ａ）〜（ｄ）を参
照して述べた従来の発光受光素子の組成は、発光素子部
１ｏの特性を重視しているから、受光素子部ＩＪでの空
乏層幅は最大でも０．４μｍ程度しか得ることができな
い。
このように空乏層幅が小さいと、受光素子部１１は、作
動速度が遅く、感度が低く、電流−電圧特性においても
トンネル電流による暗電流が大きいという欠点があった
。従って、第１図の発光受光素子の受光素子部１１はパ
ルス応答の周波数特性が悪かった。また、発光素子部１
０の高速化をはかるためには活性層の薄膜化も必要とな
るが、この点でも受光素子部の高速化、高感度化とは相
反するという問題もあった。このように、従来の発光受
光素子では、発光素子部と受光素子部との両方の特性を
最適化することができなかった。
動速度が遅く、感度が低く、電流−電圧特性においても
トンネル電流による暗電流が大きいという欠点があった
。従って、第１図の発光受光素子の受光素子部１１はパ
ルス応答の周波数特性が悪かった。また、発光素子部１
０の高速化をはかるためには活性層の薄膜化も必要とな
るが、この点でも受光素子部の高速化、高感度化とは相
反するという問題もあった。このように、従来の発光受
光素子では、発光素子部と受光素子部との両方の特性を
最適化することができなかった。
本発明の目的は、従来のかかる欠点を除去し、発光素子
部と受光素子部との両方の最適化が可能な発光受光素子
の提供にある。
部と受光素子部との両方の最適化が可能な発光受光素子
の提供にある。
本発明の構成は、ヘテｐ構造を有する発光素子部と、こ
の発光素子部から独立したｐｎ接合をその発光素子部の
外周に有する受光素子部とを同一基板上に備え、前記受
光素子部の光吸収層を形成する半導体層の不純物濃度が
前記発光素子部の光吸収層を形成する半導体層の不純物
濃度より低いことを特徴とする。
の発光素子部から独立したｐｎ接合をその発光素子部の
外周に有する受光素子部とを同一基板上に備え、前記受
光素子部の光吸収層を形成する半導体層の不純物濃度が
前記発光素子部の光吸収層を形成する半導体層の不純物
濃度より低いことを特徴とする。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の一実施例の模式的断面図である。
図において、３３はｎ”−ＩｎＰ層、３４はｎ−−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層、３６はｐ”−ＩｎＰ層、３７は絶縁膜、
３８は受光素子部のｐ側電極１，３９は発光素子部のｐ
側電極、４０は遮光部、４１は発光素子部、４２は受光
素子部、４３は受光素子部のｎ側電極、４４は発光素子
部のｎ側電極をそれぞれ示す。かかる実施例においては
、発光素子部４１の活性層にはｎ−ＩｎＧａＡｓＰ ３
を用い、受光素子部４２の光吸収層にはｎ−−ＩｎＧａ
ＡｓＰ ３４を用いることによって、両者の濃度を各々
の素子で最適化することが可能となった。
ＧａＡｓＰ層、３６はｐ”−ＩｎＰ層、３７は絶縁膜、
３８は受光素子部のｐ側電極１，３９は発光素子部のｐ
側電極、４０は遮光部、４１は発光素子部、４２は受光
素子部、４３は受光素子部のｎ側電極、４４は発光素子
部のｎ側電極をそれぞれ示す。かかる実施例においては
、発光素子部４１の活性層にはｎ−ＩｎＧａＡｓＰ ３
を用い、受光素子部４２の光吸収層にはｎ−−ＩｎＧａ
ＡｓＰ ３４を用いることによって、両者の濃度を各々
の素子で最適化することが可能となった。
上記実施例の製造方法例を説明するために、この実施例
の製造工程で作られる半製品の模式的断面図を第４図（
ａ）〜（Ｃ）に示すＯｎ”−ＩｎＰ基板１にバ、ファ一
層としてｎ＋−ＩｎＰ層２（不純物濃度１ｘ１０ ｃｒ
ｎ ）を約４μｍ１発光素子部の活性層としてのｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層３（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１７α フ
ォトルミピーク波長１．３μｍ）を約２μｍ１ｎ”−Ｉ
ｎＰ層３３（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃｎ＋ ３）
を約２μｍ１ 受光素子部の光吸収層としてのｎ−−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層３４（不純物濃度８ ×１０１５．、
−ａ ７ ＃トルミビーク波長１．３μｍ）を約４ ｔ
ｔｍ％ｎ −ＩｎＰ層３５（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１
６ｃｖｉ３） ｆ約２μｍを成長させたウェーハを形成
し〔第４図（ａ））、７＃トレジスト処理等を経て直径
４０μｍの円形にｎ”−ＩｎＰ層３３に達するまでエツ
チングにょシ除去し凹部を形成する〔第４図（ｂ）〕。
の製造工程で作られる半製品の模式的断面図を第４図（
ａ）〜（Ｃ）に示すＯｎ”−ＩｎＰ基板１にバ、ファ一
層としてｎ＋−ＩｎＰ層２（不純物濃度１ｘ１０ ｃｒ
ｎ ）を約４μｍ１発光素子部の活性層としてのｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層３（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１７α フ
ォトルミピーク波長１．３μｍ）を約２μｍ１ｎ”−Ｉ
ｎＰ層３３（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃｎ＋ ３）
を約２μｍ１ 受光素子部の光吸収層としてのｎ−−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層３４（不純物濃度８ ×１０１５．、
−ａ ７ ＃トルミビーク波長１．３μｍ）を約４ ｔ
ｔｍ％ｎ −ＩｎＰ層３５（不純物濃度Ｉ Ｘ １０１
６ｃｖｉ３） ｆ約２μｍを成長させたウェーハを形成
し〔第４図（ａ））、７＃トレジスト処理等を経て直径
４０μｍの円形にｎ”−ＩｎＰ層３３に達するまでエツ
チングにょシ除去し凹部を形成する〔第４図（ｂ）〕。
その後ＯｄＯ熱拡散法により、本図（ｂ）に点々を入れ
て現す深さ約２μｍの領域をｐ＋とする。その後、フォ
トレジスト処理等により、前記の円形の凹部の中心に位
置合わせ合し、内径が３０μｍで外径が５０μｍのリン
グ状に除去し、発光素子部４１と受光素子部４２とに分
離する。その後、絶縁膜３７として０ＶＤＳｉＯ，膜＝
ｔ ２５００Ａ形成し、受光素子部４２のｐ側電極３８
、発光素子部４１のｐ側電極３９、遮光部４０をＴｉ
／Ｐｔ ／Ａｕの真空蒸着法により形成し、フォトレジ
スト処理工程後前記凹部を中心に位置合わせをし直径３
００μｍの円形以外の外周部をｎ” −ＩｎＰ層３３に
達するまで除去し、ＡｕＧｅの真空蒸着法に↓シ受光素
子部４２のｎ側電極４３を形成する。その後ウェーハ要
約６ｏμｒｎまでｎ −ＩｎＰ基板ｌ＠を研磨し、 Ａ
ｕＧｅの真空蒸着法にニジ発光素子部４１のｎ側電極４
４を形成した。
て現す深さ約２μｍの領域をｐ＋とする。その後、フォ
トレジスト処理等により、前記の円形の凹部の中心に位
置合わせ合し、内径が３０μｍで外径が５０μｍのリン
グ状に除去し、発光素子部４１と受光素子部４２とに分
離する。その後、絶縁膜３７として０ＶＤＳｉＯ，膜＝
ｔ ２５００Ａ形成し、受光素子部４２のｐ側電極３８
、発光素子部４１のｐ側電極３９、遮光部４０をＴｉ
／Ｐｔ ／Ａｕの真空蒸着法により形成し、フォトレジ
スト処理工程後前記凹部を中心に位置合わせをし直径３
００μｍの円形以外の外周部をｎ” −ＩｎＰ層３３に
達するまで除去し、ＡｕＧｅの真空蒸着法に↓シ受光素
子部４２のｎ側電極４３を形成する。その後ウェーハ要
約６ｏμｒｎまでｎ −ＩｎＰ基板ｌ＠を研磨し、 Ａ
ｕＧｅの真空蒸着法にニジ発光素子部４１のｎ側電極４
４を形成した。
以上の製造方法により製作されたこの実施例は、従来の
発光受光素子と比べると、発光素子部４１を従来と同様
にした！、まで、受光素子部４２の特性を向上すること
ができる。
発光受光素子と比べると、発光素子部４１を従来と同様
にした！、まで、受光素子部４２の特性を向上すること
ができる。
改善例として第５図に従来の発光受光素と本実施例との
電流−電圧特性を示す。本図で、第１図に示した従来の
発光受光素子の受光素子部１１の電流−電圧特性線を符
号５０で、本実施例の受光素子部４２の電流−電圧特性
線を符号５１でそれぞれ示した。これら両特性線５０．
５１から、本発明による発光受光素子部の暗電流が従来
の素子に比べ低減されていることがわかる。これは受光
素子部の光吸収層の不純物濃度を低減したためにトンネ
ル電流の発生が抑えられたことによる。
電流−電圧特性を示す。本図で、第１図に示した従来の
発光受光素子の受光素子部１１の電流−電圧特性線を符
号５０で、本実施例の受光素子部４２の電流−電圧特性
線を符号５１でそれぞれ示した。これら両特性線５０．
５１から、本発明による発光受光素子部の暗電流が従来
の素子に比べ低減されていることがわかる。これは受光
素子部の光吸収層の不純物濃度を低減したためにトンネ
ル電流の発生が抑えられたことによる。
また第６図にはとットレート３２Ｍｂ／８．デユー １
ブイ約−マーク率１ 波長１．３μｍの孤立パル２′
２′ スに対するパルス応答波形を示す。従来の発光受光素子
の受光素子部１１のパルス応答波形が符号６０で、実施
例の受光素子部４２のパルス応答波形が符号６１で示し
である。これによると、パルス応答波は、従来の素子で
は波形が三角形に近く振幅も小さいのに対し、実施例で
は波形が光入力（矩形波）に近づき、即ちパルス応答の
周波数特性がよく、また振幅も大きくなっている。これ
は、不純物濃度を低減した効果であシ、従来の素子では
空乏層幅は０．４μｍ程度しか拡がらなかったが本発明
の素子では４μｍ程度まで拡がることが可能となったか
ら、従来の素子では空乏層外でほとんどのキ＋’）アが
発生していたのに対し、本発明の素子では空乏層内で大
部分のキャリアが発生し遅い拡散電流成分が減少したの
である。また、そのことに付随し交流量子効率も改善さ
れ、振幅が大きくなっている。
２′ スに対するパルス応答波形を示す。従来の発光受光素子
の受光素子部１１のパルス応答波形が符号６０で、実施
例の受光素子部４２のパルス応答波形が符号６１で示し
である。これによると、パルス応答波は、従来の素子で
は波形が三角形に近く振幅も小さいのに対し、実施例で
は波形が光入力（矩形波）に近づき、即ちパルス応答の
周波数特性がよく、また振幅も大きくなっている。これ
は、不純物濃度を低減した効果であシ、従来の素子では
空乏層幅は０．４μｍ程度しか拡がらなかったが本発明
の素子では４μｍ程度まで拡がることが可能となったか
ら、従来の素子では空乏層外でほとんどのキ＋’）アが
発生していたのに対し、本発明の素子では空乏層内で大
部分のキャリアが発生し遅い拡散電流成分が減少したの
である。また、そのことに付随し交流量子効率も改善さ
れ、振幅が大きくなっている。
前述の実施例ではＩ ｎＰ／Ｉ ｎＧａＡｓＰ系の素子
について説明したが、Ｉ ｎＧａＡｓ ＋ＡＩＱａＡｓ
など他の３元、４元の材料を用いてもよいのは明白であ
る。
について説明したが、Ｉ ｎＧａＡｓ ＋ＡＩＱａＡｓ
など他の３元、４元の材料を用いてもよいのは明白であ
る。
実施例では発光素子部４１の活性層３と受光素子部４２
の光吸収層３４との導電型をｎ型で説明したが、ｐ型で
もあるいは各々異っていても本発明は有効であシ、また
両者を同一組成のＩｎＧａＡｓＰとしたが異なる組成、
異なる材料を用いたものでも有効である。また、実施例
における素子形状、電極形状もこれに規定されるもので
はない。
の光吸収層３４との導電型をｎ型で説明したが、ｐ型で
もあるいは各々異っていても本発明は有効であシ、また
両者を同一組成のＩｎＧａＡｓＰとしたが異なる組成、
異なる材料を用いたものでも有効である。また、実施例
における素子形状、電極形状もこれに規定されるもので
はない。
本発明によれば、以上説明したように、発光素子部と受
光素子部との両方の特性をそれぞれ最適化できる発光受
光素子が提供できる。
光素子部との両方の特性をそれぞれ最適化できる発光受
光素子が提供できる。
第１図は従来の発光受光素子の模式的断面図、第２図（
ａ）〜（ｄ）はこの発光受光素子の製造工程で生じる半
製品の模式的断面図、第３図は本発明の一実施例の模式
的断面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）はこの実施例の製造工
程で作られる半製品の模式的断面図、第５図は第１図の
従来の発光受光素子及び第３図の実施例における受光素
子部の電流−電圧特性図、第６図は受光素子部のパルス
応答波形図である。 １・・・・・・ｎ＋−ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ”
−ＩｎＰ層、３・・・−−・ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ 屑、
４ ・・・−・−ｐ”−ＩｎＰ層、５，３７・・・・・
・絶縁膜、６．３８・・・・・・受光素子部のｐ側電極
、７．３９・・・・・・発光素子部のｐ側電極、８．４
０・・・・・・遮光部、９・・・・・・発光素子部、受
光素子部兼用のｎ側電極、１０．４１・・・・・・発光
素子部％１１，４２・・・・・・受光素子部、３３・・
・・・・ｎ＋−ＩｎＰ層、３４・・・・・・ｎ −−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層、 ３５ ・−−−−・ｎ−ｌ一層、３
６・・・・・・熱拡散法により形成したｐ＋領領域４３
・・・・・・受光素子部のｎ側電極、４４・・・・・・
発光素子部のｎ側電極０ １１ ＩＯＩＩ ＬＪｙ刀壱」 乃２閃 ４２ ４／ ４ｚ 躬３閉
ａ）〜（ｄ）はこの発光受光素子の製造工程で生じる半
製品の模式的断面図、第３図は本発明の一実施例の模式
的断面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）はこの実施例の製造工
程で作られる半製品の模式的断面図、第５図は第１図の
従来の発光受光素子及び第３図の実施例における受光素
子部の電流−電圧特性図、第６図は受光素子部のパルス
応答波形図である。 １・・・・・・ｎ＋−ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ”
−ＩｎＰ層、３・・・−−・ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ 屑、
４ ・・・−・−ｐ”−ＩｎＰ層、５，３７・・・・・
・絶縁膜、６．３８・・・・・・受光素子部のｐ側電極
、７．３９・・・・・・発光素子部のｐ側電極、８．４
０・・・・・・遮光部、９・・・・・・発光素子部、受
光素子部兼用のｎ側電極、１０．４１・・・・・・発光
素子部％１１，４２・・・・・・受光素子部、３３・・
・・・・ｎ＋−ＩｎＰ層、３４・・・・・・ｎ −−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層、 ３５ ・−−−−・ｎ−ｌ一層、３
６・・・・・・熱拡散法により形成したｐ＋領領域４３
・・・・・・受光素子部のｎ側電極、４４・・・・・・
発光素子部のｎ側電極０ １１ ＩＯＩＩ ＬＪｙ刀壱」 乃２閃 ４２ ４／ ４ｚ 躬３閉
Claims (1)
- ヘテロ構造を有する発光素子部と、この発光素子部４か
ら独立したｐｎ接合をその発光素子部の外囲に有する受
光素子部とを同一基板上に備え、前記受光素子部の光吸
収層を形成している半導体層の不純物濃度が前記発光素
子部の活性層を形成している半導体層の不純物濃度よシ
低いことを特徴とする発光受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193801A JPS6085579A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 発光受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193801A JPS6085579A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 発光受光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085579A true JPS6085579A (ja) | 1985-05-15 |
| JPH0542837B2 JPH0542837B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=16313997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58193801A Granted JPS6085579A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 発光受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085579A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237978A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光・受光集積素子 |
| EP0288267A2 (en) * | 1987-04-21 | 1988-10-26 | Nec Corporation | An optical semiconductor device |
| US4879250A (en) * | 1988-09-29 | 1989-11-07 | The Boeing Company | Method of making a monolithic interleaved LED/PIN photodetector array |
| US5055894A (en) * | 1988-09-29 | 1991-10-08 | The Boeing Company | Monolithic interleaved LED/PIN photodetector array |
| US5061974A (en) * | 1988-12-28 | 1991-10-29 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device of array type |
| US5101246A (en) * | 1988-12-08 | 1992-03-31 | Ricoh Company, Ltd. | Photo-functional device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BR9302920A (pt) * | 1993-07-15 | 1995-03-01 | Ath Ltda | Dispositivo de vedação para juntas homocinéticas |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57140752U (ja) * | 1981-02-26 | 1982-09-03 | ||
| JPS59151459U (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-11 | オムロン株式会社 | 発光受光素子 |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193801A patent/JPS6085579A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57140752U (ja) * | 1981-02-26 | 1982-09-03 | ||
| JPS59151459U (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-11 | オムロン株式会社 | 発光受光素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237978A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光・受光集積素子 |
| EP0288267A2 (en) * | 1987-04-21 | 1988-10-26 | Nec Corporation | An optical semiconductor device |
| US4879250A (en) * | 1988-09-29 | 1989-11-07 | The Boeing Company | Method of making a monolithic interleaved LED/PIN photodetector array |
| US5055894A (en) * | 1988-09-29 | 1991-10-08 | The Boeing Company | Monolithic interleaved LED/PIN photodetector array |
| US5101246A (en) * | 1988-12-08 | 1992-03-31 | Ricoh Company, Ltd. | Photo-functional device |
| US5061974A (en) * | 1988-12-28 | 1991-10-29 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device of array type |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542837B2 (ja) | 1993-06-29 |
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