JPS6085544A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6085544A JPS6085544A JP19482683A JP19482683A JPS6085544A JP S6085544 A JPS6085544 A JP S6085544A JP 19482683 A JP19482683 A JP 19482683A JP 19482683 A JP19482683 A JP 19482683A JP S6085544 A JPS6085544 A JP S6085544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- wiring
- layer
- semiconductor device
- widened
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に関するものである。
従来の半導体装置の特に配線層の形成方法は、第４図に
示すごとく半導体基板１１上に第１配線層１２を形成し
、その上に絶縁層１５を形成し、その上に第２配線層１
４を、該第１配線層１２から重ね合せ余裕度Ｂだけ近接
した位置に形成する。
示すごとく半導体基板１１上に第１配線層１２を形成し
、その上に絶縁層１５を形成し、その上に第２配線層１
４を、該第１配線層１２から重ね合せ余裕度Ｂだけ近接
した位置に形成する。
さらにその上に第２絶縁層１５を形成する。しかし、該
絶縁層１３および該第２絶縁層１５を形成する方法は、
通常、化学気相成長法であるために、特に段差部の下に
対する被覆性は良好でなく、時として溝が形成される。
絶縁層１３および該第２絶縁層１５を形成する方法は、
通常、化学気相成長法であるために、特に段差部の下に
対する被覆性は良好でなく、時として溝が形成される。
さらに、第２絶縁層１５を形成する場合において、該第
１配線層１２と第２配線層１４の寸法が重ね合せエラー
のためにＢより小さくなると形成される溝はさらに細く
深い物となり、この溝の上に形成される第３配線層１６
は該溝部を十分に被覆できずにクランクを生じているか
、エツチングに対してエツチングレートが他の部分より
早くなり断線か生じる可能性は非常に大きくなる。
１配線層１２と第２配線層１４の寸法が重ね合せエラー
のためにＢより小さくなると形成される溝はさらに細く
深い物となり、この溝の上に形成される第３配線層１６
は該溝部を十分に被覆できずにクランクを生じているか
、エツチングに対してエツチングレートが他の部分より
早くなり断線か生じる可能性は非常に大きくなる。
また、上記第６配線層１６の断線を生じさせない手段と
しては、該第１配線層１２と第２配線層１４の寸法Ｂを
大きくすることであるが、この寸法人を犬きくすると、
第６配線層１６の断線の原因となる溝は大きくなり、断
線は生じなくなる。
しては、該第１配線層１２と第２配線層１４の寸法Ｂを
大きくすることであるが、この寸法人を犬きくすると、
第６配線層１６の断線の原因となる溝は大きくなり、断
線は生じなくなる。
しかし、半導体装置としての集積度は悪化する。
半導体装置としての外側の寸法が大きくなり、コストパ
フォーマンスは著しく損なわれる物となる。
フォーマンスは著しく損なわれる物となる。
本発明はかかる欠点を除去したものであり、その目的は
、断線の生じない配線層の形成方法を提供することであ
る。また半導体装置の集積度も確保することである。
、断線の生じない配線層の形成方法を提供することであ
る。また半導体装置の集積度も確保することである。
以下、実施例により説明する・
第１図は実施例１の断面図である。２は本発明による所
の第１配線層である。この第１配線層２を、第２図の実
施例１の平面図による所の第１配線層２のように変形さ
せて、第１配線層２と第２配線層４の寸法Ｂを、第３配
線層６が横切る箇所の寸法をＣとした。このように寸法
をＢからＣへと大きくすることにより第２絶縁層５の被
覆性を高め、生じる溝を大きくし第３配線層乙の断線の
可能性を無しにした。この時の寸法はＡ＝２．０μｍで
あり、Ｏ＝３．０μ情である。このように、第１配線層
２を１０μｍ程変形させることにより十分な効果が得ら
れた。
の第１配線層である。この第１配線層２を、第２図の実
施例１の平面図による所の第１配線層２のように変形さ
せて、第１配線層２と第２配線層４の寸法Ｂを、第３配
線層６が横切る箇所の寸法をＣとした。このように寸法
をＢからＣへと大きくすることにより第２絶縁層５の被
覆性を高め、生じる溝を大きくし第３配線層乙の断線の
可能性を無しにした。この時の寸法はＡ＝２．０μｍで
あり、Ｏ＝３．０μ情である。このように、第１配線層
２を１０μｍ程変形させることにより十分な効果が得ら
れた。
実施例２．を第３図に示す。実施例１の効果は第１配線
層２および第２配線層４を変形させても同じ効果が得ら
れた。
層２および第２配線層４を変形させても同じ効果が得ら
れた。
以上のように、本発明はパターンのほんの一部の変更で
、第６配線層乙の断線を防止できる効果を有し、なおか
つ配線全体のピッチを変更してないために、半導体の集
積度は全く悪化するものでない。また本発明の特徴は、
第１配線層２のみを変形させて効果を得られるばかりで
なく、第２配線層４でも同様の効果を得られること、さ
らには第１配線層２と第２配線層４のパターンを変更さ
せてもよく、半導体装置の設計においては非常に自由度
が大きく有り、設計しやすいという効果もあるものであ
る。本発明の効果はこのように、有効であり、配線層が
第４層、第５層と増加しても得られるという幅広い特徴
も有すものである。
、第６配線層乙の断線を防止できる効果を有し、なおか
つ配線全体のピッチを変更してないために、半導体の集
積度は全く悪化するものでない。また本発明の特徴は、
第１配線層２のみを変形させて効果を得られるばかりで
なく、第２配線層４でも同様の効果を得られること、さ
らには第１配線層２と第２配線層４のパターンを変更さ
せてもよく、半導体装置の設計においては非常に自由度
が大きく有り、設計しやすいという効果もあるものであ
る。本発明の効果はこのように、有効であり、配線層が
第４層、第５層と増加しても得られるという幅広い特徴
も有すものである。
第１図一本発明による実施例１および２の断面図０
第２図−実施例１の平面図。
第６図−実施例２の平面図０
第４図−従来の方法による配線の断面図０１．１１・・
・・・・半導体基板 ２．１２・・・・・・第１配線層 ６．１３・・・・・・絶縁層 ４．１４・・・・・・第２配線層 ５．１５・・・・・・第２絶縁層 ６．１６・・・・・・第３配線層 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第４図
・・・・半導体基板 ２．１２・・・・・・第１配線層 ６．１３・・・・・・絶縁層 ４．１４・・・・・・第２配線層 ５．１５・・・・・・第２絶縁層 ６．１６・・・・・・第３配線層 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第４図
Claims (1)
- その一部に段差を有する第１配線層が半導体基板上に形
成され、かつ該第１配線層の上に絶縁層が形成されてお
り、該第１配線層の該段差に近接した位置にて第２の配
線層を形成し、さらに該第１配線層かつ該第２配線層上
を横切って第６配線層を形成するに際し、該第１配線層
および第２配線層のうち少なくとも１層以上の配線層を
、該第３配線層の下に位置する部分を変形することによ
り、該第１配線層の段差と該第２配線層との寸法を大き
くすることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19482683A JPS6085544A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19482683A JPS6085544A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085544A true JPS6085544A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16330896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19482683A Pending JPS6085544A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085544A (ja) |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP19482683A patent/JPS6085544A/ja active Pending
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