JPS6085431A - 磁気記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録装置に用いられる磁気ディスク、磁気
ドラム、磁気テープ等の磁気記録体にがかる。

近年高密度磁気記録体として、記録媒体（磁性層）に磁
性金属薄膜を用いた磁気ディスク等が用いられ始めた。

記録媒体に磁性金属薄膜を用いる利点は、飽和磁束密度
が大きいので媒体の薄膜化が可能であり、また高保磁力
が得られるため高密度記録に適することである。磁性金
属簿膜の他の利点は、無電解メッキ、電気メッキ、スパ
ッタ、蒸着等の方法で薄膜作製が容易なことである。

ところで、磁気記録装置における高記録密度化への要請
は年々高まりつつあり、これを実現するために、磁気記
録体の媒体特性の改善、媒体の薄膜化および磁気ヘッド
の特性改善とともに、ヘッド−媒体分離長の減少が不可
欠となっている。

磁気テープ、フロッピディスク等の磁気記録体は、記録
密度を最大限に高めるために磁気ヘッドと接触状態もし
くはそれに近い状態で使用される。

また磁気ヘッドを磁気記録体から微小間隔浮上させて使
用する磁気ディスクの場合には、磁気記録装置の高性能
化に伴ない、この浮上間隔を小さくするために磁気へ、
ドの荷重を小さくすると同時に、接触始動・停止（コン
タクト・スタート・ストップ、０８８）型のヘッド浮揚
システムが採用されている。このため磁気ヘッドによる
磁気記録体の損傷がしはしは生じる。これを防ぐ有効な
方法として、磁性金属薄膜の表面に保護層を設ける方法
があり、耐久性の改善がはかられてきｆ：。保護層とし
ては耐摩耗性を有するとともに、−磁性、平滑性と強固
な密着力をもち、可能な限り薄膜化が図られねばならな
い。これらの目的のために従来種々の検討がなされたが
、いずれも不十分であった０ 従来提案された方法として、Ｒｈ、Ｏｒ等の高硬度の金
属を電気メツキ法によって媒体表面に被覆する方法があ
るが、電解液浸漬時に受ける媒体の侵食、またはそれを
避けるために設ける中間層による保護層の実質的な膜厚
増大という欠点がある。

別の方法としてＯｒ、Ｗ等の金属、Ｓｉｎ、。

ＡＡ、　０．等の酸化物を蒸着、スパッタ等の手段で媒
体表面に被覆する方法があるが、密着力が不十分であり
、真空系内で作製するため生産性に問題があった。

耐摩耗性と密着力に優れた保護層として、ＯｏまたはＣ
ｏ−Ｎｉの磁性金属薄膜の表面を酸化して０ｏ３０４の
酸化膜を形成する方法が提案された。

例えは特公昭４２−２００２５号、Ｕ８Ｐ３．３５３．
１６６号では、温度および湿度を制御した酸化雰囲気中
で金属薄膜の表面に存在するＯｏを酸化し、保護酸化皮
膜を形成する方法か提案された。より強固な酸化皮膜を
得るために陽極酸化による方法、酸熟理による方法さら
に空気中で焼成する方法（特公昭４９−２９４４５号、
ｔＪ８Ｐ３．７１９．５２５号）等が提案された。しか
し、上記の方法では広い処理面積にわたって均一なＣＯ
酸化皮膜を得ることは困難であり、保護酸化皮膜の厚さ
のバラツキと残存磁性層の厚さのバラツキによって再生
出力の均一性が損われ、時にはビットエラーの多発を生
じるという問題があった。

このためこれを改善する方法として、Ｕ８Ｐ４．１２４
．７３６に示される様に記憶媒体の磁性層と保護酸化皮
膜を得るための金属層の間に酸化処理の障壁となる中間
層を形成する方法が提案された。

この様な中間層を設けることによって、酸化処理による
反応が磁性層にまで達することが妨げられ、かつ均一な
膜厚の保護酸化皮膜が得られることを目的としていたが
、酸化処理による磁性層の侵食を防止するこさば困難で
あり、十分な障壁効果を得るには中間層の膜厚を非常に
厚くする必要があった。この様に、記憶媒体と保護酸化
皮膜の間に酸化処理の障壁となる厚い中間層を形成する
ことは保護膜厚の実質的な増大となり記録再生特性の著
しい低下を招いた。さらに、中間層にＮｉ合金を用い酸
化処理に高温焼成を伴なう場合、中間層が帯礎し再生出
力の著しい低下を招くおそれが生じた。

また、特公昭４９−２９４４５、特公昭５０−３０４４
３に示される様に従来の保護酸化皮膜は、０Ｏ−Ｐ（５
） あるいは０ｏ−Ｎｉ−Ｐ合金膜のようｒｊＯｏ合金膜を
酸化剤溶液に浸漬後熱処理すること等によって酸化皮膜
を形成していたか、こうして得られる保護層は、一般に
再現性と均一性に劣り耐摩耗性も十分でなかった。

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を改善して、
実用的な耐久性を備えた高密度記録用の磁気記録体を提
供することにある。本発明の他の目的は、保護酸化皮膜
を有する磁気記録体の再生出力の一様性を保持するとと
もに中間層の膜厚減少をはかることにより、高品質かつ
安価な磁気記録体を提供することにある。本発明のさら
ｌこもう一つの目的は、均一で耐摩耗性に優れた保護酸
化皮膜を有する磁気記録体を再現性よく提供することに
ある。

本発明によれば、基体上に磁性層、中間層および保護層
の順で設けられた磁気記録体において、前記保護層が前
記磁性層よりも耐酸化性の弱い金属薄膜より形成された
酸化物であることを特徴とする磁気記録体が提供される
。

（６） 本発明の磁気記録体の基体には、ディスク状、ドラム状
、テープ状等従来公知の種々の形状が適用される。基体
の材質としては、アルミニウム合金、黄銅等の金属、マ
イラー、ポリイミド等の樹脂あるいはそれらの上にＮ１
−Ｐ　メッキ膜　Ｏｕメッキ膜、Ｏｕ、Ｏｒ　等の蒸着
膜、スパッタ膜などが記録媒体の下地さして被覆された
ものが用いられる。

本発明の磁気記録体の磁性層としては、Ｆｅ。

Ｃｏ、Ｎｉ　の少なくとも一種を構成元素とする磁性金
属薄膜が用いられる。他の二次的取分としてＯｕ　、　
Ｚｎ　等の金属、Ｐ　、　Ｂ　、　０等の非金属が含有
されていてもよいが、高密度磁気記録媒体として用いる
には、一般ｌこ３０００ｅ以上の保磁力を有している必
要がある。磁性層の厚みは、均一性を確保するために０
．０１μｍ以上とする必要があり、面内記録方式で１０
，０ＯＯＢＰＩ（１インチ当りのど、ト数）以上の記録
密度を得るためには１．０μｍ程度以下ζこする必要が
ある。しかし垂直記録方式を使用する場合には１．０μ
ｍ以上の膜厚の磁性層を用いることもできる。本発明に
よる磁性層は、無電解メッキ法によって形成されること
が、生産性と膜厚の一様性の点で望すしいが、電気メツ
キ法、蒸着法、スパッタ法等を用いてもよい。

中間層として・は、記録媒体の磁性層よりも耐酸化性の
強い薄膜層であることが要求される。また中間層は、非
磁性であるか、帯磁するさしても磁気記録体の記録再生
特性に実用上問題を生じない程度の帯磁量であることが
要求される。中間層の材質トシてはＮｉ、Ｏｕ、Ｏｒ、
Ｚｎ、Ｎｏ、Ｔｉ、Ｗ。

８ｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属ないしはコｎ、
らの合金及びその酸化物、またはＯｏｌ　Ｏｌ、α−Ｆ
ｅ、０３等の酸化物が用いられるが、この中間層の耐酸
化性が磁性層のそれよりも大であれは他のどの様な二次
的元素が含有されていてもよい。この中間層は、無電解
メッキ法、電気メツキ法、蒸着法、スパッタ法等によっ
て形成されるが、無寛解メッキ法にまって形成される場
合、前記主成分の他ＥこＰないしはＢが含才れることか
ある。中間層膜厚は、保護層の酸化物形成工程において
磁性層を保護しうる膜厚であれは、ヘッド−媒体分離長
を減小するためできるたけ小さいことが好ましい。

本発明の保護層の酸化物が形成される金属薄膜としては
、記録媒体の磁性層よりも耐酸化性の弱い金属薄膜であ
ることが要求され、さらに、一様な組成と膜厚を有する
連続した金属薄膜であることが要求される。十分な耐久
性の保護層を得るためには、この金属薄膜の膜厚は、０
．００５μｍ　以上である必要がある。この金属薄膜は
５０％以上のＯｏを含有していることが望ましい。この
金属薄膜は、００を主成分とするがこれにＭ　ｎ　＋　
Ｂ　＊　Ｖ　＊　Ｆ　ｅ　＊　Ｚ　ｎから選ばれた少な
くとも一種を含有することがあり、ざらにＮｉ、Ｐ　か
ら選ばれた少なくとも一種を含有することがある。Ｍｎ
含有量は０．０１％から３０％範囲が用いられるが、０
．１％から８９６の範囲が好ましい。Ｂ含有量は０．０
０１％から２０％の範囲が用いられるが、０．１％から
６９６の範囲が好ましい◇Ｖ含有量は０．０１％から３
０％の範囲が用いられるが、０．０５％から２５優の範
囲が好ましい。Ｆｅ含有量は０．１％から４０％の範囲
が用いられるが、（９） １％から３０％の範囲が好ましい。Ｚｎ含有量は０．１
％から２０％の範囲が用いられるが、０．３％から５％
の範囲が好ましい。Ｎｉ含有量は０．１％から４０％の
範囲が用いられるが、１％から２５％の範囲が好ましい
。Ｐ含有量は０．０窃から８％の範囲が用いられるが、
３％以下の範囲が好ましい。ＯｏにＭｎ、Ｂ、Ｖ、Ｆｅ
、Ｚｎを含有させる目的の一つは金属薄膜の耐酸化性を
減少させることにある。Ｎｉ。

Ｐの含有は耐酸化性を増大させるが、無電解００合金メ
ツキにおいてＣＯ以外の元素の共析量を増加させる場合
にＮｉの同時共析が利用されることがあり、次亜リン酸
を還元剤とする無電解メッキにおいてはＰの共析を伴う
。金属薄膜の耐酸化性が磁性層のそれよりも小であれば
これら以外にどの様な二次的元素が含有されていてもよ
いが、金属薄膜と磁性層の耐酸化性の差が大きい程良好
な品質の磁気記録体が得られやすい。金属薄膜は、一様
な組成と膜厚を有する薄膜が容易に得られる無電解メッ
キ法によって形成することが望ましいが、電気メツキ法
、蒸着法、スパッタ法等を用い（１０） てもよい。

電気メツキ法によってＯｏ　−Ｍ　ｎ合金膜を得るには
、例えはＢｒｅｎｎｅｒ著Ｅｌｅｃｔトｏｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎｏｆ　Ａ１１ｏｙｓ　ＶｏｌｕｍｅＩＩ　（Ａ
、ＯＡ、ＤＥＭ！ＯＰＲＢ８Ｓ１９６３年刊）　Ｐ、１
４０〜１５０に示される様な硫酸コバルト、硫酸マンガ
ンの他にチオシアン酸アンモニウム、硫酸アンモニウム
、クエン酸ナトリウム等を加えたメッキ浴を用いること
ができる。

電気メツキ法によってＣｏ−Ｍｎ−７合金膜を得る一例
としては、”新しい合金メッキ法”（日・ソ通信社発行
）Ｐ、１４２に示される様な、塩化コバルト、塩化マン
ガン、次亜リン酸Ｔンモンを加えたメッキ浴を用いる方
法がある。無電解メッキ法によって、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｐあ
るいはＯｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｍ　ｎ　−７合金膜を得るに
は、例えは、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｅｌｅ　−ｃｔｒ
ｏｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ、　Ｖｏｌ、１３
０．　Ａ４゜１９８３（７）Ｐ７９０〜７９４に示され
る様な、次亜リン酸を還元剤とし、金属塩として硫酸コ
バルト、硫酸マンガンまたはこれらに硫酸ニッケル、錯
化剤として有機酸他を加えたメッキ浴を用いることがで
きる。

無電解メッキ法によってＣｏ−Ｂあるいはこれに他の金
属元素を加えた８合金膜を得るには、ホウ木葉化ナトリ
ウム、ジメチルアミンボランまたはこれらの誘導体を還
元剤とし、金属塩として硫酸コバルト、塩化コバルト等
のコバルト塩、それに得たい合金のＯｏ以外の金属塩を
加え、錯化剤として有機酸、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤等
の添加剤を加えたメッキ浴を用いることができる。７合
金膜の場合は、還元剤として次亜リン酸塩を用いるほか
は同様の成分を加えたメッキ浴より得ることができる。

電気メッキの場合には、無電解メッキにくらべて一般ζ
こ浴成分が少なく、得られる合金の種類およびｍ成が広
範囲である。スパッタ、蒸着の場合には、ターゲットＭ
ｉ成才たは蒸発源元素の種類をかえることにより広範囲
の合金を得ることができる。

保護層は、金属薄膜を恒温・恒湿環境中に放置する方法
、熱酸化による方法、陽極酸化による方法、さらに空気
中で焼成する方法等の各々またはこれらの組合せｌこよ
って酸化することにより形成される。恒温恒湿環境中に
放置する方法としては、３５℃以上、相対温度５０％以
上の空気中、酸素雰囲気中または蒸気中に３０分以上放
置することによって酸化膜を形成する方法がある。陽極
酸化による方法としては、硫酸浴、クロム酸浴、シーウ
酸浴等が用いられる。酸化剤または酸処理による方法と
しては、硝酸、硫酸、塩酸、フッ酸等の強酸、ギ酸、ソ
ーラ酸、リン酸、乳酸、プロピオン酸、リンゴ酸、クエ
ン酸、酢酸、酒石酸、アスパラギン酸、コハク酸、安息
香酸、酪酸、マロン酸、ホウ酸、ビロリン酸、タルトロ
ン酸等昭和４１年９月２５日発行日本化学会編化学便覧
基礎ｆＪＩＩＩＰ１０５４〜１０５８の表に示される様
な弱酸およびそれらの塩の１種または２種以上の組合せ
、または過マンガン酸カリ、過酸化水素等の溶液に１０
秒以上浸漬することにより酸化膜を形成する方法がある
。強酸については０．００１〜２５％の濃度が用いられ
るが、０．０１〜５％の範囲が好ましい。弱酸では０．
０１〜（１３） ５０％、好ましくは０，１〜２０％の濃度範囲が使用で
きる。酸化剤については、０．１〜４０％、好ましくは
０．２〜１５％の！１度範囲が使用できる。

これらの濃度および浸漬時間は、酸および酸化剤の強さ
、酸化する金属薄膜の耐酸化性および膜厚に応じて適す
る条件が選択される。これに続いて行われる空気中で焼
成する条件としては、従来２００℃から２９０℃の温度
範囲が用いられていたが、この温度範囲で得られた磁気
記録体は摩擦係数が太き（０８８によって摩耗粉を生じ
やすい、また２００℃以上の焼成によって磁気記録体の
下地および中間層に用いるＮｉ合金層が帯磁しやすい等
の問題があった。本発明においては前記の様な耐酸化性
の弱い金属薄膜を用いることｌこより２００℃以下の焼
成によっても十分な耐久性を有する保護層の形成が可能
となった。また２００℃以下の焼成では酸化膜保護層の
表面が完全に最終的な酸化状態には達していないため活
性が高く、その上の潤滑層を強固に付着させるこ占がで
き、この温度範囲では摩擦係数も小さい。これらも本発
明の利点の（１４） 一つである。

が塗布される場合がある。

本発明において、従来技術に比べてヘッド−媒体スペー
シングの著しい減少が可能となり、ビット・エラーの少
ない高品質、高性能な磁気記録体が実現できる理由を図
を用いて説明する。保護層を形成する金属薄膜の酸化方
法の一例として、酸処理ｌこよる方法をとりあげる。酸
処理方法占して、従来より知られているＵ　８　Ｐ　３
，７１９，５２５に示された０、１６〜０２５％の硝酸
溶液に浸漬する工程（工程Ａ）と、本発明の効果をより
顕著に実現しつる０１〜数％のギ酸、シーウ酸、リン酸
等の弱酸に浸漬する工程（工程Ｂ）を用いる。被処理皮
膜としては、従来より知られている横取の試験片、即ち
アルミ板上に膜厚５０μｍ（７）Ｎｉ−Ｐ合金をメッキ
し研磨したものを基板とし、この上沓こ膜厚０．０８μ
ｍのＣｏ−Ｎ１−Ｐ　メッキ膜よりなる磁性層、膜厚０
．０５　ｔｔｍ　Ｏ）　Ｎ　ｉ　−Ｐ　ｙ’　ｙキＢ’
Ｊ、Ｋ　Ｖ）　１１６　中ｆｌ＝’［、膜厚０．０５μ
ｍ（７）Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｐ　メッキ膜からなる金属薄膜
を形成したもの（試験片Ａ）、および試験片Ａにおいて
金属薄膜としてＯｏ　−Ｍ　ｎ　−Ｐ　、　Ｏ。

−Ｎ６．Ｃｏ　−Ｂ、　Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐ、　Ｃｏ等磁性
層にくらべて著しく耐酸化性の小さい金属層を用いた本
発明の構成の試験片（試験片Ｂ）を用いる。試１険片Ａ
に対し工程Ａ１試験片Ａ、Ｂに対し工程Ｂの処理を施し
た場合の各試験片の飽和磁化量の変化を振動試料式磁束
計（ＶＳＭ）で測定した。その結果の傾向を第１図に比
較して示す。各試験片の面積は一定とし、飽和磁化量は
磁性層のみの値を１とした相対値を示す。曲線１は、試
験片１に工程Ａを施した場合の飽和磁化量の時間変化で
ある。

曲線２．３は各々試験片Ａ、Ｂｌこ工程Ｂを施した場合
の飽和磁化量の時間変化である。

従来の構成の試験片Ａに工程Ａを施した曲線１について
述べるき、最初の約３分間に金属薄膜の酸化が進行し磁
性が失われている。次の約５分間は磁化の減少がゆるや
かになり合金中間属の障壁効果があられれているものの
十分ではなく、磁性層への侵食もかなり進んでいる。浸
漬８分以後は中間層はその作用をはたさず磁性層の酸化
が急速に進む。これに対し、試験Ａに工程Ｂを施した場
合、曲線２に示す様に金属薄膜の酸化の進行は少ない。

そこで本発明の構成の試験片Ｂに工程Ｂを施した場合は
、曲線３に示す様に最初の約７分間で金属薄膜の酸化が
終了した後、磁性層の酸化が殆ど進行しないこさが分っ
た。即ち、本発明の構成をとることにより、酸化処理に
対して十分な障壁効果が得られることを示している。

このため従来技術に比べてヘッド−媒体スペーシングの
著しい減少が可能となり、ビット・エラーの少ない高品
質、高性能Ｙ、ＫＷｉ気記録俸を得ることが可能となる
。なお、試験片Ｂを強酸溶液に浸漬する場合も非常に薄
い濃度、例えば硝酸については工程人の１４０以下の濃
度を用いることにより曲線３と同様の関係が得られる。

次に実施例によって本発明による磁気記録体の特長を説
明する。下記の実施例は本発明の効果を示す一例であっ
て、ここに示す成分、膜厚、処理（１７） 方法等を、本発明の精神を逸脱しない範囲で適宜変更し
てもその目的を達成しうることは当業界に携わる者にと
って容易ｔこ理解される。

実施例１ 機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げたアルミ合
金円板（直径２１０簡、厚さ１．９　ｍ　）上【こ公知
のメッキ法により厚さ５０μｍの非磁性Ｎ１−Ｐ合金を
形成した後、表面を機械加工により鏝面仕上げし、磁気
ディスク基板を得た。Ｎ１−Ｐ　メッキ液には多くの市
販品があるが、ここではカニゼン・シューマー液を用い
た。さらに、この基体上ζこ保磁力６０００ｅ、Ｑ留磁
束密度、７，３００ｇａｕｓｓＱ）磁気特性をもち、膜
厚０．０８μｍのＣｏ−Ｎ１−Ｐ膜からなる磁性層を形
成した後、膜厚０．００５μｍから０．０８μｍの範囲
のＮ１−Ｐ膜からなる中間層を形成し、この中間層の上
に膜厚０，０５μｍ％Ｍｎ含有量５％のＯｏ　−Ｍ　ｎ
　メッキ膜からなる金属薄膜を形成した。メッキ方法は
前記の様な電気メツキ法によった。次にこれを硫酸溶液
（濃度３〜５％）に数分間浸漬した後、空気中において
１９０℃（１８） 前後で数時間加熱した。

こうして得られた磁気ディスクの表面にはＯｏ−く／ Ｍｎメッキ膜が酸化されて生じた様な酸化物保護層が形
成されており、Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトヘッドを用
いて０ＳＳ（接触・始動・停止）試験を行なった結果、
０８８回数２０，０００回後も表面に傷が発生せず実用
上十分な耐久性をもっことが確認された。

本実施例で得られた磁気ディスクを下記の条件で記録再
生試験を行なった。

使用ヘッド：トラック巾１８．５μｍ、キャップ長０８
μｍ。

コイル巻数１６　＋１６ へ、ド浮上量二〇、２μｍ 記録周波数（２Ｆ　）　：　６．０８ＭＨｚエラー・ス
ライスレベル：６０％ その結果、中間層膜厚か０．０２μｍ以上のものについ
ては、−面あたりのエラー数が１００個以下となり、磁
性層の特性は実用上十分な一様性が保たれていることが
認められた。

比較例１ 基体上に磁性層および中間層を実施例１と同様に作製し
たが、中間層上には膜＊０．０５μｍの００−Ｎ　ｉ−
Ｐ膜よりなる金属薄膜を形成し、この薄膜を酸化して保
護層とした磁気ディスクを作製した。

この場合金属薄膜、磁性層ともにＣｏ−Ｎ１−Ｐメッキ
膜であり両者の耐酸化性が同等であるため、金属薄膜の
酸化により保護層を形成する工程ｌこおける酸浸漬処理
には前述のＣｏ−Ｍｎ膜の処理に用いた処理液よりもよ
り高濃度の酸溶液を必要とした。このため前述の記録再
生試験と同じ測定条件において一面当りのエラー数が１
００個以下となる磁気ディスクを得るためには厚さ０．
１０μｍ以上の中間層を必要とし、実施例Ｉにおいて同
等のエラー特性が得られた中間層膜厚０．０２μｍの本
発明による磁気ディスクに比べて再生出力が２５％程度
減少した。また従来の様に金属薄膜としてＣｏ−Ｎ１−
Ｐ膜を用いた場合耐久性が著しく劣りＯ８Ｓ回数１００
〜２００回で傷を生じた。２７５℃で焼成した場合には
Ｏ８Ｓ耐久性は約５０００回まで増したが、Ｎ１−Ｐメ
ッキ層の帯磁によって記録再生特性が著しく劣化した◎ 実施例２ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では膜厚０．０５μｍ、Ｍｎ含有量４％のＣｏ−Ｍ
ｎ膜よりなる金属薄膜の酸化工程ζこおいて用いる処理
液として表１に示すものを用いた。

本発明においては、金属薄膜と磁性層との耐酸化性に著
しい差があるため、金属薄膜全体に反応が及び磁性層は
侵食されない処理条件を容易に見い出すことができ、そ
の条件範囲も広い。酸の強さに応じて濃度、浸漬時間等
の適する条件が選択されるが、その−例として本実施例
で用いた条件を第１表に示す。

（２１） こうして得られた磁気ディスクの表面には一様な酸化物
保護層が形成されていた。実施例１と同様のＯ８Ｓ試験
の結果、条件１〜７で作製された磁気ディスクは全て２
万回のＯ８Ｓに耐え十分な耐久性をもつことが確認され
た。

本実施例で得られた磁気ディスクを実施例１と同様にし
て記録再生試験を行なった結果、−面当りのエラー数が
１００個以下となる最小の中間層膜厚（以下臨界膜厚と
呼ぶ）は第２表の様になった。

臨界膜厚以上のディスクについては均一な再生出力を示
し、磁性層の特性は実用上十分な一様性が保たれている
ことが認められた。

第２表　各条件における臨界膜厚 比較例２ 基体上に磁性層および中間層を実施例２と同様に作製し
た後、中間層上沓こ次亜リン酸還元の無電解メッキ浴を
用いて膜厚０．０５μｍＰ含有量３．５％（２２） のＯｏ　−Ｐ　膜よりなる金属薄膜を形成し、この薄膜
を酸化して保護層とした磁気ディスクを作製した。

この場合金属薄膜と磁性層の耐酸化性の差が殆どないた
め金属薄膜の酸化により保護層を形成する工程における
酸浸漬処理には条件１〜７よりもより高濃度の酸とより
長い浸漬時間を必要とした。

このため実施例１と同様の記録再生試験の結果は、各種
酸処理における臨界膜厚が表２にくらべて４倍以上に増
大したことにより２３％以上の再生出力の減少をきたし
た。またこの場合１００〜２００回のＣ８Ｓで傷が発生
し、本発明による磁気ディスクにくらべて耐久性は著し
く劣った。焼成温度を２５０℃にした場合にはＯ８Ｓ耐
久性は４０００回前後まで増加したが、Ｎ１−Ｐメッキ
層が帯磁し記録再生特性が著しく低下した・ 実施例３ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では出性層上に膜厚０，０２μｍの中間層、Ｍｎ含
有量を変化させた膜厚０．０２μｍｌ／）ＯＯ−Ｍｎ　
電気メツキ膜からなる金属薄膜を形成し、４〜８％のリ
ン酸溶液で処理した後１７０℃、８時間の焼成を行った
。Ｃｏ−Ｍｎ膜は、０．１％から７％のものを用いた。

こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様にして
Ｃ８Ｓ試験を行なった。ディスク表面に傷が発生するＯ
８８回数を第３表に示す。

第３表　Ｍｎ含有量と０８８耐久回数 本実施例においてＭｎ含有量３，０％のＯｏ　−Ｍ　ｎ
メッキ膜厚を０．０１μｍｌこ減少した場合も２万回以
上の０８８に耐えた。

比較例３ 実施例３と同様にして作製したが、膜厚０，０４μｍの
Ｏｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ膜からなる金属薄膜を硝酸浸漬後
２３０℃で焼成して保護層とした磁気ディスクでは、同
様のＯ８Ｓ試験において０８８３５００回で傷が発生し
た。

実施例３において保護層をこ少量のＭｎを含有すること
によって耐久性が著しく向上することが示された。

実施例４ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では中間層膜厚を０．０２μｍとし、この上に膜厚
０．０５μｍ、Ｂ含有量３％のＣｏ−Ｂ膜よりなる金属
薄膜を形成した。００−Ｂ膜は、金属塩として硫酸コバ
ルト、還元剤としてジメチルアミンボラン、錯化剤とし
てマロン酸ナトリウム、クエン酸ナトＩＪウムを含む無
電解メッキ浴を用い、ｐＨ５〜６の酸性側で作製した。

下記の第４表に示す条件で処理した後、１５０℃をこて
１５時間焼成した。

（２５） 第４表　処理液の種類および浸漬条件 こうして得られた磁気ディスクの表向には一様な酸化物
保護層が形成されていた。Ｏ８Ｓ試験の結果、２万回の
０８８に耐え十分な耐久性をもつことが確認された。実
施例１と同様の記録再生試験の結果、処理濃度が減少す
る程エラー個数が減少する傾向があり、各処理液の濃度
を適宜選ぶことにより一面あたりのエラー数が１００個
以下のディスクを得ることができた。また、同等のエラ
ー特性が得られる比較例１のディスクにくらべて再（２
６） 主出力が３３％程度増加した。

実施例５ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では母性層上に膜厚０，０２μｍの中間層、膜厚０
．０４μｍのＣｏ−Ｂ膜からなる金属Ｎ膜を形成し、第
４表の条件で処理した後１８０℃、５時間の焼成を行な
った。Ｃｏ−Ｂ膜は、０．０１％から４．０％の含有量
のものを用いた。Ｂ含有量はメッキ浴のｐＨを増加する
ことζこより減少させた。

実施例４と同様のメッキ浴を用いたがアルカリ側では浴
の安定性を増すため錯化剤としてアスパラギン酸を用い
た。こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様に
してＯ８Ｓ試験を行った。ディスク表面に傷が発生する
Ｏ８Ｓ回数を同じく第４表に示す。

比較例４ 実施例５と同様にして作製したが、膜厚０．０４μｍの
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ層からなる金属薄膜を硝酸浸漬後１８０
℃で５時間焼成して保護層とした出猟ディスクでは、同
様のＣ８Ｓ試験においてＣ８Ｓ約１００回で傷が発生し
た。２７５℃で焼成した場合にはＯ８Ｂ耐久性は約４５
００回まで増加したが、Ｎｉ　−Ｐ層の帯磁によって記
録再生特性が著しく劣化した。

実施例５において保護層に少量のＢを含有することによ
って耐久性が著しく向上することが示された。

実施例６ 実施例５と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例ではＢ含有量０．４％の０ｏ−Ｂメッキ膜からなる
金属薄膜の膜厚を０．００５μｍから０．１μｍの範囲
で変化させた。金属薄膜の酸化は、２〜１５％の酢酸に
数分間浸漬後、１７５℃で１５時間焼成した。

Ｏ８Ｓ試験の結果を第６表に示す様に００−Ｂメッキ膜
厚０．０１μｍ以上において０８８２万回以上の耐久性
を示した。酢酸処理条件をＣｏ−Ｂ　メッキ膜厚に応じ
て適宜変化させたところ、各膜厚について一面あたりの
エラー個数が１００個以下のディスクが得られた。Ｃｏ
−ＢＪＪ厚０．０１μｍのディスクについては同等のエ
ラー特性が得られる比較例１のディスクにくらべて再生
出力が３８条程度増加した。

実施例７ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では中間層膜厚０．０２μｍとし、この上に膜厚０
．０５μｍの下記第７表に示す各種金属薄膜を形成し、
０．５〜１０％の酢酸溶液に数分間浸漬した後１９０℃
で８時間焼成した。

（２９） 第７表　各種金属薄膜 Ｃｏ−Ｍｎ−Ｐ層、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｐ層はＪｏｕｒ
ｎａｌ　ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　８ｏｃ
ｉｅｔｙ＊ｖｏ１．１３０．Ｊｉ４゜１９８３　（１）
　Ｐ、　７９０〜７９４で用いたメッキ浴より作製した
。Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐ　膜は次亜リン酸を還元剤とし、錯化
剤にクエン酸ナトリウム、金属塩に硫酸コバルト、硫酸
第１鉄を用いたアンモニア・アルカリ性メッキ浴より作
製した。Ｏｏ　−Ｚ　ｎ　−Ｐ層は金属塩として塩化亜
鉛を加えたアンモニアアルカリ性メ、キ浴より作製した
。Ｃｏ膜はヒドラジンを還元剤とするカセイアルカリ性
メッキ浴より作製した。

Ｃｏ−Ｖ膜はＲＦスパッタ法によって作製した。

（３０） こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様にして
試験した結果、０８８２万回以上の耐久性と実用上十分
なエラー特性を有していた。また再生出力は、同等θ）
エラー特性が得られる比較例１のディスクにくらべて約
３３％増加した。

実施例８ 実施例１と同様ｌこしで磁気ディスクを作製したが、本
実施例では、膜厚０．０３μｍ、Ｍｎ含有Ｍ２％、Ｂ含
有量０．５％のＯｏ−Ｍｎ−Ｂ無電解メッキ膜からなる
金属薄膜を形成し、数％のリン酸、シーウ酸、酢酸、プ
ロピオン酸等の弱酸に十数分間浸漬後１００℃から１９
０℃の温度範囲で２０時時間数した。こうして得られた
磁気ディスクを実施例１と同様にして試験した結果、０
８８２万回以上の耐久性と実用上十分なエラー特性を有
していた、また、本実施例において焼成工程を雀いた場
合もＣ８Ｓ回数９，０００回程度の耐久性を得ることが
できた。

再生出力については同等のエラー特性が得らｎる比較例
１のディスクにくらべて約３５％増加していた。

実施例ゲ 実施例１と同様にしてＶＢタディスクを作製したが、本
実施例では、Ｍｎ含有量４０ｑ６、膜厚０．０２μｍの
Ｏｏ−Ｍ　ｎ膜を金属薄膜とし、酸化工程は、空気中・
１９０℃で５０時間焼成する方法をとった。

こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様にして
試験した結果、実用上十分な耐久性とエラー特性を有し
ていた。

以上の実施例より明らかな様に、基体上に磁性層、中間
層および保護層の順で設けられた磁気記録体において、
前記保護層を前記磁性層よりも耐酸化性の弱い金属薄膜
より形成された酸化物とすることにより、一様な再生出
力を有し、著しく耐久性を向上させた磁気記録体が得ら
れる。更に磁性層と保護層の間Ｅこ厚い中間層を形成し
た従来の磁気記録体にくらべ、ヘッド−媒体分離長低減
による記録再生特性の向上か可能となり、本発明の実用
的、工業的価値は極めて高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は酸化処理液浸漬時間に対する飽和磁化量の変化
を示す図である。 （３３） （ｐ１↓１＠）ム禾酢叫牙

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体と、この基体を被覆する磁性層と、この磁性
   層を被覆する中間層と、この中間層を被覆する保護層よ
   りなる磁気記録体において、前記保護層が前記Ｗ１／）
   を層よりも耐酸化性の弱い金属薄膜を酸化することによ
   り形成された層であることを特徴とする磁気記録体。
2. （２）前記保護層が、ＣＯを主成分とし、これにＭｎ。 Ｂ、Ｖ、Ｆｅ、Ｚｎから選ばれた少なくとも一種を含有
   しまたは含有しない酸化物である特許請求の範囲第１項
   記載の磁気記録体。
3. （３）前記保護層が、Ｏｏを主成分とし、これにＭｎ。 Ｂ、Ｖ、Ｆｅ、Ｚｎ　から選ばれた少なくとも一種を含
   有しざらにＮｉ、Ｐ　から選ばれた少な（とも一種を含
   有する酸化物である特許請求の範囲第１項記載の磁気記
   録体。