JPS6081964A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6081964A JPS6081964A JP58190223A JP19022383A JPS6081964A JP S6081964 A JPS6081964 A JP S6081964A JP 58190223 A JP58190223 A JP 58190223A JP 19022383 A JP19022383 A JP 19022383A JP S6081964 A JPS6081964 A JP S6081964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- reading
- switches
- contact type
- type image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電壺換部に非晶質シリコン、微結晶シリコン
など高抵抗な光導電薄１１１＊を用いた密着型イメージ
センサに関する。
など高抵抗な光導電薄１１１＊を用いた密着型イメージ
センサに関する。
従来、イメージセンサの光１！変換部にはＣＣＤ型ある
いけＭＯＳ型の工Ｃセンサが用いられている。これらは
ファクシミリなどの原稿読取装置に使われているが工Ｃ
センサは小型−高密度であるため原稿サイズか太きいも
のには縮小投影のための光学系が必要である。そのだめ
装置の小型化は難しく高価格うあるという欠点を有する
。
いけＭＯＳ型の工Ｃセンサが用いられている。これらは
ファクシミリなどの原稿読取装置に使われているが工Ｃ
センサは小型−高密度であるため原稿サイズか太きいも
のには縮小投影のための光学系が必要である。そのだめ
装置の小型化は難しく高価格うあるという欠点を有する
。
そこで硫化カドミウム（以下Ｃ，ｄＢと略す）や非晶質
シリコン、微結晶シリコンなど高抵抗光導電薄ＩＩＩ
（Ｊ）Ｊ下ａ、−８ｉと略し代表する）を用いて大きさ
を原稿幅とした密着型のイメージセンサの研究が進めら
れている。ａｄｓｄ大面積大面零化であり密着型イメー
ジセンサとして用いることは可能であるが、空間均一性
が悪く、緑色から赤色の光に対する感噌が低い、光応答
性が良くない、さらには有毒であるなどの欠点を有して
いる。これに対してα−ｓｉを用いた密着型イメージセ
ンサは前記欠点を有せず、無毒で材料安定性がよく光応
答性が勝れているなどのギｊ徴を有することより最近、
特に注目をあつめている。しかし、従来ａ、−ｓｉセン
廿の光宵流が微小であるため全スタティックリ１に勅で
蓄積方式を用いていた。、′＋′だ、時分割ダイナミ・
ツク駆軸が甲いられたとしても、もれてイ流防市ダイオ
ードを別途に設けていた。以上の理由でσ。
シリコン、微結晶シリコンなど高抵抗光導電薄ＩＩＩ
（Ｊ）Ｊ下ａ、−８ｉと略し代表する）を用いて大きさ
を原稿幅とした密着型のイメージセンサの研究が進めら
れている。ａｄｓｄ大面積大面零化であり密着型イメー
ジセンサとして用いることは可能であるが、空間均一性
が悪く、緑色から赤色の光に対する感噌が低い、光応答
性が良くない、さらには有毒であるなどの欠点を有して
いる。これに対してα−ｓｉを用いた密着型イメージセ
ンサは前記欠点を有せず、無毒で材料安定性がよく光応
答性が勝れているなどのギｊ徴を有することより最近、
特に注目をあつめている。しかし、従来ａ、−ｓｉセン
廿の光宵流が微小であるため全スタティックリ１に勅で
蓄積方式を用いていた。、′＋′だ、時分割ダイナミ・
ツク駆軸が甲いられたとしても、もれてイ流防市ダイオ
ードを別途に設けていた。以上の理由でσ。
−８ｉイメーンセンサは製作が複雑となり高価になると
いう欠点を有していた。
いう欠点を有していた。
本発明はかかる欠点を除去するもので、もれＩＴＪ流防
止ダイオードを用いず時分割グイナミソク駆動で蓄積読
み出しができるものであり、α−８ｉの高抵抗であるこ
とを生かし、その目的は低価格。
止ダイオードを用いず時分割グイナミソク駆動で蓄積読
み出しができるものであり、α−８ｉの高抵抗であるこ
とを生かし、その目的は低価格。
高性柿なａ −５ｆｆｌ密着型イメージセンサ駆動方法
を提供することにある。
を提供することにある。
Ｎ下、実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による（ＬＲＬイメージセンサ駆動回路
であり、Ｓ ｒ （ｎ）、Ｒｏ （ｎ）ｈそれぞれＭｏ
ｓスイッチで、Ｃ（ハ）け各号、Ｂｎｍけα−８ｉによ
る受光素子である。これを動作させるには、まず共通［
極１のスイ・Ｉチｓ ｒ （１）のみをＯＮ、仙５Ｉ（
２）〜５Ｉ（ｎ）を接軸として個別電極５ｏ（１）〜ｓ
ｏ（ハ）をＯＦＦすることで第２図に示すような等価回
路となる。ここに消〜へはＥｏ〜鮨ｍに相当し光のＯＮ
、ＯＦＦで抵抗値が決まる。ｒｌ〜ｒｍは５Ｘ（２）〜
ＳＩ （７１）を通して接地さねた” −Ｅｙｍによる
抵抗分であり、ｃ１〜ｃ７．はＣ（１）〜Ｃ（ｒｎ）で
ある。（ｉｌ 〜ＣｍＶｃｎスイッチ５ｒ（１）をＯＮ
ｌ、た時間（バイアス電圧が加えられる）及び光量に
よって変化した抵抗値Ｐ１〜へ で決まる電荷が蓄積さ
れる。次にスイッチ５ｏ（１）〜５ＯｆｎＪをＯＮする
ことで一ヒ肥蓄積された電荷に応じてＶＯＴＪＴ（１）
〜ＶＯＵＴ←）より出力電流が得られる。実際にはｒ１
〜ｒｍによって手記電荷が変化するがＦｎ＋〜Ｂｗｎの
光によるＯＮ、ＯＦＦ抵抗、Ｃ】〜ａｍ 、バイアス電
圧印加時間、読み出し時間などを選ぶことでｎ−ｒｍの
影響をＩ丘とんど賛くすることができる。以上のように
して共通電極１を読み出した後、５Ｏ（１）〜Ｓｏ（ハ
）をＯＦＦ、５Ｘ（１）を接地、ｓ Ｉ（２）にバイア
ス電圧を加えることで共通電極２につながるＥ２１〜Ｅ
流を読み川すことにｔ【る。このようにｓ■（１）から
順に５ｒ（ｎ）才でバイアス電圧を加え５ｏ（１）〜５
ｏ（１ｎｊをＯＮするという動作を繰り返すことでＥｉ
＋からＥヨまでのすべての素子をダイナミックに読み出
すことができる。
であり、Ｓ ｒ （ｎ）、Ｒｏ （ｎ）ｈそれぞれＭｏ
ｓスイッチで、Ｃ（ハ）け各号、Ｂｎｍけα−８ｉによ
る受光素子である。これを動作させるには、まず共通［
極１のスイ・Ｉチｓ ｒ （１）のみをＯＮ、仙５Ｉ（
２）〜５Ｉ（ｎ）を接軸として個別電極５ｏ（１）〜ｓ
ｏ（ハ）をＯＦＦすることで第２図に示すような等価回
路となる。ここに消〜へはＥｏ〜鮨ｍに相当し光のＯＮ
、ＯＦＦで抵抗値が決まる。ｒｌ〜ｒｍは５Ｘ（２）〜
ＳＩ （７１）を通して接地さねた” −Ｅｙｍによる
抵抗分であり、ｃ１〜ｃ７．はＣ（１）〜Ｃ（ｒｎ）で
ある。（ｉｌ 〜ＣｍＶｃｎスイッチ５ｒ（１）をＯＮ
ｌ、た時間（バイアス電圧が加えられる）及び光量に
よって変化した抵抗値Ｐ１〜へ で決まる電荷が蓄積さ
れる。次にスイッチ５ｏ（１）〜５ＯｆｎＪをＯＮする
ことで一ヒ肥蓄積された電荷に応じてＶＯＴＪＴ（１）
〜ＶＯＵＴ←）より出力電流が得られる。実際にはｒ１
〜ｒｍによって手記電荷が変化するがＦｎ＋〜Ｂｗｎの
光によるＯＮ、ＯＦＦ抵抗、Ｃ】〜ａｍ 、バイアス電
圧印加時間、読み出し時間などを選ぶことでｎ−ｒｍの
影響をＩ丘とんど賛くすることができる。以上のように
して共通電極１を読み出した後、５Ｏ（１）〜Ｓｏ（ハ
）をＯＦＦ、５Ｘ（１）を接地、ｓ Ｉ（２）にバイア
ス電圧を加えることで共通電極２につながるＥ２１〜Ｅ
流を読み川すことにｔ【る。このようにｓ■（１）から
順に５ｒ（ｎ）才でバイアス電圧を加え５ｏ（１）〜５
ｏ（１ｎｊをＯＮするという動作を繰り返すことでＥｉ
＋からＥヨまでのすべての素子をダイナミックに読み出
すことができる。
受光Ｔ子ｆ（４０Ｘ ４４ビーＩト、明抵抗を１００
ＭＯ１明暗比’ｉｉ−１１５ｎとし書き込み時間を０２
秒とした場合１ｖのバイアス電圧で明暗電流比２５以−
ヒ０、 Ｓ ｔｚ Ａ程庁の出力電流が得られる。
ＭＯ１明暗比’ｉｉ−１１５ｎとし書き込み時間を０２
秒とした場合１ｖのバイアス電圧で明暗電流比２５以−
ヒ０、 Ｓ ｔｚ Ａ程庁の出力電流が得られる。
以上のようにａ −Ｓｊの高抵抗であることを生かし時
分割駆動で低価格、高出方で高性能な密着型イメージセ
ンサを提供することができる。
分割駆動で低価格、高出方で高性能な密着型イメージセ
ンサを提供することができる。
第１図は本発明のイメージセンサ駆動回路、第２図は第
１図の等価回路の一部である。 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 Ｖへ°′イＹズ 第１図 第２図
１図の等価回路の一部である。 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 Ｖへ°′イＹズ 第１図 第２図
Claims (3)
- （１） 光導電素子に非晶質シリコンを用い共通電極と
個別電極を持つマトリ・ノクス々イブのイメージセンサ
駆動回路において各個別電ｇｉＴｆｉコンデンサを介し
て接地されており、各共通電極は読みとられる雷極以外
は接地されＶみ取られる共通定修の各素子は読入耶り直
前に電圧が加えられ電荷蓄積後に読み出されることを特
徴とする密着型イメージセンサ、 - （２） 該光導電素子に微結晶シリコンを用いる特許請
求の範囲第１項記載の密着型イメージセンサ。 - （３）該光導電素子にシリコンと炭素、穿索、ゲルマニ
ウム、スズ、酸素の二元系以上の混非晶質を用いる特許
請求の範囲第１項記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190223A JPS6081964A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58190223A JPS6081964A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081964A true JPS6081964A (ja) | 1985-05-10 |
Family
ID=16254527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58190223A Pending JPS6081964A (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255671U (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-23 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711568A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Reader for original |
| JPS5797777A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Fuji Xerox Co Ltd | Original reader |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP58190223A patent/JPS6081964A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711568A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Reader for original |
| JPS5797777A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Fuji Xerox Co Ltd | Original reader |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255671U (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-23 | ||
| JPH053495Y2 (ja) * | 1988-10-17 | 1993-01-27 |
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