JP2000046646A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 光電変換素子と該素子に接続される薄膜トランジスタからなる画素を複数配列し、前記薄膜トランジスタを導通させて前記光電変換素子で生じた電荷を読み出し手段に転送して読み出す光電変換装置において、
   ダーク状態において、前記光電変換素子の前記薄膜トランジスタが接続されていない側の電極に印加する電圧を、通常の読み取り時に印加される第１の電圧から第２の電圧へ変化させて印加して前記光電変換素子を電気的に充電するよう前記電極に接続された制御可能な電源と、
   前記充電された光電変換素子から読み出された出力を予め定められたしきい値と比較することにより欠陥画素を検出する比較手段と、を有することを特徴とする光電変換装置。
2. 前記検出された欠陥画素の位置を記憶する記憶手段を有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
3. 前記記憶手段に格納された欠陥画素の位置情報に記憶された欠陥画素の信号を、隣接画素の出力を用いて補間する補正手段を有することを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。
4. 前記欠陥画素を自己診断し検出する手段は、読み取りモードと欠陥自己診断モードの二つの動作状態を有し、それぞれを切り替える機能を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換装置。
5. 前記薄膜トランジスタは、ソースまたはドレインとなる第１、第２の電極、およびゲート電極を有し、前記光電変換素子は、少なくとも第１、第２の電極を有し、前記光電変換素子の第１の電極に前記薄膜トランジスタの第１の電極を接続し、前記薄膜トランジスタのゲート電極にゲート駆動手段を接続し、前記薄膜トランジスタの第２の電極に読み出し手段を接続していることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
6. 前記光電変換素子は、非晶質シリコンを材料とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置。
7. 前記薄膜トランジスタは、非晶質シリコンを材料とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置。
8. 前記光電変換素子は、ＰＩＮ型フォトダイオードであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置。
9. 前記光電変換素子は、ＭＩＳ型センサであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置。
10. 前記光電変換素子は、非晶質セレンを主材料にすることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置。
11. 光電変換素子と該素子の出力に接続する薄膜トランジスタからなる画素を複数配列し、前記光電変換素子で生じた電荷を、前記薄膜トランジスタのゲート電極に電圧を印加することにより、前記薄膜トランジスタを導通させて読み出し手段に転送して読み出す光電変換装置において、
    読み取りモードと欠陥自己診断モードを切り替え、前記欠陥自己診断モード時に、ダーク状態において、前記光電変換素子の前記薄膜トランジスタが接続されていない側の電極に印加する電圧を、前記読み取りモード時に印加される第１の電圧から第２の電圧へ変化させて印加することにより前記光電変換素子を電気的に充電し、
    該充電された光電変換素子から読み出された出力を、予め定められたしきい値と比較することにより欠陥画素を検出することを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
12. 前記欠陥自己診断モードは、前記光電変換素子への光またはＸ線の入射のない前記ダーク状態であることを特徴とする請求項１１記載の光電変換装置の駆動方法。
13. 前記欠陥自己診断モードにおいて、前記光電変換素子に印加する電圧を第１の電圧から第２の電圧へ変化させる際、前記薄膜トランジスタはオフ状態であることを特徴とする請求項１１記載の光電変換装置の駆動方法。
14. 前記欠陥自己診断モードにおいて、前記光電変換素子の前記読み出し手段が接続されていない側の電極に印加する電圧が、前記第１の電圧の状態で前記薄膜トランジスタをオン状態とする空読みを行い、その後前記薄膜トランジスタをオフ状態としてから前記光電変換素子の前記電極に印加する電圧を第２の電圧へ変化させることを特徴とする請求項１３記載の光電変換装置の駆動方法。
15. 各画素の光電変換素子から読み出した出力が、予め定められたしきい値と比較して該しきい値以下である画素を欠陥画素として検出し、欠陥位置情報としてメモリに格納することを特徴とする請求項１１記載の光電変換装置の駆動方法。
16. 前記メモリに格納された欠陥位置情報に記憶された欠陥画素の信号を、隣接画素の出力を用いて補間することを特徴とする請求項１５記載の光電変換装置の駆動方法。
17. 請求項１〜１０のいずれかに記載の光電変換装置を有することを特徴とするＸ線撮像装置。
18. 第１の電極と第２の電極とを有する光電変換素子と前記第１の電極に接続された薄膜トランジスタからなる画素を複数配列し、前記薄膜トランジスタを導通させて前記光電変換素子で生じた電荷を読み出し手段に転送して読み出す光電変換装置において、
    ダーク状態において、前記第２の電極に印加する電圧を、通常の読み取り時に印加される第１の電圧から第２の電圧へ変化させて印加して前記光電変換素子を電気的に充電するよう前記第２の電極に接続された制御可能な電源と、
    前記充電された光電変換素子から読み出された出力を予め定められたしきい値と比較することにより欠陥画素を検出する比較手段と、を有することを特徴とする光電変換装置。