JPS607767A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS607767A JPS607767A JP58115526A JP11552683A JPS607767A JP S607767 A JPS607767 A JP S607767A JP 58115526 A JP58115526 A JP 58115526A JP 11552683 A JP11552683 A JP 11552683A JP S607767 A JPS607767 A JP S607767A
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- package
- semiconductor die
- optical information
- photodetector
- convex lens
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- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
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- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係シ、特に光電変換のために受光
部を有する固体撮像装置の半導体ダイを載置するパッケ
ージに関するものである。
部を有する固体撮像装置の半導体ダイを載置するパッケ
ージに関するものである。
従来、この種のパッケージの封止には平たんなガラスキ
ャップが用いられているが、固体撮像装置の受光部の各
光感知素子は、縦横数μ〜１０数μｒｒｖ’ｍで構成さ
れておシ、特にダイ上に一列にアレイされた場合などで
は、実質的な受光範囲が狭く、光情報収集に関して必ず
しも効率的とは言えない。
ャップが用いられているが、固体撮像装置の受光部の各
光感知素子は、縦横数μ〜１０数μｒｒｖ’ｍで構成さ
れておシ、特にダイ上に一列にアレイされた場合などで
は、実質的な受光範囲が狭く、光情報収集に関して必ず
しも効率的とは言えない。
そのため、あらかじめ外部レンズ系によって集光してお
く必要があシ、装置全体の大型化という欠点があった。
く必要があシ、装置全体の大型化という欠点があった。
本発明の目的はかかる従来技術の欠点を除去した有効な
半導体装置を提供することであシこのため本発明ではパ
ッケージを凸型レンズで封止したものである。これによ
シ、外部レンズ系を要さずに効率的な光情報収集が可能
な固体撮像装置となる。
半導体装置を提供することであシこのため本発明ではパ
ッケージを凸型レンズで封止したものである。これによ
シ、外部レンズ系を要さずに効率的な光情報収集が可能
な固体撮像装置となる。
以下に一次元ＣＣＤ固体撮像索子を例にとって説明する
。
。
ＣＣＤ固体撮像素子は光電変換−屯荷蓑積一転送、機能
を有し、一般には光電変換を行なう受光部と、走査を行
なう転送部とに分離しており、−次元ＣＣＤ固体撮像素
子では受光部はダイ上に一列にアレイされた構成となっ
ている。
を有し、一般には光電変換を行なう受光部と、走査を行
なう転送部とに分離しており、−次元ＣＣＤ固体撮像素
子では受光部はダイ上に一列にアレイされた構成となっ
ている。
第１図は一次元ＣＣＤ固体撮像索子の基本構成図である
。ここで、１は光電変換部（受光部）、２はトランス７
アーゲート、３ばＣＣＤ電荷転送レジスタである。受光
部１に光情報を印加すると、空乏層内に正孔と電子の対
が励起され、基板に吸収されずに残った少数キャリアが
光電変換素子上に蓄積される。その電荷が順次転送され
出力として取シ出される。
。ここで、１は光電変換部（受光部）、２はトランス７
アーゲート、３ばＣＣＤ電荷転送レジスタである。受光
部１に光情報を印加すると、空乏層内に正孔と電子の対
が励起され、基板に吸収されずに残った少数キャリアが
光電変換素子上に蓄積される。その電荷が順次転送され
出力として取シ出される。
第２図は従来のパッケージの断面図である。複数のり一
ド８を有するパッケージ９は平たんなガラスキャップ５
によって封止しているため、入射光は直進し、受光部４
での元情報７の獲得効率は悪い。従って実際の使用時に
はパッケージ上部に集光用のレンズ系を設は受光部に結
像する必要がある。同、１１はボンディングワイヤであ
る。
ド８を有するパッケージ９は平たんなガラスキャップ５
によって封止しているため、入射光は直進し、受光部４
での元情報７の獲得効率は悪い。従って実際の使用時に
はパッケージ上部に集光用のレンズ系を設は受光部に結
像する必要がある。同、１１はボンディングワイヤであ
る。
第３図は本発明の実施例を示したものである。
ここで第２図と同じ機能のところは同じ符号で示してい
る。この第３図に示すように本発明では平たんなガラス
キャップの替シに凸型のレンズ６を用い、この段階で入
射光を受光部に集光するようにしたものである。
る。この第３図に示すように本発明では平たんなガラス
キャップの替シに凸型のレンズ６を用い、この段階で入
射光を受光部に集光するようにしたものである。
これによって集光のだめの外部レンズ系は不要となシ、
装置の小型化・それに伴なうコスト低減が計れる。
装置の小型化・それに伴なうコスト低減が計れる。
第１図は一次元ＣＣＤ固体撮像素子の基本構成図、第２
図は従来の半導体パッケージの断面図、第３図は本発明
の一実施例を示す断面図である。 同、図において、 １・・・・・・光電変換部（受光部）、２・・・・・・
トランス７アーゲート、３・・・・・・ＣＣＤ電荷転送
レジスタ、４・・・・・・受光部、５・・・・・・ガラ
スキャップ、６・・・−・・凸型レンズ、７・・・−・
・光情報、８・・・・・・リード、９・・・・・・パッ
ケージ、１０・・・・・・ダイ、１１・・・・・・ワイ
ヤーである。 ｍ （：” ” １ 代理人 弁理士 内 原 日 。
図は従来の半導体パッケージの断面図、第３図は本発明
の一実施例を示す断面図である。 同、図において、 １・・・・・・光電変換部（受光部）、２・・・・・・
トランス７アーゲート、３・・・・・・ＣＣＤ電荷転送
レジスタ、４・・・・・・受光部、５・・・・・・ガラ
スキャップ、６・・・−・・凸型レンズ、７・・・−・
・光情報、８・・・・・・リード、９・・・・・・パッ
ケージ、１０・・・・・・ダイ、１１・・・・・・ワイ
ヤーである。 ｍ （：” ” １ 代理人 弁理士 内 原 日 。
Claims (1)
- 光起電力効果を応用した固体撮像装置において、受光部
における効率的な光情報収集のために、該半導体ダイを
載置するパッケージに凸型レンズを有することを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115526A JPS607767A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115526A JPS607767A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607767A true JPS607767A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14664708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115526A Pending JPS607767A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607767A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387850U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | ||
| US5149958A (en) * | 1990-12-12 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Optoelectronic device component package |
| US5302778A (en) * | 1992-08-28 | 1994-04-12 | Eastman Kodak Company | Semiconductor insulation for optical devices |
| JPH07147433A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Nec Corp | 赤外線撮像素子 |
| US6218667B1 (en) | 1997-09-09 | 2001-04-17 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Sensor element with small area light detecting section of bridge structure |
| CN100389497C (zh) * | 2003-07-03 | 2008-05-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 影像感测器封装结构 |
| JP2010166004A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115526A patent/JPS607767A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6387850U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | ||
| US5149958A (en) * | 1990-12-12 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Optoelectronic device component package |
| USRE35069E (en) * | 1990-12-12 | 1995-10-24 | Eastman Kodak Company | Optoelectronic device component package |
| US5302778A (en) * | 1992-08-28 | 1994-04-12 | Eastman Kodak Company | Semiconductor insulation for optical devices |
| JPH07147433A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Nec Corp | 赤外線撮像素子 |
| US6218667B1 (en) | 1997-09-09 | 2001-04-17 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Sensor element with small area light detecting section of bridge structure |
| CN100389497C (zh) * | 2003-07-03 | 2008-05-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 影像感测器封装结构 |
| JP2010166004A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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