JPS6077185A - セラミツクス焼結体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明はセラミックス焼結体およびその製造方法、詳し
くはセラミックス焼結（Ａ−にへの導電性被膜の形成方
法に関する。

［発明の技術的背切とその問題点］ 従来から、セラミックス焼結体を金属部材に接合させる
ために、セラミックス焼結体の表面に導電性被膜を形成
させることが行われている。

この導電性被膜の形成方法としては、セラミックス焼結
体表面にモリブデン粉末とマンガン粉末とを主成分とす
るモリブデン−マンガンメタライズペーストを塗布し、
還元雰囲気中で焼成する方法が一般的Ｃある。

この方法は、いずれもアルミナ等の酸化物系セラミック
ス焼結体に適用され、成功をおさめてきているが、近年
、耐摩耗性や高温特性の良好なことで脚光を浴びている
窒化ケイ素等の非酸化物系セラミックス焼結体について
は検討の余地があり、例えばこの方法では導電性被膜の
形成が困難であることから、この方法は非酸化物系セラ
ミックス焼結体には必ずしも適用できるものではないこ
とがわかっている。

そのため例えば反応焼結法により得られたポーラスな窒
化ケイ素製セラミックス焼結体表面にモリブデン酸アン
モニウム塩を含浸させ、還元してモリブデンからなる導
電性被膜を形成させる方法も試みられている。

しかしながら、この方法は導電性被膜が窒化ケイ素セラ
ミックスの熱膨張係数とほぼ等しい熱膨張係数を有する
モリブデンからなるので、１！シミックス焼結体どうし
を接合させる場合には有効であるが、モリブデンが窒化
クイ索しラミックスと化学反応していないため、その接
合強度に限界があり、また非酸化物系セラミックス焼結
体を金属部材、特に鋼材と接合させる場合はさらに接合
は困難であるという問題があった。

［発明の目的〕 本発明者等はこのような点に対処して鋭意研究を進めた
結果、タングステンまたはモリブデンを含む化合物とＩ
Ｖａ族遷移金属またはＩＶａｌ遷移金属を含む化合物の
両者を含む液状物またはペースト状物が、セラミックス
焼結体特に窒化ケイ素セラミックス焼結体の接合に有効
であることを見出した。

本発明はこのような知見に基づい“’ＣｉＪされたもの
で、金属部材特に鋼祠との接合を強力なものにするセラ
ミックス焼結体ｉｒ３にびセラミックス焼結体の導電性
被膜の形成方法を提供づ゛ることを目的とする。

［発明の概要］ 丈なわら本発明のセラミックス焼結体は、タングステン
またはモリブデンのケイ化物とＩＶａＭ遷移金属の窒化
物の混合体からなる導電性被膜を表面に有づることを特
徴とするものであり、セラミックス焼結体への導電性被
膜の形成方法は、タングステンまたはモリブデンを含む
化合物とＩＶａ族遷移金属またはＩＶａｉ遷移金属を含
む化合物の両者の液状物またはペースト状物を、セラミ
ックス焼結体表面に被着し、還元性雰囲気中で焼成する
ことを特徴とする。

本発明の適用されるセラミックス焼結体としては、窒化
ケイ素、ケイアロン、シリコンオキシナイトライド等の
、構成元素として窒素とケイ素とを含むセラミックス焼
結体が好適している。

本発明に使用するモリブデンを含む化合物としては、モ
リブデン酸リチウム、モリブデン酸カリウム、モリブデ
ン酸カルシウム、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン
酸鉛等の１す１デン酎の金属塩があげられる。

またタングステンを含む化合物どしＣは、タングステン
酸ノ」リウム、タングステン酸カルシウム、タンゲスア
ン酸ナトリウム、タングステン酸マグネシウム等のタン
グステン酸の金属塩があげられる。

本発明に使用づ゛るＩＶａｈ入道移金屈とじでは、チタ
ンおよびジルコニウムがより適しＣ８４す、（の中でも
チタンが好適である。またＩＶａ＃Ｘ１ｆｆ移金属を含
む化合金属しＣは、同様にチタンまたはシルコニｌシム
を含む化合物が適しＣおりその中でもチタンを含む化合
物が適し−Ｃいる。

これらの化合物は、例えば窒化ケイ素に塗布後還元性雰
囲気、特に窯素を含む還元性雰囲気中で焼成し／ｊ場合
に、最終的に窒化チタンまたは窒化ジルコニウムになる
ものであればＪ：＜例えば窒化チタンになるにうなチタ
ンを含む化合物としては、酸化チタン（Ｔｉ　０２ン、
ホウ化ヂタン＜ｒｒＦ３、丁！　Ｂ　２　）　、炭化チ
タン（’ｒｉＣ）やあるいは」ｎ４性１ｉｌｌｔ酸チタ
ン（Ｔｆ　０３Ｏ４・ｎ　Ｈ２Ｑ：ｎはＯまたは正の整
数）、オルトチタン酸イソプロピル（’Ｔｉ　（ＣＯＨ
（ＣＨｓ　）　２　）　４　）等があげられる。

本発明において、セラミックス焼結体表面に上記混合物
の液状物またはペースト状物を被着するには、これらを
セラミックス焼結体表面に塗布あるいは浸漬する等の方
法をとることにより行なうことができる。

これらの液状物またはペースト状物中には、他の物質を
分散あるいは溶解さセてもよいが、生成する導電性被膜
がタングステンまたはモリブデンを含む化合物（ケイ化
物）とＩＶａ族遷移金属を含む化合物（窒化物）とが、
総量で５０モル％以上、またタングステンまたはモリブ
デンを含む化合物（１３よびＩＶａＭ遷移金屑を含む化
合物がそれぞれ２モル％以上存在することが望ましい。

この後、液状物またはペースト状物を乾燥し、さらに空
気中で金属塩の溶融する温度以上の温度で加熱し、還元
雰囲気中で１２００℃以上の温度に加熱して焼成するこ
とににり導電性被膜を形成させる。

しかして、還元性雰囲気中での焼成は被着物を基材の３
ｉ　３１’Ｊ４とタングステンまたはモリブデンの化合
物とＩＶａ族遷移金属の化合物の両者を４１〜成させる
もので、これに必要な焼成温度は被着物の種類によって
それぞれ異なるが、出発原Ｆ’ｌ　Ｆある液状物質がモ
リブデン酸リチウム（１，、ｉ２Ｍ。

０４）と酸化チタン（Ｔｉ　０２　）である場合には、
１３００〜１４００’ＣＴ−焼成することが好ましい。

なお本発明において、上記の各化合物を波谷したセラミ
ックス焼結体を空気中Ｃ加熱し゛Ｃ溶融させるのは、セ
ラミックス焼結体との密着性を強化し濡れ性を改善する
ためである。

このような方法により形成された導電性被膜が、何故基
材との密着強度が大であるかは現在のところ不明である
が、その形成メカニズムは次のようなしのであると推定
される。

例えば具体例としてモリブデン酸リチウムと酸化チタン
とを液状にて５ｉ　３Ｎ＋に塗布、焼成Ｖる場合を想定
すると、まずＳｉ　３Ｎ＜基材に対し−Ｃリチウムが攻
撃し、Ｓｉ　３Ｎ＋の表面を活性にする。これによりモ
リブデンと３ｉ　３Ｎ＋が比較的スムーズに反応ηるこ
とが可能となる。この反応にＪ−り３ｉ　３Ｎ４中の窒
素が遊離し、この窒素とチタンが反応して窒化チタンが
形成され、より密着強度が大なる導電性被膜が形成され
るものと考えられる。

［発明の実施例］ 次に本発明の実施例について説明する。

実施例１ 窒化ケイ素からなるセラミックス焼結体の表面に、モリ
ブデン酸リチウム　０．３ｇ、水１．６ＣＣに酸化チタ
ン（Ｔｉ　０２　）を混合し液状にして塗布した。この
場合、酸化チタンを０〜０．４５０まで０．０５（］お
きに変化させた。塗布したものは包温ぐ乾燥させた後、
空気中で８００℃、５分間加熱してモリブデン酸リチウ
ムを溶融し、次いで、窒素：水素−１：１のホーミング
ガス中で１４００℃で６０分間加熱して焼成し導電性被
膜を形成８Ｆ！た。

このようにしてセラミックス焼結体上に形成された導電
性被膜に、ニッケル市気めっきを施し、厚さ０．３陳の
銅板を緩衝材としＣ介在さけで、銀ろうを用いて鋼材と
接合させた。ｉｆ？られたセラミックス焼結体の接合強
度を測定した結果を図面に示す。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明り法によれば、セラミックス
焼結体、特に窒化ケイ素系セラミックス焼結体に対して
非常に密着強度の大なる・導電性被膜の形成が可能であ
り、従ってセラミックス焼結体どうしはもちろんのこと
セラミックス焼結体と金属部材をより強固に接合するこ
とが可能である。

【図面の簡単な説明】

図面は、本発明のセラミックス焼結体を用いＣ鋼材を接
合したものの接合強度を示ずグラフである。 代理人弁理士　須　山　佐　− Ｔｉｅ、量（９−） 手　続　補　正　書 昭和５９年４月９日 ２、発明の名称 セラミックス焼結体およびその製造方法３、補正をする
者 事件との関係　特許出願人 神奈川県川崎市幸区堀川町７２番地 株式会社　東芝 ４、　代　理　人　〒　１０１ 東京都千代田区神田多町２丁目１番地 自　発 訂　正　明　細　川 １、発明の名称 セラミックス焼結体およびその製造方法２、特許請求の
範囲 （１）タングステンまたはモリブデンのケイ化物とＩＶ
　ａ族遷移金属の窒化物の混合体を主体とりる導電性被
膜を表面に有することを特徴とするセラミックス焼結体
。 （２）ケイ化物と窒化物との混合体は、両者を合せで少
くとも５０モル％以上含み、かつ両者をそれぞれ２モル
％以上含む混合体である特許請求の範囲第１項記載のセ
ラミックス焼結体。 （３）ＩＶａＭ遷移金属は、チタンである特許請求の範
囲第１項または第２項記載のセラミックス焼結体。 （４ン導電性？＋１１膜は、モリブデンのクイ化物と窒
化チタンの混合体を主体とする特許請求の範ｍ１第１項
または第２項記載のセラミックス焼結体。 （５〉セラミックス焼結体は、非鹸化物系セラミックス
焼結体である特許請求の範囲第１１貝ないし第４項のい
ずれか１項記載のセラミックス焼結体。 （６）タングステンもしくはモリブデンを含む化合物と
ＩＶａ族遷移金屈もしくはＩＶａ族遷移金属を含む化合
物を含有する複合物を、セラミックス焼結体表面に被着
し、非酸化性雰囲気中で焼成式セラミックス焼結体表面
に導電性　膜を神′することを特徴とするセラミックス
焼結体の製造方法。 （７）タングステンまたはモリブデンを含む化合物は、
タングステン酸またはモリブデン酸の金属塩である特許
請求の範■６項記載のセラミックス焼結体の製造方法。 （８）モリブデン酸の金属塩は、モリブデン酸リチウム
である特許請求の範囲第７項記載のセラミックス焼結体
の製造方法。 ＜９）ＩＶａ族遷移金属は、チタンである特許請求の範
囲第６項ないし第８項のいずれが１項記載のセラミック
ス焼結体の製造方法。 （１０）セラミックス焼結体は、非酸化物系セラミック
ス焼結体である特許請求の範囲第６項ないし第９項のい
ずれか１項記載のセラミックス焼結体の製造方法。 （１１）　セラミックス焼結体は、構成元素として少な
くとも窒素と、ケイ素とを含む特許請求の範囲第６項な
いし第１０項のいずれか１項記載のセラミックス焼結体
の製造方法。 （１２）前記複合物を表面に被着し１ごセラミックス焼
結体をＬ１１性雰囲気中で焼成するに先だって、空気中
でタングステン酸またはモリブデン酸の金属塩の融点以
上の温度で加熱する特許請求の範囲第７項ないし第１１
項のいずれか１項記載のセラミックス焼結体の製造方法
。 （１３）非酸化性雰囲気は工１元性雰囲気である特許請
求の範囲第６項ないし第１２項のいずれか１項記載のセ
ラミックス焼結体の製造方法。 （１４＞焼成は、１２００℃以上の温度で行なわれる特
許請求の範囲第６項ないし第１３項のいずれか１項ｎｄ
載のセラミックス焼結体の製造方法。 （１５）導電性被膜は、タングステンま１ζはモリブデ
ンのケイ化物とＩＶａ族遷移金属の窒化物の混１４項の
いずれか１項記載のセラミックス焼結体製造方法。 〈１６）導電性被膜は、モリブデンのケイ化物と窒化チ
タンの混合体を特徴とする特許請求の範囲第１５項記載
のセラミックス焼結体の製造方法。 （１７）タングステンまたはモリブデンのケイ化物とｒ
ＶａＭ遷移金属の物窒化物との混合体は、両者を合わせ
て少なくとも５０モル％以上含み、かつ両者をそれぞれ
２モル％以上含む混合体ぐある特許請求の範囲第１５項
または第１６項記載のセラミックス焼結体の製造り法。 ３、発明の詳細な説明 ［発明の技術分野］ 本発明はセラミックス焼結体Ｊ３よびその製造方法、詳
しくはセラミックス焼結体上への導電性被膜の形成方法
に関する。 Ｌ発明の技術的背景とその問題点］ 従来から、セラミックス焼結体を金属部材に接合させる
ために、セラミックス焼結体の表面に導弓の導電性被膜
の形成方法としては、セラミックス焼結体表面にモリブ
デン粉末とマンガン粉末とを主成分とするモリブデン−
マンガンメタライズペーストを塗布し、還元雰囲気中で
焼成する方法が一般的である。 この方法は、いずれもアルミナ等の酸化物系セラミック
ス焼結体に適用され、成功をおさめてきているが、近年
、耐摩耗性や高温特性の良好なことで脚光を浴びている
窒化ケイ素等の非酸化物系セラミックス焼結体について
は検討の余地があり、例えばこの方法では導電性被膜の
形成／Ｊ（困難であることから、この方法は非酸化物系
セラミックス焼結体には必ずしも適用できるものひはな
いことがわかっている。 そのため例えば反応焼結法により得られたポーラスな窒
化ケイ素製セラミックス焼結体表面にモリブデン酸アン
モニウム塩を含浸さゼ、還元してモリブデンからなる導
電性被膜を形成させる方法も試みられている。 しかしながら、この方法は導電性被膜が窒化ケイ素セラ
ミックスの熱膨張係数とほぼ等しい熱膨張係数を有する
モリブデンからなるので、セラミックス焼結体どうしを
接合させる場合には有効であるが、モリブデンが窒化ケ
イ素ヒラミックスと化学反応していないため、その接合
強度に限界があり、また非酸化物系セラミックス焼結体
を金属部材、特に鋼材と接合させる場合はさらに接合は
困難であるという問題があった。 ［発明の目的］ 木発明者等はこのような点に対処して鋭意研究を進めた
結果、タングステンまたはモリブデンを含む化合物とＩ
Ｖａ族遷移金属またはＩＶａｍ遷移金属を含む化合物の
両者を含む複合物が、セラミックス焼結体特に窒化ケイ
素セラミックス焼結体の接合に有効であることを見出し
た。 本発明はこのような知見に基づいてなされたもので、金
属部材特に鋼材との接合を強力なものにするセラミック
ス焼結体およびセラミックス焼結体の導電性被膜の形成
方法を提供することを目的とする。 ［発明の概要］ すなわち本発明のセラミックス焼結体は、タングステン
またはモリブデンのケイ化物とＩＶａ族遷移金属の窒化
物の混合体を主体とする導電性被膜を表面に有すること
を特徴とするものであり、セラミックス焼結体への導電
性被膜の形成り法は、タングステンまたはモリブデンを
含む化合物とＩＶａ族遷移金属またはＩＶａ族遷移金属
を含む化合物の両者の複合物を、セラミックス焼結体表
面に被着し、非酸化性雰囲気中で焼成Ｊることを特徴と
する。 また、導電性被膜はタングステンまたはモリブデンのケ
イ化物とＩＶａ族遷移金属の窒化物の混合物を主体どＪ
るものであればよく、その他にタングステンまたはモリ
ブデン等を含有してもよい。 本発明の適用されるセラミックス焼結体としＣは、窒化
ケイ素、サイアロン、シリコンオキシナイトライド等の
、構成元素としく窒素とケイ素とを含むヒラミックス焼
結体が好適している。 本発明に使用（るモリブデンを含む化合物どしては、モ
リブデン酸リチウム、モリブデン酸カリウム、モリブデ
ン酸カルシウム、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン
酸鉛等のモリブデン酸の金属塩およびこれらとモリブデ
ンが併存するもの等があげられる。 またタングステンを含む化合物としては、タングスデン
酸カリウム、タングステン酸カルシウム、タングステン
酸ナトリウム、タングステン酸マグネシウム等のタング
ステン酸の金属塩およびこれらとモリブデンが併存する
もの等があげられる。 本発明に使用するＩＶａ族遷移金属としては、チタンお
よびジルコニウムがより適しており、その中でもチタン
が好適である。またＩＶａ１１Ａｍ移金属を含む化合物
としては、同様にチタンまたはジルコニウムを含む化合
物が適しでおりその中でｂチタンを含む化合物が適して
いる。 これらの化合物は、例えば窒化ケイ素に塗布後非酸化雰
囲気、特に還元性雰囲気中で焼成した場合に、最終的に
窒化チタンまたは窒化ジルコニウムになるものであれば
よく例えば窒化チタンになるようなチタンを含む化合物
としては、酸化チタン（Ｔｉ０２）、ホウ化チタン（Ｔ
ｉ　Ｂ、　Ｔｉ　Ｂ２）、炭化チタン（Ｔｉ　Ｃ）やあ
るいは塩基性硫酸チタン（Ｔｉ　０８０４　・ｎ　Ｈ２
Ｏ：ｎはＯまたは正の整数）、Ａルトチタン耐イソプロ
ピル（１”ｉ　（ＣＯＨ（ＣＨ３）　２　）　４　）等
があげられる。 本発明にＪ３いて、セラミックス焼結体表面に被着する
複合物としては、液状物またはペースト状物が適当であ
り、これらをレラミックス焼結体表ｍ１に被着するには
、例えばこれらをセラミックス焼結体表面に塗布あるい
は浸漬づる等の方法をとることにより行なうことがＣき
る。 これらの液状物またはペースト状物中には、他の物質を
分散あるいは溶解させＣもよいが、生成する導電性被膜
がタングステン；［たはモリブデンを含む化合物（ケイ
化物）とｌｖａ族遷移金属を含む化合物（窒化物）とが
、総悴′Ｃ−５０モル％以上、またタングステンまたは
モリブテンを含む化合物およびＩＶａ族遷移金属を含む
化合物がそれぞれ２モル％以上存在づることが望ましい
。また、これらにタングステンまたはモリブデンを含有
してもにい。 この後、液状物またはペースト状物を乾燥し、さらに空
気中で金属塩の溶融する温度以上の温度で加熱し、非酸
化性雰囲気中で１１００℃以上の温度に加熱して焼成す
ることにより導電性被膜を形成させる。 しかして、非酸化性雰囲気中での焼成は基材であるセラ
ミックス焼結体中のケイ素とタングステンまたはモリブ
デンもしくはこれらの化合物とを反応させ、またセラミ
ックス焼結体中の窒素とＩｖａ族遷移金焉もしくはこれ
らを含む化合物どを反応させるもので、これに必要な焼
成温度は被着物の種類によってそれぞれ異なるが、出発
原料である液状物質がモリブデン酸リチウム（Ｌｉ２Ｍ
。 ０４）と酸化チタン（Ｔｉ　０２　）である場合には、
１２００〜１４００℃で焼成することが好ましい。 また、セラミックス焼結体中のケイ素とタングステンま
たはモリブデンもしくはこれらの化合物は、反応にＪ：
りできるだけケイ化物になることが好ましいが、反応状
態によりかなりの量のタングステンまたはモリブデンが
存在しＣも密着強度の大なる導電被膜を充分前ることが
できる。なお、焼成時の雰囲気は還元性雰囲気がより望
ましい。 なお本発明においで、上記の各化合物を被着したセラミ
ックス焼結体を空気中で加熱し−Ｃ溶融さけるのは、セ
ラミックス焼結体との密着性を強化し濡れ性を改善する
ためである。 このような方法により形成されたＳ電性被膜が、何故基
材との密着強度が大であるかは現在のところ不明Ｃある
が、その形ｌ戊メカニズムは次のようなものであると１
１＃定される。 例えば具体例どして［リブデン酸リチウムと酸化チタン
とを液状にて８１３Ｎ４に塗布、焼成づる場合を想定す
ると、まずＳ　！　３　Ｎ　４　Ｍ材に対しＣリチウム
が攻撃し、Ｓｉ　３Ｎｎの表面を活性にする。これによ
りモリブデンと３ｉ：＋Ｎｓ中のケイ素とが比較的スム
ーズに反応することが可能となる。この反応により３ｉ
　３Ｎ４中の窒素が遊離し、この窒素とチタンが反応し
Ｃ窒化チタンが形成され、より密着強度が大なる導電性
被膜が形成されるものと考えられる。 ［発明の実施例Ｊ 次に本発明の実施例について説明する。 実施例１ 窒化ケイ素からなるセラミックス焼結体の表面に、モリ
ブデン酸リチウム　０．３ａ　、水１．６ＣＣに酸化チ
タン（Ｔｉ　０２　）を混合し液状にして塗布した。こ
の場合、酸化チタンを０〜０．４５９まで０．０５（＋
おきに変化させた。塗布したものは常温で乾燥させた後
、空気中で７５０℃、５分間加熱してモリブデン酸リチ
ウムを溶融し、次いで、窒素：水素−１：１のホーミン
グガス中で１３５０℃で６０分間加熱して焼成し導電性
被膜を形成させた。 このようにしてセラミックス焼結体上に形成された導電
性被膜に、ニッケル電気めっきを施し、厚さ０．３＋ｎ
の銅板を緩動材として介在さＵて、銀ろうを用いて鋼材
と接合させた。得られたセラミックス焼結体の接合強度
を測定した結果を図面に示づ。 Ｌ発明の効果］ 以上説明したように本発明方法によれば、けラミックス
焼結体、特に窒化ケイ素系セラミックス焼結体に対して
非常に密着強度の大なる導電性被膜の形成が可能であり
、従ってセラミックス焼結体どうしはもちろんのことご
ラミックス焼結体と金属部材をより強固に接合すること
が可能である。 ４、図面の簡単な説明 図面は、本発明のセラミックス焼結体を用いて鋼材を接
合したものの接合強度を示すグラフである。 代理人弁理士　須　山　イｋ　−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）タングステンまたはモリブデンのケイ化物とＩＶ
   ａ族遷移金属の窒化物の混合体からなる２Ｘ電性被膜を
   表面に有することを特徴とするセラミックス焼結体。 （２）ケイ化物と窒化物との混合体は、両者を合せて少
   くとも５０モル％以上含み、かつ両者をそれぞれ２モル
   ％以上含む混合体である特許請求の範囲第１項記載のセ
   ラミックス焼結体。 （ａＮＶａ族遷移金属は、チタンである特許請求の範囲
   第１項または第２項記載のセラミックス焼結体。 （４）導電性被膜は、モリブデンのケイ化物と窒化チタ
   ンの混合体からなる特許請求の範囲第１項または第２項
   記載のセラミックス焼結体。 （５）セラミックス焼結体は、非酸化物系セラミックス
   焼結体である特許請求の範囲第１項ないし第４項のいず
   れか１項記載のセラミックス焼結体。 （６）タングステンもしくはモリブデンを含む化合物と
   ＩＶａ族遷移金属もしくはＩＶａ族遷移金属を含む化合
   物を含有する液状物またはペースト状物を、セラミック
   ス焼結体表面に被着し、還元性雰囲気中で焼成すること
   を特徴どづるセラミックス焼結体の製造り法。 （７）タングステンまたはモリブデンを含む化合物は、
   タングステン酸またはモリブデン酸の金属塩である特許
   請求の範囲第６項記載のセラミックス焼結体の製造方法
   。 （８）モリブデン酸の金属塩は、モリブデン酸リチウム
   である特許請求の範囲第６項または第７１ｆｊ記載のセ
   ラミックス焼結体の製造方法。 （９）ｌＶａ族遷移金属は、チタンである特許請求の範
   囲第６項ないし第８項のいずれか１項記載のセラミック
   ス焼結体の製造方法。 （１０）セラミックス焼結体は、非酸化物系セラミック
   ス焼結体である特ｆ！Ｆ請求の範囲第６項ないし第９項
   のいずれかＩ　ＪＢ記載のレラミックス焼結体の製造方
   法。 （１１）　セラミックス焼結体は、構成元素として少な
   くとも窒素とケイ素とを含む特許請求の範囲第６項ない
   し第１０項のいずれか１項記載のセラミックス焼結体の
   製造方法。 （１２）前記液状物またはペースト状物を表面に被着し
   たセラミックス焼結体を還元性雰囲気中で焼成するに先
   だって、空気中でタングステン酸またはモリブデン酸の
   金属塩の融点以上の温度で加熱する特許請求の範囲第７
   項ないし第１１項のいずれか１項記載のセラミックス焼
   結体の製造方法。 （１３）還元性雰囲気は、窒素を含む還元性雰囲気であ
   る特許請求の範囲第６項ないし第１２項のいずれか１項
   記載のけラミックス焼結体の製造方法。 （１４）焼成は、１２００℃以上の温度で行なわれる特
   許請求の範囲第６項ないし第１３項のいずれか１項記載
   のセラミックス焼結体の製造方法。 （１５）￥１電性被膜は、タングステンまたはモリブデ
   ンのケイ化物とＩＶａ族遷移金属の窒化物の混合体から
   なる特許請求の範囲第６項ないし第１４項のいずれか１
   項記載のセラミックス焼結体製造方法。 （１６）導電性被膜は、モリブデンのケイ化物と窒化チ
   タンの混合体とからなる特許請求の範囲第１５項記載の
   セラミックス焼結体の製造方法。 （１７）タングステンまたはモリブデンのクイ化物とＩ
   Ｖａ族遷移金属の物窒化物との混合体は、両者を合わけ
   て少なくとも５０モル％以上含み、かつ両者をそれぞれ
   ２モル％以上含む混合体である特許請求の範囲第１５項
   または第１６項記載のセラミックス焼結体の製造方法。