JPS6075805A - 光分岐導波路の作製法 - Google Patents

光分岐導波路の作製法

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JPS6075805A
JPS6075805A JP18365583A JP18365583A JPS6075805A JP S6075805 A JPS6075805 A JP S6075805A JP 18365583 A JP18365583 A JP 18365583A JP 18365583 A JP18365583 A JP 18365583A JP S6075805 A JPS6075805 A JP S6075805A
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JP
Japan
Prior art keywords
mask
waveguide
divided
mask pattern
mps
Prior art date
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Application number
JP18365583A
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English (en)
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JPH0332762B2 (ja
Inventor
Hiroo Inoue
博夫 井上
Kohei Kodera
小寺 孝兵
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は光分岐導波路の作製法に関する。
〔背景技術〕
感光性樹脂を用いた光分岐導波!i3#′i、従来、第
1図に示すような行程によシ作製していた。まず第1図
1alに示すように、基板l上に、均一な膜厚の感光性
樹脂層2を形成し、次に第1図1b+のように上記感光
性樹脂層2の上に、所望形状の露光用マスク3を載せ、
上記露光用マスク3の上方より紫外線4を照射する。次
に、第1図江)に示すように上記露光用マスク3により
&光されなかった部分を、エツチングすることにより除
去する。更K、上記工程により光分岐導波路を作製する
場合、露光用マスク3が、第2図、第5図、第8図のよ
・うに分岐部や交叉部を含んでいると、第1図1blで
照射した紫外光が、マスクパターンの裏仰1に回シ込ん
だ場合、分岐部や交叉部のように、挟小部では第3図、
第6図、第9図に示すような゛かぶシ2を生ずる。その
結果、マスクパターン形状通シの光分岐導波路が得られ
なくなり、光分岐導波路の分岐損増加の原因となシ、損
失の少ない光分岐導波路が得られないという問題があっ
た。
〔発明の目的〕
本発明け、上記の点を改善するために成したものであっ
て、その目的とするところは、分岐部あるいは交叉部を
含む、光分岐導波路の作製において、マスクパターン形
状面りに、光分岐導波路を作製する作製法を提供するこ
とにある。
〔発明の開示〕
以下本発明を実施例として掲げた図面に基づいて説明す
る。
(実施例−1) 第2図に示すように、マスクパターン7が、交叉部8の
ような挟小部を倫んでいる場合、上記マ、X クハp−
ン7t 第’i図に示すように、パターン9、パターン
10と2枚のマスクに分割する。分割したパターン9.
10の各々には、ダメ1t13けなくなったことになる
。従って、まずパタ一ン9を用いて紫外線露光し、続い
て、マスクをパターン10に取り替え、位置合わせを正
確に行なった後、再び紫外線露光を行なえば1カプリ″
は減少し、マス憧 クパターンにより近い光分岐導波路を作製するととがで
きる。次に、実際に従来例と本実施例との差を測定した
データを示す。第3図において、分岐角θ−15deg
 、パターン幅及び導波路厚みd=500μm、とした
。第2図で示すような1枚のマスクで露光した場合は、
長さl = 1200μinの゛がぶり’を生じたが、
第4図のように、2枚のマスクにより、2回の露光で行
なった場合は、−がぶり2の長さはl = 250μm
と大幅に減少した。また、両者の分岐損を比較した場合
、本発明の方法で作製した方がo、6dnの分岐損失の
減少がみられた。
(実施例−2) 第5図のような、3分岐導波路のように、露光パターン
11が、分岐部校のような挟小部を含んでいる場合も、
実施例−1の場合と同様に、第1図に示す、2枚のパタ
ーン13 、14に分割する。本実施例の場合の実測値
を次に示す。ただし第6図において分岐角0 = 6 
deg 、パターン幅及び導波路厚みd = 500μ
mとしだ。第51し1で示す1枚のマスクで露光した場
合は、長さl = 1500μmの1かぶり1を生じた
が、第7図のように、分割した2枚のマスクで行なった
場合は、・かぶり′の長さ1 = aooμmと大幅に
減少した。また両者の分岐損失を比較した場合は、本発
明の方法によって作製した方が0.8dBのJぢ(みら
れた。
(実施例−3) 第8図のような2分岐導波路の場合も同様に第1O図の
ように、2枚のパターン17 、18に分割する。
この場合の実i+u値を次に示す。ただし第9図におい
て弧の部分のR−60ttno、パターン幅及び導波路
厚みd=1gとした。第8図で示す1枚のマスクを用い
た場合は、長さl = 2500μIllの1かぶり”
を生じたが第1O図のように、2枚のマスクを用いた場
合は、長さく1 = 5001tulcl) sかぶり
1しか生じなかった。また、両者の分岐損失は、本発明
の方法で作製した方が0.8dB少なかった。
〔発明の効果」 上記のように本発明によれば、分岐部あるいは交叉部を
含んだ光分岐導波路を作製する場合は、マスクパターン
を分割し、各々のマスクで、別々に露光して作製するこ
とにより、挟小部での1かぶり″が小さくなり高精度、
且つ分岐損失の少ない良好な光分岐導波路が得られると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は光分岐導波路作製の工程図、第2図は父又型導
波路のマスクパターン1ン1、第3図は第2図の交叉部
の拡大図、第4図は2r’; 学園のマスクパターンに
対する本発明のマスクパターン、第5図は3分岐導波路
のマスクパターン、第6図は第5図の分岐部の拡大図、
第7図は第5図のマスクパターンに対する本発明のマス
クパターン、第8図け2分岐導波路用マスクパターン、
第9図は第8図の分岐部の拡大図、第10図は第8図の
マスクパターンに対する本発明のマスクパターン。 9、IO・・・ダメ型導波路用マスクパターンの分割バ
ター:/、13.14・・・3分岐導波路用マスクパタ
ーンの分割パターン、’17.18・・・2翠岐導波路
用マスクパダーンの分割パターン。 第1図 (a) JIJ!J−4 (C) cd) 第2図 第4図 第5図 第6図 1 第7図 第8図 第9 Fn 1に 第10図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 117 分岐部あるいは交叉部を含んだマスクパターン
    上方より、紫外線をllα射し、マスクバ〆−ンにより
    露光されなかった箇所をエツチングすることにより、マ
    スクパターン形状に対応した)4波路を作製するf官製
    法において、上記マスクパターンを、分岐?部と交叉部
    とを含まないように複数のマスクパターンに分割し、分
    割したマスクパターンを順次露光用基板に載せて、紫外
    線露光を行ない、マスクパターン形状に対応した光4波
    路を形成することを特徴とする光分岐導波路の作製法。
JP18365583A 1983-09-30 1983-09-30 光分岐導波路の作製法 Granted JPS6075805A (ja)

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JP18365583A JPS6075805A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 光分岐導波路の作製法

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JP18365583A JPS6075805A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 光分岐導波路の作製法

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JPS6075805A true JPS6075805A (ja) 1985-04-30
JPH0332762B2 JPH0332762B2 (ja) 1991-05-14

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56150773A (en) * 1980-04-23 1981-11-21 Canon Inc Developing device
JPS57155568A (en) * 1981-03-20 1982-09-25 Hitachi Metals Ltd Developing device
JPS58105176A (ja) * 1981-12-17 1983-06-22 Ricoh Co Ltd 乾式現像装置

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56150773A (en) * 1980-04-23 1981-11-21 Canon Inc Developing device
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JPS58105176A (ja) * 1981-12-17 1983-06-22 Ricoh Co Ltd 乾式現像装置

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JPH0332762B2 (ja) 1991-05-14

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