JP2000181086A - パターン形成方法、光学素子の製造方法 - Google Patents
パターン形成方法、光学素子の製造方法Info
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- JP2000181086A JP2000181086A JP10352996A JP35299698A JP2000181086A JP 2000181086 A JP2000181086 A JP 2000181086A JP 10352996 A JP10352996 A JP 10352996A JP 35299698 A JP35299698 A JP 35299698A JP 2000181086 A JP2000181086 A JP 2000181086A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡略化された工程により優れた形状精度で微細
パターンを形成可能なパターン形成方法およびこれを用
いた光学素子の製造方法を提供する。 【解決手段】レジスト層１３にリソグラフ法によりパタ
ーンを形成するパターン形成方法であって、レジスト層
１３に対し相対的にマスク１１を移動させて露光してい
くことによりレジストパターン１３ａを形成することを
特徴とする。マスク１１を露光光の進行方向と直交する
方向に移動させることが好ましく、レジストパターン１
３ａを光学素子の機能に応じた起伏面とすることが好ま
しい。
パターンを形成可能なパターン形成方法およびこれを用
いた光学素子の製造方法を提供する。 【解決手段】レジスト層１３にリソグラフ法によりパタ
ーンを形成するパターン形成方法であって、レジスト層
１３に対し相対的にマスク１１を移動させて露光してい
くことによりレジストパターン１３ａを形成することを
特徴とする。マスク１１を露光光の進行方向と直交する
方向に移動させることが好ましく、レジストパターン１
３ａを光学素子の機能に応じた起伏面とすることが好ま
しい。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、微小回折格子等の
微細パターンの形成に適したパターン形成方法およびこ
れを用いた光学素子の製造方法に関するものである。
微細パターンの形成に適したパターン形成方法およびこ
れを用いた光学素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細な溝形状からなる回折格子パ
ターンは、まず、機械的な切削加工により格子型を製作
し、その格子型をもとに射出成形により多数のレプリカ
を作製していた。この方法の場合、格子型の作製には高
精度で微細な工具が必要となり、さらに、加工装置の軸
心と工具軸心を高精度で一致させる等の高度な製造技術
を要し、精度の高い格子型の作製は非常に困難であり製
造コストも増大していた。さらに、このような機械的切
削方法で製作した格子型を用いる方法では、格子パター
ンの微細化には限界があった。
ターンは、まず、機械的な切削加工により格子型を製作
し、その格子型をもとに射出成形により多数のレプリカ
を作製していた。この方法の場合、格子型の作製には高
精度で微細な工具が必要となり、さらに、加工装置の軸
心と工具軸心を高精度で一致させる等の高度な製造技術
を要し、精度の高い格子型の作製は非常に困難であり製
造コストも増大していた。さらに、このような機械的切
削方法で製作した格子型を用いる方法では、格子パター
ンの微細化には限界があった。
【０００３】また、別の方法として、原型となるレジス
トパターンを電子ビーム露光法により形成する方法が挙
げられる。この方法は、ビーム走査に際して露光量（ビ
ーム強度又は描画速度）を変化させて露光の深さを調整
し、現像後のレジスト層の厚さを変化させるものであ
る。ところが、レーザ光による露光方式を採用した場
合、図１２に示すように、パターンの１つ１つについて
レーザ光を走査させて描画しなければならず、生産性に
劣るものであった。また、レーザ光の走査は一筆書きに
よる長い線を描く工程となるため、１つのパターン形成
にも非常に長時間を要するものであった。
トパターンを電子ビーム露光法により形成する方法が挙
げられる。この方法は、ビーム走査に際して露光量（ビ
ーム強度又は描画速度）を変化させて露光の深さを調整
し、現像後のレジスト層の厚さを変化させるものであ
る。ところが、レーザ光による露光方式を採用した場
合、図１２に示すように、パターンの１つ１つについて
レーザ光を走査させて描画しなければならず、生産性に
劣るものであった。また、レーザ光の走査は一筆書きに
よる長い線を描く工程となるため、１つのパターン形成
にも非常に長時間を要するものであった。
【０００４】一方、階段状の断面形状を有する回折格子
板を作製するにあたり、各段毎に一連のリソグラフィ工
程を繰り返し実施する製造方法が提案されている。リソ
グラフィを用いたこの製造方法は、予め段数に応じた数
の露光マスクを用意し、まず、基板上にレジスト材を塗
布し、第１の露光マスクを用いてパターン露光を行い、
それにより得られたレジスト層をマスクとして基板を一
定の深さ分だけエッチングしレジスト層を一旦除去す
る。次に再びレジスト材を塗布し、第２の露光マスクを
用いてパターン露光を行い、基板をエッチングした後に
レジスト層を除去する。そして、以上のようなレジスト
塗布、露光、エッチングおよびレジスト除去を繰り返
す。その際、各段の形成ごとに異なる露光マスクを使用
し、必要により露光条件の変更を行っていた。
板を作製するにあたり、各段毎に一連のリソグラフィ工
程を繰り返し実施する製造方法が提案されている。リソ
グラフィを用いたこの製造方法は、予め段数に応じた数
の露光マスクを用意し、まず、基板上にレジスト材を塗
布し、第１の露光マスクを用いてパターン露光を行い、
それにより得られたレジスト層をマスクとして基板を一
定の深さ分だけエッチングしレジスト層を一旦除去す
る。次に再びレジスト材を塗布し、第２の露光マスクを
用いてパターン露光を行い、基板をエッチングした後に
レジスト層を除去する。そして、以上のようなレジスト
塗布、露光、エッチングおよびレジスト除去を繰り返
す。その際、各段の形成ごとに異なる露光マスクを使用
し、必要により露光条件の変更を行っていた。
【０００５】このような方法によれば、微細な格子形状
を形成することができるが、フォトリソ工程とエッチン
グ工程とを繰り返し行う必要があり、工程が非常に長い
ものとなり、回折格子のブレーズ数が増加すると処置工
程も増加するため、作業が煩雑となり実用的な方法では
なかった。さらに、マスクを交換するたびにアライメン
トを行うためアライメント誤差の発生を避け難く、回折
格子形状に多大な影響をもたらすという問題があった。
を形成することができるが、フォトリソ工程とエッチン
グ工程とを繰り返し行う必要があり、工程が非常に長い
ものとなり、回折格子のブレーズ数が増加すると処置工
程も増加するため、作業が煩雑となり実用的な方法では
なかった。さらに、マスクを交換するたびにアライメン
トを行うためアライメント誤差の発生を避け難く、回折
格子形状に多大な影響をもたらすという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、簡略
化された工程により優れた形状精度で微細パターンを形
成可能なパターン形成方法およびこれを用いた光学素子
の製造方法を提供することを目的とする。
化された工程により優れた形状精度で微細パターンを形
成可能なパターン形成方法およびこれを用いた光学素子
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１２）の本発明により達成される。
（１）〜（１２）の本発明により達成される。
【０００８】（１） レジスト層にリソグラフ法により
パターンを形成するパターン形成方法において、前記レ
ジスト層に対し相対的にマスクを移動させて露光してい
くことによりレジストパターンを形成することを特徴と
するパターン形成方法。
パターンを形成するパターン形成方法において、前記レ
ジスト層に対し相対的にマスクを移動させて露光してい
くことによりレジストパターンを形成することを特徴と
するパターン形成方法。
【０００９】（２） 前記マスクを露光光の進行方向と
交わる方向に移動させる上記（１）に記載のパターン形
成方法。
交わる方向に移動させる上記（１）に記載のパターン形
成方法。
【００１０】（３） 前記マスクを露光光の進行方向と
直交する方向に移動させる上記（２）に記載のパターン
形成方法。
直交する方向に移動させる上記（２）に記載のパターン
形成方法。
【００１１】（４） 前記マスクの移動に伴い露光量を
変化させる上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の
パターン形成方法。
変化させる上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の
パターン形成方法。
【００１２】（５） 前記露光は縮小投影法により行わ
れる上記（１）ないし（４）のいずれかに記載のパター
ン形成方法。
れる上記（１）ないし（４）のいずれかに記載のパター
ン形成方法。
【００１３】（６） 前記レジストパターンを光学素子
の機能に応じた起伏面とする上記（１）ないし（５）の
いずれかに記載のパターン形成方法。
の機能に応じた起伏面とする上記（１）ないし（５）の
いずれかに記載のパターン形成方法。
【００１４】（７） レジスト層に対し相対的にマスク
を移動させて露光していくことによりレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストパターン上に電鋳加工
を行うことによりスタンパを作製する工程と、前記スタ
ンパを用いて光学素子を形成する工程とを備えることを
特徴とする光学素子の製造方法。
を移動させて露光していくことによりレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストパターン上に電鋳加工
を行うことによりスタンパを作製する工程と、前記スタ
ンパを用いて光学素子を形成する工程とを備えることを
特徴とする光学素子の製造方法。
【００１５】（８） 前記マスクを露光光の進行方向と
交わる方向に移動させる上記（７）に記載の光学素子の
製造方法。
交わる方向に移動させる上記（７）に記載の光学素子の
製造方法。
【００１６】（９） 前記マスクを露光光の進行方向と
直交する方向に移動させる上記（８）に記載の光学素子
の製造方法。
直交する方向に移動させる上記（８）に記載の光学素子
の製造方法。
【００１７】（１０） 前記マスクの移動に伴い露光量
を変化させる上記（７）ないし（９）のいずれかに記載
の光学素子の製造方法。
を変化させる上記（７）ないし（９）のいずれかに記載
の光学素子の製造方法。
【００１８】（１１） 前記露光は縮小投影法により行
われる上記（７）ないし（１０）のいずれかに記載の光
学素子の製造方法。
われる上記（７）ないし（１０）のいずれかに記載の光
学素子の製造方法。
【００１９】（１２） 前記光学素子は回折格子板であ
る上記（７）ないし（１１）のいずれかに記載の光学素
子の製造方法。
る上記（７）ないし（１１）のいずれかに記載の光学素
子の製造方法。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明のパターン形成方法
および光学素子の製造方法を添付図面に示す好適実施形
態に基づいて詳細に説明する。
および光学素子の製造方法を添付図面に示す好適実施形
態に基づいて詳細に説明する。
【００２１】図１は、本発明のパターン形成方法に用い
られるマスクの一例を示す平面図、図２から図１０は本
発明のパターン形成方法およびこれを用いた光学素子の
製造方法の工程を示す断面図である。
られるマスクの一例を示す平面図、図２から図１０は本
発明のパターン形成方法およびこれを用いた光学素子の
製造方法の工程を示す断面図である。
【００２２】まず、最初に図２に示すように、パターン
１１１が設けられたマスク１１を用いて、光エネルギー
ｈν1を基板１２の表面に形成されたレジスト層１３上
に付与する。
１１１が設けられたマスク１１を用いて、光エネルギー
ｈν1を基板１２の表面に形成されたレジスト層１３上
に付与する。
【００２３】光エネルギーを与える露光光としては特に
限定されないが、微細なパターンの形成には、波長の短
い紫外線や遠紫外線等を使用することが好ましい。これ
らの露光光を使用することにより、回折効果によるボケ
を抑制することができる。
限定されないが、微細なパターンの形成には、波長の短
い紫外線や遠紫外線等を使用することが好ましい。これ
らの露光光を使用することにより、回折効果によるボケ
を抑制することができる。
【００２４】本発明のパターン形成方法において、露光
方式については特に限定されないが、縮小投影法による
ことが好ましい。縮小投影法によれば、マスク１１のパ
ターン１１１は、実際にレジスト層１３に形成する露光
パターンよりも何倍にも拡大して形成することができる
ため、マスク１１（パターン１１１）の移動距離等の制
御を精度よく行うことができる。したがって、レジスト
パターンの位置、形状、寸法等の誤差をより小さくする
ことができ、形状精度を向上およびパターンの微細化を
図ることができる。次に、図３に示すようにマスク１１
をレジスト層１３に対し相対的に所定距離移動させる。
このとき、マスク１１を露光光の進行方向と交わる方向
に移動させることが好ましく、さらに露光光の進行方向
と直交する方向に移動させることがより好ましい。マス
クを露光光の進行方向と交わる方向に移動させることに
より、レジスト層１３の平面上に新たな露光部分を追加
および積層することができ、所望の露光パターンを容易
に造形することができる。さらに、マスク１１を露光光
の進行方向と直交する方向に移動させる場合には、マス
ク１１の移動によるレジスト層１３上における露光範囲
をより精密に制御することができる。
方式については特に限定されないが、縮小投影法による
ことが好ましい。縮小投影法によれば、マスク１１のパ
ターン１１１は、実際にレジスト層１３に形成する露光
パターンよりも何倍にも拡大して形成することができる
ため、マスク１１（パターン１１１）の移動距離等の制
御を精度よく行うことができる。したがって、レジスト
パターンの位置、形状、寸法等の誤差をより小さくする
ことができ、形状精度を向上およびパターンの微細化を
図ることができる。次に、図３に示すようにマスク１１
をレジスト層１３に対し相対的に所定距離移動させる。
このとき、マスク１１を露光光の進行方向と交わる方向
に移動させることが好ましく、さらに露光光の進行方向
と直交する方向に移動させることがより好ましい。マス
クを露光光の進行方向と交わる方向に移動させることに
より、レジスト層１３の平面上に新たな露光部分を追加
および積層することができ、所望の露光パターンを容易
に造形することができる。さらに、マスク１１を露光光
の進行方向と直交する方向に移動させる場合には、マス
ク１１の移動によるレジスト層１３上における露光範囲
をより精密に制御することができる。
【００２５】次にマスク１１を移動させた後、光エネル
ギーｈν2を付与する。本実施形態においては、光エネ
ルギーｈν2＝２ｈν1とすることにより、図３に示すよ
うに深さが等しく規則性のある階段状の露光パターン１
３１が形成される。すなわち、露光量の増加に応じて、
レジスト層１３の光照射を受けた部分においてその表面
から基板への深さ方向に光反応が進行する。
ギーｈν2を付与する。本実施形態においては、光エネ
ルギーｈν2＝２ｈν1とすることにより、図３に示すよ
うに深さが等しく規則性のある階段状の露光パターン１
３１が形成される。すなわち、露光量の増加に応じて、
レジスト層１３の光照射を受けた部分においてその表面
から基板への深さ方向に光反応が進行する。
【００２６】このときのレジスト層１３を構成するレジ
スト材としては、ポジ型あるいはネガ型のいずれであっ
てもよく特に限定されないが、設計どおりのパターンを
得るために、現像後のレジスト層１３の膜厚が露光量に
比例して変化するような感光特性を有するものを選択す
ることが好ましい。
スト材としては、ポジ型あるいはネガ型のいずれであっ
てもよく特に限定されないが、設計どおりのパターンを
得るために、現像後のレジスト層１３の膜厚が露光量に
比例して変化するような感光特性を有するものを選択す
ることが好ましい。
【００２７】次いで、図４に示すように、マスク１１を
上記と同様、さらに所定距離移動させ、光エネルギーｈ
ν3を付与する。本実施形態では光エネルギーｈν3＝３
ｈν 1とする。また移動距離は、図２の状態から図３の
状態へ移行したときと等しい距離移動させる。これによ
り、深さとともにピッチが等しく規則性のある階段状の
露光パターン１３３が形成される。
上記と同様、さらに所定距離移動させ、光エネルギーｈ
ν3を付与する。本実施形態では光エネルギーｈν3＝３
ｈν 1とする。また移動距離は、図２の状態から図３の
状態へ移行したときと等しい距離移動させる。これによ
り、深さとともにピッチが等しく規則性のある階段状の
露光パターン１３３が形成される。
【００２８】以上のプロセスを段数と等しい回数繰返す
ことにより、図５に示すような深さおよびピッチの等し
い階段状の露光パターン１３５が形成される。
ことにより、図５に示すような深さおよびピッチの等し
い階段状の露光パターン１３５が形成される。
【００２９】次に、このレジスト層１３を現像し露光部
分を除去することにより、図６に示すようなブレーズ化
されたレジストパターン１３ａを形成することができ
る。
分を除去することにより、図６に示すようなブレーズ化
されたレジストパターン１３ａを形成することができ
る。
【００３０】このように１つのマスクを用い、かかるマ
スクを移動させて露光していくことにより所望のパター
ンを形成していく本発明のパターン形成方法によれば、
従来、繰り返し行っていたレジスト塗布、エッチングお
よびレジスト除去等の工程を何度も繰返す必要がなく１
度で行うことができる。また、複数のマスクを使用する
必要がないため、マスク交換時のアライメント誤差を招
くおそれがない。
スクを移動させて露光していくことにより所望のパター
ンを形成していく本発明のパターン形成方法によれば、
従来、繰り返し行っていたレジスト塗布、エッチングお
よびレジスト除去等の工程を何度も繰返す必要がなく１
度で行うことができる。また、複数のマスクを使用する
必要がないため、マスク交換時のアライメント誤差を招
くおそれがない。
【００３１】さらに、マスクの移動に伴いレジスト層に
対する露光領域を移動させて露光量を変化させることに
より、レジスト層の平面方向および深さ方向において光
反応の進行を制御することができ、現像後に所望のレジ
ストパターンを得ることができる。このような本発明の
方法によれば、レジスト層に形成されるパターンを再現
性よく制御することができるため、形状精度の向上を図
ることができ、さらに微細パターンの形成も可能とな
る。
対する露光領域を移動させて露光量を変化させることに
より、レジスト層の平面方向および深さ方向において光
反応の進行を制御することができ、現像後に所望のレジ
ストパターンを得ることができる。このような本発明の
方法によれば、レジスト層に形成されるパターンを再現
性よく制御することができるため、形状精度の向上を図
ることができ、さらに微細パターンの形成も可能とな
る。
【００３２】また、図１１に示すように、マスクパター
ンのレイアウトを工夫することにより、一度に複数のレ
ジストパターンを形成することが可能となり、図１２に
示すようなレーザーによる描画による従来のパターン形
成法に比べて、非常に量産性に優れている。
ンのレイアウトを工夫することにより、一度に複数のレ
ジストパターンを形成することが可能となり、図１２に
示すようなレーザーによる描画による従来のパターン形
成法に比べて、非常に量産性に優れている。
【００３３】このようにして形成されたブレーズ化され
たレジストパターン１３ａは、スタンパを作製するため
の原盤として使用される。例えば、図７に示すように、
レジストパターン１３ａの表面に電鋳加工を施すことに
より電鋳膜１４が設けられる。電鋳膜１４は、例えばＮ
ｉやＡｇ等を用いて所望の厚さで設けられ、レジストパ
ターン１３ａの表面に直接設けられてもよく、少なくと
も１層の導電膜を形成した上に設けられていてもよい。
この電鋳膜１４を離型することにより、図８に示すよう
なレジストパターン１３ａが反転形成されたスタンパ１
４ａが得られる。
たレジストパターン１３ａは、スタンパを作製するため
の原盤として使用される。例えば、図７に示すように、
レジストパターン１３ａの表面に電鋳加工を施すことに
より電鋳膜１４が設けられる。電鋳膜１４は、例えばＮ
ｉやＡｇ等を用いて所望の厚さで設けられ、レジストパ
ターン１３ａの表面に直接設けられてもよく、少なくと
も１層の導電膜を形成した上に設けられていてもよい。
この電鋳膜１４を離型することにより、図８に示すよう
なレジストパターン１３ａが反転形成されたスタンパ１
４ａが得られる。
【００３４】次に、このスタンパ１４ａを用いて射出成
形等により、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ樹脂）、ポリカーボネート（ＰＣ樹脂）等の樹脂にパ
ターンを転写することによって、図１０に示すような回
折格子板１６が得られる。
形等により、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ樹脂）、ポリカーボネート（ＰＣ樹脂）等の樹脂にパ
ターンを転写することによって、図１０に示すような回
折格子板１６が得られる。
【００３５】以上、本発明のパターン形成方法およびか
かるパターン形成方法を用いた光学素子の製造方法を図
示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに
限定されるものではなく、各手段の構成は同様の機能を
有する任意の構成に置換することができる。
かるパターン形成方法を用いた光学素子の製造方法を図
示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに
限定されるものではなく、各手段の構成は同様の機能を
有する任意の構成に置換することができる。
【００３６】
【実施例】次に、本発明の具体的実施例について説明す
る。 （実施例）まず、平坦なＳｉ基板１２にポジ型レジスト
（「ＯＦＰＲ８００」東京応化工業（株）製）を塗布
し、レジスト層１３を設けた。次に、図２に示すように
マスク１１のパターン１１１を通過させた紫外線をレジ
スト層１３に照射した。紫外線の照射は、図示しない投
影光学系を介して縮小率１／１０で縮小投影を行った。
このとき、光源としてはＵＶランプを用い、露光強度を
１０mw/cm2、第１のステップにおける露光量を０．５mj
とした。また、マスク１１としては、開孔幅１０μｍ、
スリット間隔１０μｍの図１に示すようなパターン１１
１のものを用いた。
る。 （実施例）まず、平坦なＳｉ基板１２にポジ型レジスト
（「ＯＦＰＲ８００」東京応化工業（株）製）を塗布
し、レジスト層１３を設けた。次に、図２に示すように
マスク１１のパターン１１１を通過させた紫外線をレジ
スト層１３に照射した。紫外線の照射は、図示しない投
影光学系を介して縮小率１／１０で縮小投影を行った。
このとき、光源としてはＵＶランプを用い、露光強度を
１０mw/cm2、第１のステップにおける露光量を０．５mj
とした。また、マスク１１としては、開孔幅１０μｍ、
スリット間隔１０μｍの図１に示すようなパターン１１
１のものを用いた。
【００３７】次に、第２ステップとして図３に示すよう
にマスク１１を露光光の進行方向と直交する方向に１μ
ｍ移動させ、露光量が１mjとなるよう紫外線を照射し
た。同様にして、図４に示すようにマスク１１を１μｍ
移動させ、露光量が１．５mjとなるよう紫外線を照射し
た。
にマスク１１を露光光の進行方向と直交する方向に１μ
ｍ移動させ、露光量が１mjとなるよう紫外線を照射し
た。同様にして、図４に示すようにマスク１１を１μｍ
移動させ、露光量が１．５mjとなるよう紫外線を照射し
た。
【００３８】このようにマスク１１を１μｍづつ移動さ
せ、そのたびに露光量を０．５mjづつ増加させて紫外線
を照射する工程を３０回繰返すことにより、図５に示す
ような形状の露光パターンを作製した。
せ、そのたびに露光量を０．５mjづつ増加させて紫外線
を照射する工程を３０回繰返すことにより、図５に示す
ような形状の露光パターンを作製した。
【００３９】次に、現像液（「ＮＭＤ」東京応化工業
（株）製）を用いてレジスト層１３を現像することによ
り、紫外線照射部分のレジストを溶解除去し、図６のよ
うな形状であって段数が３０あるレジストパターン１３
ａを得た。
（株）製）を用いてレジスト層１３を現像することによ
り、紫外線照射部分のレジストを溶解除去し、図６のよ
うな形状であって段数が３０あるレジストパターン１３
ａを得た。
【００４０】このレジストパターン１３ａの表面にＮｉ
無電解メッキを施して電鋳膜１４を形成し（図７）、こ
れを離型して図８に示すようなスタンパ１４ａを作製し
た。
無電解メッキを施して電鋳膜１４を形成し（図７）、こ
れを離型して図８に示すようなスタンパ１４ａを作製し
た。
【００４１】次に、かかるスタンパ１４ａを用いた射出
成形法により、図１０に示すようなポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ樹脂）からなる回折格子板１６を作製
した。
成形法により、図１０に示すようなポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ樹脂）からなる回折格子板１６を作製
した。
【００４２】以上のようにして実施例で製造された回折
格子板１６の表面を観察したところ、ピッチ間隔３０μ
ｍ、格子高さ２μｍのブレーズ状の回折格子パターンが
精度よく形成されていた。
格子板１６の表面を観察したところ、ピッチ間隔３０μ
ｍ、格子高さ２μｍのブレーズ状の回折格子パターンが
精度よく形成されていた。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のパターン形
成方法によれば、レジスト層の形成、現像によるレジス
ト層の除去を露光回数に拘わらず１度でよいため、工程
数が大幅に減少し作業が簡略化され生産性が向上する。
また、複数のマスクを交換して使用する必要がなく、マ
スク交換時のアライメント誤差を招くおそれがない。し
たがって、製造工程を簡略化でき優れた形状精度で微細
パターンの形成が可能である。
成方法によれば、レジスト層の形成、現像によるレジス
ト層の除去を露光回数に拘わらず１度でよいため、工程
数が大幅に減少し作業が簡略化され生産性が向上する。
また、複数のマスクを交換して使用する必要がなく、マ
スク交換時のアライメント誤差を招くおそれがない。し
たがって、製造工程を簡略化でき優れた形状精度で微細
パターンの形成が可能である。
【００４４】さらに、本発明のパターン形成方法を用い
た光学素子の製造によれば、高品質の光学素子を歩留ま
り良く作製することができる。
た光学素子の製造によれば、高品質の光学素子を歩留ま
り良く作製することができる。
【図１】本発明のパターン形成方法に用いられるマスク
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
【図２】本発明のパターン形成方法および光学素子の製
造方法の一実施形態を示す断面図である。
造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明のパターン形成方法および光学素子の製
造方法の一実施形態を示す断面図である。
造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明のパターン形成方法および光学素子の製
造方法の一実施形態を示す断面図である。
造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明のパターン形成方法および光学素子の製
造方法の一実施形態を示す断面図である。
造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明のパターン形成方法および光学素子の製
造方法の一実施形態を示す断面図である。
造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明のパターン形成方法および光学素子の製
造方法の一実施形態を示す断面図である。
造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明のパターン形成方法および光学素子の製
造方法の一実施形態を示す断面図である。
造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図９】本発明のパターン形成方法および光学素子の製
造方法の一実施形態を示す断面図である。
造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図１０】本発明のパターン形成方法および光学素子の
製造方法の一実施形態を示す断面図である。
製造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図１１】本発明のパターン形成方法の一実施形態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１２】従来のパターン形成方法の一例を示す斜視図
である。
である。
１１ マスク １１１ パターン １２ 基板 １３ レジスト層 １３１ 露光パターン １３３ 露光パターン １３５ 露光パターン １３ａ レジストパターン １４ 電鋳膜 １４ａ スタンパ １５ 樹脂層 １６ 回折格子板
Claims (12)
- 【請求項１】 レジスト層にリソグラフ法によりパター
ンを形成するパターン形成方法において、 前記レジスト層に対し相対的にマスクを移動させて露光
していくことによりレジストパターンを形成することを
特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記マスクを露光光の進行方向と交わる
方向に移動させる請求項１に記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記マスクを露光光の進行方向と直交す
る方向に移動させる請求項２に記載のパターン形成方
法。 - 【請求項４】 前記マスクの移動に伴い露光量を変化さ
せる請求項１ないし３のいずれかに記載のパターン形成
方法。 - 【請求項５】 前記露光は縮小投影法により行われる請
求項１ないし４のいずれかに記載のパターン形成方法。 - 【請求項６】 前記レジストパターンを光学素子の機能
に応じた起伏面とする請求項１ないし５のいずれかに記
載のパターン形成方法。 - 【請求項７】 レジスト層に対し相対的にマスクを移動
させて露光していくことによりレジストパターンを形成
する工程と、 前記レジストパターン上に電鋳加工を行うことによりス
タンパを作製する工程と、 前記スタンパを用いて光学素子を形成する工程とを備え
ることを特徴とする光学素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記マスクを露光光の進行方向と交わる
方向に移動させる請求項７に記載の光学素子の製造方
法。 - 【請求項９】 前記マスクを露光光の進行方向と直交す
る方向に移動させる請求項８に記載の光学素子の製造方
法。 - 【請求項１０】 前記マスクの移動に伴い露光量を変化
させる請求項７ないし９のいずれかに記載の光学素子の
製造方法。 - 【請求項１１】 前記露光は縮小投影法により行われる
請求項７ないし１０のいずれかに記載の光学素子の製造
方法。 - 【請求項１２】 前記光学素子は回折格子板である請求
項７ないし１１のいずれかに記載の光学素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352996A JP2000181086A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | パターン形成方法、光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352996A JP2000181086A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | パターン形成方法、光学素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000181086A true JP2000181086A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18427868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10352996A Pending JP2000181086A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | パターン形成方法、光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000181086A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2022204130A1 (en) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Applied Materials, Inc. | Method to fabricate large scale flat optics lenses |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP10352996A patent/JP2000181086A/ja active Pending
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| KR101716211B1 (ko) | 2011-01-03 | 2017-03-15 | 주성엔지니어링(주) | 박막 패턴의 제조 장치 및 제조 방법 |
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