JPS6068687A - 半導体レ−ザ用パツケ−ジの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ用パツケ−ジの製造方法Info
- Publication number
- JPS6068687A JPS6068687A JP17739083A JP17739083A JPS6068687A JP S6068687 A JPS6068687 A JP S6068687A JP 17739083 A JP17739083 A JP 17739083A JP 17739083 A JP17739083 A JP 17739083A JP S6068687 A JPS6068687 A JP S6068687A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sleeve
- package
- semiconductor laser
- laser
- central axis
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、オーディオディスク、ビデオディスク、元
ディスクメモリなどの元情報処理装置の光源として使用
される半導体レーザのパッケージの外形と発光部（チッ
プ）との相対的位置を正確に規定した半導体レーザ用ノ
々ツケージの製造方法に関する。
ディスクメモリなどの元情報処理装置の光源として使用
される半導体レーザのパッケージの外形と発光部（チッ
プ）との相対的位置を正確に規定した半導体レーザ用ノ
々ツケージの製造方法に関する。
一般にオーディオディスク、ビデオディスクなどの元デ
ィスクの情報読出し、あるいは潜込みピックアップの光
源として用いられる半４１体レーザのパッケージは、ピ
ックアップが精密ツ０学系であることから、厳しい寸法
精度が要求される。
ィスクの情報読出し、あるいは潜込みピックアップの光
源として用いられる半４１体レーザのパッケージは、ピ
ックアップが精密ツ０学系であることから、厳しい寸法
精度が要求される。
第１図は従来のパッケージを示した斜視図であり、直交
座標系ｘ、ｙ、ｚはレーザの発光点を座標原点０にレー
ザ光の光軸を２軸にとっである。ピックアップに組込ま
れたパッケージは、レーザの発光点Ｏがピックアップの
コリメートレンズの焦点Ｆに、レーザ光の元軸２がピッ
クアップの元軸Ｚｐにそれぞれ一致するように位置決め
されるか、冥際の組立に当っては位置ずれ一角度７１−
れか生じることは免かれない。即ち、０Ｆ−（ΔＸ、Δ
ｙ、Δ２）キ０ ＬＺＺ、キＯ である。ピックアップの性能を劣化させないためには、
１Δｘｉ 、 ｌΔｙｌ ｌし１ｚ１については略５゜
μｍ以下、ＬＺＺｐについては２°以下の組立精度が要
求される。ピックアップ光学系を組立てるとき、半導体
レーザはそのパッケージと嵌め合いとなる孔に固定され
るだけで、位置ずれ角度ずれの補正なしで用いられるの
が普通である。従って、上記組立精度はパッケージに要
求される組立精度の上限でもある。
座標系ｘ、ｙ、ｚはレーザの発光点を座標原点０にレー
ザ光の光軸を２軸にとっである。ピックアップに組込ま
れたパッケージは、レーザの発光点Ｏがピックアップの
コリメートレンズの焦点Ｆに、レーザ光の元軸２がピッ
クアップの元軸Ｚｐにそれぞれ一致するように位置決め
されるか、冥際の組立に当っては位置ずれ一角度７１−
れか生じることは免かれない。即ち、０Ｆ−（ΔＸ、Δ
ｙ、Δ２）キ０ ＬＺＺ、キＯ である。ピックアップの性能を劣化させないためには、
１Δｘｉ 、 ｌΔｙｌ ｌし１ｚ１については略５゜
μｍ以下、ＬＺＺｐについては２°以下の組立精度が要
求される。ピックアップ光学系を組立てるとき、半導体
レーザはそのパッケージと嵌め合いとなる孔に固定され
るだけで、位置ずれ角度ずれの補正なしで用いられるの
が普通である。従って、上記組立精度はパッケージに要
求される組立精度の上限でもある。
かかる組立精度を量産レベルで達成することは容易では
ない。従来技術の一例として第１図（ａ） 、 （ｂ）
に示すオーディオディスク用のパッケージでは、組、立
による位置、角度誤差を最小限にするために、半導体レ
ーザ４を取付けるヒートシンクｌがパッケージの外周部
分と一体化した構造をとっている。そしてピックアップ
を組立てる場合は、ヒートシンクＩの外周部を基部面と
して光学系に組込む。従って、パッ／７−−ジの組立て
に当っては、ヒートシンクｌの寸法精度と、ヒートシン
クＩの上に半導体レーザ４を一゛１１着する位置、角度
精度にのみ注意を拡えは良い。
ない。従来技術の一例として第１図（ａ） 、 （ｂ）
に示すオーディオディスク用のパッケージでは、組、立
による位置、角度誤差を最小限にするために、半導体レ
ーザ４を取付けるヒートシンクｌがパッケージの外周部
分と一体化した構造をとっている。そしてピックアップ
を組立てる場合は、ヒートシンクＩの外周部を基部面と
して光学系に組込む。従って、パッ／７−−ジの組立て
に当っては、ヒートシンクｌの寸法精度と、ヒートシン
クＩの上に半導体レーザ４を一゛１１着する位置、角度
精度にのみ注意を拡えは良い。
又、ヘッダー２及びキャップ３をヒートシンクＩに固着
する際の位置精度などは粗雑でもかまわない。
する際の位置精度などは粗雑でもかまわない。
このように工夫されたパッケージでも、上記の寸法精度
要求を満たすことは容易ではない。
要求を満たすことは容易ではない。
−例をあげてみよう。第１図１（ａ）において、半導体
レーザ４のＸ方向の幅は略４００μｍである。
レーザ４のＸ方向の幅は略４００μｍである。
この幅４００μｍのレーザ面がヒートシンク１の一面と
ｘｙ面上で連なるように組立てるのである（第２図参照
）。そして、第２図に示したように、半導体レーザ６の
一端が正確にヒートシンク７の端に合っているとき、他
端はヒートシンク７の斧から１４μＩｎ以内になければ
、角度誤差２’ 、（２内をイ肴足させることはでき省
い。かかる精度は憾・注性を塔えた場合は著しく達成困
難である。
ｘｙ面上で連なるように組立てるのである（第２図参照
）。そして、第２図に示したように、半導体レーザ６の
一端が正確にヒートシンク７の端に合っているとき、他
端はヒートシンク７の斧から１４μＩｎ以内になければ
、角度誤差２’ 、（２内をイ肴足させることはでき省
い。かかる精度は憾・注性を塔えた場合は著しく達成困
難である。
この従来例では、パッケージの精度を上げるために各部
品の寸法精度を上げること、各組立工程での位置、角度
精度を上げること、あるいは部品と組立工程の故を減ら
すことで対処してきた。このようにパッケージζこ要求
される精度を分解して各宿成部品と各組立工程に割り当
てて最小化してい〈従来の発想法では、光ピックアップ
に用いられる半導体レーザ用パッケージに要求される精
度をＡＭレベルで満足させることは困難である。
品の寸法精度を上げること、各組立工程での位置、角度
精度を上げること、あるいは部品と組立工程の故を減ら
すことで対処してきた。このようにパッケージζこ要求
される精度を分解して各宿成部品と各組立工程に割り当
てて最小化してい〈従来の発想法では、光ピックアップ
に用いられる半導体レーザ用パッケージに要求される精
度をＡＭレベルで満足させることは困難である。
次に第３図に示す第２の従来例（実開昭５６−１１４５
６６公報記載）では、半導体レーザ１０から放射される
元ビームの光軸Ａが支持部の中心軸ＯＯ／に一致するよ
うに支、持部外周を２次加工することが提案されている
。この方法によれば、半導体レーザのヒートシンクＩＩ
への１独着を含む組立工程をゆるい精度で行なうことが
許される。しかしながら精密光学系に組込まれる素子に
要求される気密性とを共に維持しながら、かかる２次加
工をすることには困難がある。即ち、２次加工の方法と
しては「絞り成型リロエ」あるいは「切削加工」が提案
されているが、前者の場合は塑性変形に弱い窓ガラスＩ
３と慣械強度的に周囲より弱い溶接部とを含むパッケー
ジの構造であるために、気密性に問題を生じ易い。又、
塑性変形が窓ガラスＩ３に加わった場合は、窓ガラスＩ
３の破損に至らないまでも；基ガラスにレンズ作用が生
じて、元ピックアップ光学系の中に無用で場合によって
は致命的な収差を持ち込むこともある。「切削加工」の
坪・汁は、切り扮の窓ガラス面への付着が問題と７．Ｑ
る。
６６公報記載）では、半導体レーザ１０から放射される
元ビームの光軸Ａが支持部の中心軸ＯＯ／に一致するよ
うに支、持部外周を２次加工することが提案されている
。この方法によれば、半導体レーザのヒートシンクＩＩ
への１独着を含む組立工程をゆるい精度で行なうことが
許される。しかしながら精密光学系に組込まれる素子に
要求される気密性とを共に維持しながら、かかる２次加
工をすることには困難がある。即ち、２次加工の方法と
しては「絞り成型リロエ」あるいは「切削加工」が提案
されているが、前者の場合は塑性変形に弱い窓ガラスＩ
３と慣械強度的に周囲より弱い溶接部とを含むパッケー
ジの構造であるために、気密性に問題を生じ易い。又、
塑性変形が窓ガラスＩ３に加わった場合は、窓ガラスＩ
３の破損に至らないまでも；基ガラスにレンズ作用が生
じて、元ピックアップ光学系の中に無用で場合によって
は致命的な収差を持ち込むこともある。「切削加工」の
坪・汁は、切り扮の窓ガラス面への付着が問題と７．Ｑ
る。
窓ガラス面へ付着したゴミは、レーザ光の放射パターン
の劣化をもたらし、ゴミを拭いとっても完全ｌこは回復
しない。又、切ｊ刊スピードを余り速くすると、発ＦＡ
による温’Ａｌ ｌ邦文形が生じて、所望の寸法和１；
（が得られない場合もある。
の劣化をもたらし、ゴミを拭いとっても完全ｌこは回復
しない。又、切ｊ刊スピードを余り速くすると、発ＦＡ
による温’Ａｌ ｌ邦文形が生じて、所望の寸法和１；
（が得られない場合もある。
同倉工３１ツ１中、Ｉ２は２；入カ１：工部分である。
楢後に、第７Ｌ図Ｇこ示ず第３の従来例（特開昭５８−
３９０７９＠公報記載）は、Ｘ ７ ｆ イハーと光景
Ｔ子との′ｙＣ，結合に用いられるコネクターに１男し
て提業ｇ ａでいるものである。同図において、光電素
子２ｏとスリーブ２４さを軸垂直方向に相対移動させ、
出力光流が最大になる配置こで紫外線を図中に示した方
向から照射して紫外線硬化樹脂２５をν化させてスリー
ブ２４と光電素子２θとを固定することによって作られ
る。こ、うして作られた光電素子２ｏは、ファイバーと
組合わせられた場合、予め調芯されているから最早無調
芯で光；結合できる。従っ−ｃ１無調芯型光電素子と一
般に呼ばれている。光ピックアップ元学系のようす、結
凶にと比べると、光ファイバーへの光結合は発光点の光
軸上での位置精度及び光軸と中心軸との角度精度につい
ては高精度は要求されていない。従って、この従来例で
も光軸上での発光点の位置と光軸の方向についての調整
には言及していない。又、スリーブ２４と光電素子２ｏ
の間隙は僅がなものであるから、その内部まで紫外線を
照１寸することは困離である。同、第４図中の２ｒ、Ｉ
２は電極、２３は電極ワイヤである。
３９０７９＠公報記載）は、Ｘ ７ ｆ イハーと光景
Ｔ子との′ｙＣ，結合に用いられるコネクターに１男し
て提業ｇ ａでいるものである。同図において、光電素
子２ｏとスリーブ２４さを軸垂直方向に相対移動させ、
出力光流が最大になる配置こで紫外線を図中に示した方
向から照射して紫外線硬化樹脂２５をν化させてスリー
ブ２４と光電素子２θとを固定することによって作られ
る。こ、うして作られた光電素子２ｏは、ファイバーと
組合わせられた場合、予め調芯されているから最早無調
芯で光；結合できる。従っ−ｃ１無調芯型光電素子と一
般に呼ばれている。光ピックアップ元学系のようす、結
凶にと比べると、光ファイバーへの光結合は発光点の光
軸上での位置精度及び光軸と中心軸との角度精度につい
ては高精度は要求されていない。従って、この従来例で
も光軸上での発光点の位置と光軸の方向についての調整
には言及していない。又、スリーブ２４と光電素子２ｏ
の間隙は僅がなものであるから、その内部まで紫外線を
照１寸することは困離である。同、第４図中の２ｒ、Ｉ
２は電極、２３は電極ワイヤである。
この発明の目的は、高精度のパッケージを歩留り良く、
且つ光学的品位を下げることなく ％Ｎ作することが可
能な半導体レーザ用パッケージの製造方法を提供するこ
とである。
且つ光学的品位を下げることなく ％Ｎ作することが可
能な半導体レーザ用パッケージの製造方法を提供するこ
とである。
この発明は、半導体レーザのパッケージが該パッケージ
最外形をなすスリーブとスリーブを除くパッケージ本体
さがらなり、その組立に二おいて該半導体レーザの発光
点が咳スリーブの中心軸上に位置するように該スリーブ
と診パッケージ本体との相対位置を調整してから両者を
固着する無調芯塑の半導体レーザ用パッケージのａ ３
％方法において、上記スリーブの中心軸上での発光点の
位置の調整及び上記半導体レーザの光軸を中心軸に一致
させる角度調整を併わせで行なってから上記固着を行な
う半導体レーザ用パッケージの製造方法である。
最外形をなすスリーブとスリーブを除くパッケージ本体
さがらなり、その組立に二おいて該半導体レーザの発光
点が咳スリーブの中心軸上に位置するように該スリーブ
と診パッケージ本体との相対位置を調整してから両者を
固着する無調芯塑の半導体レーザ用パッケージのａ ３
％方法において、上記スリーブの中心軸上での発光点の
位置の調整及び上記半導体レーザの光軸を中心軸に一致
させる角度調整を併わせで行なってから上記固着を行な
う半導体レーザ用パッケージの製造方法である。
この発明の半導体レーザ用パッケージの製造方法は第５
１ヌＢａ） 、 （ｂ）、 （Ｃ）に示すように構成さ
れている。
１ヌＢａ） 、 （ｂ）、 （Ｃ）に示すように構成さ
れている。
先ず（ａ）に示すように、スリーブ３０をボルダ−３１
に固定する。
に固定する。
次に、（ｂ）に示すように、半導体１ノ−ザの動作に必
要な工程、例λば電極の接続、放熱のためのヒートシン
クへのチップ融着、ハーメチックシールなどの工程を全
て終えたパッケージ本体３２をスリーブ３０の中に挿入
する。パッケージ本体３２とスリーブ３０との間には、
後で述べるパッケージ姿勢制御が可能な間隙があり、こ
の間隙は紫外線な更化樹、脂３３の液で満たされている
。そして、パッケージ本体３２を真空チャック３４によ
って姿勢制御ステージ３５の上に固定する。この姿勢制
御ステージ３５は図中に示したようにｘｌｙＰＺの３方
向とθ、ψの回転について微調可能である。パッケージ
本体３２から出射されたレーザ光を受ける位置には、レ
ーザ光発光点の位置ずれ、レーザ光々軸の角度ずれを測
定する測定系３６を置く。この状態で半導体レーザを動
作させてレーザ光を測定系３６でモニターしながら、ス
リーブ３ｏに対するレーザの発光点の位置、レーザ光々
軸が所定の位置となるように姿勢制御ステージ３５を動
かしてパッケージ本体３２の姿勢制御を行なう。
要な工程、例λば電極の接続、放熱のためのヒートシン
クへのチップ融着、ハーメチックシールなどの工程を全
て終えたパッケージ本体３２をスリーブ３０の中に挿入
する。パッケージ本体３２とスリーブ３０との間には、
後で述べるパッケージ姿勢制御が可能な間隙があり、こ
の間隙は紫外線な更化樹、脂３３の液で満たされている
。そして、パッケージ本体３２を真空チャック３４によ
って姿勢制御ステージ３５の上に固定する。この姿勢制
御ステージ３５は図中に示したようにｘｌｙＰＺの３方
向とθ、ψの回転について微調可能である。パッケージ
本体３２から出射されたレーザ光を受ける位置には、レ
ーザ光発光点の位置ずれ、レーザ光々軸の角度ずれを測
定する測定系３６を置く。この状態で半導体レーザを動
作させてレーザ光を測定系３６でモニターしながら、ス
リーブ３ｏに対するレーザの発光点の位置、レーザ光々
軸が所定の位置となるように姿勢制御ステージ３５を動
かしてパッケージ本体３２の姿勢制御を行なう。
＝Ｓ制御が完了したならば、紫外線照射によって紫外線
硬化樹脂３３を硬化させる。この目的のために、スリー
ブ３ｏは紫外線に対して透明な材料で作っである。
硬化樹脂３３を硬化させる。この目的のために、スリー
ブ３ｏは紫外線に対して透明な材料で作っである。
その後、姿勢制御ステージ３５、真空チャック３４、ホ
ルダー３１を外せば、（ｃ）に示すようになる。
ルダー３１を外せば、（ｃ）に示すようになる。
こうして作られたパッケージは、スリーブ３０外形を基
準としてスリーブ３０の中心軸の所定の位ｉζこレーザ
発光点が位置し、且っレーザの元軸はスリーブ３０の中
心軸と一致している。
準としてスリーブ３０の中心軸の所定の位ｉζこレーザ
発光点が位置し、且っレーザの元軸はスリーブ３０の中
心軸と一致している。
この発明（ごよれば、パッケージの外形を基準としてレ
ーザの発光点の位置と元軸とがそれぞれ調達５μｍ以下
、０．５以下で設定された高稍度のパッケージ・と歩留
り良く、且つ光学的品位を下げΦごとｆよく装作するご
とがｉ丁目ヒとなった。
ーザの発光点の位置と元軸とがそれぞれ調達５μｍ以下
、０．５以下で設定された高稍度のパッケージ・と歩留
り良く、且つ光学的品位を下げΦごとｆよく装作するご
とがｉ丁目ヒとなった。
川」ち、この発明では、気密シールされた半導体レーザ
をよむパッケージ本体とスリーブとを固着するに当って
、半導体レーザの発光点がスリーブの中心軸の所屋の位
置になるように調整すると共に、レーザ元の元軸が中心
軸と一致するように調イｔしてから回漕しているので、
パッケージ本体の組立工程をゆるい精度で行なうことか
計きれ、且つ元ピックアップ元学系への組込みに当って
は、高い精度を満足する半導体レーザのパッケージの製
造が可能となった。又、固着材として紫外線硬化樹脂を
用いることにより、固着工程の時間短縮を行なうに当っ
て、スリーブを紫外線に対して透明なものにしているの
で、紫外線硬化工程を容易且つ高信頼とすることができ
た。
をよむパッケージ本体とスリーブとを固着するに当って
、半導体レーザの発光点がスリーブの中心軸の所屋の位
置になるように調整すると共に、レーザ元の元軸が中心
軸と一致するように調イｔしてから回漕しているので、
パッケージ本体の組立工程をゆるい精度で行なうことか
計きれ、且つ元ピックアップ元学系への組込みに当って
は、高い精度を満足する半導体レーザのパッケージの製
造が可能となった。又、固着材として紫外線硬化樹脂を
用いることにより、固着工程の時間短縮を行なうに当っ
て、スリーブを紫外線に対して透明なものにしているの
で、紫外線硬化工程を容易且つ高信頼とすることができ
た。
同、半導体レーザの光は直線偏波であるか、偏波面の方
向をパッケージ外形基準で正確に知る必要がある場合は
、上記実施例において光軸を中心さした回転角ωについ
ても、姿勢制御したうえで固着する。
向をパッケージ外形基準で正確に知る必要がある場合は
、上記実施例において光軸を中心さした回転角ωについ
ても、姿勢制御したうえで固着する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は第１の従来例でオーディオ
ティスフ月光ピックアップに用いられる半導体レーザの
パッケージを示す一部切欠斜視図と分解斜視図、第２図
は半導体レーザとヒートシンクとの相対的な位置精度を
示す斜視図、第３図は第２の従来例でオーディオディス
ク月光ピックアップに用いられる半導体レーザのパッケ
ージを示す断面図、第４因は第３の従来例で光ファイバ
ーへの結合を無調芯で行なえる光電素子を示すｐｉ面図
、第５図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はこの発明の
一実施例に係る羊縛体レーザ用パッケージの製造方法を
示すｅ＋ｆｒ面図である。 ３０・・・スリーブ、３１・・・ホルダー、３２・・・
パッケージ本体、３３・・・紫外線硬化樹脂、３４・・
・真空チャック、３５・パ姿勢制御ステージ、３６・・
・測定系。
ティスフ月光ピックアップに用いられる半導体レーザの
パッケージを示す一部切欠斜視図と分解斜視図、第２図
は半導体レーザとヒートシンクとの相対的な位置精度を
示す斜視図、第３図は第２の従来例でオーディオディス
ク月光ピックアップに用いられる半導体レーザのパッケ
ージを示す断面図、第４因は第３の従来例で光ファイバ
ーへの結合を無調芯で行なえる光電素子を示すｐｉ面図
、第５図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はこの発明の
一実施例に係る羊縛体レーザ用パッケージの製造方法を
示すｅ＋ｆｒ面図である。 ３０・・・スリーブ、３１・・・ホルダー、３２・・・
パッケージ本体、３３・・・紫外線硬化樹脂、３４・・
・真空チャック、３５・パ姿勢制御ステージ、３６・・
・測定系。
Claims (2)
- （１）半導体レーザのパッケージが該パッケージ最外形
をなすスリーブとスリーブを除くパッケージ本体とから
なり、その組立において該半導体レーザの発光点力塊亥
スリーブの中心軸上に位置するように該スリーブと該パ
ッケージ不休との相対位置を調整してから両者を固着す
る無調芯型の半導体レーザ用パッケージの製造方法にお
いて、 上記スリーブの中心軸上での発光点の位置の調整及び上
記半導体レーザの光軸を中心軸に一致させる角度調整を
併わせで行なって力）ら上記口＞７６を行なうことを特
徴とする半導体レーザ用パッケージの製造方法。 - （２） 上記スリーブを固着する接着剤として紫外線硬
化樹脂を用い、且つ上記スリーブを紫外線に対して透明
な材質で作り、該スリーブ表面側から該スリーブを透過
して上記紫外ｋ”Ｊ （＞を化樹脂に到達するように紫
外線を照射して上記紫外線硬化樹脂を硬化させることを
特徴とする特許請求の範囲第１功記載の半導体レーサ用
パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17739083A JPS6068687A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体レ−ザ用パツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17739083A JPS6068687A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体レ−ザ用パツケ−ジの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068687A true JPS6068687A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=16030099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17739083A Pending JPS6068687A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体レ−ザ用パツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068687A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313988A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Sharp Corp | 集積型レーザーユニットの製造方法 |
| EP0820099A3 (en) * | 1996-07-18 | 1999-03-10 | Nec Corporation | Packaged semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2014146668A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステム及び半導体パッケージ |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17739083A patent/JPS6068687A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313988A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Sharp Corp | 集積型レーザーユニットの製造方法 |
| EP0820099A3 (en) * | 1996-07-18 | 1999-03-10 | Nec Corporation | Packaged semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US5952712A (en) * | 1996-07-18 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Packaged semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2014146668A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステム及び半導体パッケージ |
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