JPS6066428A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6066428A JPS6066428A JP58173202A JP17320283A JPS6066428A JP S6066428 A JPS6066428 A JP S6066428A JP 58173202 A JP58173202 A JP 58173202A JP 17320283 A JP17320283 A JP 17320283A JP S6066428 A JPS6066428 A JP S6066428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- marks
- chip
- mark
- sample
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の技術分野
本発明は電子ビー°ム露光方法に関し、特に、同一形状
に形成され縦横に一体状に配列された複数個の試料を１
１Ｍ別にｈｔ光するに際し、これら試料の位置合せ用と
して設けられた位置検出マークの検出方法及び露光当該
試料の位置合せ方法に関するものである。
に形成され縦横に一体状に配列された複数個の試料を１
１Ｍ別にｈｔ光するに際し、これら試料の位置合せ用と
して設けられた位置検出マークの検出方法及び露光当該
試料の位置合せ方法に関するものである。
（ロ）技術の背景
例えば、電子ビームで直接露光する試料の一例としての
ＩＣチップは、第１図に示すように、一枚のウェーハ１
０にスクライブライン１１ （ＩＣ完成後、各ＩＣチッ
プ１２を個々に分離切断する部分）Ｋよって網目状に区
分され、縦横に一体状に配列する多数個の同一形状の角
形部分がＩＣチップ１２として形成される。これらの各
ＩＣチップ１２には、各種の電子素子、配線パターン、
入出力用電極パターン等が複数回のパターン形成工程を
経て積層形成される。そして、この棹のパターンは、通
常は、予めウェーッ・１０上全面にレジスト膜を形成し
、このレジストを所望のパターンに露光して、エツチン
グ等の工程を経て形成される。電子ビーム露光方法は、
レジストに直接電子ビームを投射してレジストを露光す
る方法でめるが、ＩＣチップ上にすでに形成された素子
やノ（り−ンに対して次のパターンを形成する場合にお
けるレジストのに□Ａ光に使用される場合が多い。この
場合、電子ビーム露光は各ＩＣチップ１２ごとに行なわ
れる。そして各ＩＣチップ１２の露光に際して、予めＩ
Ｃチップ１２に対する電子ビームの位置合せ（座標合筆
）が行なわれる。この位置合せは、当該ＩＣチップ１２
に形成された位置検出マークを検出することによって行
なわれる。この位置検出マークは通常単一のＩＣチップ
に対して４個用いられる場合が多い。しかし、この位置
検出マークは位置検出用のみに使用されるもので、この
マークスペースに電子素子や配線パターンを形成するこ
とはできない。従って、単一のＩＣチップ１２における
位置検出マークの個数ができるだけ少く、シアノ・も十
分に位置検出が可能な電子ビーム露光方法が要望されて
いる。尚、第１図に符号１３で示しているクロスマーク
ｒＸＪは、つ工−ハ１０を最初に概略位置合せするだめ
の位置合せマークである。
ＩＣチップは、第１図に示すように、一枚のウェーハ１
０にスクライブライン１１ （ＩＣ完成後、各ＩＣチッ
プ１２を個々に分離切断する部分）Ｋよって網目状に区
分され、縦横に一体状に配列する多数個の同一形状の角
形部分がＩＣチップ１２として形成される。これらの各
ＩＣチップ１２には、各種の電子素子、配線パターン、
入出力用電極パターン等が複数回のパターン形成工程を
経て積層形成される。そして、この棹のパターンは、通
常は、予めウェーッ・１０上全面にレジスト膜を形成し
、このレジストを所望のパターンに露光して、エツチン
グ等の工程を経て形成される。電子ビーム露光方法は、
レジストに直接電子ビームを投射してレジストを露光す
る方法でめるが、ＩＣチップ上にすでに形成された素子
やノ（り−ンに対して次のパターンを形成する場合にお
けるレジストのに□Ａ光に使用される場合が多い。この
場合、電子ビーム露光は各ＩＣチップ１２ごとに行なわ
れる。そして各ＩＣチップ１２の露光に際して、予めＩ
Ｃチップ１２に対する電子ビームの位置合せ（座標合筆
）が行なわれる。この位置合せは、当該ＩＣチップ１２
に形成された位置検出マークを検出することによって行
なわれる。この位置検出マークは通常単一のＩＣチップ
に対して４個用いられる場合が多い。しかし、この位置
検出マークは位置検出用のみに使用されるもので、この
マークスペースに電子素子や配線パターンを形成するこ
とはできない。従って、単一のＩＣチップ１２における
位置検出マークの個数ができるだけ少く、シアノ・も十
分に位置検出が可能な電子ビーム露光方法が要望されて
いる。尚、第１図に符号１３で示しているクロスマーク
ｒＸＪは、つ工−ハ１０を最初に概略位置合せするだめ
の位置合せマークである。
ｅ→ 従来技術と問題点
第２図と第３図は従来の電子ビーム露光方法を説明する
だめの図である。尚、この場合、試料として、前出の第
１図のＩＣテップ１２を例示している。第２図に示すよ
うに、各ＩＣチップ１２の各隅角部、すなわち４ケ所に
それぞれ同一形状の位置検出マーク１５が形成されてい
る（但し、代表として１個のＩＣチップ１２に対しての
み図示）。
だめの図である。尚、この場合、試料として、前出の第
１図のＩＣテップ１２を例示している。第２図に示すよ
うに、各ＩＣチップ１２の各隅角部、すなわち４ケ所に
それぞれ同一形状の位置検出マーク１５が形成されてい
る（但し、代表として１個のＩＣチップ１２に対しての
み図示）。
この各マーク１５は、第３図（イ）に示すように、平面
形状が正方形（矩形の場合もある）で、その断面形状が
仲）に示すように凹形の凹所として形成されている。そ
して、この場合は（ロ）図に示すように、レジスト１６
がＩＣチップ１２の上面に塗布されている。これらのマ
ーク１５の位置検出は、該マーク１５上を電子ビームで
Ｘ−Ｙ ＋１１＋方向に走査し、マーク１５の段差部１
５ａにおける反射′…；子のレベル変化を反射′電子検
出器（図示なし）によって検出することによって行なわ
れる。この反射電子検出器は反射電子を検知し、これを
電気信号に変換して出力する機能を有するものである。
形状が正方形（矩形の場合もある）で、その断面形状が
仲）に示すように凹形の凹所として形成されている。そ
して、この場合は（ロ）図に示すように、レジスト１６
がＩＣチップ１２の上面に塗布されている。これらのマ
ーク１５の位置検出は、該マーク１５上を電子ビームで
Ｘ−Ｙ ＋１１＋方向に走査し、マーク１５の段差部１
５ａにおける反射′…；子のレベル変化を反射′電子検
出器（図示なし）によって検出することによって行なわ
れる。この反射電子検出器は反射電子を検知し、これを
電気信号に変換して出力する機能を有するものである。
第３図（ハ）は、マーク１５０段差部１５ａにおける反
射１ａ子検出器の出力電気信号のレベル変化の状態を示
している。従って、マーク１５を第３図（イ）に示すよ
うにｘ−ｙ軸方向に重子ビームを走査させ、Ｘ・Ｙ軸方
向の検出データに基づきマーク１５の中心点Ｐの位置が
検出される。このようにして各マーク１５は位置検出さ
れる。さて、第２図において、ＩＣチップ１２の形状は
、ウェーッ・１０の加熱工程等の影響により、当初の形
状に対して若干の伸縮、台形化が生ずることがあシ、ま
た回転ずれ、縦各は横ずれ状態で配置されることがある
。
射１ａ子検出器の出力電気信号のレベル変化の状態を示
している。従って、マーク１５を第３図（イ）に示すよ
うにｘ−ｙ軸方向に重子ビームを走査させ、Ｘ・Ｙ軸方
向の検出データに基づきマーク１５の中心点Ｐの位置が
検出される。このようにして各マーク１５は位置検出さ
れる。さて、第２図において、ＩＣチップ１２の形状は
、ウェーッ・１０の加熱工程等の影響により、当初の形
状に対して若干の伸縮、台形化が生ずることがあシ、ま
た回転ずれ、縦各は横ずれ状態で配置されることがある
。
このようなＩＣチップ１２の変形又は位置ずれを検出す
るために、ＩＣチップ１２の四隅に設けられた４個のマ
ーク１５をそれぞれＸ・Ｙ軸方向に走査して合計８個の
検出データが必要とされる。
るために、ＩＣチップ１２の四隅に設けられた４個のマ
ーク１５をそれぞれＸ・Ｙ軸方向に走査して合計８個の
検出データが必要とされる。
この８個の検出データに基づいて電子ビームの位置及び
走査幅をＩＣチップ１２に対して整合調整し、その状態
でパターンの描画を行えば、すでに形成されているパタ
ーンに対して正確に整合するパターンの描画を行なうこ
とができる。しかしながら、この従来方法は、各々のＩ
Ｃチップ１２にそれぞれ４個づつ位置検出マーク１５を
設け、これらを用いてマーク検出を行なってレジスト１
６の露光を行なうという方法を採っているため、マーク
１５の個数が多くその分ＩＣチップ１２に形成する電子
素子又は配線パターン等の形成面積がせばめられるとい
う問題がある。
走査幅をＩＣチップ１２に対して整合調整し、その状態
でパターンの描画を行えば、すでに形成されているパタ
ーンに対して正確に整合するパターンの描画を行なうこ
とができる。しかしながら、この従来方法は、各々のＩ
Ｃチップ１２にそれぞれ４個づつ位置検出マーク１５を
設け、これらを用いてマーク検出を行なってレジスト１
６の露光を行なうという方法を採っているため、マーク
１５の個数が多くその分ＩＣチップ１２に形成する電子
素子又は配線パターン等の形成面積がせばめられるとい
う問題がある。
に）発明の目的
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、単一の
試料に設ける位置検出マークの個数を最少限にとどめ、
しかもこれらのマークを巧みに利用してマーク検出を行
なうことによシ、正確に試料の位置合せを可能とし、試
料に形成すべき電子素子、配線パターン等の形成面積を
増大化し得る電子ビーム露光方法を提供することにある
。
試料に設ける位置検出マークの個数を最少限にとどめ、
しかもこれらのマークを巧みに利用してマーク検出を行
なうことによシ、正確に試料の位置合せを可能とし、試
料に形成すべき電子素子、配線パターン等の形成面積を
増大化し得る電子ビーム露光方法を提供することにある
。
（ホ）発明の構成
そして、この目的を達成するために、本発明に依れば、
同一形状に形成され縦横に一体状に配列された複数個の
露光試料の電子ビーム露光方法において、前記各試料の
同一位置に位置検出マークをそれぞれ１個づつ設け、前
記各試料の位置合せに際し、当該試料の位置検出マーク
と、前記当該試料に隣接する他の複数個の試料の位置検
出マークとを供用して、これら位置検出マークを検出す
ることによシ、０１ノ記当該試料に対する電子ビームの
位置合せを行ない、その後前記当該試料の露光を行なう
ようにしたことを管機とする電子ビーム露光方法が提供
される。
同一形状に形成され縦横に一体状に配列された複数個の
露光試料の電子ビーム露光方法において、前記各試料の
同一位置に位置検出マークをそれぞれ１個づつ設け、前
記各試料の位置合せに際し、当該試料の位置検出マーク
と、前記当該試料に隣接する他の複数個の試料の位置検
出マークとを供用して、これら位置検出マークを検出す
ることによシ、０１ノ記当該試料に対する電子ビームの
位置合せを行ない、その後前記当該試料の露光を行なう
ようにしたことを管機とする電子ビーム露光方法が提供
される。
（へ）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第４図と第５図は本発明の電子ビーム露光方法を説明す
るだめの図である。尚、との場合、露光試料の一例とし
て前出の第１図におけるＩＣチップ１２を例示している
。但し、説明の都合上、特定のＩＣチップに対する符号
は１２ａ−１２１で示し、そして、これらのＩＣチップ
に設けられた位置検出マークに対する符号はそれぞれ１
５ａ〜１５ｉでボしている。８１！４図に示すように、
各ＩＣチップ１２．１２ａ 〜１２ｉの同一位置、すな
わちこの場合は左上隅角部にそれぞれ１個づつ同一形状
の′位置検出マーク１５．１５ａ〜１５１が形成されて
いる。これらの各位置検出マーク１５．１５ａ〜１５１
は、前出の第３図（従来例）に示す位置検出マーク１５
と同様に形成されたものであシ、その作用及び機能も同
様である。従って、こ＼では、これらマーク１５．１５
ａ〜１５Ｉの説明は省略する。さて、本実施例において
は、前述したように、各ＩＣチップ１２の同一位置に位
置検出マーク１５をそれぞれ１個づつ設け、露光すべき
当該ＩＣチップ１２のマーク１５と、この当該ＩＣチッ
プ１２に隣接する他の３個のＩＣチップ１２それぞれの
マーク１５と合計４個のマーク１５を利用してマーク検
出を行ない、前出の従来例の場合と同様にしで当該ＩＣ
チップ１２の位置合せを行ない、しかる後に露光を行な
う方法を採っている。例えば、＠４図において、ＩＣチ
ップ１２ｄの位置合せを行なう場合は、ＩＣチップ１２
ｄ自身のマーク１５ｄと、ｒｃチップ１２ａ、１２ｂ、
１２ｅそれぞれノマーク１５ａ。
るだめの図である。尚、との場合、露光試料の一例とし
て前出の第１図におけるＩＣチップ１２を例示している
。但し、説明の都合上、特定のＩＣチップに対する符号
は１２ａ−１２１で示し、そして、これらのＩＣチップ
に設けられた位置検出マークに対する符号はそれぞれ１
５ａ〜１５ｉでボしている。８１！４図に示すように、
各ＩＣチップ１２．１２ａ 〜１２ｉの同一位置、すな
わちこの場合は左上隅角部にそれぞれ１個づつ同一形状
の′位置検出マーク１５．１５ａ〜１５１が形成されて
いる。これらの各位置検出マーク１５．１５ａ〜１５１
は、前出の第３図（従来例）に示す位置検出マーク１５
と同様に形成されたものであシ、その作用及び機能も同
様である。従って、こ＼では、これらマーク１５．１５
ａ〜１５Ｉの説明は省略する。さて、本実施例において
は、前述したように、各ＩＣチップ１２の同一位置に位
置検出マーク１５をそれぞれ１個づつ設け、露光すべき
当該ＩＣチップ１２のマーク１５と、この当該ＩＣチッ
プ１２に隣接する他の３個のＩＣチップ１２それぞれの
マーク１５と合計４個のマーク１５を利用してマーク検
出を行ない、前出の従来例の場合と同様にしで当該ＩＣ
チップ１２の位置合せを行ない、しかる後に露光を行な
う方法を採っている。例えば、＠４図において、ＩＣチ
ップ１２ｄの位置合せを行なう場合は、ＩＣチップ１２
ｄ自身のマーク１５ｄと、ｒｃチップ１２ａ、１２ｂ、
１２ｅそれぞれノマーク１５ａ。
１５ｂ、１５ｅと合計４個のマークを用い、これらのマ
ークをそれぞれＸ−Ｙ軸方向に電子ビームで走査してそ
の位置検出を行ない、この位置検出で得られたＸ−Ｙ軸
方向の８つの検出データに基づいて、ＩＣチップ１２ｄ
の位置合せを行なうことができる。すなわち、マーク１
５ａはＩＣチップ１２ｄの左上隅角部にきわめて近接し
た位置関係にあるため、前出の従来例（第２図参照）の
ように左上隅角部に設けたマーク１５と位置関係的には
全く同様の役割を果すことになる。これと同様な理由で
、マーク１５ｂ、１５ｅもそれぞれＩＣチップ１２ｄの
右上隅角部、右下隅角１％狐に設けたマーク１５と同様
の役割を果す。このようにして、次にＩＣチップ１２ｇ
の位置合せを行なう場合は、ＩＣチップ１２ｇ自身のマ
ーク１５ｇと、ＩＣチップ１２ｄ、１２ｅ、１２ｈのそ
れぞれのマーク１５ｄ、１５ｅ、１５ｈと合計４個のマ
ークが用いられる。同様にしてＩＣチップ１２ｈの場合
は、それ自身のマーク１５１１と他のＩＣチップ１２ｅ
、１２ｆ、１２ｉのそれぞれのマーク１５ｅ、１５ｆ、
１５ｉが用いられ、さらにＩＣチップ１２ｅの場合社、
それ自身のマーク１５ｅと、他のＩＣチップ１２’ｂ、
１２ｃ、１２ｆのそれぞれマーク１５ｂ、１５ｃ、１５
ｆが用いられる。さらに他のＩＣチップ１２の位置検出
の場合もこれと同様にして行なわれる。上記の例で明ら
かなように、ＩＣチップ１２ｅのマーク１５ｅは、ＩＣ
チップ１２ｅ自身の位１ａ合せの場合と、これに隣接す
る他のＩＣチップ１２ｄ、１２ｇ、１２ｈの位置合せの
場合と、合計４回マーク検出に用いられその役割を終了
する。すなわち、本実施例においては、各ＩＣチップ１
２に設けられた１個のマーク１５が、それ自身の所属す
るＩＣチップ１２の位置合せの場合と、ｄのＩＣチップ
隣接する他の３個のＩＣチップ１２の位置合せの場合に
も供用され合計４回用いられることになり、このため、
マーク１５の設置個数を、１）ｉＪ出の従来例（第２図
）と比べて、４分の１に減少することができる。これに
より、各ＩＣチップ１２の竜子累子、配線パターン等の
形成面積を３個のマーク１５が占める面積分だけ増大化
することができる。
ークをそれぞれＸ−Ｙ軸方向に電子ビームで走査してそ
の位置検出を行ない、この位置検出で得られたＸ−Ｙ軸
方向の８つの検出データに基づいて、ＩＣチップ１２ｄ
の位置合せを行なうことができる。すなわち、マーク１
５ａはＩＣチップ１２ｄの左上隅角部にきわめて近接し
た位置関係にあるため、前出の従来例（第２図参照）の
ように左上隅角部に設けたマーク１５と位置関係的には
全く同様の役割を果すことになる。これと同様な理由で
、マーク１５ｂ、１５ｅもそれぞれＩＣチップ１２ｄの
右上隅角部、右下隅角１％狐に設けたマーク１５と同様
の役割を果す。このようにして、次にＩＣチップ１２ｇ
の位置合せを行なう場合は、ＩＣチップ１２ｇ自身のマ
ーク１５ｇと、ＩＣチップ１２ｄ、１２ｅ、１２ｈのそ
れぞれのマーク１５ｄ、１５ｅ、１５ｈと合計４個のマ
ークが用いられる。同様にしてＩＣチップ１２ｈの場合
は、それ自身のマーク１５１１と他のＩＣチップ１２ｅ
、１２ｆ、１２ｉのそれぞれのマーク１５ｅ、１５ｆ、
１５ｉが用いられ、さらにＩＣチップ１２ｅの場合社、
それ自身のマーク１５ｅと、他のＩＣチップ１２’ｂ、
１２ｃ、１２ｆのそれぞれマーク１５ｂ、１５ｃ、１５
ｆが用いられる。さらに他のＩＣチップ１２の位置検出
の場合もこれと同様にして行なわれる。上記の例で明ら
かなように、ＩＣチップ１２ｅのマーク１５ｅは、ＩＣ
チップ１２ｅ自身の位１ａ合せの場合と、これに隣接す
る他のＩＣチップ１２ｄ、１２ｇ、１２ｈの位置合せの
場合と、合計４回マーク検出に用いられその役割を終了
する。すなわち、本実施例においては、各ＩＣチップ１
２に設けられた１個のマーク１５が、それ自身の所属す
るＩＣチップ１２の位置合せの場合と、ｄのＩＣチップ
隣接する他の３個のＩＣチップ１２の位置合せの場合に
も供用され合計４回用いられることになり、このため、
マーク１５の設置個数を、１）ｉＪ出の従来例（第２図
）と比べて、４分の１に減少することができる。これに
より、各ＩＣチップ１２の竜子累子、配線パターン等の
形成面積を３個のマーク１５が占める面積分だけ増大化
することができる。
また、各マーク１５はＸ−Ｙ軸方向に電子ビームで走査
されるため、第５図に符号１７で示すように、十字状の
露光部が形成される。これをとのま＼、現像し、エツチ
ング加工を施すと十字状の溝が形成され、さらに、仄の
パターン形成時におけるマーク検出に対して悪影響を与
える場合がある。このため、本実施例では、マーク１５
が前述したように、４回マーク検出に使用された後に、
マーク１５の保Ｈのためにマーク１５を含む領域、すな
わち第５図にｔ１’＋ ｉ％ｔで示す領域を全部露光し
て前述したような十字状露光部１７が残らないように考
慮されている。このような斜線部領域の露光を、本明細
−ＴＩＪ、ではカバー露光と呼ぶととＫする。
されるため、第５図に符号１７で示すように、十字状の
露光部が形成される。これをとのま＼、現像し、エツチ
ング加工を施すと十字状の溝が形成され、さらに、仄の
パターン形成時におけるマーク検出に対して悪影響を与
える場合がある。このため、本実施例では、マーク１５
が前述したように、４回マーク検出に使用された後に、
マーク１５の保Ｈのためにマーク１５を含む領域、すな
わち第５図にｔ１’＋ ｉ％ｔで示す領域を全部露光し
て前述したような十字状露光部１７が残らないように考
慮されている。このような斜線部領域の露光を、本明細
−ＴＩＪ、ではカバー露光と呼ぶととＫする。
このカバー露光はマーク１５の位１ｕ検出の途中、例え
ば２回目がＩ４了した時点で行なうこともできルカ、こ
のカバー露光のだめの電子ビームによって、マーク１５
部分のレジストにバグリング、′電荷のチャージアンプ
、レジストの変質等が発生する場合があシ、このためマ
ーク１５の検出精度が低下する場合がある。従って、マ
ーク１５の検出精度を良好に保つために、本実施例では
マーク１５検出の最終の４回目が終了してからカバー露
光を行なうように特に考慮されている。
ば２回目がＩ４了した時点で行なうこともできルカ、こ
のカバー露光のだめの電子ビームによって、マーク１５
部分のレジストにバグリング、′電荷のチャージアンプ
、レジストの変質等が発生する場合があシ、このためマ
ーク１５の検出精度が低下する場合がある。従って、マ
ーク１５の検出精度を良好に保つために、本実施例では
マーク１５検出の最終の４回目が終了してからカバー露
光を行なうように特に考慮されている。
（ト）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本開明の電子ビーム露光
方法は、同一形状に形成され縦横に配列された複数個の
各試料の同一位置にそれぞれ１個づつ位置検出マークを
設け、露光すべき当該試料のマークと、該試料に隣接す
る他の複数個の試料のマークを供用゛することによシ、
各試料におけるマークの設置個数を減少化することがで
き、各試料における電子素子、配線パターン等のパター
ン形成面積を増大化できるといった効果大なるものがあ
る。
方法は、同一形状に形成され縦横に配列された複数個の
各試料の同一位置にそれぞれ１個づつ位置検出マークを
設け、露光すべき当該試料のマークと、該試料に隣接す
る他の複数個の試料のマークを供用゛することによシ、
各試料におけるマークの設置個数を減少化することがで
き、各試料における電子素子、配線パターン等のパター
ン形成面積を増大化できるといった効果大なるものがあ
る。
第１図は露光試料の一例としてのＩＣチップ１２がウェ
ーハ１０にスクライブ２イン１１によって網目状に区分
され、縦横に一体状に配列している状態を示す平面図、
第２図は従来の電子ビーム露光方法の説明図であって露
光試料の一例として第１図のＩＣチップ１２を示す図、
第３図は第２図の位置検出マーク１５の単体平面図（イ
）と、（イ）のＭ−Ｍ’線断面図（ロフと、（ロ）のマ
ーク１５の段差部−ム露光方法の説明図であって露光試
料の一例として第１図のＩＣチップ１２を示す図（但し
、説明の都合上、特定のＩＣチップに対する符号は１２
ａ〜１２ｉで示している）、第５図は第４図のマーク１
５（但し、説明の都合上、第４図において、特定のマー
クに対する符号は１５ａ〜１５１で示している）の保護
の７こめに行なうカバー露光の説明図である。 １０・・・ウェーハ、１１・・・スクライプライン、１
２．１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ。 １２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉ・・・ＩＣチップ（露
光試料）、１５，１５ａ、１５ｂ、１５ｃ。 １５ｄ、１５ｅ、１５ｆ、１５ｇ、１５ｈ、１５１・・
・位置検出マーク、１６・・・レジスト、１７・・・十
字状の露光部。 第１図 １ 第２図 ■ 第３図 （イ） （ロ） （ハ） 第４図 第５図
ーハ１０にスクライブ２イン１１によって網目状に区分
され、縦横に一体状に配列している状態を示す平面図、
第２図は従来の電子ビーム露光方法の説明図であって露
光試料の一例として第１図のＩＣチップ１２を示す図、
第３図は第２図の位置検出マーク１５の単体平面図（イ
）と、（イ）のＭ−Ｍ’線断面図（ロフと、（ロ）のマ
ーク１５の段差部−ム露光方法の説明図であって露光試
料の一例として第１図のＩＣチップ１２を示す図（但し
、説明の都合上、特定のＩＣチップに対する符号は１２
ａ〜１２ｉで示している）、第５図は第４図のマーク１
５（但し、説明の都合上、第４図において、特定のマー
クに対する符号は１５ａ〜１５１で示している）の保護
の７こめに行なうカバー露光の説明図である。 １０・・・ウェーハ、１１・・・スクライプライン、１
２．１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ。 １２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｉ・・・ＩＣチップ（露
光試料）、１５，１５ａ、１５ｂ、１５ｃ。 １５ｄ、１５ｅ、１５ｆ、１５ｇ、１５ｈ、１５１・・
・位置検出マーク、１６・・・レジスト、１７・・・十
字状の露光部。 第１図 １ 第２図 ■ 第３図 （イ） （ロ） （ハ） 第４図 第５図
Claims (1)
- １、同一形状に形成され縦横に一体状に配列された複数
個の露光試料の電子ビーム露光方法において、前記各試
料の同一位置に位置検出マークをそれぞれ１個づつ設け
、前記各試料の位置合せに際し、当該試料の位置検出マ
ークと、前記当該試料に隣接する他の複数個の試料の位
置検出マークとを供用して、これら位置検出マークを検
出するととＫよシ、前記当該試料に対する電子ビームの
位置合せを行ない、その後前記当該試料の露光を行なう
ようにしたことを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173202A JPS6066428A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173202A JPS6066428A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066428A true JPS6066428A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15955999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58173202A Pending JPS6066428A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066428A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0982603A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置の合わせずれ評価方法 |
| FR2783971A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-03-31 | St Microelectronics Sa | Circuit semi-conducteur comprenant des motifs en surface et procede de reglage d'un outil par rapport a cette surface |
| JP2015056449A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | キヤノン株式会社 | 位置を求める方法、露光方法および物品の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5114272A (en) * | 1974-06-27 | 1976-02-04 | Ibm | Ichiawasemaakuno ichioshiraberusochi |
| JPS5333474A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-29 | Kubota Ltd | Apparatus for retaining heat of shaft insulator |
| JPS53135587A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Fujitsu Ltd | Contactless potentiometer |
| JPS5627929A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-18 | Fujitsu Ltd | Electron beam projection |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58173202A patent/JPS6066428A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5114272A (en) * | 1974-06-27 | 1976-02-04 | Ibm | Ichiawasemaakuno ichioshiraberusochi |
| JPS5333474A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-29 | Kubota Ltd | Apparatus for retaining heat of shaft insulator |
| JPS53135587A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Fujitsu Ltd | Contactless potentiometer |
| JPS5627929A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-18 | Fujitsu Ltd | Electron beam projection |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0982603A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置の合わせずれ評価方法 |
| FR2783971A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-03-31 | St Microelectronics Sa | Circuit semi-conducteur comprenant des motifs en surface et procede de reglage d'un outil par rapport a cette surface |
| JP2015056449A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | キヤノン株式会社 | 位置を求める方法、露光方法および物品の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3073776B2 (ja) | ２個の物体を互いに心合せするための心合せマーク | |
| US5777392A (en) | Semiconductor device having improved alignment marks | |
| KR100310497B1 (ko) | 독특하게위치된얼라인먼트마크를사용하는전자빔리소그래피방법과그얼라인먼트마크를구비하는웨이퍼 | |
| US5095511A (en) | Apparatus for verifying pattern data used in a step-and-repeat process for producing the same patterns regularly arranged on a substance | |
| EP0022329B1 (en) | Electron beam exposure method | |
| JPS6066428A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPS5968928A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100217445B1 (ko) | 정렬 마크를 가진 반도체 장치 | |
| JPH04252016A (ja) | パターン描画方法 | |
| JP2000047369A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
| JP2806242B2 (ja) | 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法 | |
| JPS62149127A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| JPH032292B2 (ja) | ||
| JP2001022049A (ja) | マスク製作方法及びマスクパターンデータ作成装置並びに記録媒体 | |
| JPH07120696B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0387013A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6381570A (ja) | 電子ビ−ム装置に用いるデ−タ処理方法及びデ−タ処理装置 | |
| JP3054909B2 (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPS6152973B2 (ja) | ||
| JP2004117741A (ja) | 描画データの作成方法 | |
| JPH05265192A (ja) | レチクル製造方法 | |
| KR0174992B1 (ko) | 반도체용 레티클 제작방법 및 버니어-키 제작방법 | |
| JP2992081B2 (ja) | パターン作成装置 | |
| JP2874714B2 (ja) | 半導体解析／加工装置 | |
| JPH1116817A (ja) | 微細パターン形成方法 |