JPS6056799B2 - パタ−ン化された銅層を形成する方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁性基板上にパターン化された銅層を形成
する方法に関し、特に半導体集積回路装置の配線層を形
成する場合に適用して好適なものである。

半導体集積回路装置の配線層を、種々の理由で、銅層で
なるものとする必要がある場合がある。

半導体集積回路装置の配線層を、銅層てなるものとして
形成するにつき、従来は、半導体基板上にパターン化さ
れるべき銅層を形成し、次に、その銅層上にパターン化
されたフォトレジストによるマスクを形成し、然る後、
パターン化されるべき銅層に対する、上記マスクをマス
クとした化学エッチングをすることによつて、パターン
化された銅層を、配線層として形成するのを普通として
いた。

然しながら、このような従来の方法の場合、パターン化
せられるべき銅層に対する、パターン化されたマスク層
をマスクとした化学エッチングをする工程において、パ
ターン化された銅層が、側方からエッチングされたもの
即ち所謂サイドエッチングされたものとして得られるの
を余儀なくされる。

このため、パターン化された銅層が、マスク層のパター
ンよりサイドエッチされた量だけ、一周り小さなパター
ンを有するものとして形成される。ところで、パターン
化された銅層は、マスク層のパターンと同じパターンで
得られるのが望ましい。その理由は、マスク層を、形成
せんとするパターン化された銅層の所期のパターンと同
じパターンに形成し置くだけで、パターン化された銅層
を、所期のパターンを有するものとして形成することが
出来るからである。

然しながら、パターン化された銅層が、マスク層のパタ
ーンよりサイドエッチングされた量だけ、一周り小さな
パターンを有するものとして形成されても、上述した化
学エッチングをする工程において、サイドエッチングさ
れる量が、予測されていれば、マスク層のパターンを、
サイドエッチングされる量を見込んで、形成せんとする
パターン化された銅層の所期のパターンよソー周り大き
なパターンに、予め形成しておくことにより、パターン
化された銅層を、所期のパターンを有するものとして形
成することが出来る。

然しながら、上述した従来の方法による場合、上述した
化学エッチングをする工程において、上述したサイドエ
ッチングされる量を予測するのが極めて困難であつた。

このため、上述した従来の方法の場合、パターン化され
た銅層を、所期のパターンを有するものとして、微細に
、高精度に形成するのが極めて困難であつた等の欠点を
有していた。よつて本発明は、上述した欠点のない新規
なパターン化された銅層を形成する方法を提案せんとす
るものである。

本発明者は、第１図Ａに示すような、例えば、シリコン
でなる基板１上に例えば酸化シリコン（ＳｌＯ２）でな
る絶縁層２を形成している絶縁性基板３を予め用意し、
そして、その絶縁性基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂに
示すように、パターン化されるべき銅層４を、それ自体
は公知の例えば蒸着によつて形成し、次に、そのパター
ン化されるべき銅層４上に、第１図Ｃに示すように、パ
ターン化された例えばフォトレジストでなるマスク層５
を、絶縁性基板３上の銅層４上にフォトレジスト層を形
成し、そのフォトレジスト層に対するフォトマスクを用
いた露光、続く現像をなすという、それ自体は公知の方
法によつて形成し、かくて、絶縁性基板３上にパターン
化されるべき銅層４が形成され、その銅層４上にパター
ン化されたマスク層５が形成されている基板体６を得た
。

そして、基板体６を、第２図に示すように、硫酸（Ｈ２
ＳＯ４）を溶質の主体としている水溶液でなる電解液１
１を収容している槽１２内に、銅層４が略々垂直面上に
延長するように、浸漬させ、また、その槽１２内に、例
えば白金でなる電極１３を、基板体６の銅層４と対向す
るように、浸漬させ、然して、基板体６におけるパター
ン化されるべき銅層４を、マスク層５によつてマスクさ
れていない領域において、直流電源１４の正極側に接続
し、また、電極１３を、直流電源１４の負極側に接続し
て、銅層４に対する、マスク層５をマスクとし、且つ硫
酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた
電解エッチングをなした。然るときは、銅層４のマスク
層５によつてマスクされていない領域が、陽極として作
用し、そして、その陽極側で、 ＣＵ−＋Ｃｕ４
＋＋４ｅ− で表わされる化学反応が生じ、また電解液１１中で、Ｃ
Ｕ４＋＋２Ｈ２Ｓ０４→２ＣＵ（ＳＯ４）２＋沿Ｐの化
学反応が生じ、さらに、電極１３が陰極として作用して
、その陰極側で 社Ｐ＋４ｅ−→２Ｈ２↑ で表わされる化学反応が生ずるという機構で、銅層４の
、マスク層５によつてマスクされていない領域が、第３
図Ａに示すエッチングされていない状態から、第３図Ｂ
で一般的に示すような、表面”からエッチングされつつ
ある状態を経て、第３図Ｃで一般的に示すように、全厚
さに亘つてエッチングされて、パターン化された銅層７
が、マスク層５下に形成されることを確認するに到つた
。

但し、この場合、電極１３を白金でなるものとした。さ
らに、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべき銅層４と電極１３との間に接続している
直流電源１４を直流定電流源とし、そして銅層４の、マ
スク層５によつてマスクされていない領域と、電極１３
との間の電圧Ｖ（ボルト）を、電圧計１５を用いて測定
しながら行つた。然るときは、時間ｔ（分）に対する電
圧■の関係が、第４図に示すように、時点Ｔａまでの間
においては、電圧■が時間ｔと共に僅かづつ上昇するが
、時点Ｔａから電圧Ｖが急激に大になるものとして得ら
れた。

さらに、本発明者は、上述した時間ｔに対する電圧■の
関係と、銅層４の、マスク層５によつてマスクされてい
ない領域のエッチングの状態とを調べた結果、電圧Ｖが
時間ｔと共に僅かづつ上昇している時点Ｔａまでの間に
おいては、銅層４の、マスク層５によつてマスクされて
いない領域が、時間ｔと共に表面からエッチングされる
が、時点Ｔａに達すれば、銅層４の、マスク層５によつ
てマスクされていない領域が、その全厚さに亘つてエッ
チングされ、第３図Ｃで一般的に示すように、パターン
化された銅層７が得られていることを確認するに到つた
。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電圧■が、急激に大になる時点Ｔａ即ち銅層４
の、マスク層５によつてマスクされていない領域が、そ
の全厚さに亘つてエッチングされる時点まで行つて、上
述したパターン化された銅層７を形成する場合、そのパ
ターン化された銅層７は、一般に、その側面が、第３図
Ｃでマスク層５の側面より内側にあるものとして示され
ているように、サイドエッチングされたものとして得ら
れていることを確認するに到つた。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべき銅層４と電極１３との間に接続している
直流電源１４を直流定電圧源とし、そしてその直流定電
圧源から、銅層４を通つて流れる電流１（Ｍ，Ａ）を、
電流計１６を用いて測定しながら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電流１の関係が、第
５図に示すように、時点ｔ１″までの間においては、電
流１が時間ｔと共に僅かづつ減少するが、時点Ｔａ″か
ら電流１が急激に小になるものとして得られた。

さらに、本発明者は、上述した時間ｔに対する電流１の
関係と、銅層４の、マスク層５によつてマスクされてい
ない領域のエッチングの状態とを調べた結果、電流１が
時間ｔと共に僅かづつ減少している時点Ｔａ″までの間
においては、銅層４の、マスク５によつてマスクされて
いない領域が、時間ｔと共に表面からエッチングされる
が、時点Ｔａ″に達すれば、銅層４の、マスク層５によ
つてマスクされていない領域が、その全厚さに亘つてエ
ッチングされ、第３図Ｃで一般的に示すように、パター
ン化された銅層７が得られていることを確認するに到つ
た。

なおさらに、本発明者は、土述した電解エッチングを、
上述した電流１が、急激に小になる時点Ｔ．，″即ち銅
層４の、マスク層５によつてマスクされていない領域が
、その全厚さに亘つてエッチングされる時点まで行つて
、上述したパターン化された銅層７を形成する場合、そ
のパターン化されたアルミニウム層７は、一般に、その
側面が、第３図Ｃでマスク層５の側面より内側にあるも
のとして示されているように、サイドエッチングされた
ものとして得られていることを確認するに到つた。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、電解液
１１の温度Ｔ（℃）を一定温度Ｔｅ（℃）として、直流
電源１４から基板体６における銅層４、及び電極１３を
通つて、電解液１１に流れる電流１を変え、従つて、銅
層４に流れる電流の密度Ｊ（ＴｒＬＡ′Ｃｆｉ）を変え
て、直流電源１４が直流低電流源である場合、上述した
電圧Ｖが、急激に大になる時点Ｔａまで、また、直流電
源１４が直流定電圧源である場合、上述した電流１が、
急激に小になる時点ｔ１″まで、即ち銅層４の、マスク
層５によつてマスクされていない領域が、その全厚さに
亘つてエッチングされる時点まで行つて、上述したパタ
ーン化された銅層７を形成し、そして、その銅層７がサ
イドエッチングされている量即ちサイドエッチング量Ｙ
（μｍ）を測定した。

然るときは、電解液の温度Ｔをパラメータとする電流密
度Ｊに対する上述したサイドエッチング量Ｙの関係が、
第６図に示すように得られた。

但し、第６図は、電解液１１が、硫酸のみを溶質とした
水溶液でなり、また、電解液１１の温度ＴｅＣＣ）が３
３．０℃であり、さらに銅層４が、１μｍの厚さを有し
ている場合の測定結果である。よつて、第６図に示す測
定結果から、電解液１１の温度Ｔを一定温度ＴｅＣＣ）
とした場合、電流密度Ｊを大とすれば、上述したサイド
エッチング量Ｙが小になることを確認するに到つた。ま
た、このように電流密度Ｊが大になるように、電解液１
１に流れる電流を大とすれば、サイドエッチング量Ｙが
小となるものとして得られるのは、電流密度Ｊを大とす
れは、銅層４と、電極１３との間の電解強度が、主とし
て、銅層４と、電極１３とを結ふ方向に関し、他の方向
に比し格段的に強くなり、このため、銅層４のマスク層
５”によつてマスクされていない領域が厚さ方向にエッ
チングされる速度と、面方向にエッチングされる速度と
の比が大になるからであることも確認するに到つた。さ
らに、電流密度Ｊを一定とした場合、電解液１１の温度
Ｔを低くすれば、上述したサイドエッチング量Ｙが小に
なることを確認するに到つた。

なおさらに、上述したサイドエッチング量Ｙを同じ値で
得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くすれば、これに
応じて電流密度Ｊを大にすればよ・いことも確認するに
到つた。また、第６図に示す測定結果から、上述したサ
イドエッチング量Ｙの値が零になるときの、電解液１１
の温度Ｔに対する電流密度Ｊの関係が、第７図に示すよ
うに得られること、及び上述したように、電解液１１の
温度Ｔを一定とした場合、電流密度Ｊを大とすれば、上
述したサイドエッチング量Ｙが小になることから、上述
した電解エッチングを、電解液１１の温度Ｔを温度Ｔｅ
ＣＣ）にし、また電流密度Ｊを、躍 晶ｖ暫ｖ ＼
轟 −Ｖｌ４＼ｌνノて与えられる電流密度Ｊｅ（７ｎ
ＡＩｄ）以上の電流密度にして行えば、上述したパター
ン化された銅層７が、第８図に示すように、上述したサ
イドエッチング量Ｙが略々零であるものとして形成され
ることも確認するに到つた。

さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（ＭＡｌｃＴｌ）
とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上述し
たサイドエッチング量Ｙが小になることから、上述した
電解エッチングを、電流密度ＪをＪｅ（７ＴＬＡＩｄ）
にし、電解液１１の温度Ｔを、で与えられる温度ＴｅＣ
Ｃ）以下の温度にじ去嘗一えば、上述したパターン化さ
れた銅層７が、第８図に示すように、上述したサイドエ
ッチング量が略々零であるものとして形成されることも
確認するに到つた。

よつて、本発明者は、特許請求の範囲記載の発！明を、
本発明による発明として提案するに到つた。

以上て、本発明によるパターン化された銅層を形成する
方法が明らかとなつた。

このような本発明による方法によれば、バター！ン化さ
れるべき銅層に対する、パターン化されたマスク層をマ
スクとした電解エッチングをする工程において、形成さ
れるパターン化された銅層のサイドエッチング量Ｙを、
第６図で上述したところから明らかなように、電解液の
温度Ｔと電流密４度Ｊとによつて、予測することができ
る。

このため、パターン化されるべき銅層上にパターン化さ
れたマスク層を形成する工程において、そのパターン化
されたマスクを、予測されるサイドエッチング量Ｙを見
込んで形成することにより、パターン化された銅層を、
所期のパターンを有するものとして、微細に、高精度に
、容易に形成することが出来る、という特徴を有する。

また、上述した電解エッチングをする工程において、そ
の電解エッチングを、電解液の温度Ｔを温度Ｔｅ（℃）
にし、電流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜（１ｃ）式で
与えられる電流密度Ｊｅ（Ｒｒｌ．ＡＩｃｌｔ）以上の
電流密度にして行えば、または、電流ノ密度Ｊを電流密
用ｅ（ＭＡＩｃＩｔ）にし、電解液の温度Ｔを、上述し
た（２ａ）〜（２ｃ）式て与えられる温度ＴｅＣＣ）以
下の温度にして行えば、パターン化された銅層が、サイ
ドエッチング量Ｙが略々零であるものとして形成される
。このため、パターン化されたマスク層を形成する工程
において、そのマスク層を、形成せんとするパターン化
された銅層の所期のパターン化と同じパターンに形成し
、また、上述した電解エッチングの工程において、電解
液の温度Ｔを温度Ｔｅとするとき、電流密度Ｊを上述し
た（１ａ）〜（１ｃ）式て与えられる電流密度Ｊｅ以上
の電流密度にし、または、電流密度Ｊを電流密度Ｊｅと
するとき、電解液の温度Ｔを上述した（２ａ）〜（２ｃ
）式て与えられる温度Ｔｅ以下の温度にすることによつ
て、パターン化された銅層を、所期のパターン化を有す
るものとして、微細に、高精度に、容易に形成すること
ができるという特徴を有する。

さらに、上述した電解エッチングを、直流電源として直
流定電流源を用いて行なう場合、その電解エッチングを
する工程における、その電解エッチングの終了時点が、
陽極としてのパターン化されるべき銅層と、これに対す
る陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点に対応し
ているので、上述した電解エッチングを、陽極としての
パターン化されるべき銅層と、これに対する陰極電極と
の間の電圧が急激に大になる時点まで行うことによつて
、パターン化された銅層を、所期のパターンを有するも
のとして、再現性良く、微細に、高精度に、容易に形成
することができる特徴を有する。なお、さらに、電解エ
ッチングを、直流電源として直流定電流源を用いて行な
う場合、上述した、陽極としてのパターン化されるべき
銅層と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激に大
になる時点は、これを、種々の電圧検出器によつて、容
易に検出し得、また、その電圧検出器の出力によつて、
陽極としての銅層と、これに対する陰極電極との間に接
続している直流定電流源をオフにしたり、直流定電流源
と、陽極としての銅層または陰極電極との間の線路を切
断したりするという簡易な手段によつて、上述した電解
エッチングを、陽極としてのパターン化されるべき銅層
と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激に大にな
る時点で、直ちに且つ容易に終了させることができる。

また、上述した電解エッチングを、直流電源として直流
定電圧源を用いて行なう場合、その電解エッチングをす
る工程における、その電解エッチングの終了時点が、直
流定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべき銅
層を通つて流れる電流が急激に小になる時点に対応して
いるので、上述した電解エッチングを、直流定電圧源か
ら、陽極としてのパターン化されるべき銅層を通つて流
れる電流が急激に小になる時点まで行うことによつて、
パターン化された銅層を、所期のパターンを有するもの
として、再現性良く、微細に、高精度に、容易に形成す
ることができる特徴を有する。

なおさらに、電解エッチングを、直流電源として直流定
電圧源を用いて行なう場合、直流定電圧源から、上述し
た陽極としてのパターン化されるべき銅層を通つて流れ
る電流が急激に小になる時点は、これを、種々の電流検
出器によつて、容易に検出し得、また、その電流検出器
の出力によつて、陽極としての銅層と、これに対する陰
極電極との間に接続している直流定電圧源をオフにした
り、直流定電圧源と、陽極としての銅層または陰極電極
との間の線路を切断したりするという簡易な手段によつ
て、上述した電解エッチングを、直流定電圧源から、陽
極としてのパターン化されるべき銅層を通つて流れる電
流が急激に小になる時点で、直ちに且つ容易に終了させ
ることができる。

従つて、上述した本発明の特徴を、確実、容易に発揮す
ることができる、という特徴を有する。

また、本発明によるパターン化された銅層を形成する方
法によつて形成される、パターン化された銅層は、配線
層として機能する。−従つて、本発明は、これを半導体
集積回路装置の配線層を形成する場合に適用して、極め
て好適である、という特徴を有する。

次に、本発明の実施例を述べよう。

実施例１ 第１図Ａで上述したと同様に、基板１上に絶縁層２を形
成している絶縁性基板３を予め用意した。

但し、この場合、基板１を、表面積が約４０．０ｄのシ
リコンでなるものとした。また、絶縁層２を酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）でなるものとした。然して、絶縁性基板
３の絶縁層２上に、第１図Ｂで上述したと同様に、パタ
ーン化されるべき銅層４を形成した。但し、この場合、
銅層４を蒸着によつて、１μｍの厚さを有するものとし
て形成した。次に、銅層４上に、第１図Ｃで上述したと
同様に、パターン化されたマスク層５を形成した。但し
、この場合、マスク層５を、銅層４上に、フォトレジス
ト層を形成し、そのフォトレジスト層に対するフォトマ
スクを用いた露光、続く現像処理をなすことによつて、
フォトレジストでなるものとして形成した。このように
して、第１図Ｃで上述したと同様に、絶縁性基板３上に
パターン化されるべき銅層４が形成され、その銅層４上
にパターン化されたマスク層５が形成されている基板体
６を得た。

次に、基板体６を、第２図で上述したと同様に、硫酸を
溶質とした水溶液てなる電解液１１を収容している槽１
２内に、銅層４が、略々垂直面上に延長するように浸漬
させ、また、その槽１２内に、白金でなる電極１３を、
基板体６の銅層４と対向するように浸漬させ、然して、
基板体６におけるパターン化されるべき銅層４を、マス
ク層５によつてマスクされていない領域において、直流
定電流源でなる直流電源１４の正極側に接続し、また、
電極１３を、直流電源１４の負極側に接続して、銅層４
に対する、硫酸を溶質としている水溶液でなる電解液１
１を用いた電解エッチングを、銅層４及び電極１３間の
電圧■が急激に大゛になる時点までなし、パターン化さ
れた銅層７を得た。この場合、電解液１１の温度を３３
．０℃とし、また電解液１１に通する電流を、１６０．
０ｍＡとし、従つて銅層４に通する電流密度を、４．０
（＝１６０．０ＲｒＬ，Ａ／４０．０ｃｄ）７ｎＡＩｄ
とした。

然るときは、パターン化された銅層７が、サイドエッチ
ング量が略々零であるものとして形成された。実施例２ 上述した本発明の実施例１の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、アルミニウム層を通つて流れる電
流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いては
、上述した本発明の実施例１の場合と同様の工程をとつ
て、パターン化された銅層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１の場合と同様に
、パターン化された銅層７が、サイドエッチング量が略
々零であるものとして形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
銅層を形成する方法の説明に供する、パターン化される
べき銅層上に、パターン化されたマスク層を形成する順
次の工程における、路線的断面図てある。 第２図は、同様に、本発明によるパターン化された銅層
を形成する方法の説明に供する、パターン化されるべき
銅層に対する電解エッチングによつて、パターン化され
た銅層を形成する工程を示す、路線図である。第３図は
、同様に、本発明によるパターン化された銅層を形成す
る方法の説明に供する、パターン化されるべき銅層に対
する電解エッチングによつて、パターン化された銅層を
形成する工程における、路線的断面図である。第４図は
、同様に、本発明によるパターン化された銅層を形成す
る方法の説明に供する、直流定電流源でなる直流電源を
用いたパターン化されるべき銅層に対する電解エッチン
グによつて、パターン化された銅層を形成する工程にお
ける、時間ｔ（分）に対する、基板体における陽極とし
ての銅層と、これに対する陰極電極との間の電圧■（ボ
ルト）の関係を示す図である。第５図は、同様に、本発
明によるパターン化された銅層を形成する方法の説明に
供する、直流定電圧源でなる直流電源を用いたパターン
化されるべき銅層に対する電解エッチングによつて、パ
ターン化された銅層を形成する工程における、時間ｔ（
分）に対する、直流定電圧源から、基板体における陽極
としての銅層を通つて流れる電流１（Ｍ．Ａ）の関係を
示す図てある。第６図は、同様に、本発明によるパター
ン化された銅層を形成する方法の説明に供する、パター
ン化されるべき銅層に対する電解エッチングによつて、
パターン化された銅層を形成する工程における、電解液
の温度をパラメータとした、電流密度Ｊ（ＭＡｌｃＦｌ
ｆ）に対する、本発明によつて形成されるパターン化さ
れた銅層のサイドエッチング量Ｙ（μＲｒＬ）の関係を
示す図である。第７図は、同様に、本発明によるパター
ン化された銅層を形成する方法の説明に供する、パター
ン化されるべき銅層に対する電解エッチングによつて、
パターン化された銅層を形成する工程における、本発明
によつて形成されるパターン化された銅層のサイドエッ
チング量Ｙが零となるときの、電解液の温度ＴＣＣ）に
対する、電流密度Ｊ （Ｔｌ．Ａｌｄ）の関係を示ず図
である。第８図は、本発明によるパターン化された銅層
を形成する方法によつて得られる、パターン化された銅
層の一例を示す路線的断面図である１・・・・・・基板
、２・・・・・・絶縁層、３・・・・・絶縁性基板、４
・・・・・・パターン化されるべき銅層、５・・・・・
・パターン化されたマスク層、６・・・・・・基板体、
７・・・パターン化された銅層、１１・・・・・・電解
液、１２・・・・・・槽、１３・・・・・・電極、１４
・・・・・・直流電源、１５・・・・・・電圧計、１６
・・・・・・電流計。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上にパターン化されるべき銅層を形成し
   、該銅層上にパターン化されたマスク層を形成し、然る
   後、上記銅層に対する、上記マスク層をマスクとし、且
   つ硫酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液を用
   いた電解エッチングを行うことによつて、パターン化さ
   れた銅層を形成することを特徴とするパターン化された
   銅層を形成する方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化された銅層
   を形成する方法において、上記電解エッチングを、上記
   電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電流密度Ｊ（
   ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝３．９４（１±０．１） ｂ＝１７．３（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化された銅層を形成する
   方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化された銅層
   を形成する方法において、上記電解エッチングを、電流
   密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）と
   し、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝３．９４（１±０．１） ｂ＝１７．３（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化された銅層を形成する方法。 ４ 絶縁性基板上にパターン化されるべき銅層を形成し
   、該銅層上にパターン化されたマスク層を形成し、然る
   後、上記銅層に対する、上記マスク層をマスクとし、且
   つ硫酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液を用
   いた電解エッチングを、上記パターン化されるべき銅層
   を陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべき銅層
   とこれに対する陰極電極との間に直流定電流源を接続し
   て、上記陽極としてのパターン化されるべき銅層と上記
   陰極電極との間の電圧が、急激に大になる時点まで行う
   ことによつて、パターン化された銅層を形成することを
   特徴とするパターン化された銅層を形成する方法。 ５ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化された銅層
   を形成する方法において、上記電解エッチングを、上記
   電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電流密度Ｊ（
   ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝３．９４（１±０．１） ｂ＝１７．３（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化された銅層を形成する
   方法。 ６ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化された銅層
   を形成する方法において、上記電解エッチンクを、電流
   密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）と
   し、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ■３．９４（１±０．１） ｂ＝１７．３（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化された銅層を形成する方法。 ７ 絶縁性基板上にパターン化されるべき銅層を形成し
   、該銅層上にパターン化されたマスク層を形成し、然る
   後、上記銅層に対する、上記マスク層をマスクとし、且
   つ硫酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液を用
   いた電解エッチングを、上記パターン化されるべき銅層
   を陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべき銅層
   とこれに対する陰極電極との間に直流定電圧源を接続し
   て、該直流定電圧源から上記陽極としてのパターン化さ
   れるべき銅層を通つて流れる電流が、急激に小になる時
   点まで行うことによつて、パターン化された銅層を形成
   することを特徴とするパターン化された銅層を形成する
   方法。 ８ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化された銅層
   を形成する方法において、上記電解エッチングを、上記
   電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電流密度Ｊ（
   ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝３．９４（１±０．１） ｂ＝１７．３（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化された銅層を形成する
   方法。 ９ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化された銅層
   を形成する方法において、上記電解エッチングを、電流
   密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）と
   し、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝３．９４（１±０．１） ｂ＝１７．３（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化された銅層を形成する方法。