JPS6056798B2 - パタ−ン化されたアルミニウム層を形成する方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁性基板上にパターン化されたアルミニウ
ム層を形成する方法に関し、特に半導体集積回路装置の
配線層を形成する場合に適用して好適なものである。

半導体集積回路装置の配線層は、種々の理由で、アルミ
ニウム層でなるのを普通としている。

半導体集積回路装置のアルミニウム層でなる配線層を形
成するにつき、従来は、半導体基板上にパターン化され
るべきアルミニウム層を形成し、次に、そのアルミニウ
ム層上にパターン化されたフォトレジストによるマスク
を形成し、然る後、パターン化されるべきアルミニウム
層に対する、上記マスクをマスクとした化学エッチング
をすることによつて、パターン化されたアルミニウム層
を、配線層として形成するのを普通としていた。然しな
がら、このような従来の方法の場合、パターン化せられ
るべきアルミニウム層に対する、パターン化されたマス
ク層をマスクとした化学エッチングをする工程において
、パターン化されたアルミニウム層が、側方からエッチ
ングされたもの即ち所謂サイドエッチングされたものと
して得られるのを余儀なくされる。このため、パターン
化されたアルミニウム層が、マスク層のパターンよりサ
イドエッチングされた量だけ、一周り小さなパターンを
有するものとして形成される。ところで、パターン化さ
れたアルミニウム層ノは、マスク層のパターンと同じパ
ターンで得られるのが望ましい。その理由は、マスク層
を、形成せんとするパターン化されたアルミニウム層の
所期のパターンと同じパターンに形成し置くだけで、パ
ターン化さ７れたアルミニウム層を、所期のパターンを
有するものとして形成することが出来るからである。

然しながら、パターン化されたアルミニウム層が、マス
ク層のパターンよりサイドエッチングされた量だけ、一
周り小さなパターンを有するものフとして形成されても
、上述した化学エッチングをする工程において、サイド
エッチングされる量が、予測されていれば、マスク層の
パターンを、サイドエッチングされる量を見込んで、形
成せんとするパターン化されたアルミニウム層の所期の
パターンよソー周り大きなパターンに、予め形成してお
くことにより、パターン化されたアルミニウム層を、所
期のパターンを有するものとして形成することが出来る
。然しながら、上述した従来の方法による場合、上述し
た化学エッチングをする工程において、上述したサイド
エッチングされる量を予測するのが極めて困難であつた
。

このため、上述した従来の方法の場合、パターン化され
たアルミニウム層を、所期のパターンを有するものとし
て、微細に、高精度に形成するのが極めて困難であつた
等の欠点を有していた。よつて本発明は、上述した欠点
のない新規なパターン化されたアルミニウム層を形成す
る方法を提案せんとするものである。本発明者は、第１
図Ａに示すような、例えば、シリコンでなる基板１上に
例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）てなる絶縁層２を形成
している絶縁性基板３を予め用意し、そして、その絶縁
性基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂに示すように、パタ
ーン化されるべきアルミニウム層４を、それ自体は公知
の例えば蒸着によつて形成し、次に、そのパターン化さ
れるべきアルミニウム層４上に、第１図Ｃに示すように
、パターン化された例えばフォトレジストでなるマスク
層５を、絶縁性基板３上のアルミニウム層４上にフォト
レジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に対するフ
ォトマスクを用いた露光、続く現像をなすという、それ
自体は公知の方法によつて形成し、かくて、絶縁性基板
３上にパターン化されるべきアルミニウム層４が形成さ
れ、そのアルミニウム層４上にパターン化されたマスク
層５が形成されている基板体６を得た。

そして、その基板体６を、第２図に示すように、水酸化
カリウム（Ｋ（０Ｈ））を溶質の主体．としている水溶
液でなる電解液１１を収容している槽１２内に、アルミ
ニウム層４が略々垂直面上に延長するように、浸漬させ
、また、その槽１２内に、例えば白金でなる電極１３を
、基板体６のアルミニウム層４と対向するように、浸漬
させ、・然して、基板体６におけるパターン化されるべ
きアルミニウム層４を、マスク層５によつてマスクされ
ていない領域において、直流電源１４の正極側に接続し
、また、電極１３を、直流電源１４の負極側に接続して
、アルミニウム層４に対する、マスク層５をマスクとし
、且つ水酸化カリウムを溶質の主体としている水溶液で
なる電解液を用いた電解エッチングをなした。

しかるときは、アルミニウム層４の、マスク層５によつ
てマスクされていない領域が、第３図Ａに示すエッチン
グされていない状態から、第３図Ｂで一般的に示すよう
な、表面からエッチングされつつある状態を経て、第３
図Ｃで一般的に示す″ように、全厚さに亘つてエッチン
グされて、パターン化されたアルミニウム層７が、マス
ク層５下に形成されることを確認するに到つた。

但し、この場合、電極１３を白金でなるものとした。さ
らに、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべきアルミニウム層４と電極１３との間に接
続している直流電源１４を直流定電流源とし、そしてア
ルミニウム層４の、マスク層５によつてマスクされてい
ない領域と、電極１３との間の電圧Ｖ（ボルト）を、電
圧計１５を用いて測定しながら行つた。然るときは、時
間ｔ（分）に対する電圧Ｖの関係が、第４図に示すよう
に、時点Ｔａまでの間においては、電圧Ｖが時間ｔと共
に僅かづつ上昇するが、時点Ｔａから電圧Ｖが急激に大
になるものとして得られた。

さらに、本発明者は、上述した時間ｔに対する電圧Ｖの
関係と、アルミニウム層４の、マスク層５によつてマス
クされていない領域のエッチングの状態とを調べた結果
、電圧■が時間ｔと共に僅かづつ上昇している時点Ｔａ
までの間においては、アルミニウム層４の、マスク層５
によつてマスクされていない領域が、時間ｔと共に表面
からエッチングされるが、時点Ｔａに達すれば、アルミ
ニウム層４の、マスク層５によつてマスクされていない
領域が、その全厚さに亘つてエッチングされ、第３図Ｃ
で一般的に示すように、パターン化されたアルミニウム
層７が得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点Ｔａ即ちアルミ
ニウム層４の、マスク層５によつてマスクされていない
領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点まで
行つて、上述したパターン化されたアルミニウム層７を
形成する場合、そのパターン化されたアルミニウム層７
は、一般に、その側面が、第３図Ｃでマスク層５の側面
より内側にあるものとして示されているように、サイド
エッチングされたものとして得られていることを確認す
るに到つた。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべきアルミニウム層４と電極１３との間に接
続している直流電源１４を直流定電圧源とし、そしてそ
の直流定電圧源から、アルミニウム層４を通つて流れる
電流１（Ｗｌ，Ａ）を、電流計１６を用いて測定しなが
ら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電流１の関係が、第
５図に示すように、時点Ｔ８″までの間においては、電
流１が時間ｔに共に僅かづつ減少するが、時点Ｔ．″か
ら電流１が急激に小になるものとして得られた。さらに
、本発明者は、上述した時間ｔに対する電流１の関係と
、アルミニウム層４の、マスク層５によつてマスクされ
ていない領域のエッチングの状態とを調べた結果、電流
１が時間ｔと共に僅かづつ減少している時点Ｔａ″まで
の間においては、アルミニウム層４の、マスク層５によ
つてマスクされていない領域が、時間ｔと共に表面から
エッチングされるが、時点Ｔａ″に達すれば、アルミニ
ウム層４の、マスク層５によつてマスクされていない領
域が、その全厚さに亘つてエッチングされ、第３図Ｃで
一般的に示すように、パターン化されたアルミニウム層
７が得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電流１が、急激に小になる時点ｔ１″即ちアル
ミニウム層４の、マスク層５によつてマスクされていな
い領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点ま
で行つて、上述したパターン化されたアルミニウム層７
を形成する場合、そのパターン化されたアルミニウム層
７は、一般に、その側面が、第３図Ｃでマスク層５の側
面より内側にあるものとして示されているように、サイ
ドエッチングされたものとして得られていることを確認
するに到つた。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、電解液
１１の温度ＴＣＣ）を一定温度Ｔｅ（℃）として、直流
電源１４から基板体６におけるアルミニウム層牡及び電
極１３を通つて、電解液１１に流れる電流１を変え、従
つて、アルミニウム層４に流れる電流の密度Ｊ（ＴｒＬ
ＡｌｃＩｔ）を変えて、直流電源１４が直流低電流源で
ある場合、上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点ｔま
で、また、直流電源１４が直流定電圧源である場合、上
述した電流■が、急激に小になる時点ｔ１″まで、即ち
アルミニウム層４の、マスク層５によつてマスクされて
いない領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時
点まで行つて、上述したパターン化されたアルミニウム
層７を形成し、そして、そのアルミニウム層７がサイド
エッチングされている量即ちサイドエッチング量Ｙ（μ
Ｒｒｌ．）を測定した。

然るときは、電解液の温度Ｔをパラメータとする電流密
度Ｊに対する上述したサイドエッチング量Ｙの関係が、
第６図に示すように得られた。

但し、第６図は、電解液１１が、水酸化カリウムのみを
溶質とした水溶液でなり、また、電解液１１の温度Ｔｅ
ＣＣ）が３３．０℃であり、さらにアルミニウム層４が
、１μｍの厚さを有している場合の測定結果である。よ
つて、第６図に示す測定結果から、電解液１１の温度Ｔ
を一定温度ＴｃＣＣ）とした場合、電流密度Ｊを大とす
れば、上述したサイドエッチング量Ｙが小になることを
確認するに到つた。

また、このように電流密度Ｊが大になるように、電解液
１１に流れる電流を大とすれば、サイドエッチング量Ｙ
が小となるものとして得られるのは、電流密度Ｊを大と
すれば、アルミニウム層Ｊ４と、電極１３との間の電界
強度が、主として、アルミニウム層４と、電極１３とを
結ぶ方向に関し、他の方向に比し格段的に強くなり、こ
のため、アルミニウム層４のマスク層５によつてマスク
されていない領域が厚さ方向にエッチングされ門る速度
と、面方向にエッチングされる速度との比が大になるか
らであることも確認するに到つた。さらに、電流密度Ｊ
を一定とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、
上述したサイドエッチング量Ｙが小になることを確認す
るに到つた。なおさらに、上述したサイドエッチング量
Ｙを同じ値で得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くす
れば、これに応じて電流密度Ｊを大にすればよいことも
確認するに到つた。また、第６図に示す測定結果から、
上述したサイドエツチング量Ｙの値が零になるときの、
電解液１１の温度Ｔに対する電流密度Ｊの関係が、第７
図に示すように得られること、及び上述したように、電
解液１１の温度Ｔを一定とした場合、電流密度Ｊを大と
すれば、上述したサイドエッチング量Ｙが小になること
から、上述した電解エッチングを、電解液１１の温度Ｔ
を温度Ｔｅ（℃）にし、また電流密度Ｊを、て与えられ
る電流密度Ｊｅ（Ｔｎ．Ａｌｃｌｔ）以上の電流密度に
して行えば、上述したパターン化されたアルミニウム層
７が、第８図に示すように、上述したサイドエッチング
量Ｙが略々零であるものとして形成されることも確認す
るに到つた。

さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（Ｍ，Ａｌｃｌ）
とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上述し
たサイドエッチング量Ｙが小になることから、上述した
電解エッチングを、電流密度ＪをＪｅ（７Ｔｔ．ＡＩｃ
ＩＬ）にし、電解液１１の温度Ｔを、で与えられる温度
ＴｅＣＣ）以下の温度にして行えば、上述したパターン
化されたアルミニウム層７が、第８図に示すように、上
述したサイドエッチング量Ｙが略々零であるものとして
形成されることも確認するに到つた。

よつて、本発明者は、特許請求の範囲記載の発明を、本
発明による発明として提案するに到つた。以上で、本発
明によるパターン化されたアルミニウム層を形成する方
法が明らかとなつた。

このような本発明による方法によれば、パターン化され
るべきアルミニウム層に対する、パターン化されたマス
ク層をマスクとした電解エッチングをする工程において
、形成されるパターン化されたアルミニウム層のサイド
エッチング量Ｙを、第６図で上述したところから明らか
なように、電解液の温度Ｔと電流密度Ｊとによつて、予
測することができる。このため、パターン化されるべき
アルミニウム層上にパターン化されたマスク層を形成す
る工程において、そのパターン化されたマスクを、予測
されるサイドエッチング量Ｙを見込んで形成することに
より、パターン化されたアルミニウム層を、所期のパタ
ーンを有するものとして、微細に、高精度に、容易に形
成することが出来る、という特徴を有する。

また、上述した電解エッチングをする工程において、そ
の電解エッチングを、電解液の温度Ｔを温度ＴｅＣＣ）
にし、電流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜（１ｃ）式で
与えられる電流密度Ｊｅ（ＴｎＡＩｃｌｔ）以上の電流
密度にして行えば、または、電流密度Ｊを電流密胆ｅ（
Ｍ．Ａｌｃｌｔ）にし、電解液の温度Ｔを、上述した（
２ａ）〜（２ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ（℃）以下の
温度にして行えば、パターン化されたアルミニウム層が
、サイドエッチング量Ｙが略々零であるものとして形成
される。

このため、パターン化されたマスク層を形成する工程に
おいて、そのマスク層を、形成せんとするパターン化さ
れたアルミニウム層の所期のパターンと同じパターンに
形成し、また、上述した電解エッチングの工程において
、電解液の温度Ｔを温度Ｔｅとするとき、電流密度Ｊを
上述した（１ａ）〜（１ｃ）式で与えられる電流密度Ｊ
ｅ以上の電流密度にし、または、電流密度Ｊを電流密度
Ｊｅとするとき、電解液の温度Ｔを上述した（２ａ）〜
（２ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ以下の温度にすること
によつて、パターン化されたアルミニウム層を、所期の
パターンを有するものとして、微細に、高精度に、容易
に形成することができるという特徴を有する。さらに、
上述した電解エッチングを、直流電源として直流定電流
源を用いて行なう場合、その電解エッチングをする工程
における、その電解エッチングの終了時点が、陽極とし
てパターン化されるべきアルミニウム層と、これに対す
る陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点に対応し
ているので、上述した電解エッチングを、陽極としての
パターン化されるべきアルミニウｌ・層と、これに対す
る陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点まで行う
ことによつて、パターン化されたアルミニウム層を、所
期のパターンを有するものとして、再現性良く、微細に
、高精度に、容易に形成することができる特徴を有する
。なお、さらに、電解エッチングを、直流電源として直
流定電流源を用いて行なう場合、上述した、陽極として
のパターン化されるべきアルミニウム層と、これに対す
る陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点は、これ
を、種々の電圧検出器によつて、容易に検出し得、また
、その電圧検出器の出力によつて、陽極としてのアルミ
ニウム層と、これに対する陰極電極との間に接続してい
る直流定電流源をオフにしたり、直流定電流源と、陽極
としてのアルミニウム層または陰極電極との間の線路を
切断したりするという簡易な手段によつて、上述した電
解エッチングを、陽極としてのパターン化されるべきア
ルミニウム層と、これに対する陰極電極との間の電圧が
急激に大になる時点で、直ちに且つ容易に終了させるこ
とができる。

また、上述した電解エッチングを、直流電源として直流
定電圧源を用いて行なう場合、その電解エッチングをす
る工程における、その電解エッチングの終了時点が、直
流定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべきア
ルミニウム層を通つて流れる電流が急激に小になる時点
に対応しているので、上述した電解エッチングを、直流
定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべきアル
ミニウム層も通つて流れる電流が急激に小になる時点ま
で行うことによつて、パターン化されたアルミニウム層
を、所期のパターンを有するものとして、再現性良く、
微細に、高精度に、容易に形成することがてきる特徴を
有する。

なおさらに、電解エッチングを、直流電源として直流定
電圧源を用いて行なう場合、直流定電圧源から、上述し
た陽極としてのパターン化されるべきアルミニウム層を
通つて流れる電流が急激に小になる時点は、これを、種
々の電流検出器によつて、容易に検出し得、また、その
電流検出器の出力によつて、陽極としてのアルミニウム
層と、これに対する陰極電極との間に接続している直流
定電圧源をオフにしたり、直流定電圧源と、陽極として
のアルミニウム層または陰極電極との間の線路を切断し
たりするという簡易な手段によつて、上述した電解エッ
チングを、直流定電圧源から、陽極としてのパターン化
されるべきアルミニウム層を通つて流れる電流が急激に
小になる時点で、直ちに且つ容易に終了させることがで
きる。

従つて、上述した本発明の特徴を、確実、容易に発揮す
ることができる、という特徴を有する。また、本発明に
よるパターン化されたアルミニウム層を形成する方法に
よつて形成される、パターン化されたアルミニウム層は
、配線層として機能する。従つて、本発明は、これを、
半導体集積回路装置の配線層を形成する場合に適用して
、極めて好適である、という特徴を有する。

次に、本発明の実施例を述べよう。

実施例１ 第１図Ａで士述したと同様に、基板１上に絶縁層２を形
成している絶縁性基板３を予め用意した。

但し、この場合、基板１を、表面積が約４０．０ｄのシ
リコンでなるものとした。また、絶縁層２を酸化シリコ
ン（ＳｌＯ２）でなるものとした。然して、絶縁性基板
３の絶縁層２上に、第１図Ｂで上述したと同様に、パタ
ーン化されるべきアルミニウム層４を形成した。但し、
この場合、アルミニウム層４を蒸着によつて、１μｍの
厚さを有するものとして形成した。次に、アルミニウム
層４上に、第１図Ｃで上述したと同様に、パターン化さ
れたマスク層５を形成した。

但し、この場合、マスク層５を、アルミニウム層４上に
、フォトレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に
対するフォトマスクを用いた露光、続く現像処理をなす
ことによつて、フォトレジストでなるものとして形成し
た。このようにして、第１図Ｃて上述したと同様に、絶
縁性基板３上にパターン化されるべきアルミニウム層４
が形成され、そのアルミニウム層４上にパターン化され
たマスク層５が形成されてい一る基板体６を得た。

次に、基板体６を、第２図で上述したと同様に、水酸化
カリウムを溶質とした水溶液でなる電解液１１が収容し
ている槽１２内に、アルミニウム層４が、略々垂直面上
に延長するように浸漬さｌせ、また、その槽１２内に、
白金でなる電極１３を、基板体６のアルミニウム層４と
対向するように浸漬させ、然して、基板体６におけるパ
ターン化されるべきアルミニウム層４を、マスク層５に
よつてされていない領域において、直流定電流源でなる
直流電源１４の正極側に接続し、また、電極１３を、電
流電源１４の負極側に接続して、アルミニウム層４に対
する、水酸化カリウムを溶質としている水溶液でなる電
解液１１を用いた電解エッチングを、アルミニウム層４
及び電極１３間の電圧Ｖが急激に大になる時点までなし
、パターン化されたアルミニウム層７を得た。

この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、また電
解液１１に通する電流を１６０．０７ＴＬＡとし、従つ
てアルミニウム層４に通する電流密度を、４．０（＝１
６０．０７ＴＬ．Ａ／４０．０Ｃ！ｉ）ＭＡｌｄとした
。

然るときは、パターン化されたアルミニウム層７が、サ
イドエッチング量が略々零であるものとして形成された
。実施例２ 上述した本発明の実施例１の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、アルミニウム層を通つて流れる電
流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いては
、上述した本発明の実施例１の場合と同様の工程をとつ
て、パターン化されたアルミニウム層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１の場合と同様に
、パターン化されたアルミニウム層７が、サイドエッチ
ング量が略々零であるものとして形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
アルミニウム層を形成する方法の説明に供する、パター
ン化されるべきアルミニウム層上に、パターン化された
マスク層を形成する順次の工程における、路線的断面図
である。 第２図は、同様に、本発明によるパターン化されたアル
ミニウム層を形成する方法の説明に供する、パターン化
されるべきアルミニウム層に対する電解エッチングによ
つて、パターン化されたアルミニウム層を形成する工程
を示す、路線図である。第３図は、同様に、本発明によ
るパターン化されたアルミニウム層を形成する方法の説
明に供する、パターン化されるべきアルミニウム層に対
する電解エッチングによつて、パターン化されたアルミ
ニウム層を形成する工程における、路線的断面図である
。第４図は、同様に、本発明によるパターン化されたア
ルミニウム層を形成する方法の説明に供する、直流定電
流源でなる直流電源を用いたパターン化されるべきアル
ミニウム層に対する電解エッチングによつて、パターン
化されたアルミニウム層を形成する工程における、時間
ｔ（分）に対する、基板体における陽極としてのアルミ
ニウム層と、これに対する陰極電極との間の電圧Ｖ（ボ
ルト）の関係を示す図である。第５図は、同様に、本発
明によるパターン化されたアルミニウム層を形成する方
法の説明に供する、直流定電圧源でなる直流電源を用い
たパターン化されるべきアルミニウム層に対する電解エ
ッチングによつて、パターン化されたアルミニウム層を
形成する工程における、時間ｔ（分）に対する、直流定
電圧源から、基板体における陽極としてのアルミニウム
層を通つて流れる電流１（Ｍ．Ａ）の関係を示す図であ
る。第６図は、同様に、本発明によるパターン化された
アルミニウム層を形成する方法の説明に供する、パター
ン化されるべきアルミニウム層に対する電解エッチング
によつて、パターン化されたアルミニウム層を形成する
工程における、電解液の温度をパラメータとした、電流
密度Ｊ（ＷＬＡＩａｉ）に対する、本発明によつて形成
されるパターン化されたアルミニウム層のサイドエッチ
ング量Ｙ（μ７ｎ）の関係を示す図てある。第７図は、
同様に、本発明によるパターン化されたアルミニウム層
を形成する方法の説明に供する、パターン化されるべき
アルミニウム層に対する電解エッチングによつて、パタ
ーン化されたアルミニウム層を形成する工程における、
本発明によつて形成されるパターン化されたアルミニウ
ム層のサイドエッチング量Ｙが零となるときの、電解液
の温度Ｔ（℃）に対する、電流密度Ｊ （ＴＴＩ，ＡＩ
Ｃ７ｌｆ）の関係を示す図てある。第８図は、本発明に
よるパターン化されたアルミニウム層を形成する方法に
よつて得られる、パターン化されたアルミニウム層の一
例を示す路線的断面図である。１・・・・・・基板、２
・・・・・・絶縁層、３・・・・・絶縁性基板、４・・
・・・パターン化されるべきアルミニウム層、５・・・
・・・パターン化されたマスク層、６・・・・・・基板
体、７・・・・・・パターン化されたアルミニウム層、
１１・・・・・・電解液、１２・・・・・・槽、１３・
・・・・・電極、１４・・・・・・直流電源、１５・・
・・・・電圧計、１６・・・・・・電流計。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上にパターン化されるべきアルミニウム
   層を形成し、該アルミニウム層上にパターン化されたマ
   スク層を形成し、然る後、上記アルミニウム層に対する
   、上記マスク層をマスクとし、且つ水酸化カリウムを溶
   質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エ
   ッチングを行うことによつて、パターン化されたアルミ
   ニウム層を形成することを特徴とするパターン化された
   アルミニウム層を形成する方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたアル
   ミニウム層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電
   流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ
   ＝３．２５（１±０．１） ｂ＝１５．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたアルミニウム層
   を形成する方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたアル
   ミニウム層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃ
   ｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ
   ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．２５（１±０．１） ｂ＝１５．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたアルミニウム層を形成する方法。 ４ 絶縁性基板上にパターン化されるべきアルミニウム
   層を形成し、該アルミニウム層上にパターン化されたマ
   スク層を形成し、然る後、上記アルミニウム層に対する
   、上記マスク層をマスクとし、且つ水酸化カリウムを溶
   質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エ
   ッチングを、上記パターン化されるべきアルミニウム層
   を陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべきアル
   ミニウム層とこれに対する陰極電極との間に直流定電流
   源を接続して、上記陽極としてのパターン化されるべき
   アルミニウム層と上記陰極電極との間の電圧が、急激に
   大になる時点まで行うことによつて、パターン化された
   アルミニウム層を形成することを特徴とするパターン化
   されたアルミニウム層を形成する方法。５ 特許請求の
   範囲第４項記載のパターン化されたアルミニウム層を形
   成する方法において、上記電解エッチングを、上記電解
   液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電流密度Ｊ（ｍＡ
   ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．２５（１
   ±０．１） ｂ＝１５．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたアルミニウム層
   を形成する方法。 ６ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化されたアル
   ミニウム層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃ
   ｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ
   ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．２５（１±０．１） ｂ＝１５．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたアルミニウム層を形成する方法。 ７ 絶縁性基板上にパターン化されるべきアルミニウム
   層を形成し、該アルミニウム層上にパターン化されたマ
   スク層を形成し、然る後、上記アルミニウム層に対する
   、上記マスク層をマスクとし、且つ水酸化カリウムを溶
   質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エ
   ッチングを、上記パターン化されるべきアルミニウム層
   を陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべきアル
   ミニウム層とこれに対する陰極電極との間に直流定電圧
   源を接続して、該直流定電圧源から上記陽極としてのパ
   ターン化されるべきアルミニウム層を通つて流れる電流
   が、急激に小になる時点まで行うこといよつて、パター
   ン化されたアルミニウム層を形成することを特徴とする
   パターン化されたアルミニウム層を形成する方法。８
   特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたアルミニ
   ウム層を形成する方法において、上記電解エッチングを
   、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｃ（℃）とし、電流密
   度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝３
   ．２５（１±０．１） ｂ＝１５．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたアルミニウム層
   を形成する方法。 ９ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたアル
   ミニウム層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃ
   ｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ
   ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．２５（１±０．１） ｂ＝１５．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたアルミニウム層を形成する方法。