JPS6058320B2 - パタ−ン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層を形成する方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁性基板上にパターン化されたＮ−Ｓｉ合
金層を形成する方法に関し、特に半導体集積回路装置の
配線層を形成する場合に適用して好適なものである。

半導体集積回路装置の配線層を、種々の理由で、Ｎ−Ｓ
ｉ合金層でなるものとする必要がある場合がある。

半導体集積回路装置の、配線層をＮ−Ｓ１合金層でなる
ものとして形成するにつき、従来は、半導体基板上にパ
ターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層を形成し、次に、そ
のＮ−Ｓｉ合金層上にパターン化されたフォトレジスト
によるマスクを形成し、然る後、パターン化されるべき
Ｎ−Ｓｉ合金層に対する、上記マスクをマスクとした化
学エッチングをすることによつて、パターン化されたに
−Ｓｉ合金層を、配線層として形成するのを普通として
いた。

然しながら、このような従来の方法の場合、パターン化
せられるべきＮ−Ｓｉ合金層に対する、パターン化され
たマスク層をマスクとした化学エッチングをする工程に
おいて、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層が、側方から
エッチングされたもの即ち所謂サイドエッチングされた
ものとして得られるのを余儀なくされる。

このため、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層が、マスク
層のパターンよりサイドエッチされた量だけ、一周に小
さなパターンを有するものとして形成される。ところで
、パターン化されたＡ１−Ｓｉ合金層は、マスク層のパ
ターンと同じパターンで得られるのが望ましい。

その理由は、マスク層を、形成せんとするパターン化さ
れたＮ−Ｓｉ合金層の所期のパターンと同じパターンに
形成し置くだけで、パターン化されたＮ−Ｓ１合金層を
、所期のパターンを有するものとして形成することが出
来るからである。

然しながら、パターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層が、マ
スク層のパターンよりサイドエッチングされた量だけ、
一周り小さなパターンを有するものとして形成されても
、上述した化学エッチングをする工程において、サイド
エッチングされる量が、予側されていれば、マスク層の
パターンを、サイドエッチングされる量を見込んで、形
成せんとするパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層の所期の
パターンよソー周り大きなパターンに、予め形成してお
くことにより、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層を、所
期のパターンを有するものとして形成することが出来る
。

然しながら、上述した従来の方法による場合、上述した
化学エッチングをする工程において、上述したサイドエ
ッチングされる量を予側するのが極めて困難であつた。

このため、上述した従来の方法の場合、パターン化され
たＮ−Ｓｉ合金層を、所期のパターンを有するものとし
て、微細に、高精度に形成するのが極めて困難であつた
等の欠点を有していた。よつて本発明は、上述した欠点
のない新規なパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層を形成す
る方法を提案せんとするものである。本発明者は、第１
図Ａに示すような、例えば、シリコンでなる基板１上に
例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）でなる絶縁層２を形成
している絶縁性基板３を予め用意し、そして、その絶縁
性基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂに示すように、パタ
ーン化されるべきに−Ｓｉ合金層４を、それ自体は公知
の例えば蒸着によつて形成し、次に、そのパターン化さ
れるべきＮ−Ｓｌ合金層４上に、第１図Ｃに示すような
、パターン化された例えばフォトレジストでなるマスク
層５を、絶縁性基板３上のＡ１一Ｓｉ合金層４上にフォ
トレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に対るフ
ォトマスクを用いた露光、続く現像をなすという、それ
自体は公知の方法によつて形成し、かくて、絶縁性基板
３上にパターン化されるべきＡｌ−Ｓｉ合金層４が形成
され、そのＮ−Ｓｉ合金層４上にパターン化され、マス
ク層５が形成されている基板体６を得た。

そして、その基板体６を、第２図に示すように、燐酸（
Ｈ３ＰＯ，）を溶質の主体としている水溶液でなる電解
液１１を収容している槽１２内に、Ｎ−Ｓｉ合金層４が
略々垂直面上に延長するように、浸漬させ、また、その
槽１２内に、例えば白金でなる電極１３を、基板体６の
Ｎ−Ｓｉ合金層４と対向するように、浸漬させ、然して
、基板体６におけるパターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金
層４を、マスク層５によつてマスクされていない領域に
おいて、直流電源１４の正極側に接続し、また、電極１
３を、直流電源１４の負極側に接続して、に−Ｓｉ合金
層４に対する、マスク層５をマスクとし、且つ燐酸を溶
質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エ
ッチングをなした。但し、この場合、燐酸を溶質の主体
としている水溶液でなる電解液１１を、５０〜８５％濃
度の燐酸液でなる溶質のみの水溶液でなるものとした。
然るときは、Ｎ−Ｓｉ合金層４のマスク層５によつてマ
スクされていない領域が、陽極として作用し、そして、
その陽極側で、で表される化学反応が生じ、また電解液
１１中で、の化学反応が生じ、さらに、電極１３が陰極
として作用して、その陰極側でで表される化学反応が生
ずるという機構で、Ａ１−Ｓｉ合金層４が、Ａ１−Ｓｉ
とからなるにも拘わらず、マスク層５によつてマスクさ
れていない領域において、第３図Ａに示すエッチングさ
れていない状態から、第３図Ｂで一般的に示すような、
表面からエッチングされつつある状態を経て、第３図Ｃ
で一般的に示すように、全厚さに亘つてエッチングされ
て、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層７が、マスク層５
下に形成されることを確認するに到つた。

但し、この場合、電極１３を白金でなるＬものとした。
また、本発明者は、上述した電解エッチングを、上述し
た燐酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液１１
に、硝酸（ＨＮＯ３）を溶質として添加して行なつても
、上述したと同様に、パタ門−ン化されたに−Ｓｉ合金
層７が、マスク層５下に形成されることを確認するに到
つた。

但し、この場合、燐酸（５０〜８５％濃度の燐酸液でな
る）を溶質としている水溶液でなる電解液１１に溶質と
して添加する硝酸を、３０〜６０％濃度のフ硝酸液でな
るものとし、そしてその硝酸液を、燐酸液の１５〜２喀
量部に対し、１〜４容量部でなるものとした。

さらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、上述
した燐酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液１
１に、硝酸（ＨＮＯ３）と酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）とを
質として添加して行なつても、上述したと同様に、パタ
ーン化されたＮ−Ｓｉ合金層７が、マスク層５下に形成
されることを確認するに到つた。

但し、この楊合、燐酸（５０〜８５％濃度の燐酸液でな
る）を溶質としている水溶液でなる電解液１１に溶質と
して添加する硝酸を、３０〜６０％濃度の硝酸液てなる
ものとし、また酢酸を、７０〜１００％濃度の酢酸液て
なるものとし、そしてそれ等の硝酸液及び酢酸液を、燐
酸液の１５〜２喀量部に対し、１〜４容量部でなるもの
とした。

さらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、パタ
ーン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層４と電極１３との間に
接続している直流電源１４を直流定電流源とし、そして
Ｎ−Ｓｉ合金層４のマスク層５によつてマスクされてい
ない領域と、電極１３との間の電圧Ｖ（ボルト）を、電
圧計１５を用いて測定しながら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電圧■の関係が、第
４図に示すように、時点Ｔａまでの間においては、電圧
Ｖが時間ｔと共に僅かづつ上昇するが、時点Ｔ．から電
圧Ｖが急激に大になるものとして得られた。

さらに、本発明者は、上述した時間ｔに対する電圧Ｖの
関係と、に−Ｓ１合金層４の、マスク層５によつてマス
クされていない領域のエッチングの状態とを調べた結果
、電圧Ｖが時間ｔと共に僅かづつ上昇している時点Ｔａ
までの間においては、Ｎ−Ｓｉ合金層４の、マスク層５
によつてマスクさ．れていない領域が、時間ｔと共に表
面からエッチングされるが、時点Ｔａに達すれば、Ａ１
−Ｓｉ合金層４の、マスク層５によつてマスクされてい
ない領域が、その全厚さに亘つてエチングされ、第３図
Ｃで一般的に示すように、パターン化された．Ｎ−Ｓｉ
合金層７が得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点Ｔａ即ちＡ１−
Ｓｉ合金層４の、マスク層５によつて・マスクされてい
ない領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点
まで行つて、上述したパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層
７を形成する場合、そのパターン化されたアルミニウム
層７は、一般に、その側面が、第３図Ｃでマスク層５の
側面より内側にあるものとして示されているように、サ
イドエッチングされたものとして得られていることを確
認するに到つた。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層４と電極１３との間に接
続している直流電源１４を直流定電圧源とし、そしてそ
の直流定電圧源から、Ａ１一ＳＩ合金層４を通つて流れ
る電流１（ＴｒＬＡ）を、）電流計１６を用いて測定し
ながら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電流１の関係が、第
５図に示すように、時点Ｔａ″までの間においては、電
流１が時間ｔと共に僅かづつ減少するが、時点Ｔａ″か
ら電流１が急激に小になるもの・として得られた。さら
に、本発明者は、上述した時間ｔに対する電流１の関係
と、に−Ｓｉ合金層４の、マスク層５によつてマスクさ
れていない領域のエッチングの状態とを調べた結果、電
流１が時間ｔと共に僅か”づつ減少している時点Ｔａ″
までの間においては、Ｎ−Ｓｉ合金層４の、マスク層５
によつてマスクされていない領域が、時間ｔと共に表面
からエッチングされるが、時点Ｔａ゛に達すれば、Ａ１
−Ｓｉ合金層４の、マスク層５によつてマスクされてい
ない領域が、その全厚さに亘つてエッチングされ、第３
図Ｃで一般的に示すように、パターン化されたＮ−Ｓｉ
合金層７が得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電流１が急激に小になる時点Ｔ．″即ちＡｌ−
Ｓｉ合金層４の、マスク層５によつてマスクされていな
い領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点ま
で行つて、上述したパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層７
を形成する場合、そのパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層
７は、一般に、その側面が第３図Ｃでマスク層５の側面
より内側にあるものとして示されるように、サイドエッ
チングされたものとして得られていることを確認するに
到つた。また、本発明者は、上述した電解エッチングを
、電解液１１の温度ＴＣＣ）を一定温度Ｔｅ，（℃）と
して、直流電流１４から基板体６におけるＮ−Ｓｉ合金
層４、及び電極１３を通つて、電解液１１に流れる電流
１を変え、従つて、に−Ｓｉ合金層４に流れる電流の密
度Ｊ（ＴｒＬＡ／Ｃｌｔ）を変えて、直流電源１４が直
流低電流源である場合、上述した電圧■が、急激に大に
なる時点ｔまで、また、直流電源１４が直流定電圧源で
ある場合、上述した電流１が、急激に小になる時点Ｔａ
″まで、即ちＮ−Ｓｉ合金層４の、マスク層５によつて
マスクされていない領域が、その全厚さに亘つてエッチ
ングされる時点まで行つて、上述したパターン化された
Ｎ−Ｓｉ合金層７を形成し、そして、そのＮ−Ｓｉ合金
層７がサイドエッチングされている量即ちサイドエツヂ
ング量Ｙ（μ７ＴＬ）を測定した。

然るときは、電解液の温度Ｔをパラメータとする電流密
度Ｊに対する上述したサイドエッチング量Ｙの関係が、
第６図に示すように得られた。但し、第６図は、電解液
１１が、８５％濃度でなる燐酸液でなる燐酸のみを溶質
とした水溶液でなり、また、電解液１１の温度Ｔｃ（℃
）が３３．０℃であり、さらにＮ−Ｓｊ合金層４が、１
μ瓦の厚さを有している場合の測定結果である。また、
上述した測定を、上述した電解液１１に、その溶質とし
ての燐酸を、８５％濃度の燐酸液の１熔量部とするとき
、６５％濃度の硝酸液のｌ容量部でなる硝酸を添加して
行なつても、第６図に示すと同様の測定結果が得られた
。

さらに、上述した測定を、上述した電解液１１に、その
溶質としての燐酸を、８５％濃度の燐酸液の１喀量部と
するとき、６５％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と
、９６％濃度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを添加し
て行なつても、第６図に示すと同様の測定結果が得られ
た。

よつて、第６図に示す測定結果から、電解液１１の温度
Ｔを一定温度ＴｅＣＣ）とした場合、電流密度Ｊを大と
すれば、上述したサイドエッチング量Ｙが小になること
を確認するに到つた。

また、このように電流密度Ｊが大になるように、電解液
１１に流れる電流を大とすれば、サイドエッチング量Ｙ
が小となるものとして得られるのは、電流密度Ｊを大と
すれば、アルミニウム層４と、電極１３との間の電界強
度が、主として、Ｎ−Ｓ１合金層４と、電極１３とを結
ぶ方向に関し、他の方向に比し格段的に強くなり、この
ため、に−Ｓｉ合金層４の、マスク層５によつてマスク
されていない領域が厚さ方向にエッチングされる速度と
、両方向にエッチングされる速度との比が大になるから
であることも確認するに到つた。さらに、電流密度Ｊを
一定とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上
述したサイドエッチング量Ｙが小になることを確認する
に到つた。なおさらに、上述したサイドエッチング量Ｙ
を同じ値で得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くすれ
ば、これに応じて電流密度Ｊを大にすればよいことも確
認するに到つた。また、第６図に示す測定結果から、上
述したサイドエッチング量Ｙの値が零になるときの、電
解液１１の温度Ｔに対する電流密度Ｊの関係が、第７図
に示すように得られること、及び上述したように、電解
液１１の温度Ｔを一定とした場合、電流密度Ｊを大とす
れば、上述したサイドエッチング量Ｙが小になることか
ら、上述した電解エッチングを、電解液１１の温度Ｔを
温度ＴｅＣＣ）にし、また電流密度Ｊを、で与えられる
電流密度Ｊｅ（７ｎＡ／Ｃｌｔ）以上の電流密度にして
行えば、上述したパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層７が
、第８図に示すように、上述したサイドエッチング量Ｙ
が略々零であるものとして形成されることも確認するに
到つた。

さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（ＭＡ／ＣＴｌ）
とした場合、電解液１１の温度Ｔ”を低くすれば、上述
したサイドエッチング量Ｙが小になることから、上述し
た電解エッチングを、電流密度ＪをＪｅ（７ｎＡ／ｃ這
）にし、電解液１１の温度Ｔを、で与えられる温度Ｔｅ
ＣＣ）以下の温度にして行えば、上述したパターン化さ
れたＮ−Ｓｉ合金層７が、第８図に示すように、上述し
たサイドエツチノング量Ｙが略々零であるものとして形
成されることも確認するに到つた。

よつて、本発明者は、特許請求の範囲記載の発明を、本
発明による発明として提案するに到つた。

以上で、本発明によるパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層
を形成する方法が明らかとなつた。

このような本発明による方法によれば、パターン化され
るべきＮ−Ｓｉ合金層に対する、パターン化されたマス
ク層をマスクとした電解エッチングをする工程において
、形成されるパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層のサイド
エッチング量Ｙを、第６図で上述したところから明らか
なように、電解液の温度Ｔと電流密度Ｊとによつて、予
側することができる。

このため、パターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層上にパ
ターン化されたマスク層を形成する工程において、その
パターン化されたマスクを、予測されるサイドエッチン
グ量Ｙを見込んで形成することにより、パターン化され
たＮ−Ｓｉ合金層を、所期のパターンを有するものとし
て、微細に、高精度に、容易に形成することが出来る、
という特徴を有する。

また、上述した電解エッチングをする工程において、そ
の電解エッチングを、電解液の温度Ｔを温度ＴｅＣＣ）
にし、電流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜（１ｃ）式で
与えられる電流密度Ｊｅ（ＭＡ／Ｃｌｔ′）以上の電流
密度にして行えば、または、電流密度Ｊを電流密度Ｊｅ
（ＭＡ／Ｃｌｌ）にし、電解液の温度Ｔを、上述した（
２ａ）〜（２ｃ）式で与えられる温度ＴｅＣＣ）以下の
温度にして行えば、パターン化されたＮ−Ｓｊ合金層が
、サイドエッチング量Ｙが略々零てあるものとして形成
される。

このため、パターン化されたマスク層を形成する工程に
おいて、そのマスク層を、形成せんとす．るパターン化
されたに−Ｓｉ合金層の所期のパターンと同じパターン
に形成し、また、上述した電解エッチングの工程におい
て、電解液の温度Ｔを温度Ｔｅとするとき、電流密度Ｊ
を上述した（１ａ）〜（１ｃ）式で与えられる電流密度
Ｊｅ以上の電流密．度にし、または、電流密度Ｊを電流
密度Ｊｅとするとき、電解液の温度Ｔを上述した（２ａ
）〜（２ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ以下の温度にする
ことによつて、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層を、所
期のパターンを有するものとして、微細に、高精度・に
、容易に形成することができるという特徴を有する。さ
らに、上述した電解エッチングを、直流電源として直流
定電流源を用いて行なう場合、その電解エッチングをす
る工程における、その電解エッチングの終了時点が、陽
極としてのパターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層と、こ
れに対する陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点
に対応しているので、上述した電解エッチングを、陽極
としてのパターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層と、これ
に対する陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点ま
で行うことによつて、パターン化されたＡ１一Ｓｉ合金
層を、所期のパターンを有するものとしノて、再現性良
く、微細に、高精度に、容易に形成することができる特
徴を有する。

なお、さらに、電解エッチングを、直流電源として直流
定電流源を用いて行なう場合、上述した、陽極としてパ
ターン化されるべきに−Ｓｉ合金，層と、これに対する
陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点は、これを
、種々の電圧検出器によつて、容易に検出し得、また、
その電圧検出器の出力によつて、陽極としてのＡｌ−Ｓ
ｉ合金層と、これに対する陰極電極との間に接続してい
る直流゛定電流源をオフにしたり、直流定電流源と、陽
極としてＮ−Ｓｉ合金層または陰極電極との間の線路を
切断したりするという簡易な手段によつて、上述した電
解エッチングを、陽極としてのパターン化されるべきＮ
−Ｓｉ合金層と、これに対する陰極電極との間の電圧が
急激に大になる時点で、直ちに且つ容易に終了させるこ
とができる。

また、上述した電解エッチングを、直流電源として直流
定電圧源を用いて行なう場合、その電解エッチングをす
る工程における、その電解エッチングの終了時点が、直
流定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべきＮ
−Ｓｉ合金層を通つて流れる電流が急激に小になる時点
に対応しているので、上述した電解エッチングを、直流
定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべきに−
Ｓｉ合金層を通つて流れる電流が急激に小になる時点ま
で行うことによつて、パターン化されたに−Ｓｉ合金層
を、所期のパターンを有するものとして、再現性良く、
微細に、高精度に、容易に形成することができる特徴を
有する。

なおさらに、電解エッチングを、直流電源として直流定
電圧源を用いて行なう場合、直流定電圧源から、上述し
た陽極としてのパターン化されるべきに−Ｓｉ合金層を
通つて流れる電流が急激に小になる時点は、これを、種
々の電流検出器によつて、容易に検出し得、また、その
電流検出器の出力によつて、陽極としてのＮ−Ｓｉ合金
層と、これに対する陰極電極との間に接続している直流
定電圧源をオフにしたり、直流定電圧源と、陽極として
のに−Ｓｉ合金層または陰極電極との間の線路を切断し
たりするという簡易な手段によつて、上述した電解エッ
チングを、直流定電圧源から、陽極としてのパターン化
されるべきＮ−Ｓｉ合金層を通つて流れる電流が急激に
小になる時点で、直ちに且つ容易に終了させることがで
きる、という特徴を有する。

従つて、上述した本発明の特徴を、確実、容易に発揮す
ることができる、という特徴を有する。

また、本発明によるパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層を
形成する方法によつて形成される、パターン化されたＮ
−Ｓｉ合金層は、配線層として機能する。従つて本発明
は、これを、半導体集積回路装置の配線層を形成する場
合に適用して、極めて好適てある、という特徴を有する
。

次に、本発明の実施例を述べよう。

実施例１ 第１図Ａで上述したと同様に、基板１上に絶縁層２を形
成している絶縁性基板３を予め用意した。

但し、この場合、基板１を、表面積が約４０．０Ｃ！Ｌ
のシリコンでなるものとした。また、絶縁層２を酸化シ
リコン（ＳｉＯ２）でなるものとした。然して、絶縁性
基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂで上述したと同様に、
パターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層４を形成した。但
し、この場合、Ｎ−Ｓｉ合金層４を蒸着によつて、１μ
ｍの厚さを有するものとして形成した。次に、Ｎ−Ｓｉ
合金層４上に、第１図Ｃで上述したと同様に、パターン
化されたマスク層５を形成した。

但し、この場合、マスク層５を、Ｎ−Ｓｉ合金層４上に
、フオトレジス層を形成し、そのフオトレジス層に対す
るフォトマスクを用いた露光、続く現像処理をなすこと
によつて、フォトレジストてなるものとして形成した。
このようにして、第１図Ｃで上述したと同様に、絶縁性
基板３上にパターン化されるべきＡ１一Ｓｉ合金層４が
形成され、そのＮ−Ｓｉ合金層４上にパターン化された
マスク層５が形成されている基板体６を得た。

次に、基板体６を、第２図で上述したと同様に、８５％
濃度の燐酸液でなる燐酸のみを溶質とした水溶液でなる
電解液１１を収容している槽１２内に、に−Ｓｉ合金層
４が、略々垂直面上に延長するように浸漬させ、また、
その槽１２内に、白金でなる電極１３を、基板体６のＮ
−Ｓｉ合金層４と対向するように浸漬させ、然して、基
板体６におけるパターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層４
を、マスク層５によつてマスクされていない領域におい
て、直流定電流源でなる直流電源１４の正極側に接続し
、また、電極１３を、直流電源１４の負極側に接続して
、に−Ｓｉ合金層４に対する、上述した燐酸を溶質とし
ている水溶液でなる電解液１１を用いた電解エッチング
を、Ｎ−Ｓｉ合金層４及び電極１３間の電圧■が急激に
大になる時点までなし、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金
層７を得た。

この場合、電解液１１の温度を２０．０℃とし、また電
解液１１に通する電流を５０．０ＴｒＬＡとし、従つて
Ｎ−Ｓｉ合金層４に通する電流密度を、１．２５（＝５
０．０ｍＡ／４０．０ｃ７１ｆ）ＲｒＬＡ／ｃｌとした
。然るときは、パターン化されたに−Ｓｉ合金層７がサ
イドエッチング量が略々零であるものとして形成された
。実施例２ 上述した本発明の実施例１の場合と同様に、第１図Ｃで
上述したと同様の、絶縁性基板３上にパターン化される
べきＡ１−Ｓｉ合金層４が形成され、そのＮ−Ｓｉ合金
層４上にパターン化されたマスク層５が形成されている
基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１の場合における電解液
１１を、８５％濃度の燐酸液の１喀量部でなる燐酸と、
６０％濃度の硝酸液のｌ容量部でなる硝酸とを溶質とし
た水溶液てなるものに変更したことを除いては、上述し
た本発明の実施例１の場合と同様の電解エッチングを、
上述した本発明の実施例１の場合と同様になして、パタ
ーン化されたＮ−Ｓｉ合金層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１の場合と同様に
、パターン化されたＡ１−Ｓ１合金層７が、・サイドエ
ッチング量が略々零であるものとして形成された。

実施例３ 上述した本発明の実施例１の場合と同様に、第１図Ｃで
上述したと同様の、絶縁性基板３上にパターン化される
べきＡ１−Ｓｉ合金層４が形成され、そのＮ−Ｓｉ合金
層４上にパターン化されたマスク層５が形成されている
基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１の場合における電解液
１１を、８５％濃度の燐酸液の１熔量部でなる燐酸と、
６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と、９６％濃
度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを容質とした水溶液
でなるものに変更したことを除いては、上述した本発明
の実施例１の場合と同様の電解エッチングを、上述した
本発明の実施例１の場合と同様になして、パターン化さ
れたＮ−Ｓｉ合金層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１の場合と同様に
、パターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層７が、サイドエッ
チング量が略々零であるものとして形成された。

実施例４ 上述した本発明の実施例１の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、Ｎ−Ｓｉ合金層を通つて流れる電
流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いては
、上述した本発明の実施例１の場合と同様の工程をとつ
て、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１の場合と同様に
、パターン化されたＡ１−Ｓｉ合金層７が、サイドエッ
チング量が略々零であるものとして形成された。

実施例５ 上述した本発明の実施例２の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、Ｎ−Ｓｉ合金層を通つて流れる電
流１が、急激に小になる時点まてなしたことを除いては
、上述した本発明の実施例２の場合と同様の工程をとつ
て、パターン化．されたＮ−Ｓｉ合金層７を得た。

然るときは上述した本発明の実施例２の場合と同様に、
パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層７が、サイドエッチン
グ量が略々零であるものとして形成された。

実施例６ 上述した本発明の実施例３の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、Ｎ−Ｓｉ合金層を通つて流れる電
流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いては
、上述した本発明の実施例３の場合と同様の工程をとつ
て、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３の場合と同様に
、パターン化されたＡ１−Ｓｉ合金層７が、サイドエッ
チング量が略々零であるものとして形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
Ｎ−Ｓｉ合金層を形成する方法の説明に供する、パター
ン化されるべきＡ１−Ｓｉ合金層上に、パターン化され
たマスク層を形成する順次の工程における、路線的断面
図である。 第２図は、同様に、本発明によるパターン化されたに−
Ｓｉ合金層を形成する方法の説明に供する、パターン化
されるべきＮ−Ｓｉ合金層に対する電解エッチングによ
つて、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層を形成する工程
を示す、路線図である。第３図は、同様に、本発明によ
るパターン化されたに−Ｓｉ合金層を形成する方法の説
明に供する、パターン化されるべきＡｌ−Ｓｉ合金層に
対する電解エッチングによつて、パターン化されたＮ−
Ｓｉ合金層を形成する工程における、路線的断面図であ
る。第４図は、同様に、本発明によるパターン化された
Ｎ−Ｓｉ合金層を形成する方法の説明に供する、直流定
電流源でなる直流電源を用いたパターン化されるべきＮ
−Ｓｉ合金層に対する電解エッチングによつて、パター
ン化されたＮ−Ｓｉ合金層を形成する工程における、時
間ｔ（分）に対する、基板体における陽極としてのＮ−
Ｓｉ合金層と、これに対する陰極電極との間の電圧■（
ボルト）の関係を示す図である。第５図は、同様に、本
発明によるパターン化されたＮ−Ｓ１合金層を形成する
方法の説明に供する、直流定電圧源でなる直流電源を用
いたパターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層に対する電解
エッチングによつて、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層
を形成する工程における、時間ｔ（分）に対する、直流
定電圧源から、基板体における陽極としてのＡ１−Ｓｌ
合金層を通つて流れる電流１（Ｔｒｌ，Ａ）の関係を示
す図である。第６図は、同様に、本発明によるパターン
化されたＮ−Ｓｊ合金層を形成する方法の説明に供する
、パターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層に対する電解エ
ッチングによつて、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層を
形成する工程における、電解液の温度をパラメータとし
た、電流密度Ｊ（ＭＡ／ＣＪ）に対する、本発明によつ
て形成されるパターン化されたＮ−Ｓｉ合金層のサイド
エッチング量Ｙ（μ７ＴＬ）の関係を示す図である。第
７図は、同様に、本発明によるパターン化されたＮ−Ｓ
ｉ合金層を形成する方法の説明に供する、パターン化さ
れるべきＮ−Ｓｉ合金層に対する電解エッチングによつ
て、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層を形成する工程に
おける、本発明によつて形成されるパターン化されたＮ
−Ｓｉ合金層のサイドエッチング量Ｙが零となるときの
、電解液の温度ＴＣＣ）に対する、電流密度Ｊ（７７１
，Ａ／Ｃｌｔ）の関係を示す図である。第８図は、本発
明によるパターン化されたアルミニウム層を形成する方
法によつて得られる、パターン化されたＮ−Ｓｉ合金層
の一例を示す路線的断面図である。１・・・・・・基板
、２・・・・・・絶縁層、３・・・・・絶縁性基板、４
・・・・・・パターン化されるべきＮ−Ｓｉ合金層、５
・・・・・・パターン化されたマスク層、６・・・・・
・基板体、７・・・・・・パターン化されたＮ−Ｓｉ合
金層、１１・・・・・電解液、１２・・・・・・槽、１
３・・・・・・電極、１４・・・・・直流電源、１５・
・・・・電圧計、１６・・・・・・電流計。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上にパターン化されるべきＡｌ−Ｓｉ合
   金層を形成し、該Ａｌ−Ｓｉ合金層上にパターン化され
   たマスク層を形成し、然る後、上記Ａｌ−Ｓｉ合金層に
   対する、マスク層をマスクとし、且つ燐酸を溶質の主体
   としている水溶液でなる電解液を用いた電解エッチング
   を行うことによつて、パターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金
   層を形成することを特徴とするパターン化されたＡｌ−
   Ｓｉ合金層を形成する方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｓｉ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、
   電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、 Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝２．０９（１±０．１） ｂ＝１７．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金
   層を形成する方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｓｉ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／
   ｃｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝
   ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝２．０９（１±０．１） ｂ＝１７．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことこを特徴
   とするパターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層を形成する方
   法。 ４ 絶縁性基板上にパターン化されるべきＡｌ−Ｓｉ合
   金層を形成し、該Ａｌ−Ｓｉ合金層上にパターン化され
   たマスク層を形成し、然る後、上記Ａｌ−Ｓｉ合金層に
   対する、上記マスク層をマスクとし、且つ燐酸を溶質の
   主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エッチ
   ングを、上記パターン化されるべきＡｌ−Ｓｉ合金層を
   陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべきＡｌ−
   Ｓｉ合金層とこれに対する陰極電極との間に直流定電流
   源を接続して、上記陽極としてのパターン化されるべき
   Ａｌ−Ｓｉ合金層と上記陰極電極との間の電圧が、急激
   に大になる時点まで行うことによつて、パターン化され
   たＡｌ−Ｓｉ合金層を形成することを特徴とするパター
   ン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層を形成する方法。 ５ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｓｉ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｃ（℃）とし、
   電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、 Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝２．０９（１±０．１） ｂ＝１７．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金
   層を形成する方法。 ６ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｓｉ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／
   ｃｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝
   ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝２．０９（１±０．１） ｂ＝１７．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層を形成する方法
   。 ７ 絶縁性基板上にパターン化されるべきＡｌ−Ｓｉ合
   金層を形成し、該Ａｌ−Ｓｉ合金層上にパターン化され
   たマスク層を形成し、然る後、上記Ａｌ−Ｓｉ合金層に
   対する、上記マスク層をマスクとし、且つ燐酸を溶質の
   主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エッチ
   ングを、上記パターン化されるべきＡｌ−Ｓｉ合金層を
   陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべきＡｌ−
   Ｓｉ合金層とこれに対する陰極電極との間に直流定電圧
   源を接続して、該直流定電圧源から上記陽極としてのパ
   ターン化されるべきＡｌ−Ｓｉ合金層を通つて流れる電
   流が、急激に小になる時点まで行うことによつて、パタ
   ーン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層を形成することを特徴と
   するパターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層を形成する方法
   。 ８ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｓｉ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、
   電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、 Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝２．０９（１±０．１） ｂ＝１７．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金
   層を形成する方法。 ９ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｓｉ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／
   ｃｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝
   ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝２．０９（１±０．１） ｂ＝１７．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層を形成する方法
   。