JPH0518935A - ダイヤモンド薄膜イオンセンサ - Google Patents
ダイヤモンド薄膜イオンセンサInfo
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- JPH0518935A JPH0518935A JP3198822A JP19882291A JPH0518935A JP H0518935 A JPH0518935 A JP H0518935A JP 3198822 A JP3198822 A JP 3198822A JP 19882291 A JP19882291 A JP 19882291A JP H0518935 A JPH0518935 A JP H0518935A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁破壊が発生しにくいと共に、耐浸水性が
優れたダイヤモンド薄膜イオンセンサを提供することを
目的とする。 【構成】 Ｓｉ基板１には電気絶縁性ダイヤモンドから
なる絶縁膜２が被覆されており、この絶縁膜２上には半
導体ダイヤモンドからなる半導体膜３が形成されてい
る。また、この半導体膜３上には、半導体ダイヤモンド
からなる電極４ａ，４ｂが相互に離隔して形成されてい
る。更に、基板１の全面には、電気絶縁性ダイヤモンド
からなる絶縁膜５が形成されている。この場合に、電極
４ａ，４ｂ間の絶縁膜５がイオン感応膜として作用す
る。
優れたダイヤモンド薄膜イオンセンサを提供することを
目的とする。 【構成】 Ｓｉ基板１には電気絶縁性ダイヤモンドから
なる絶縁膜２が被覆されており、この絶縁膜２上には半
導体ダイヤモンドからなる半導体膜３が形成されてい
る。また、この半導体膜３上には、半導体ダイヤモンド
からなる電極４ａ，４ｂが相互に離隔して形成されてい
る。更に、基板１の全面には、電気絶縁性ダイヤモンド
からなる絶縁膜５が形成されている。この場合に、電極
４ａ，４ｂ間の絶縁膜５がイオン感応膜として作用す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は溶液中のイオン濃度を測
定するイオンセンサにおいて、耐化学薬品性、耐熱性及
び耐放射線性等の耐環境性が優れたダイヤモンド薄膜イ
オンセンサに関する。
定するイオンセンサにおいて、耐化学薬品性、耐熱性及
び耐放射線性等の耐環境性が優れたダイヤモンド薄膜イ
オンセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】溶液中のイオン濃度を測定するために、
電界効果型トランジスタを利用したセンサが使用されて
いる。この種のセンサに使用されるトランジスタはイオ
ン感応性電界効果型トランジスタ（Ion Sensitive Fiel
d Effect Transistor ；以下、ＩＳＦＥＴという）であ
り、Ｓｉ電界効果型トランジスタのゲート部にＳｉ
Ｏ2、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 及びＴａ2 Ｏ5 等の絶縁
膜をイオン感応膜として被覆した構造を有している。
電界効果型トランジスタを利用したセンサが使用されて
いる。この種のセンサに使用されるトランジスタはイオ
ン感応性電界効果型トランジスタ（Ion Sensitive Fiel
d Effect Transistor ；以下、ＩＳＦＥＴという）であ
り、Ｓｉ電界効果型トランジスタのゲート部にＳｉ
Ｏ2、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ2 Ｏ3 及びＴａ2 Ｏ5 等の絶縁
膜をイオン感応膜として被覆した構造を有している。
【０００３】図６は、従来のＩＳＦＥＴを示す模式図で
ある（軽部征夫、日本金属学会会報、第29巻、第 8号、
1990年発行、第637 頁）。
ある（軽部征夫、日本金属学会会報、第29巻、第 8号、
1990年発行、第637 頁）。
【０００４】Ｐ型シリコン基板１１の表面にはＮ型のソ
ース領域１２ａ及びドレイン領域１２ｂが所定の間隔だ
け離隔して形成されている。このソース領域１２ａ及び
ドレイン領域１２ｂ間の基板１１上には、ＳｉＯ2 膜１
３及びＳｉ3 Ｎ4 膜１４が積層されて形成されている。
そして、このＳｉＯ2 膜１３及びＳｉ3 Ｎ4 膜１４が形
成された領域を除く領域の基板１１上には絶縁膜１６が
形成されている。
ース領域１２ａ及びドレイン領域１２ｂが所定の間隔だ
け離隔して形成されている。このソース領域１２ａ及び
ドレイン領域１２ｂ間の基板１１上には、ＳｉＯ2 膜１
３及びＳｉ3 Ｎ4 膜１４が積層されて形成されている。
そして、このＳｉＯ2 膜１３及びＳｉ3 Ｎ4 膜１４が形
成された領域を除く領域の基板１１上には絶縁膜１６が
形成されている。
【０００５】ソース領域１２ａ及びドレイン領域１２ｂ
は、夫々電極１５ａ，１５ｂを介して電源１８に電気的
に接続される。また、シリコン基板１１自体もこの電源
１８の負極に接続される。
は、夫々電極１５ａ，１５ｂを介して電源１８に電気的
に接続される。また、シリコン基板１１自体もこの電源
１８の負極に接続される。
【０００６】基板１１から離隔して、Ａｇ／ＡｇＣｌ電
極１７が配置されている。この電極１７には電源１９か
ら所定の電圧が印加されるようになっている。
極１７が配置されている。この電極１７には電源１９か
ら所定の電圧が印加されるようになっている。
【０００７】次に、このように構成されたＩＳＦＥＴの
動作について説明する。
動作について説明する。
【０００８】ＩＳＦＥＴを溶液に浸漬し、ソース・ドレ
イン間に所定の電圧を印加すると共に電極１７に所定の
電圧を印加する。そうすると、溶液中のイオンがゲート
絶縁膜（ＳｉＯ2 膜１３及びＳｉ3 Ｎ4 膜１４）の表面
に付着する。このゲート絶縁膜の表面に付着したイオン
により、半導体基板１１の表面に印加される実行ゲート
電圧が変化し、ソース・ドレイン間に流れる電流が変化
する。この電流に基づいて溶液中のイオン濃度を知るこ
とができる。
イン間に所定の電圧を印加すると共に電極１７に所定の
電圧を印加する。そうすると、溶液中のイオンがゲート
絶縁膜（ＳｉＯ2 膜１３及びＳｉ3 Ｎ4 膜１４）の表面
に付着する。このゲート絶縁膜の表面に付着したイオン
により、半導体基板１１の表面に印加される実行ゲート
電圧が変化し、ソース・ドレイン間に流れる電流が変化
する。この電流に基づいて溶液中のイオン濃度を知るこ
とができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＩＳＦＥＴには以下に示す問題点がある。即
ち、ＩＳＦＥＴは溶液中で使用されるため、センサと溶
液とは電気的に絶縁されている必要がある。従来のＩＳ
ＦＥＴにおいては、イオン感応性絶縁膜であるＳｉＯ2
膜１３が直接溶液と接触すると、膜全体が溶液中の水と
水和してしまうという性質があるため、ＳｉＯ2 膜上に
Ｓｉ3 Ｎ4 膜又はＡｌ2 Ｏ3 膜を積層することが必要で
ある。しかし、このような処理を施しても、従来のＩＳ
ＦＥＴは溶液中において長時間使用すると、溶液中のＯ
Ｈ- イオンがトランジスタのゲート絶縁膜中に拡散し
て、測定値のドリフト、感度の低下及び応答速度の低下
等の不都合を招来する。また、従来のＩＳＦＥＴにおい
ては、センサに印加される電圧によっては絶縁破壊が発
生することもある。
た従来のＩＳＦＥＴには以下に示す問題点がある。即
ち、ＩＳＦＥＴは溶液中で使用されるため、センサと溶
液とは電気的に絶縁されている必要がある。従来のＩＳ
ＦＥＴにおいては、イオン感応性絶縁膜であるＳｉＯ2
膜１３が直接溶液と接触すると、膜全体が溶液中の水と
水和してしまうという性質があるため、ＳｉＯ2 膜上に
Ｓｉ3 Ｎ4 膜又はＡｌ2 Ｏ3 膜を積層することが必要で
ある。しかし、このような処理を施しても、従来のＩＳ
ＦＥＴは溶液中において長時間使用すると、溶液中のＯ
Ｈ- イオンがトランジスタのゲート絶縁膜中に拡散し
て、測定値のドリフト、感度の低下及び応答速度の低下
等の不都合を招来する。また、従来のＩＳＦＥＴにおい
ては、センサに印加される電圧によっては絶縁破壊が発
生することもある。
【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、耐絶縁破壊特性が優れていると共に、長時
間溶液中に浸漬して使用しても性能が劣化しにくくて耐
浸水性が優れているダイヤモンド薄膜イオンセンサを提
供することを目的とする。
のであって、耐絶縁破壊特性が優れていると共に、長時
間溶液中に浸漬して使用しても性能が劣化しにくくて耐
浸水性が優れているダイヤモンド薄膜イオンセンサを提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係るダイヤモン
ド薄膜イオンセンサは、基板と、この基板上に形成され
た電気絶縁性ダイヤモンドからなる絶縁膜と、この絶縁
膜上に形成された半導体ダイヤモンドからなる半導体膜
と、この半導体膜上に相互に離隔して形成された第１及
び第２の電極と、この第１及び第２の電極間の前記半導
体膜上に形成された電気絶縁性ダイヤモンドからなるイ
オン感応膜とを有することを特徴とする。
ド薄膜イオンセンサは、基板と、この基板上に形成され
た電気絶縁性ダイヤモンドからなる絶縁膜と、この絶縁
膜上に形成された半導体ダイヤモンドからなる半導体膜
と、この半導体膜上に相互に離隔して形成された第１及
び第２の電極と、この第１及び第２の電極間の前記半導
体膜上に形成された電気絶縁性ダイヤモンドからなるイ
オン感応膜とを有することを特徴とする。
【００１２】
【作用】ダイヤモンドはＳｉに比して絶縁破壊電圧が高
いという性質を有している。例えば、Ｓｉの絶縁破壊電
圧が 3×105 Ｖ／ｃｍであるのに対し、ダイヤモンドの
絶縁破壊電圧は 100×105 Ｖ／ｃｍである。本発明にお
いては、イオン感応膜及び半導体膜等の半導体素子材料
として、ダイヤモンドが使用されているため、耐絶縁破
壊特性が優れている。また、ダイヤモンドからなるイオ
ン感応膜は耐水性が優れていると共に、ダイヤモンドか
らなる半導体膜との密着性も良好である。このため、本
発明に係るイオンセンサは、溶液中に長時間浸漬して使
用しても、性能の劣化が殆どなく、耐水性が優れてい
る。
いという性質を有している。例えば、Ｓｉの絶縁破壊電
圧が 3×105 Ｖ／ｃｍであるのに対し、ダイヤモンドの
絶縁破壊電圧は 100×105 Ｖ／ｃｍである。本発明にお
いては、イオン感応膜及び半導体膜等の半導体素子材料
として、ダイヤモンドが使用されているため、耐絶縁破
壊特性が優れている。また、ダイヤモンドからなるイオ
ン感応膜は耐水性が優れていると共に、ダイヤモンドか
らなる半導体膜との密着性も良好である。このため、本
発明に係るイオンセンサは、溶液中に長時間浸漬して使
用しても、性能の劣化が殆どなく、耐水性が優れてい
る。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１４】図１は本発明の第１の実施例に係るダイヤ
モンド薄膜イオンセンサを示す断面図である。
モンド薄膜イオンセンサを示す断面図である。
【００１５】Ｓｉ等の基板１の周囲には絶縁性ダイヤモ
ンドからなる絶縁膜２が形成されており、この絶縁膜２
上には半導体ダイヤモンドからなる半導体膜３が形成さ
れている。また、この半導体膜３上には、半導体ダイヤ
モンドからなる電極４ａ，４ｂが相互に離隔して形成さ
れている。更に、この電極４ａ，４ｂ及び半導体膜３上
を含む基板１の全面には絶縁性ダイヤモンドからなる絶
縁膜５が被覆されている。なお、電極４ａ，４ｂ間の絶
縁膜５がイオン感応膜である。また、このダイヤモンド
薄膜イオンセンサはホルダ（図示せず）に収納されてお
り、外部から電極４ａ，４ｂに電圧を印加することがで
きるようになっている。
ンドからなる絶縁膜２が形成されており、この絶縁膜２
上には半導体ダイヤモンドからなる半導体膜３が形成さ
れている。また、この半導体膜３上には、半導体ダイヤ
モンドからなる電極４ａ，４ｂが相互に離隔して形成さ
れている。更に、この電極４ａ，４ｂ及び半導体膜３上
を含む基板１の全面には絶縁性ダイヤモンドからなる絶
縁膜５が被覆されている。なお、電極４ａ，４ｂ間の絶
縁膜５がイオン感応膜である。また、このダイヤモンド
薄膜イオンセンサはホルダ（図示せず）に収納されてお
り、外部から電極４ａ，４ｂに電圧を印加することがで
きるようになっている。
【００１６】次に、このように構成された本実施例のイ
オンセンサの動作について説明する。
オンセンサの動作について説明する。
【００１７】本実施例に係るイオンセンサを溶液中に浸
漬すると、ゲート部に形成されたイオン感応膜は溶液中
において水と反応し、このイオン感応膜の表面に水酸基
（−ＯＨ）が形成される。このとき、膜の表面は電気的
に帯電した状態になっており、この帯電によりゲート部
に電位が発生する。このイオン感応膜表面の帯電状態は
水素イオン（Ｈ+ ）濃度により変化する。従って、溶液
中の水素イオン濃度によりイオン感応膜の表面電荷状態
（表面電位）が決定される。これにより、電極４ａ，４
ｂ間に流れる電流が決定されるため、この電流を測定す
ることによりイオン濃度を知ることができる。
漬すると、ゲート部に形成されたイオン感応膜は溶液中
において水と反応し、このイオン感応膜の表面に水酸基
（−ＯＨ）が形成される。このとき、膜の表面は電気的
に帯電した状態になっており、この帯電によりゲート部
に電位が発生する。このイオン感応膜表面の帯電状態は
水素イオン（Ｈ+ ）濃度により変化する。従って、溶液
中の水素イオン濃度によりイオン感応膜の表面電荷状態
（表面電位）が決定される。これにより、電極４ａ，４
ｂ間に流れる電流が決定されるため、この電流を測定す
ることによりイオン濃度を知ることができる。
【００１８】本実施例においては、半導体膜３及び絶縁
膜５がダイヤモンド薄膜からなるため、イオン感応絶縁
膜の膜質が良好である。また、半導体膜３と絶縁膜５と
の密着性が良好であると共に耐浸水性が優れている。更
に、ダイヤモンドはＳｉに比して絶縁破壊電圧が高いた
め、センサの耐絶縁破壊性が従来に比して著しく向上す
る。
膜５がダイヤモンド薄膜からなるため、イオン感応絶縁
膜の膜質が良好である。また、半導体膜３と絶縁膜５と
の密着性が良好であると共に耐浸水性が優れている。更
に、ダイヤモンドはＳｉに比して絶縁破壊電圧が高いた
め、センサの耐絶縁破壊性が従来に比して著しく向上す
る。
【００１９】図２乃至図４は本実施例に係るダイヤモン
ド薄膜イオンセンサの製造方法を工程順に示す断面図で
ある。
ド薄膜イオンセンサの製造方法を工程順に示す断面図で
ある。
【００２０】先ず、図２に示すように、Ｓｉ基板１の周
囲に、絶縁膜２として、電気絶縁性ダイヤモンド薄膜を
例えば２μｍの厚さで気相合成する。下記表１に、この
絶縁膜２の形成時におけるダイヤモンド薄膜合成条件の
一例を示す。
囲に、絶縁膜２として、電気絶縁性ダイヤモンド薄膜を
例えば２μｍの厚さで気相合成する。下記表１に、この
絶縁膜２の形成時におけるダイヤモンド薄膜合成条件の
一例を示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】次に、公知のフォトリソグラフィー技術を
使用して、絶縁膜２上の半導体膜形成予定領域を除く領
域にＳｉＯ2 膜からなるマスクを所定のパターンで形成
する。そして、図３に示すように、マスク（図示せず）
が形成されていない領域にＰ型半導体ダイヤモンド薄膜
を例えば0.5 μｍの厚さに形成することにより、半導体
膜３を形成する。その後、前記マスクを除去する。下記
表２に、半導体膜３の形成時におけるダイヤモンド薄膜
合成条件の一例を示す。
使用して、絶縁膜２上の半導体膜形成予定領域を除く領
域にＳｉＯ2 膜からなるマスクを所定のパターンで形成
する。そして、図３に示すように、マスク（図示せず）
が形成されていない領域にＰ型半導体ダイヤモンド薄膜
を例えば0.5 μｍの厚さに形成することにより、半導体
膜３を形成する。その後、前記マスクを除去する。下記
表２に、半導体膜３の形成時におけるダイヤモンド薄膜
合成条件の一例を示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】次に、Ｐ型半導体膜３上の電極形成領域を
除く領域に、マスクとしてＳｉＯ2膜を形成する。その
後、図４に示すように、このマスク（図示せず）に覆わ
れていない領域に半導体ダイヤモンド薄膜を例えば0.2
μｍの厚さで形成することにより、電極４ａ，４ｂを形
成する。次に、前記マスクを除去する。下記表３に、電
極４ａ，４ｂ形成時におけるダイヤモンド薄膜の合成条
件の一例を示す。
除く領域に、マスクとしてＳｉＯ2膜を形成する。その
後、図４に示すように、このマスク（図示せず）に覆わ
れていない領域に半導体ダイヤモンド薄膜を例えば0.2
μｍの厚さで形成することにより、電極４ａ，４ｂを形
成する。次に、前記マスクを除去する。下記表３に、電
極４ａ，４ｂ形成時におけるダイヤモンド薄膜の合成条
件の一例を示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】次いで、図１に示すように、全面に絶縁性
ダイヤモンドからなる絶縁膜５を例えば0.1 μｍの厚さ
に形成する。下記表４に、この絶縁膜５形成時における
ダイヤモンド薄膜の成膜条件の一例を示す。
ダイヤモンドからなる絶縁膜５を例えば0.1 μｍの厚さ
に形成する。下記表４に、この絶縁膜５形成時における
ダイヤモンド薄膜の成膜条件の一例を示す。
【００２７】
【表４】
【００２８】その後、ダイシングソーでセンサユニット
を切り離し、このユニットをホルダーに取り付け、金属
電極をワイヤボンディングする。これにより、本実施例
に係るダイヤモンド薄膜イオンセンサが完成する。
を切り離し、このユニットをホルダーに取り付け、金属
電極をワイヤボンディングする。これにより、本実施例
に係るダイヤモンド薄膜イオンセンサが完成する。
【００２９】図５は本発明の第２の実施例に係るダイヤ
モンド薄膜イオンセンサを示す断面図である。
モンド薄膜イオンセンサを示す断面図である。
【００３０】基板６はＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉ3 Ｎ4 からな
り、この基板６上には絶縁性ダイヤモンドからなる絶縁
膜７が形成されている。また、この絶縁膜７上の所定領
域には、Ｐ型半導体ダイヤモンドからなる半導体膜８が
形成されている。そして、この半導体膜８上には、半導
体ダイヤモンドからなる電極９ａ，９ｂが相互に離隔し
て形成されている。この電極９ａ，９ｂ及び半導体膜８
上を含む絶縁膜７上には、絶縁性ダイヤモンドからなる
絶縁膜１０が形成されている。なお、電極９ａ，９ｂ間
の絶縁膜１０がイオン感応膜である。
り、この基板６上には絶縁性ダイヤモンドからなる絶縁
膜７が形成されている。また、この絶縁膜７上の所定領
域には、Ｐ型半導体ダイヤモンドからなる半導体膜８が
形成されている。そして、この半導体膜８上には、半導
体ダイヤモンドからなる電極９ａ，９ｂが相互に離隔し
て形成されている。この電極９ａ，９ｂ及び半導体膜８
上を含む絶縁膜７上には、絶縁性ダイヤモンドからなる
絶縁膜１０が形成されている。なお、電極９ａ，９ｂ間
の絶縁膜１０がイオン感応膜である。
【００３１】本実施例においても、第１の実施例と同様
の効果を得ることができる。この場合に、基板６の材質
としてＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉ3 Ｎ4 が使用されているた
め、絶縁性ダイヤモンド薄膜を基板６の全面に被覆しな
くても、十分な耐浸水性を得ることができる。
の効果を得ることができる。この場合に、基板６の材質
としてＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉ3 Ｎ4 が使用されているた
め、絶縁性ダイヤモンド薄膜を基板６の全面に被覆しな
くても、十分な耐浸水性を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るダイヤ
モンド薄膜イオンセンサは、基板上に形成された絶縁
膜、この絶縁膜上に形成された半導体膜及びイオン感応
膜がダイヤモンドにより形成されているから、絶縁破壊
が発生しにくいと共に長時間溶液中に浸漬して使用して
も性能が劣化しにくくて耐浸水性が極めて優れている。
モンド薄膜イオンセンサは、基板上に形成された絶縁
膜、この絶縁膜上に形成された半導体膜及びイオン感応
膜がダイヤモンドにより形成されているから、絶縁破壊
が発生しにくいと共に長時間溶液中に浸漬して使用して
も性能が劣化しにくくて耐浸水性が極めて優れている。
【図１】本発明の第１の実施例に係るダイヤモンド薄膜
イオンセンサを示す断面図である。
イオンセンサを示す断面図である。
【図２】同じくその製造方法の一工程を示す断面図であ
る。
る。
【図３】同じくその製造方法の一工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４】同じくその製造方法の一工程を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の第２の実施例に係るダイヤモンド薄膜
イオンセンサを示す断面図である。
イオンセンサを示す断面図である。
【図６】従来のＩＳＦＥＴを示す模式図である。
１，６，１１；基板 ２，５，７，１０；絶縁膜 ３，８；半導体膜 ４ａ，４ｂ，９ａ，９ｂ；電極 １３；ＳｉＯ2 膜 １４；Ｓｉ3 Ｎ4 膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板と、この基板上に形成された電気絶
縁性ダイヤモンドからなる絶縁膜と、この絶縁膜上に形
成された半導体ダイヤモンドからなる半導体膜と、この
半導体膜上に相互に離隔して形成された第１及び第２の
電極と、この第１及び第２の電極間の前記半導体膜上に
形成された電気絶縁性ダイヤモンドからなるイオン感応
膜とを有することを特徴とするダイヤモンド薄膜イオン
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198822A JPH0518935A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | ダイヤモンド薄膜イオンセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198822A JPH0518935A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | ダイヤモンド薄膜イオンセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0518935A true JPH0518935A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=16397494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3198822A Pending JPH0518935A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | ダイヤモンド薄膜イオンセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0518935A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2000328325A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-28 | Toray Ind Inc | 球技用ユニフォーム |
| GB2404738A (en) * | 2003-08-04 | 2005-02-09 | Schlumberger Holdings | Sensor with conducting diamond microelectrodes |
| JP2007501389A (ja) * | 2003-08-04 | 2007-01-25 | エレメント シックス リミテッド | ダイヤモンドマイクロ電極 |
| JP2007086037A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Horiba Ltd | ダイヤモンド電極及びダイヤモンド電極の表面改質方法 |
| JP2011137820A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 電気化学的及び／又は電気的に測定する生物センサ、及びダイヤモンド電極、及び電子集積回路 |
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-
1991
- 1991-07-11 JP JP3198822A patent/JPH0518935A/ja active Pending
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