JPS6059318B2 - パタ−ン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁性基板上にパターン化されたＮ−Ｃｕ合
金層を形成する方法に関し、特に半導体集積回路装置の
配線層を形成する場合に適用しノて好適なものである。

半導体集積回路装置の配線層を、種々の理由で、Ａ１−
Ｃｕ合金層でなるものとする必要がある場合がある。半
導体集積回路装置の、配線層をに−Ｃｕ合金・層でなる
ものとして形成するにつき、従来は、半導体基板上にパ
ターン化されるべきに−Ｃｕ合金層を形成し、次に、そ
のＡｌ−Ｃｕ合金層上にパターン化されたフォトレジス
トによるマスクを形成し、然る後、パターン化されるべ
きに−Ｃｕ合金”層に対する、上記マスクをマスクとし
た化学エッチングをすることによつて、パターン化され
たＮ−Ｃｕ合金層を、配線層として形成するのを普通と
していた。

然しながら、このような従来の方法の場合、パターン化
せられるべきＡｌ−Ｃｕ合金層に対する、パターン化さ
れたマスク層をマスクとした化学エッチングをする工程
において、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層が、側方か
らエッチングされたもの即ち所謂サイドエッチングされ
たものとして得られるのを余儀なくされる。

このため、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層が、マスク
層のパターンよりサイドエッチされた量だけ、一周り小
さなパターンを有するものとして形成される。ところで
、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層は、マスク層のパタ
ーンと同じパターンで得られるのが望ましい。

その理由は、マスク層を、形成せんとするパターン化さ
れたＡｌ−Ｃｕ合金層の所期のパターンと同じパターン
に形成し置くだけで、パターン化されたＡ１−Ｃｕ合金
層を、所期のパターンを有するものとして形成すること
が出来るからである。然しながら、パターン化されたＡ
１−Ｃｕ合金層が、マスク層のパターンよりサイドエッ
チングされた量だけ、一周り小さなパターンを有するも
のとして形成されても、上述した化学エッチングをする
工程において、サイドエッチングされる量が、予測され
ていれば、マスク層のパターンを、サイドエッチングさ
れる量を見込んで、形成せんとするパターン化されたＡ
Ｉ−Ｃｕ合金層の所期のパターンよソー周り大きなパタ
ーンに、予め形成しておくことにより、パターン化され
たＮ−Ｃｕ合金層を、所期のパターンを有するものとし
て形成することが出来る。然しながら、上述した従来の
方法による場合、上述した化学エッチングをする工程に
おいて、上述したサイドエッチングされる量を予測する
のが極めて困難であつた。

このため、上述した従来の方法の場合、パターン化され
たＡｌ−Ｃｕ合金層を、所期のパターンを有するものと
して、微細に、高精度に形成するのが極めて困難であつ
た等の欠点を有していた。よつて本発明は、上述した欠
点のない新規なパターン化されたＮ−Ｃｕ合金層を形成
する方法を提案せんとするものである。本発明者は、第
１図Ａに示すような、例えば、シリコンでなる基板１上
に例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）でなる絶縁層２を形
成している絶縁性基板３を予め用意し、そして、その絶
縁性基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂに示すように、パ
ターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層４を、それ自体は
公知の例えば蒸着によつて形成し、次に、そのパターン
化されるべきＡ１−Ｃｕ合金層４上に、第１図Ｃに示す
ように、パターン化された例えばフォトレジストでなる
マスク層５を、絶縁性基板３上のＮ−Ｃｕ合金層４上に
フォトレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に対
するフォトマスクを用いた露光、続く現像をなすという
、それ自体は公知の方法によつて形成し、かくて、絶縁
性基板３上にパターン化されるべきＡ１−Ｃｕ合金層４
が形成され、そのＡＩ−Ｃｕ合金層４上にパターン化さ
れたマスク層５が形成されている基板体６を得た。

そして、その基板体６を、第２図に示すように、燐酸（
Ｈ３ＰＯ４）を溶質の主体としている水溶液でなる電解
液１１を収容している槽１２内に、に−Ｃｕ合金層４が
略々垂直面上に延長するように、浸漬させ、また、その
槽１２内に、例えば白金でなる電極１３を、基板体６の
Ａ１−Ｃｕ合金層４と対向するように、浸漬させ、然し
て、基板体６におけるパターン化されるばきＡ１−Ｃｕ
合金層４を、マスク層５によつてマスクされていない領
域において、直流電源１４の正極側に接続し、また、電
極１３を、直流電源４の負極側に接続して、Ａ１−Ｃｕ
合金層４に対する、マスク層５をマスクとし、且つ燐酸
を溶質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた電
解エッチングをなした。

但し、この場合、燐酸を溶質の主体としている水溶液で
なる電解液１１を、５０〜８５％濃度の燐酸液でなる溶
質のみの水溶液でなるものとした。

然るときは、Ｎ−Ｃｕ合金層４のマスク層５によつてマ
スクされていない領域が、陽極として作用し、そして、
その陽極側で、 劉→２Ａ１３＋＋？− で表される化学反応が生じ、また電解液１１中で、の化
学反応が生じ、さらに、電極１３が陰極として作用して
、その陰極側でで表される化学反応が生ずるという機構
で、Ａ１−Ｃｕ合金層４が、ＮとＣｕとからなるにも拘
わらず、マスク層５によつてマスクされていない領域に
おいて、第３図Ａに示すエッチングされていない状態か
ら、第３図Ｂで一般的に示すような、表面からエッチン
グされつつある状態を経て、第３図Ｃで一般的に示すよ
うに、全厚さに亘つてエツ・チングされて、パターン化
されたＡ１−Ｃｕ合金層７が、マスク層５下に形成され
ることを確認するに到つた。

但し、この場合、電極１３を白金でなるものとした。ま
た、本発明者は、上述した電解エッチングを上述した燐
酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液１１に、
硝酸（ＨＮＯ３）を溶質として添加して行なつても、上
述したと同様にパターン化されたＡＩ−Ｃｕ合金層７が
、マスク層５下に形成されることを確認するに到つた。

） 但し、この場合、燐酸（５０〜８５％濃度の燐酸液
でなる）を溶質としている水溶液てなる電解液１１に溶
質として添加する硝酸を、３０〜６０％濃度の硝酸液で
なるものとし、そしてその硝酸液を、燐酸液の１５〜２
喀量部に対し、１〜４容量部でなるものとした。

さらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、上述
した燐酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液１
１に、硝酸（ＨＮＯ３）と酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）とを
溶質として添加して行なつても、上述したと同様に、パ
ターン化されたＡ１一Ｃｕ合金層７が、マスク層５下に
形成されることを確認するに到つた。

但し、この場合、燐酸（５０〜８５％濃度の燐酸液てな
る）を溶質としている水溶液でなる電解液１１に溶質と
して添加する硝酸を、３０〜６０％濃度の硝酸液でなる
ものとし、また酢酸を、７０〜１００％濃度の酢酸液て
なるものとし、そしてその等硝酸液及ひ酢酸液を、燐酸
液の１５〜２喀量部に対し、ともに１〜４容量部でなる
ものとした。

さらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、パタ
ーン化されるばきＡ１−Ｃｕ合金層４と電極１３との間
に接続している直流電源１４を直流定電流源とし、そし
てＮ−Ｃｕ合金層４の、マスク層５によつてマスクされ
ていない領域と、電極１３との間の電圧Ｖ（ボルト）を
、電圧計１５を用いて測定しながら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電圧■の関係が、第
４図に示すように、時点Ｔａまでの間においては、電圧
Ｖが時間ｔと共に僅かづつ上昇するが、時点Ｔａから電
圧Ｖが急激に大になるものとして得られた。

さらに、本発明者は、上述した時間ｔに対する電圧Ｖの
関係と、Ａ１−Ｃｕ合金層４の、マスク層５によつてマ
スクされていない領域のエッチングの状態とを調べた結
果、電圧ｖが時間ｔと共に僅かづつ上昇している時点Ｔ
．，までの間においては、Ａｌ−Ｃｕ合金層４の、マス
ク層５によつてマスクされていない領域が、時間ｔと共
に表面からエッチングされるが、時点Ｔａに連すれば、
Ａｌ−，Ｃｕ合金層４の、マスク層５によつてマスクさ
れていない領域が、その全厚さに亘つてエッチングされ
、第３図Ｃで一般的にすように、パターン化されたＡＩ
−Ｃｕ合金層７が得られていることを確認するに到つた
。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点拍即ちＡｌ−Ｃ
ｕ合金層４の、マスク層５によつてマスクされていない
領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点まで
行つて、上述したパターン化されたＡ１−Ｃｕ合金層７
を形成する場合、そのパターン化されたアルミニウム層
７は、一般に、その側面が、第３図Ｃでマスク層５の側
面より内側にあるものとして示されているように、サイ
ドエッチングされたものとして得られていることを確認
するに到つた。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべきＡ１−Ｃｕ合金層４と電）極１３との間
に接続している直流電源１４を直流定電圧源とし、そし
てその直流定電圧源から、Ｎ−Ｃｕ合金層４を通つて流
れる電流１（ＭＡ）を、電流計１６を用いて測定しなが
ら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電流１の関・係が、
第５図に示すように、時点ｔ１″までの間においては、
電流１が時間ｔと共に僅かづつ減少するが、時点ｔ″か
ら電流１が急激に小になるものとして得られた。さらに
、本発明者は、上述した時間ｔに対する電流１の関係と
、Ａｌ−Ｃｕ合金層４の、マスク層５によつてマスクさ
れていない領域のエッチングの状態とを調べた結果、電
流１が時間ｔと共に僅かづつ減少している時点Ｔａ″ま
で間においては、Ｎ−Ｃｕ合金層４の、マスク層５によ
つてマスクされていない領域が、時間ｔと共に表面から
エッチングされるが、時点ｔ１″に達すれば、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金層４の、マスク層５によつてマスクさ＾ていない
領域が、その全厚さに亘つてエッチングされ、、第３図
Ｃで一般的に示すように、パターン化されたＮ−Ｃｕ合
金層７が得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電流１が、急激に小になる時点Ｔａ″即ちＮ−
Ｃｕ合金層４の、マスク層５によつてマスクされていな
い領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点ま
で行つて、上述したパターン化されたＮ−Ｃｕ合金層７
を形成する場合、そのパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金
層７は、一般に、その側面が、第３図Ｃてマスク５の側
面より内側にあるものとして示されているように、サイ
ドエッチングされたものとして得られていることを確認
するに到つた。また、本発明者は、上述した電解エッチ
ングを、電解液１１の温度Ｔ（℃）を一定温度Ｔｅ（℃
）として、直流電源１４から基板体６におけるに−Ｃｕ
合金層４、及び電極１３を通つて、電解液１１に流れる
電流１を変え、従つて、Ａｌ一Ｃｕ合金層４に流れる電
流の密度Ｊ（ＭＡ／ＣＴｌ）を変えて、直流電源１４が
直流低電流源である場合、上述した電圧Ｖが、急激に大
になる時点ｔまで、また、直流電源１４が直流定電圧源
である場合、上述した電流１が、急激に小になる時，魚
″まで、即ちに−Ｃｕ合金層４の、マスク層５によつて
マスクされていない領域が、その全厚さに亘つてエッチ
ングされる時点まで行つて、上述したパターン化された
Ｎ−Ｃｕ合金層７を形成し、そして、そのに−Ｃｕ合金
層７がサイドエッチングされている量即ちサイドエッチ
ング量Ｙ（μｍ）を測定した。

然るときは、電解液の温度Ｔをパラメータとする電流密
度Ｊに対する上述したサイドエッチング量Ｙの関係が、
第６図に示すように得られた。

但し、第６図は、電解液１１が、８５％濃度てなる燐酸
液でなる燐酸のみを溶質とした水溶液でなり、また、電
解液１１の温度ＴｅＣＣ）が３３．０℃であり、さらに
Ｎ−Ｃｕ合金層４が、１μｍの厚さを有している場合の
測定結果てある。また、上述した測定を、上述した電解
液１１に、その溶質としての燐酸を、８５％濃度の燐酸
液の１熔量部とするとき、６５％濃度の硝酸液の１容量
部でなる硝酸を添加して行なつても、第６図に示すと同
様の測定結果が得られた。

さらに、上述した測定を、上述した電解液１１に、その
溶質としての燐酸を、８５％濃度の燐酸液の１熔量部と
するとき、６５％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と
、９６％濃度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを添加し
て行なつても、第６図に示すと同様の測定結果が得られ
た。

よつて、第６図に示す測定結果から、電解液１１の温度
Ｔを一定温度ＴｅＣＣ）とした場合、電流密度Ｊを大と
すれば、上述したサイドエッチング量Ｙが小になること
を確認するに到つた。

また、このように電流密度Ｊが大になるように、電解液
１１に流れる電流を大とすれば、サイドエッチング量Ｙ
が小となるものとして得られるのは、電流密度Ｊを大と
すれば、アルミニウム層４と、電極１３との間の電界強
度が、主として、Ｎ−Ｃｕ合金層４と、電極１３とを結
ふ方向に関し、他の方向に比し格段的に強くなり、この
ため、Ａ１−Ｃｕ合金層４のマスク層５によつてマスク
されていない領域が厚さ方向にエッチングされる速度と
、面方向にエッチングされる速度との比が大になからで
あることも確認するに到つた。さらに、電流密度Ｊを一
定とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上述
したサイドエッチング量Ｙが小になることを確認するに
到つた。なおさらに、上述したサイドエッチング量Ｙを
同じ値で得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くすれば
、これに応じて電流密度Ｊを大にすればよいことも確認
するに到つた。また、第６図に示す測定結果から、上述
したサイドエッチング量Ｙの値が零になるときの、電解
液１１の温度Ｔに対する電流密度Ｊの関係が、第７図に
示すように得られること、及び上述したように、電解液
１１の温度Ｔを一定とした場合、電流密度Ｊを大とすれ
ば、上述したサイドエッチング量Ｙが小になることから
、上述した電解エッチングを、電解液１１の温度Ｔを温
度Ｔｅ（℃）にし、また電流密度Ｊを、で与えられる電
流密１ｅ（ＭＡ／ｄ）以上の電流密度にして行えば、上
述したパタ７ン化されたＮ−ＣＵ合金層７が、第８図に
示すように、上沌したサイドエッチング量Ｙが略々零で
あるものとして形成されることも確認するに到つた。

さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（ＭＡ／Ｃｌｔ）
とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上述し
たサイドエッチング量Ｙが・小になることから、上述し
た電解エッチングを、電流密度ＪをＪｅ（ＭＡ／Ｃｒｌ
）にし、電解液１１の温度Ｔを、で与えられる温度Ｔｅ
ＣＣ）以下の温度にして行えば、上述したパターン化さ
れたＡ１−Ｃｕ合金層７が、第８図に示すように、上述
したサイドエッチング量Ｙが略々零であるものとして形
成されることも確認するに到つた。

よつて、本発明者は、特許請求の範囲記載の発明を、本
発明による発明として提案するに到つた。

以上で、本発明によるパターン化されたＡ１−Ｃｕ合金
層を形成する方法が明らかとなつた。

このような本発明による方法によれば、パターン化され
るべきＮ−Ｃｕ合金層に対する、パターン化されたマス
ク層をマスクとした電解エッチングをする工程において
、形成されるパターン化されたＮ−Ｃｕ合金層のサイド
エッチング量Ｙを、第６図で上述したところから明らか
なように、電解液の温度Ｔと電流密度Ｊとによつて、予
測することができる。このため、パターン化されるべき
Ｎ−Ｃｕ合金層にパターン化されたマスク層を形成する
工程において、そのパターン化されたマスクを、予測さ
れるサイドエッチング量Ｙを見込んで形成することによ
り、パターン化されたに−Ｃｕ合金層を、所期のパター
ンを有するものとして、微細に、高精度に、容易に形成
することが出来る、という特徴を有する。

また、上述した電解エッチングをする工程において、そ
の電解エッチングを、電解液の温度Ｔを温度ＴｅＣＣ）
にし、電流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜（１ｃ）式で
与えられる電流密度Ｊｅ（ＭＡ／Ｃ７ｌｆ）以上の電流
密度にして行えば、または、電流密度Ｊを電流密度Ｊｅ
（ＭＡ／ｄ）にし、電解液の温度Ｔを、上述した（２ａ
）〜（２ｃ）式で与えられる温度ＴｅＣＣ）以下の温度
にして行え．ば、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層が、
サイドエッチング量Ｙが略々零であるものとして形成さ
れる。

このため、パターン化されたマスク層を形成する工程に
おいて、そのマスク層を、形成せんとすＪるパターン化
されたＡ１−Ｃｕ合金層の所期のパターンと同じパター
ンに形成し、また、上述した電解エッチングの工程にお
いて、電解液の温度Ｔを温度Ｔｅとするとき、電流密度
Ｊを上述した（１ａ）〜（１ｃ）式が与えられる電流密
度Ｊｅ以上のく電流密度にし、または、電流密度Ｊを電
流密度Ｊｅとするとき、電解液の温度Ｔを上述した（２
ａ）〜（２ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ以下の温度にす
ることによつて、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層を、
所期のパターンを有するものとして、微細に、高精度に
、容易に形成することができるという特徴を有する。

さらに、上述した電解エッチングを、直流電源として直
流定電流源を用いて行なう場合、その電解エッチングを
する工程における、その電解エッチングの終了時点が、
陽極としてのパターン化されるべきＮ−Ｃｕ合金層と、
これに対する陰極電極との間の電圧が急激に大になる時
点に対応してノいるので、上述した電解エッチングを、
陽極としてのパターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層と
、これに対する陰極電極との間の電圧が急激に大になる
時点まで行うことによつて、パターン化されたＮ−Ｃｕ
合金層を、所期のパターンを有するもの一として、再現
性良く、微細に、高精度に、容易に形成することができ
る特徴を有する。

なお、さらに、電解エッチングを、直流電源として直流
定電流源を用いて行なう場合、上述した、陽極としての
パターン化されるべきＮ−Ｃｕ合金層と、これに対する
陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点は、これを
、種々の電圧検出器によつて、容易に検出し得、また、
その電圧検出器の出力によつて、陽極としてのに−Ｃｕ
合金層と、これに対する陰極電極との間に接続している
直流定電流源をオフにしたり、直流定電流源と、陽極と
してのＡｌ−Ｃｕ合金層または陰極電極との間の線路を
切断したりするという簡易な手段によつて、上述した電
解エッチングを、陽極としてのパターン化されるべきＡ
ｌ−Ｃｕ合金層と、これに対する陰極電極との間の電圧
が急激に大になる時点で、直ちに且つ容易に終了させる
ことができる。

また、上述した電解エッチングを、直流電源として直流
定電圧源を用いて行なう場合、その電解エッチングをす
る工程における、その電解エッチングの終了時点が、直
流定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべきＡ
ｌ−Ｃｕ合金層を通つて流れる電流が急激に小になる時
点に対応しているのて、上述した電解エッチングを、直
流定電圧源から、陽極としてのパターン化されるばきＡ
ｌ一Ｃｕ合金層を通つて流れる電流が急激に小になる時
点まで行うことによつて、パターン化されたＮ−Ｃｕ合
金層を、所期のパターンを有するものとして、再現性良
く、微細に、高精度に、容易に形成することができる特
徴を有する。

なおさらに、電解エッチングを、直流電源として直流定
電圧源を用いて行なう場合、直流定電圧源から、上述し
た陽極としてのパターン化されるべきＡ１−Ｃｕ合金層
を通つて流れる電流が急激に小になる時点は、これを、
種々の電流検出器によつて、容易に検出し得、また、そ
の電流検出器の出力によつて、陽極としてのＮ−Ｃｕ合
金層と、これに対する陰極電極との間に接続している直
流定電圧源をオフにしたり、直流定電圧源と、陽極とし
てのＮ−Ｃｕ合金層または陰極電極との間の線路を切断
したりするという簡易な手段によつて、上述した電解エ
ッチングを、直流定電圧源から、陽極としてのパターン
化されるべきＮ−Ｃｕ合金層を通つて流れる電流が急激
に小になる時点で、直ちに且つ容易に終了させることが
できる。

従つて、上述した本発明の特徴を、確実、容易に発揮す
ることができる、という特徴を有する。また、本発明に
よるパターン化されたに−Ｃｕ合金層を形成する方法に
よつて形成される、パターン化されたＡＩ−Ｃｕ合金層
は、配線層として機能する。従つて、本発明は、これを
、半導体集積回路装置のの配線層を形成する場合に適用
して、極めて好適である、という特徴を有する。

次に、本発明の実施例を述べよう。実施例１第１図Ａで
上述したと同様に、基板１上に絶縁層２を形成している
絶縁性基板３を予め用意した。

但し、この場合、基板１を、表面積が約４０．０Ｃ７ｉ
のシリコンでなるものとした。また、絶縁層２を酸化シ
リコン（ＳｉＯ２）でなるものとした。然して、絶縁性
基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂで上述したと同様に、
パターン化されるべきＮ−Ｃｕ合金層４を形成した。但
し、この場合、Ｎ−Ｃｕ合金層４を蒸着によつて、１μ
ｍの厚さを有するものとして形成した。次に、に−Ｃｕ
合金層４上に、第１図Ｃで上述したと同様に、パターン
化されたマスク層５を形成した。

但し、この場合、マスク層５を、Ａｌ一Ｃｕ合金層４上
に、フォトレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層
に対するフォトマスクを用いた露光、続く現像処理をな
すことによつて、フォトレジストでなるものとして形成
した。このようにして、第１図Ｃで上述したと同様に、
絶縁性基板３上にパターン化されるべきＡ１−Ｃｕ合金
層４が形成され、そのＮ−Ｃｕ合金層４上にパターン化
されたマスク層５が形成されている基板体６を得た。次
に、基板体６を、第２図で上述したと同様に、８５％濃
度の燐酸液でなる燐酸のみを溶質とした水溶液でなる電
解液１１を収容している槽１２内に、ＡＩ−Ｃｕ合金層
４が、略々垂直面上に延長するように浸漬させ、また、
その槽１２内に、白金でなる電極１３を、基板体６のＡ
１−Ｃｕ合金層４と対向するように浸漬させ、然して、
基板体６におけるパターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金
層４を、マスク層５によつてマスクされていない領域に
おいて、直流定電流源でなる直流電源１４の正極側に接
続し、また、電極１３を、直流電源１４の負極側に接続
して、Ａｌ−Ｃｕ合金層４に対する、上述した燐酸を溶
質としている水溶液でなる電解液１１を用いた電解エッ
チングを、に−Ｃｕ合金層４及び電極１３間の電圧■が
急激に大になる時点までなし、パターン化されたＮ−Ｃ
ｕ合金層７を得た。

この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、また電
解液１１に通する電流を２４０．０ｒｒ１Ａとし、従つ
てＮ−Ｃｕ合金層４に通する電流密度を、６．０（＝２
４０．０ｒｒ１Ａ／４０．０ｃＦ１ｆ）ＭＡ／ＣｌＬと
した。

然るときは、パターン化されたＡ１−Ｃｕ合金層７が、
サイドエッチング量が略々零であるものとして形成され
た。実施例２ 上述した本発明の実施例１の場合と同様に、第１図Ｃで
上述したと同様の、絶縁性基板３上にパターン化される
べきＡ１−Ｃｕ合金層４が形成され、そのに−Ｃｕ合金
層４上にパターン化された・マスク層５が形成されてい
る基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１に場合における電解液
１１を、８５％濃度の燐酸液の１喀量部でなる燐酸と、
６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸とを溶質とし
た水溶液でなるものに変更したノことを除いては、上述
した本発明の実施例１の場合と同様の電解エッチングを
、上述した本発明の実施例１の場合と同様になして、パ
ターン化されたＮ−Ｃｕ合金層７を得た。然るときは、
上述した本発明の実施例１の場合と同様に、パターン化
されたＡ１−Ｃｕ合金層７が、サイドエッチング量が略
々零であるものとして形成された。

実施例３ 上述した本発明の実施例１の場合と同様に、第１図Ｃで
上述したと同様の、絶縁性基板３上にパターン化される
べきＡ１−Ｃｕ合金層４が形成され、そのＮ−Ｃｕ合金
層４上にパターン化されたマスク層５が形成されている
基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１の場合における電解液
１１を、８５％濃度の燐酸液の１喀量部でなる燐酸と、
６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と、９６％濃
度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを溶質とした水溶液
でなるものに変更したことを除いては、上述した本発明
の実施例１の場合と同様の電解エッチングを、上述した
本発明の実施例１の場合と同様になして、パターン化さ
れたに−Ｃｕ合金層７を得た。然るときは、上述した本
発明の実施例１の場合と同様に、パターン化されたＡ１
−Ｃｕ合金層７が、サイドエッチング量が略々零である
ものとして形成された。

実施例４ 上述した本発明の実施例１の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、Ａｌ−Ｃｕ合金層を通つて流れる
電流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いて
は、上述した本発明の実施例１の場合と同様の工程をと
つて、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１の場合と同様に
、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層７が、サイドエッ
チング量が略々零であるものとして形成された。

実施例５ 上述した本発明の実施例２の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、Ａ１−Ｃｕ合金層を通つて流れる
電流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いて
は、上述した本発明の実施例２の場合と同様の工程をと
つて、パターン化さたＮ−Ｃｕ合金層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２の場合と同様に
、パターン化されたＡ１−Ｃｕ合金層７が、サイドエッ
チング量が略々零であるものとして形成された。

実施例６ 上述した本発明の実施例３の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、Ａ１−Ｃｕ合金層を通つて流れる
電流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いて
は、上述した本発明の実施例３の場合と同様の工程をと
つて、パターン”化されたＮ−Ｃｕ合金層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３の場合と同様に
、パターン化されたＡ１−Ｃｕ合金層７が、サイドエッ
チング量が略々零であるものとして形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
に−Ｃｕ合金層を形成する方法の説明に供する、パター
ン化されるべきＡ１−Ｃｕ合金層上に、パターン化され
たマスク層を形成する順次の工程における、路線的断面
図てある。 第２図は、同様に、本発明によるパターン化されたＡ１
−Ｃｕ合金層を形成する方法の説明に供する、パターン
化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層に対する電解エッチング
によつて、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層を形成する
工程を示す、路線図である。 第３図は、同様に、本発明によるパターン化されれたＡ
ｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法の説明に供する、パター
ン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層に対する電解エッチン
グによつて、パターン化されたＡ１−Ｃｕ合金層を形成
する工程における、路線的断面図てある。第４図は、同
様に、本発明によるパターン化されたＮ−Ｃｕ合金層を
形成する方法の説明に供する、直流定電流源でなる直流
電源を用いたパターン化されれるべきＮ−Ｃｕ合金層に
対する電解エッチングによつて、パターン化されたＡ１
−Ｃｕ合金層を形成する工程における、時間ｔ（分）に
対する、基板体における陽極としてのＡｌ−Ｃｕ合金層
と、これに対する陰極電極との間の電圧Ｖ（ボルト）の
関係を示す図である。第５図は、同様に、本発明による
パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法の説
明に供する、直流定電圧源でなる直流電源を用いたパタ
ーン化されるべきＮ−Ｃｕ合金層に対する電解エッチン
グによつて、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層を形成す
る工程における、時間ｔ（分）に対する、直流定電圧源
から、基板体における陽極としてのＡ１−Ｃｕ合金層を
通つて流れる電流１（ＭＡ）の関係を示す図である。第
６図は、同様に、本発明によるパターン化されたＡ１−
Ｃｕ合金層を形成する方法の説明に供する、パターン化
されるべきＮ−Ｃｕ合金層に対する電解エッチングによ
つて、パターン化されたＮ−Ｃｕ合金層を形成する工程
における、電解液の温度をパラメータとした、電流密度
Ｊ（ＭＡ／Ｃｌｔ）に対する、本発明によつて形成され
るパターン化されたＮ−Ｃｕ合金層のサイドエッチング
量Ｙ（μｍ）の関係を示す図である。第７図は、同様に
、本発明によるパターン化されたＡ１−Ｃｕ合金層を形
成する方法の説明に供する、パターン化されるべきＮ−
Ｃｕ合金層に対する電解エッチングによつて、パターン
化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する工程における、本
発明によつて形成されるパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合
金層のサイドエッチング量Ｙが零となるときの、電解液
の温度ＴＣＣ）に対する、電流密度Ｊ（ＭＡ／Ｃ７ｌｆ
）の関係を示す図である。第８図は、本発明によるパタ
ーン化されたアルミニウム層を形成する方法によつて得
られる、パターン化されたＡＩ−Ｃｕ合金層の一例を示
す路線的断面図である。１・・・ ・・・基板、２・
・・ ・・・・絶縁層、３・・・・・・絶縁性基板、４
・・・ ・・・・パターン化されるべきＮ−Ｃｕ合金層
、５・・・ ・・・・パターン化されたマスク層、６・
・・ ・・・・基板体、７・・・ ・・・・パターン化
されたに−Ｃｕ合金層、１１・・・ ・・電解液、１
２・・ ・・・・槽、１３・・ ・・・電極、１４
・・・・・・直流電源、１５・・ ・・・電圧計、１
６・・電流計。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上にパターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合
   金層を形成し、該Ａｌ−Ｃｕ合金層上にパターン化され
   たマスク層を形成し、然る後、上記Ａｌ−Ｃｕ合金層に
   対する、上記マスク層をマスクとし、且つ燐酸を溶質の
   主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エッチ
   ングを行うことによつて、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ
   合金層を形成することを特徴とするパターン化されたＡ
   ｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法。 ２ 特許請求の範囲第１記載のパターン化されたＡｌ−
   Ｃｕ合金層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電
   流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ
   ＝２．４（１±０．１） ｂ＝１８．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金
   層を形成する方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｃｕ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／
   ｃｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝
   ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝２．４（１±０．１） ｂ＝１８．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法
   。 ４ 絶縁性基板上にパターン化されるばきＡｌ−Ｃｕ合
   金層を形成し、該Ａｌ−Ｃｕ合金層上にパターン化され
   たマスク層を形成し、然る後、上記Ａｌ−Ｃｕ合金層に
   対する、上記マスク層をマスクとし、且つ燐酸を溶質の
   主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エッチ
   ングを、上記パターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層を
   陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべきＡｌ−
   Ｃｕ合金層とこれに対する陰極電極との間に直流定電流
   源を接続して、上記陽極としてのパターン化されるべき
   Ａｌ−Ｃｕ合金層と上記陰極電極との間の電圧が、急激
   に大になる時点まで行うことによつて、パターン化され
   たＡｌ−Ｃｕ合金層を形成することを特徴とするパター
   ン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法。 ５ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｃｕ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、
   電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ
   ａ＝２．４（１±０．１）ｂ＝１８．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金
   層を形成する方法。 ６ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｃｕ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／
   ｃｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝
   ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝２．４（１±０．１） ｂ＝１８．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法
   。 ７ 絶縁性基板上にパターン化されるばきＡｌ−Ｃｕ合
   金層を形成し、該Ａｌ−Ｃｕ合金層上にパターン化され
   たマスク層を形成し、然る後、上記Ａｌ−Ｃｕ合金層に
   対する、上記マスク層をマスクとし、且つ燐酸を溶質の
   主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解エッチ
   ングを、上記パターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層を
   陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべきＡｌ−
   Ｃｕ合金層とこれに対する陰極電極との間に直流定電圧
   源を接続して、該直流定電圧源から上記陽極としてのパ
   ターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層を通つて流れる電
   流が、急激に小になる時点まで行うことによつて、パタ
   ーン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成することを特徴と
   するパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法
   。 ８ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｃｕ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、
   電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂ
   ａ＝２．４（１±０．１）ｂ＝１８．５（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金
   層を形成する方法。 ９ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたＡｌ
   −Ｃｕ合金層を形成する方法において、上記電解エッチ
   ングを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／
   ｃｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝
   ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝２．４（１±０．１） ｂ＝１８．５（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法
   。