JPS6059319B2 - パタ−ン化されたクロム層を形成する方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁性基板上にパターン化されたクロム層を
形成する方法に関し、特に半導体集積回路装置を製造す
る場合に用いるマスク層を形成する場合に適用して好適
なものである。

半導体集積回路装置を製造する場合にマスク層を用いる
が、そのマスク層を、種々の理由によつｊて、クロム層
でなるものとする必要がある場合がある。

半導体集積回路装置を製造する場合に用いるマスク層を
クロム層で形成するにつき、従来は、半導体基板上にパ
ターン化されるべきクロム層を形・成し、次に、そのク
ロム層上にパターン化されたフォトレジストによるマス
クを形成し、然る後、パターン化されるべきクロム層に
対する、上記マスクをマスクとした化学エッチングをす
ることによつて、パターン化されたクロム層を、配線層
と”して形成するのを普通としていた。

然しながら、このような従来の方法の場合、パターン化
せられるべきクロム層に対する、パターン化されたマス
ク層をマスクとした化学エッチングをする工程において
、パターン化されたクロム層が、側方からエッチングさ
れたもの即ち所謂サイドエッチングされたものとして得
られるのを余儀なくされる。

このため、パターン化されたクロム層が、マスク層のパ
ターンよりサイドエッチされた量だけ、一周り小さなパ
ターンを有するものとして形成される。ところで、パタ
ーン化されたクロム層は、マスク層のパターンと同じパ
ターンで得られるのが望ましい。

その理由は、マスク層を、形成せんとするパターン化さ
れたクロム層の所期のパターンと同じパターンに形成し
置くだけで、パターン化されたクロム層を、所期のパタ
ーンを有するものとして形成することが出来るからてあ
る。

然しながら、パターン化されたクロム層が、マスク層の
パターンよりサイドエッチングされた量だけ、一周り小
さなパターンを有するものとして形成されても、上述し
た化学エッチングをする工程において、サイドエッチン
グされる量が、予測されていれば、マスク層のパターン
を、サイドエツチングされる量を見込んで、形成せんと
するパターン化されたクロム層の所期のパターンよソー
周り大きなパターンに、予め形成しておくことにより、
パターン化されたクロム層を、所期のパターンを有する
ものとして形成することが出来る。

然しながら、上述した従来の方法による場合、上述した
化学エッチングをする工程において、上述したサイドエ
ッチングされる量を予測するのが極めて困難であつた。
このため、上述した従来の方法の場合、パターン化され
たクロム層を、所期のパターンを有するものとして、微
細に、高精度に形成するのが極めて困難てあつた等の欠
点を有していた。

よつて本発明は、上述した欠点のない新規なパターン化
されたクロム層を形成する方法を提案せんとするもので
ある。

本発明者は、第１図Ａに示すような、例えば、シリコン
でなる基板１上に例えば酸化シリコン（ＳＩＯ２）てな
る絶縁層２を形成している絶縁性基板３を予め用意し、
そして、その絶縁性基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂに
示すように、パターン化されるべきクロム層４を、それ
自体は公知の例えば蒸着によつて形成し、次に、そのパ
ターン化されるべきクロム層４上に、第１図Ｃに示すよ
うに、パターン化された例えばフォトレジストでなるマ
スク層５を、絶縁性基板３上のクロム層４上にフォトレ
ジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に対するフォ
トマスクを用いた露光、続く現像をなすという、それ自
体は公知の方法によつて形成し、かくて、絶縁性基板３
上にパターン化されるべきクロム層４が形成され、その
クロム層４上にパターン化されたマスク層５が形成され
ている基板体６を得た。

そして、その基板体６を、第２図に示すように、塩酸（
ＨＣりを溶質の主体としている水溶液でなる電解液１１
を収容している槽１２内に、クロム層４が略々垂直面上
に延長するように、浸漬させ、また、その槽１２内に、
例えば白金でなる電極１３を、基板体６のクロム層４と
対向するように、浸漬させ、然して、基板体６における
パターン化されるべきクロム層４を、マスク層５によつ
てマスクされていない領域において、直流電源１４の正
極側に接続し、また、電極１３を、直流電源１４の負極
側に接続して、クロム層４に対する、マスク層５をマス
クとし、且つ塩酸を溶質の主体としている水溶液でなる
電解液を用いた電解エッチングをなした。

然るときは、クロム層４のマスク層５によつてマスクさ
れていない領域が、陽極として作用し、そして、その陽
極側で、で表される化学反応が生じ、また電解液１１中
で、の化学反応が生じ、さらに、電極１３が陰極として
作用して、その陰極側でで表される化学反応が生ずると
いう機構で、クロム層４の、マスク層５によつてマスク
されていない領域が、第３図Ａに示すエッチングされて
いない状態から、第３図Ｂで一般的に示すような、表面
からエッチングされつつある状態を経て、第３図Ｃで一
般的に示すように、全厚さに亘つてエッチングされて、
パターン化されたクロム層７が、マスク層５下に形成さ
れることを確認するに到つた。

但し、この場合、電極１３を白金でなるものとした。さ
らに、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべきクロム層４と電極１３との間に接続して
いる直流電源１４を直流定電流源とし、そしてクロム層
４の、マスク層５によつてマスクされていない領域と、
電極１３との間の電圧Ｖ（ボルト）を、電圧計１５を用
いて測定し・ながら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電圧■の関係が、第
４図に示すように、時点Ｔａまでの間においては、電圧
Ｖが時間ｔと共に僅かつつ上昇するが、時点Ｔａから電
圧Ｖが急激に大になるもの・として得られた。

さらに、本発明者は、上述した時間ｔに対する電圧Ｖの
関係と、クロム層４の、、マスク層５によつてマスクさ
れていない領域のエッチングの状態とを調べた結果、電
圧■が時間ｔと共に僅かづ）つ上昇していいる時点Ｔａ
までの間においては、クロム層４の、マスク層５によつ
てマスクされていない領域が、時間ｔと共に表面からエ
ッチングされるが、時点Ｔａに達すれば、クロム層４の
、マスク層５によつてマスクされていない領域が、その
全厚さに亘つてエッチングされ、第３図Ｃで一般的に示
すように、パターン化されたクロム層７が得られている
ことを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点Ｔａ即ちクロム
層４の、マスク層５によつてマスクされていない領域が
、その全厚さに亘つてエッチングされる時点まで行つて
、上述したパターン化されたクロム層７を形成する場合
、そのパターン化されたクロム層７は、一般に、その側
面が、第３図Ｃでマスク層５の側面より内側にあるもの
として示されているように、サイドエッチングされたも
のとして得られていることを確認するに到つた。また、
本発明者は、上述した電解エッチングを、パターン化さ
れるべきクロム層４と電極１３との間に接続している直
流電源１４を直流定電圧源とし、そしてその直流定電圧
源から、クロム層４を通つて流れる電流１（ＭＡ）を、
電流計１６を用いて測定しながら行つた。然るときは、
時間ｔ（分）に対する電流１の関係が、第５図に示すよ
うに、時点Ｔ．″までの間においては、電流１が時間ｔ
と共に僅かづつ減少するが、時点Ｔ．，″から電流１が
急激に小になるものとして得られた。

さらに、本発明者は、上述した時間ｔに対する電流１の
関係と、クロム層４の、マスク層５によつてマスクされ
ていない領域のエッチングの状態とを調べた結果、電流
１が時間ｔと共に僅かづつ減少している時点Ｔｊまでの
間においては、クロム層４の、マスク層５によつてマス
クされていな．い領域が、時間ｔと共に表面からエッチ
ングされるが、時点ｔ１″に達すれば、クロム層４の、
マスク層５によつてマスクされていない領域が、その全
厚さに亘つてエッチングされ、第３図Ｃで一般的に示す
ように、パターン化されたクロム層７が！得られている
ことを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電流１が、急激に小になる時点Ｔｊ即ちクロム
層４の、マスク層５によつてマスクされていない領域が
、その全厚さに亘つてエツ・チングされる時点まで行つ
て、上述したパターン化されたクロム層７を形成する場
合、そのパターン化されたアルミニウム層７は、一般に
、その側面が、第３図Ｃてマスク層５の側面より内側に
あるものとして示されているように、サイドエッチング
されたものとして得られていることを確認するに到つた
。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、電解液
１１の温度ＴＣＣ）を一定温度ＴｅＣＣ）として、直流
電源１４から基板体６におけるクロム層４、及び電極１
３を通つて、電解液１１に流れる電流１を変え、従つて
、クロム層４に流れる電流の密度Ｊ（ＭＡ／Ｃｌｔ）を
変えて、直流電源１４が直流低電流源である場合、上ｌ
述した電圧Ｖが、急激に大になる時点ｔまで、また、直
流電源１４が直流定電圧源である場合、上述した電流１
が、急激に小になる時点ｔ″まで、即ちクロム層４の、
マスク層５によつてマスクされていない領域が、その全
厚さに亘つてエッチングされる時点まで行つて、上述し
たパターン化されたクロム層７を形成し、そして、その
クロム層７がサイドエッチングされている量即ちサイド
エッチング量Ｙ（μｍ）を測定した。然るときは、電解
液の温度Ｔをパラメータとする電流密度Ｊに対する上述
したサイドエッチング量Ｙの関係が、第６図に示すよう
に得られた。

但し、第６図は、電解液１１が、塩酸のみを溶質とした
水溶液てなり、また、電解液１１の温度Ｔｅ（）が３３
．０℃であり、さらにクロム層４が、１μｍの厚さを有
している場合の測定結果である。よつて、第６図に示す
測定結果から、電解液１１の温度Ｔを一定温度Ｔｅ（℃
）とした場合、電流密度Ｊを大とすれば、上述したサイ
ドエッチング量Ｙが小になることを確認するに到つた。

また、このように電流密度Ｊが大になるように、電解液
１１に流れる電流を大とすれば、サイドエッチング量Ｙ
が小となるものとして得られるのは、電流密度Ｊを大と
すれば、クロム層４と、電極１３との間の電界強度が、
主として、クロム層４と、電極１３とを結ふ方向に関し
、他の方向に比し格段的に強くなり、このため、クロム
層４のマスク層５によつてマスクされていない領域が厚
さ方向にエッチングされる速度と、面方向にエッチング
される速度との比が大になるからであることを確認する
に到つた。さらに、電流密度Ｊを一定とした場合、電解
液１１の温度Ｔを低くすれば、上述したサイドエッチン
グ量Ｙが小になることを確認するに到つた。

なおさらに、上述したサイドエッチング量Ｙを同じ値で
得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くすれば、これに
応じて電流密度Ｊを大にすればよいことも確認するに到
つた。また、第６図に示す測定結果から、上述したサイ
ドエッチング量Ｙの値が零になるときの、電解液１１の
温度Ｔに対する電流密度Ｊの関係が、第７図に示すよう
に得られること、及び上述したように、電解液１１の温
度Ｔを一定とした場合、電流密度Ｊを大とすれば、上述
したサイドエッチング量Ｙが小になることから、上述し
た電解エッチングを、電解液１１の温度Ｔを温度Ｔｅ（
℃）にし、また電流密度Ｊを、て与えられる電流密１ｅ
（ＭＡ／ＣＴｉ）以上の電流密度にして行えば、上述し
たパターン化されたクロム層７が、第８図に示すように
、上述したサイドエッチング量Ｙが略々零であるものと
して形成されることも確認するに到つた。

さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（ＭＡ／ＣＦｌｆ
）とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上述
したサイドエッチング量Ｙが小１こなることから、上述
した電解エッチングを、電流密度ＪをＪｅ（ＭＡ／Ｃｌ
ｔ）にし、電解液１１の温度Ｔを、て与えられる温度Ｔ
ｅ（℃）以下の温度にして行えば、上述したパターン化
されたクロム層７が、第８図に示すように、上述したサ
イドエッチング量Ｙが略々零てあるものとして形成され
ることも確認するに到つた。

よつて、本発明者は、特許請求の範囲記載の発明を、本
発明による発明として提案するに到つた。

以上で、本発明によるパターン化されたクロム層を形成
する方法が明らかとなつた。

このような本発明による方法によれば、パターン化され
るべきクロム層に対する、パターン化されたマスク層を
マスクとした電解エッチングをする工程において、形成
されるパターン化されたクロム層のサイドエッチング量
Ｙを、第６図で上述したころから明らかなように、電解
液の温度Ｔと電流密度Ｊとによつて、予測することがで
きる。

このため、パターン化されるべきクロム層上にパターン
化されたマスク層を形成する工程において、そのパター
ン化されたマスクを、予測されるサイドエッチング量Ｙ
を見込んで形成することにより、パターン化されたクロ
ム層を、所期のパターンを有するものとして、微細に、
高精度に、容易に形成することが出来る、という特徴を
有する。また、上述した電解エッチングをする工程にお
いて、その電解エッチングを、電解液の温度Ｔを温度Ｔ
ｅ（℃）にし、電流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜（１
ｃ）式で与えられる電流密度Ｊｅ（ＭＡ／Ｃｆｉ）以上
の電流密度にして行えば、または、電流密度Ｊを電流密
度Ｊｅ（ＭＡ／Ｃｌｌ）にし、電解液の温度Ｔを、上述
した（２ａ）〜（２ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ（℃）
以下の温度にして行えば、パターン化されたクロム層が
、サイドエッチング量Ｙが略々零であるものとして形成
される。

このため、パターン化されたマスク層を形成す．る工程
において、そのマスク層を、形成せんとするパターン化
されたクロム層の所期のパターンと同じパターンに形成
し、また、上述した電解エッチングの工程において、電
解液の温度Ｔを温度Ｔｅとするとき、電流密度Ｊを上述
した（１ａ）〜７（１Ｃ）式で与えられる電流密度Ｊｅ
以上の電流密度にし、または、電流密度Ｊを電流密度Ｊ
ｅとするとき、電解液の温度Ｔを土述した（２ａ）〜（
２ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ以下の温度にすることに
よつて、パターン化されたクロム層を、所期のパタ７−
ンを有するものとして、微細に、高精度に、容易に形成
することがてきるという特徴を有する。さらに、上述し
た電解エッチングを、直流電源として直流定電流源を用
いて行なう場合、その電解エッチングをする工程におけ
る、その電解エツクチングの終了時点が、陽極としての
パターン化されるべきクロム層と、これに対する陰極電
極との間の電圧が急激に大になる時点に対応しているの
で、上述した電解エッチングを、陽極としてのパターン
化されるべきクロム層と、これに対する陰極電極との間
の電圧が急激に大になる時点まで行うことによつて、バ
ター化されたクロム層を、所期のパターンを有するもの
として、再現性良く、微細に、高精度に、容易に形成す
ることができる特徴を有する。なお、さらに、電解エッ
チングを、直流電源として直流定電流源を用いて行なう
場合、上述した、陽極としてのパターン化されるべきク
ロム層と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激に
大になる時点は、これを、種々の電圧検出器によつて、
容易に検出し得、また、その電圧検出器の出力によつて
、陽極としてのクロム層と、これに対する陰極電極との
間に接続している直流定電流源をオフにしたり、直流定
電流源と、陽極としてのクロム層または陰極電極との間
の線路を切断したりするという簡易な手段によつて、上
述した電解エッチングを、陽極としてのパターン化され
るべきクロム層と、これに対する陰極電極と間の電圧が
急激に大になる時点で、直ちに且つ容易に終了させるこ
とができる。

また、上述した電解エツングを、直流電源として直流定
電圧源を用いて行なう場合、その電解エッチングをする
工程における、その電解エッチングの終了時点が、直流
定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべきクロ
ム層を通つて流れる，電流が急激に小になる時点に対応
しているので、上述した電解エッチングを、直流定電圧
源から、陽極としてのパターン化されるべきクロム層を
流れる電流が急激に小になる時点まで行うことによつて
、パターン化されたクロム層を、所期のパタ！ーンを有
するものとして、再現性良く、微細に、高精度に、容易
に形成することができる特徴を有する。

なおさらに、電解エッチングを、直流電源として直流定
電圧源を用いて行なう場合、直流定電圧３源から、上述
した陽極としてのパターン化されるべきクロム層を通つ
て流れる電流が急激に小になる時点は、これを、種々の
電流検出器によつて、容易に検出し得、また、その電流
検出器の出力によつて、陽極としてのクロム層と、これ
に対する４陰極電極との間に接続している直流定電圧源
をオフにしたり、直流定電圧源と、陽極としてのクロム
層または陰極電極との間の線路を切断したりするという
簡易な手段によつて、上述した電解エッチングを、直流
定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべきクロ
ム層を通つて流れる電流が急激に小になる時点で、直ち
に且つ容易に終了させることができる。

従つて、上述した本発明の特徴を、確実に、容易に発揮
することができる、という特徴を有する。

また、本発明によるパターン化されたクロム層を形成す
る方法によつて形成される、パターン化・されたクロム
層は、配線層として機能する。

従つて、本発明は、これを、半導体集積回路装置の配線
層を形成する場合に適用して、極めて好適である、とい
う特徴を有する。次に、本発明の実施例を述べよう。

実施例１ 第１図Ａで上述したと同様に、基板１上に絶縁層２を形
成している絶縁性基板３を予め用意した。

但し、の場合、基板１を、表面積が約４０．０ｃ１１の
シリコンでなるものとした。また、絶縁層２を酸化シリ
コン（ＳｉＯ，）でなるものとした。然して、絶縁性基
板３の絶縁層２上に、第１図Ｂで上述したと同様に、パ
ターン化されるべきクロム層４を形成した。但し、この
場合、クロム層４を蒸着によつて、１μｍの厚さを有す
るものとして形成した。次に、クロム層４上に、第１図
Ｃで上述したと同様に、パターン化されたマスク層５を
形成した。

但し、この場合、マスク層５を、クロム層４上に、フォ
トレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に対する
フォトマスクを用いた露光、続く現像処理をなすことに
よつて、フォトレジストでなるものとして形成した。こ
のようにして、第１図Ｃで上述したと同様に、絶縁性基
板３上にパターン化されるべきクロム層４が形成され、
そのクロム層４上にパターン化されたマスク層５が形成
されている基板体６を得た。

次に、基板体６を、第２図で上述したと同様に、塩酸を
溶質とした水溶液でなる電解液１１を収容している槽１
２内に、クロム層４が、略々垂直面上に延長するように
浸漬させ、また、その槽１２内に、白金てなる電極１３
を、基板体６のクロム層４と対向するように浸漬させ、
然して、基板体６におけるパターン化されるべきクロム
層４を、マスク層５によつてマスクされていない領域に
おいて、直流定電流源でなる直流電源１４の正極側に接
続し、また、電極１３を、直流電源１４の負極側に接続
して、クロム層４に対する、塩酸を溶質としている水溶
液でなる電解液１１を用いた電解エッチングを、クロム
層４及び電極１３間の電圧Ｖが急激に大になる時点まで
なし、パターン化されたクロム層７を得た。

この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、また電
解液１１に通する電流を２４０．０ｒＴ１Ａとし、従つ
てクロム層４に通する電流密度を、６．０（＝２４０．
０ｒＴ１Ａ／４０．０ｃＴ１）ＭＡ／Ｃｌｔとした。

然るときは、パターン化されたクロム層７が、サイドエ
ッチング量が略々零であるのとして形成された。実施例
２ 上述した本発明の実施例１の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、アルミニウム層を通つて流れる電
流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いては
、上述た本発明に実施例１の場合と同様の工程をとつて
、パターン化されたクロム層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１の場合と同様に
、パターン化されたクロム層７が、サイドエッチング量
が略々零であるものとして形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
クロム層を形成する方法の説明に供する、パターン化さ
れるべきクロム層上に、パターン化されたマスク層を形
成する順次の工程における、路線的断面図てある。 第２図は、同様に、本発明によるパターン化されたクロ
ム層を形成する方法の説明に供する、パターン化される
べきクロム層に対する電解エッチングによつて、パター
ン化されたクロム層を形成する工程を示す、路線図であ
る。第３図は、同様に、本発明によるパターン化された
クロム層を形成する方法の説明に供するパターン化され
るべきクロム層に対する電解エッチングによつて、パタ
ーン化されたクロム層を形成する工程における、路線的
断面図である。第４図は、同様に、本発明によるパター
ン化されたクロム層を形成する方法の説明に供する、直
流定電流源でなる直流電源を用いたパターン化されるべ
きクロム層に対する電解エッチングによつて、パターン
化されたクロム層を形成する工程における、時間ｔ（分
）に対する、基板体における陽極としてのクロム層と、
これに対する陰極電極との間の電圧Ｖ（ボルト）の関係
を示す図である。第５図は、同様に、本発明によるパタ
ーン化されたクロム層を形成する方法の説明に供する、
直流定電圧源でなる直流電源を用いたパターン化される
べきクロム層に対する電解エッチングによつて、パター
ン化されたクロム層を形成する工程における、時間ｔ（
分）に対する、直流定電圧源から、基板体における陽極
としてのクロム層を通つて流れる電流１（ＭＡ）の関係
を示す図である。第６図は、同様に、本発明によるパタ
ーン化されたクロム層を形成する方法の説明に供する、
パターン化されるべきクロム層に対する電解エッチング
によつて、パターン化されたクロム層を形成する工程に
おける、電解液の温度をパラメータとした、電流密度Ｊ
（ＭＡ／Ｃｌｔ）に対する、本発明によつて形成される
パターン化されたクロム層のサイドエッチング量Ｙ（μ
ｍ）の関係を示す図である。第７図は、同様に、本発明
によるパターン化されたクロム層を形成する方法の説明
に供する、パターン化されるべきクロム層に対する電解
エッチングによつて、パターン化されたクロム層を形成
する工程における、本発明によつて形成されるパターン
化されたクロム層のサイドエッチング量Ｙがｊ零となる
ときの、電解液の温度ＴＣＣ）に対する、電流密度Ｊ
（ＭＡ／Ｃｌｔ）の関係を示す図である。第８図は、本
発明によるパターン化されたクロム層を形成する方法に
よつて得られる、パターン化されたクロム層の一例を示
す路線的断面図である。１・・・ ・・・基板、２・
・・ ・・・・絶縁層、３・・・・・絶縁性基板、４・
・・・ ・・・・パターン化されるべきクロム層、５・
・・ ・・・・パターン化されたマスク層、６・・・
・・・基板体、７・・・・ ・・・・パターン化さ）
れたクロム層、１１・・・ ・・・・電解液、１２・・
・・・槽、１３・・・ ・・・・電極、１４・・・ ・
・・・直流電源、１５・・ ・・・・・電圧計、１６・
・・ ・・・・・電流計。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上にパターン化されるべきクロム層を形
   成し、該クロム層上にパターン化されたマスク層を形成
   し、然る後、上記クロム層に対する、上記マスク層をマ
   スクとし、且つ塩酸を溶質の主体としている水溶液でな
   る電解液を用いた電解エッチングを行うことによつて、
   パターン化されたクロム層を形成することを特徴とする
   パターン化されたクロム層を形成する方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたクロ
   ム層を形成する方法において、上記電解エッチングを、
   上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電流密度
   Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．
   ０（１±０．１） ｂ＝１５．０（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたクロム層を形成
   する方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたクロ
   ム層を形成する方法において、上記電解エッチングを、
   電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２
   ）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ
   ＋ｂ ａ＝３．０（１±０．１） ｂ＝１５．０（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたクロム層を形成する方法。 ４ 絶縁性基板上にパターン化されるべきクロム層を形
   成し、該クロム層上にパターン化されたマスク層を形成
   し、然る後、上記クロム層に対する、上記マスク層とし
   、且つ塩酸を溶質の主体としている水溶液でなる電解液
   を用いた電解エッチングを、上記パターン化されるべき
   クロム層を陽極とし、該陽極としてのパターン化される
   べきクロム層とこれに対する陰極電極との間に直流定電
   流源を接続して、上記陽極としてのパターン化されるべ
   きクロム層と上記陰極電極との間の電圧が、急激に大に
   なる時点まで行うことによつて、パターン化されたクロ
   ム層を形成することを特徴とするパターン化されたクロ
   ム層を形成する方法。 ５ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化されたクロ
   ム層を形成する方法において、上記電解エツチングを、
   上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電流密度
   Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．
   ０（１±０．１） ｂ＝１５．０（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２以上の電流密度で行
   うことを特徴とするパターン化されたクロム層を形成す
   る方法。 ６ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化されたクロ
   ム層を形成する方法において、上記電解エッチングを、
   電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２
   ）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ
   ＋ｂ ａ＝３．０（１±０．１） ｂ＝１５．０（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたクロム層を形成する方法。 ７ 絶縁性基板上にパターン化されるべきクロム層を形
   成し、該クロム層上にパターン化されたマスク層を形成
   し、然る後、上記クロム層に対する、上記マスク層をマ
   スクとし、且つ塩酸を溶質の主体としている水溶液でな
   る電解液を用いた電解エッチングを、上記パターン化さ
   れるべきクロム層を陽極とし、該陽極としてのパターン
   化されるべきクロム層とこれに対する陰極電極との間に
   直流定電圧源を接続して、該直流定電圧源から上記陽極
   としてのパターン化されるべきクロム層を通つて流れる
   電流が、急激に小になる時点まで行うことによつて、パ
   ターン化されたクロム層を形成することを特徴とするパ
   ターン化されたクロム層を形成する方法。 ８ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたクロ
   ム層を形成する方法において、上記電解エッチングを、
   上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電流密度
   Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．
   ０（１±０．１） ｂ＝１５．０（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたクロム層を形成
   する方法。 ９ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたクロ
   ム層を形成する方法において、上記電解エッチングを、
   電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２
   ）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ
   ＋ｂ ａ＝３．０（１±０．１） ｂ＝１５．０（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたクロム層を形成する方法。