JPS6059317B2 - パタ−ン化されたアルミニウム層を形成する方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁性基板上にパターン化されたアルミニウ
ム層を形成する方法に関し、特に半導体集積回路装置の
配線層を形成する場合に適用してフ好適なものである。

半導体集積回路装置の配線層は、種々の理由で、アルミ
ニウム層でなるのを普通としている。半導体集積回路装
置のアルミニウム層でなる配線層を形成するにつき、従
来は、半導体基板上に門パターン化されるべきアルミニ
ウム層を形成し、次に、そのアルミニウム層上にパター
ン化されたフォトレジストによるマスクを形成し、然る
後、パターン化されるべきアルミニウム層に対する、上
記マスクをマスクとした化学エッチングをする″ことに
よつて、パターン化されたアルミニウム層を、配線層と
して形成するのを普通としていた。然しながら、このよ
うな従来の方法の場合、パターン化せられるべきアルミ
ニウム層に対する、パターン化されたマスク層をマスク
とした化学エッチングをする工程において、パターン化
されたアルミニウム層が、側方からエッチングされたも
の即ち所謂サイドエッチングされたものとして得られる
のを余儀なくされる。このため、パターン化されたアル
ミニウム層が、マスク層のパターンよりサイドエッチさ
れた量だけ、一周り小さなパターンを有するものとして
形成される。ところで、パターン化されたアルミニウム
層は、マスク層のパターンと同じパターンで得られるの
が望ましい。

その理由は、マスク層を、形成せんとするパターン化さ
れたアルミニウム層の所期のパターンと同じパターンに
形成し置くだけで、パターン化されたアルミニウム層を
、所期のパターンを有するものとして形成することが出
来るからである。然しながら、パターン化されたアルミ
ニウム層が、マスク層のパターンよりサイドエッチング
された量だけ、一周り小さなパターンを有するものとし
て形成されても、上述した化学エッチングをする工程に
おいて、サイドエッチングされる量が、予測されていれ
ば、マスク層のパターンを、サイドエッチングされる量
を見込んで、形成せんとするパターン化されたアルミニ
ウム層の所期のパターンよソー周り大きなパターンに、
予め形成しておくことにより、パターン化されたアルミ
ニウム層を、所期のパターンを有するものとして形成す
ることが出来る。然しながら、上述した従来の方法によ
る場合、上述した化学エッチングをする工程において、
上述したサイドエッチングされる量を予測するのが極め
て困難であつた。

このため、上述した従来の方法の場合、パターン化され
たアルミニウム層を、所期のパターンを有するものとし
て、微細に、高精度に形成するのが極めて困難であつた
等の欠点を有していた。よつて本発明は、上述した欠点
のない新規なパターン化されたアルミニウム層を形成す
る方法を提供せんとするものである。本発明者は、第１
図Ａに示すような、例えば、シリコンである基板１上に
例えば酸化シリコン（ＳＯ２）てある絶縁層２を形成し
ている絶縁性基板３を予め用意し、そして、その絶縁性
基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂに示すように、パター
ン化されるべきアルミニウム層４を、それ自体は公知の
例えば蒸着によつて形成し、次に、そのパターン化され
るべきアルミニウム層４上に、第１図Ｃに示すように、
パターン化された例えばフォトレジストでなるマスク層
５を、絶縁性基板３上のアルミニウム層４上にフォトレ
ジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に対するフォ
トマスクを用いた露光、続く現像をなすという、それ自
体は公知の方法によつて形成し、かくて、絶縁性基板３
上にパターン化されるべきアルミニウム層４が形成され
、そのアルミニウム層４上にパターン化されたマスク層
５が形成されている基板体６を得た。

そして、その基板体６を、第２図に示すように、水酸化
ナトリウム（Ｎａ（０Ｈ））を溶質の主体としている水
溶液でなる電解液１１を収容している槽１２内に、アル
ミニウム層４が略々垂直面上に延長するように、浸漬さ
せ、また、その槽１２内に、例えば白金てなる電極１３
を、基板体６のアルミニウム層４と対向するように、浸
漬させ、然して、基板体６におけるパターン化されるべ
きアルミニウム層４を、マスク層５によつてマスクされ
ていない領域において、直流電源１４の正極側に接続し
、また、電極１３を、直流電源１４の負極側に接続して
、アルミニウム層４に対する。マスク層５をマスクとし
、且つ水酸化ナトリウムを溶質の主体としている水溶液
でなる電解液を用いた電解エッチングをなした。しかる
ときは、アルミニウム層４の、マスク層５によつてマス
クされていない領域が、第３図Ａに示すエッチングされ
ていない状態から、第３図Ｂで一般的に示すような、票
面かなエッチングされつつある状態を経て、第３図Ｃで
一般的に示すように、全厚さに亘つてエッチングされて
、パターン化されたアルミニウム層７が、マスク層５下
に形成されることを確認するに到つた。

但し、この場合、電極１３を白金でなるものとした。さ
らに、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべきアルミニウム層４と電極１３との間に接
続している直流電源１４を直流定電流源とし、そしてア
ルミニウム層４の、マスク層５によつてマスクされてい
ない領域と、電極１３との間の電圧■（ボルト）を、電
圧計１５を用いて測定しながら行つた。然るときは、時
間ｔ（分）に対する電圧Ｖの関係が、第４図に示すよう
に、時点Ｔａまでの間においては、電圧Ｖが時間ｔと共
に僅かつつ上昇するが、時点Ｔ。

から電圧■が急激に大になるものとして得られた。さら
に、本発明者は、上述した時間ｔに対する”電圧■の関
係と、アルミニウム層４の、マスク層５によつてマスク
されていない領域のエッチングの状態とを調べた結果、
電圧■が時間ｔと共に僅かづつ上昇している時点Ｔａま
での間においては、アルミニウム層４の、マスク層５に
よつてマ．スクされていない領域が、時間ｔと共に表面
からエッチングされるが、時点Ｔａに達すれば、アルミ
ニウム層４の、マスク層５によつてマスクされていない
領域が、その全厚さに亘つてエッチングされ、第３図Ｃ
で一般的に示すように、パターンｌ化されたアルミニウ
ム層７が得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電圧ｖが、急激に大になる時点Ｔａ即ちアルミ
ニウム層４の、マスク層５によつてマスクされていない
領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点まで
行つて、上述したパターン化されたアルミニウム層７を
形成する場合、そのパターン化されたアルミニウム層７
は、一般に、その側面が、第３図Ｃでマスク層５の側面
より内側にあるものとして示されているように、サイド
エッチングされたものとして得られていることを確認す
るに到つた。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、パター
ン化されるべきアルミニウム層４と電極１３との間に接
続している直流電源１４を直流定電圧源とし、そしてそ
の直流定電圧源から、アルミニウム層４を通つて流れる
電流１（ＭＡ）を、電流計１６を用いて測定しながら行
つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電流１の関係が、第
５図に示すように、時点Ｔ．，″までの間においては、
電流１が時間ｔと共に僅かづつ減少するが、時点Ｔａ″
から電流１が急激に小になるものとして得られた。さら
に、本発明者は、上述した時間ｔに対する電流１の関係
と、アルミニウム層４の、マスク層５によつてマスクさ
れていない領域のエッチングの状態とを調べた結果、電
流１が時間ｔと共に僅かづつ減少している時点Ｔａ″ま
での間においては、アルミニウム層４の、マスク層５に
よつてマスクされていない領域が、時間ｔと共に表面か
らエッチングされるが、時点Ｔａ″に達すれば、アルミ
ニウム層４の、マスク層５によつてマスクされていない
領域の、その全厚さに亘つてエッチングされ、第３図Ｃ
で一般的に示すように、パターン．化されたアルミニウ
ム層７が得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者は、上述した電解エッチングを、
上述した電流１が、急激に小になる時点Ｔａ″即ちアル
ミニウム層４の、マスク層５によつｊてマスクされてい
ない領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点
まで行つて、上述したパターン化されたアルミニウム層
７を形成する場合、そのパターン化されたアルミニウム
層７は、一般に、その側面が、第３図Ｃでマスク層５の
側′面より内側にあるものとして示されているように、
サイドエッチングされたものとして得られていることを
確認するに到つた。

また、本発明者は、上述した電解エッチングを、電解液
１１の温度ＴＣＣ）を一定温度Ｔｅ（℃）として、直流
電源１４から基板体６におけるアルミニウム層牡及び電
極１３を通つて、電解液１１に流れる電流１を変え、従
つて、アルミニウム層４に流れる電流の密度Ｊ（ＭＡ／
Ｃｌ，）を変えて、直流電源１４が直流低電流源である
場合、上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点ｔまで、
また、直流電源１４が直流定電圧源である場合、上述し
た電流１が、急激に小になる時点ｔノ．″まで、即ちア
ルミニウム層４の、マスク層５によつてマスクされてい
ない領域が、その全厚さに亘つてエッチングされる時点
まで行つて、上述したパターン化されたアルミニウム層
７を形成し、そして、そのアルミニウム層７がサイドエ
ツチンーグされている量即ちサイドエッチング量Ｙ（μ
ｍ）を測定した。

然るときは、電解液の温度Ｔをパラメータとする電流密
度Ｊに対する上述したサイドエッチング量Ｙの関係が、
第６図に示すように得られた。

但し、第６図か、電解液１１が、水酸化ナトリウムのみ
を溶質とした水溶液でなり、また、電解液１１の温度Ｔ
ｅ（℃）が３３．０℃であり、さらにアルミニウム層４
が、１μｍの厚さを有している場合の測定結果てある。
よつて、第６図に示す測定結果から、電解液１１の温度
Ｔを一定温度ＴｅＣＣ）とした場合、電流密度Ｊを大と
すれば、上述したサイドエッチング量Ｙが小になること
を確認するに到つた。

また、このように電流密度Ｊが大になるように、電解液
１１に流れる電流を大とすれば、サイドエッチング量Ｙ
が小となるものとして得られるのは、電流密度Ｊを大と
すれば、アルミニウム層４と、電極１３との間の電界強
度が、主として、アルミニウム層４と、電極１３とを結
ぶ方向に関し、他の方向に比し格段的に強くなり、この
ため、アルミニウム層４のマスク層５によつてマスクさ
れていない領域が厚さ方向にエッチングされる速度と、
面方向にエッチングされる速度との比が大になるからで
あることも確認するに到つた。さらに、電流密度Ｊを一
定とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上述
したサイドエッチング量Ｙが小になることを確認するに
到つた。なおさらに、上述したサイドエッチング量Ｙを
同じ値て得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くすれば
、これに応じて電流密度Ｊを大にすればよいことも確認
するに到つた。また、第６図に示す測定結果から、上述
したサイドエッチング量Ｙの値が零になるときの、電解
液１１の温度Ｔに対する電流密度Ｊの関係が、第一７図
に示すように得られること、及び上述したように、電解
液１１の温度Ｔを一定とした場合、電流密度Ｊを大とす
れば、上述したサイドエッチング量Ｙが小になることか
ら、上述した電解エッチングを、電解液１１の温度Ｔを
温度ＴｅＣＣ）にし、また電流密度Ｊを、で与えられる
電流密胆ｅ（ＭＡ／Ｃｌｔ）以上の電流密度にして行え
ば、上述したパターン化されたアルミニウム層７が、第
８図に示すように、上述したサイドエッチング量Ｙが略
々零であるものとして形成されることも確認するに到つ
た。

さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（ＭＡ／ｄ）とし
た場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上述したサ
イドエッチング量Ｙが小になることから、上述した電解
エッチングを、電流密度ＪをＪｅ（ＭＡ／ＣＴｌ）にし
、電解液１１の温度Ｔを、て与えられる温度ＴｅＣＣ）
以下の温度にして行えば、上述したパターン化されたア
ルミニウム層７が、第８図に示すように、上述したサイ
ドエッチング量Ｙが略々零であるものとして形成される
ことも確認するに到つた。

よつて、本発明者は、特許請求の範囲記載の発明を、本
発明による発明として提案するに到つた。以上で、本発
明によるパターン化されたアルミニウム層を形成する方
法が明らかとなつた。

このような本発明による方法によれば、パターン化され
るべきアルミニウム層に対する、パターン化されたマス
ク層をマスクとした電解エッチングとする工程において
、形成されるパターン化されたアルミニウム層のサイド
エッチング量Ｙを、第６図で上述したところから明らか
なように、電解液の温度Ｔと電流密度Ｊとによつて、予
測することができる。このため、パターン化されるべき
アルミニウム層上にパターン化されたマスク層を形成す
る工程において、そのパターン化されたマスクを、予測
されるサイドエッチング量Ｙを見込んて形成することに
より、パターン化されたアルミニウム層を、所期のパタ
ーンを有するものとして、微細に、高精度に、容易に形
成することが出来る、という特徴を有する。

また、上述した電解エッチングをする工程において、そ
の電解エッチングを、電解液の温度Ｔを温度ＴｅＣＣ）
にし、電流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜（１ｃ）式で
与えられる電流密度Ｊｅ（ＭＡ／ｄ）以上の電流密度に
して行えば、または、電流密度Ｊを電流密度Ｊｅ（ＭＡ
／Ｃｌｔ）にし、電解液の温度Ｔを、上述した（２ａ）
〜（２ｃ）式で与えられる温度ＴｅＣＣ）以下の温度に
して行えば、パターン化されたアルミニウム層が、サイ
ドエッチング量Ｙが略々零であるものとして形成される
。

このため、パターン化されたマスク層を形成する工程に
おいて、そのマスク層を、形成せんとするパターン化さ
れたアルミニウム層の所期のパターンと同じパターンに
形成し、また、上述した電解エッチングの工程において
、電解液の温度Ｔを温度Ｔｅとするとき、電流密度Ｊを
上述したＪ（１ａ）〜（１ｃ）式で与えられる電流密度
Ｊｅ以上の電流密度にし、または、電流密度Ｊを電流密
度Ｊｅとするとき、電解液の温度Ｔを上述した（２ａ）
〜（２ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ以下の温度にするこ
とによつて、パターン化されたアルミニウム層７を、所
期のパターンを有するものとして、微細に、高精度に容
易に形成することができるという特徴を有する。

さらに、上述した電解エッチングを、直流電源として直
流定電流源を用いて行なう場合、その電解エッチングを
する工程における、その電解エッチングの終了時点が、
陽極としてのパターン化されるべきアルミニウム層と、
これに対する陰極電極との間の電圧が急激に大になる時
点に対応しているので、上述した電解エッチングを、陽
極としてのパターン化されるべきアルミニウム層と、こ
れに対する陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点
まで行うことによつて、パターン化されたアルミニウム
層を、所期のパターンを有するものとして、再現性良く
、微細に、高精度に、容易に形成することができる特徴
と有する。

なお、さらに、電解エッチングを、直流電源として直流
定電流源を用いて行なう場合、上述した、陽極としての
パターン化されるべきアルミニウム層と、これに対する
陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点は、これを
、種々の電圧検出器によつて、容易に検出し得、また、
その電圧検出器の出力によつて、陽極としてのアルミニ
ウム層と、これに対する陰極電極との間に接続している
直流定電流源をオフしたり、直流定電流源と、陽極とし
てのアルミニウム層または陰極電極との間の線路を切断
したりするという簡易な手段によつて、上述した電解エ
ッチングを、陽極としてのパターン化されるべきアルミ
ニウム層と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激
に大になる時点で、直ちに且つ容易に終了させることが
できる。

また、上述した電解エッチングを、直流電源として直流
定電圧源を用いて行なう場合、その電解エッチングをす
る工程における。

その電解エッチングの終了時点が、直流定電圧源から、
陽極としてのパターン化されるべきアルミニウム層を通
つて流れる電流が急激に小になる時点に対応しているの
で、上述した電解エッチングを、直流定電圧源から、陽
極としてのパターン化されるべきアル．ミニウム層を通
つて流れる電流が急激に小になる時点まで行うことによ
つて、パターン化されたアルミニウム層を、所期のパタ
ーンを有するものとして、再現性良く、微細に、高精度
に、容易に形成することがてきる特徴と有する。なおさ
らに、電解エッチングを、直流電源として直流定電流源
を用いて行なう場合、直流定電圧源から、上述した陽極
としてのパターン化されるべきアルミニウム層を通つて
流れる電流が急激に小になる時点は、これを、種々の電
流検出器によ・つて、容易に検出し得、また、その電流
検出器の出力によつて、陽極としてのアルミニウム層と
、これに対する陰極電極との間に接続している直流定電
圧源をオフにしたり、直流定電圧源と、陽極としてのア
ルミニウム層または陰極電極との間の線路を切断したり
するという簡易な手段によつて、上述した電解エッチン
グを、直流定電圧源から、陽極としてのパターン化され
るべきアルミニウム層を通つて流れる電流が急激に小に
なる時点で、直ちに且つ容易に終了させることができる
。

従つて、上述した本発明の特徴を、確実、容易に発揮す
ることができる、という特徴を有する。また、本発明に
よるパターン化されたアルミニ）ウム層を形成する方法
によつて形成される、パターン化されたアルミニウム層
は、配線層として機能する。従つて、本発明は、これを
、半導体集積回路装置の配線層を形成する場合に適用し
て、極めて好・適である、という特徴と有する。

次に、本発明の実施例を述べよう。

実施例１ 第１図Ａで上述したと同様に、基板１上に絶縁層２を形
成している絶縁性基板３を予め用意し”た。

但し、この場合、基板１を、表面積が約４０．０ｄのシ
リコンでなるものとした。また、絶縁層２を酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）でなるものとした。然して、絶縁性基板
３の絶縁層２上に、第１図Ｂで上述したと同様に、パタ
ーン化されるべきアルミニウム層４を形成した。但し、
この場合、アルミニウム層４を蒸着によつて、１μｍの
厚さを有するものとして形成した。次に、アルミニウム
層４上に、第１図Ｃで上述したと同様に、パターン化さ
れたマスク層５を形成した。

但し、この場合、マスク層５と、アルミニウム層４上に
、フォトレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に
対するフォトマスクを用いた露光、続く現像処理をなす
ことによつて、フォトレジストでなるものとして形成し
た。このようにして、第１図Ｃで上述したと同様に、絶
縁性基板３上にパターン化されるべきアルミニウム層４
が形成され、そのアルミニウム層４上にパターン化され
たマスク層５が形成されている基板体６を得た。

次に、基板体６を、第２図で上述したと同様に、水酸化
ナトリウムを溶質とした水溶液でなる電解液１１を収容
している槽１２内に、アルミニウム層４が、略々垂直面
上に延長するように浸漬させ、また、その槽１２内に、
白金でなる電極１３を、基板体６のアルミニウム層４と
対向するように浸漬させ、然して、基板体６におけるパ
ターン化されるべきアルミニウム層４を、マスク層５に
よつてマスクされていない領域において、直流定電流源
でなる直流電源１４の正極側に接続し、また、電極１３
を、直流電源１４の負極側に接続して、アルミニウム層
４に対する、水酸化ナトリウムを溶質としている水溶液
でなる電解液１１を用いた電解エッチングを、アルミニ
ウム層４及び電極１３間の電圧■が急激に大になる時点
までなし、パターン化されたアルミニウム層７を得た。

この場合、電解液１１の温度を３３．０とし、また電解
液１１に通する電流を、１８０．０ｒＴ１Ａとし、従つ
てアルミニウム層４に通する電流密度を、４．５（＝１
８０．０ｒｒ１Ａ／４０．０ｃ１ｔ）ＭＡ／ｄとした。
然るときは、パターン化されたアルミニウム層７が、サ
イドエッチング量が略々零であるものとして形成された
。実施例２ 上述した本発明の実施例１の場合における直流電源１４
を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エッチングを
、直流定電圧源から、アルミニウム層を通つて流れる電
流１が、急激に小になる時点までなしたことを除いては
、上述した本発明の実施例１の場合と同様の工程をとつ
て、パターン化されたアルミニウム層７を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１の場合と同様に
、パターン化されたアルミニウム層７が、サイドエッチ
ング量が略々零であるものとして形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
アルミニウム層を形成する方法の説明に供する、パター
ン化されるべきアルミニウム層上に、パターン化された
マスク層を形成する順次の工程における、路線的断面図
である。 第２図は、同様に、本発明によるパターン化されたアル
ミニウム層を形成する方法の説明に供する、パターン化
されるべきアルミニウム層に対する電解エッチングによ
つて、パターン化されたアルミニウム層を形成する工程
を示す、路線図である。第３図は、同様に、本発明によ
るパターン化されたアルミニウム層を形成する方法の説
明に供する、パターン化されるべきアルミニウム層に対
する電解エッチングによつて、パターン化されたアルミ
ニウム層を形成する工程における、路線的断面図である
。第４図は、同様に、本発明によるパターン化されたア
ルミニウム層を形成する方法の説明に供する、直流定電
流源でなる直流電源を用いたパターン化されるべきアル
ミニウム層に対する電解エッチングによつて、パターン
化されたアルミニウム層を形成する工程における、時間
ｔ（分）に対する、基板体における陽極としてのアルミ
ニウム層と、これに対する陰極電極との間の電圧Ｖ（ボ
ルト）の関係を示す図である。第５図は、同様に、本発
明によるパターン化されたアルミニウム層を形成する方
法の説明に供する、直流定電圧源でなる直流電源を用い
たパターン化されるべきアルミニウム層に対する電解エ
ッチングによつて、パターン化されたアルミニウム層を
形成する工程における、時間ｔ（分）に対する、直流定
電圧源から、基板体における陽極としてのアルミニウム
層を通つて流れる電流１（ＭＡ）の関係を示す図てある
。第６図は、同様に、本発明によるパターン化されたア
ルミニウム層を形成する方法の説明に供する、パターン
化されるべきアルミニウム層に対する電解エッチングに
よつて、パターン化されたアルミニウム層を形成する工
程における、電解液の温度をパラメータとした、電流密
度Ｊ（ＭＡ／Ｃｌｔ）に対する、本発明によつて形成さ
れるパターン化されたアルミニウム層のサイドエッチン
グ量Ｙ（μｍ）の関係を示す図である。第７図は、同様
に、本発明によるパターン化されたア）ルミニウム層を
形成する方法の説明に供する、パターン化されるべきア
ルミニウム層に対する電解エッチングによつて、パター
ン化されたアルミニウム層を形成する工程における、本
発明によつて形成されるパターン化されたアルミニウム
層のサ７イドエツチング量Ｙが零となるときの電解液の
温度ＴＣＣ）に対する、電流密度Ｊ（ＭＡ／ＣＴｉ）の
関係を示す図である。第８図は、本発明によるパターン
化されたアルミニウム層を形成する方法によつて得られ
る、パターン化されたアルミニウム層の一例を示す路線
的断面図てある。１・・・・・基板、２・・・・・・絶
縁層、３・・・・・・絶縁性基板、４・・・・・・パタ
ーン化されるべきアルミニウム層、５・・・・・・パタ
ーン化されたマスク層、６・・・・・・基板体、７・・
・・・・パターン化されたアルミニウム層、１１・・・
・・・電解液、１２・・・・・・槽、１３・・・・・・
電極、１４・・・・・・直流電源、１５・・・・・・電
圧計、１６・・・・・・電流計。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上にパターン化されるべきアルミニウム
   層を形成し、該アルミニウム層上にパターン化されたマ
   スク層を形成し、然る後、上記アルミニウム層に対する
   、上記マスク層をマスクとし、且つ水酸化ナトリウムを
   溶質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解
   エッチングを行うことによつて、パターン化されたアル
   ミニウム層を形成することを特徴とするパターン化され
   たアルミニウム層を形成する方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたアル
   ミニウム層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電
   流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ
   ＝３．１３（１±０．１） ｂ＝１７．０（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたアルミニウム層
   を形成する方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のパターン化されたアル
   ミニウム層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃ
   ｍ＾２）とし、上記電解液の温度をＴ（℃）を、Ｔｅ＝
   ａ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝３．１３（１±０．１） ｂ＝１７．０（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたアルミニウム層を形成する方法。 ４ 絶縁性基板上にパターン化されるべきアルミニウム
   層を形成し、該アルミニウム層上にパターン化されたマ
   スク層を形成し、然る後、上記アルミニウム層に対する
   、上記マスク層をマスクとし、且つ水酸化ナトリウムを
   溶質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解
   エッチングを、上記パターン化されるべきアルミニウム
   層を陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべきア
   ルミニウム層とこれに対する陰極電極との間に直流定電
   流源を接続して、上記陽極としてのパターン化されるべ
   きアルミニウム層と上記陰極電極との間の電圧が、急激
   に大になる時点まで行うことによつて、パターン化され
   たアルミニウム層を形成することを特徴とするパターン
   化されたアルミニウム層を形成する方法。５ 特許請求
   の範囲第４項記載のパターン化されたアルミニウム層を
   形成する方法において、上記電解エッチングを、上記電
   解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（℃）とし、電流密度Ｊ（ｍ
   Ａ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．１３（
   １±０．１） ｂ＝１７．０（１±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたアルミニウム層
   を形成する方法。 ６ 特許請求の範囲第４項記載のパターン化されたアル
   ミニウム層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃ
   ｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ
   ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝３．１３（１±０．１） ｂ＝１７．０（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたアルミニウム層を形成する方法。 ７ 絶縁性基板上にパターン化されるべきアルミニウム
   層を形成し、該アルミニウム層上にパターン化されたマ
   スク層を形成し、然る後、上記アルミニウム層に対する
   、上記マスク層をマスクとし、且つ水酸化ナトリウムを
   溶質の主体としている水溶液でなる電解液を用いた電解
   エッチングを、上記パターン化されるべきアルミニウム
   層を陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべきア
   ルミニウム層とこれに対する陰極電極との間に直流定電
   圧源を接続して、該直流定電圧源から上記陽極としての
   パターン化されるべきアルミニウム層を通つて流れる電
   流が、急激に小になる時点まで行うことによつて、パタ
   ーン化されたアルミニウム層を形成することを特徴とす
   るパターン化されたアルミニウム層を形成する方法。８
   特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたアルミ
   ニウム層を形成する方法において、上記。 電解エッチングを、上記電解液の温度Ｔ（℃）をＴｅ（
   ℃）とし、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）を、Ｔｅ＝ａ
   ・Ｊｅ＋ｂａ＝３．１３（１±０．１）ｂ＝１７．０（
   １±０．１） で与えられるＪｅ（ｍＡ／ｃｍ＾２）以上の電流密度で
   行うことを特徴とするパターン化されたアルミニウム層
   を形成する方法。 ９ 特許請求の範囲第７項記載のパターン化されたアル
   ミニウム層を形成する方法において、上記電解エッチン
   グを、電流密度Ｊ（ｍＡ／ｃｍ＾２）をＪｅ（ｍＡ／ｃ
   ｍ＾２）とし、上記電解液の温度Ｔ（℃）を、Ｔｅ＝ａ
   ・Ｊｅ＋ｂ ａ＝３．１３（１±０．１） ｂ＝１７．０（１±０．１） で与えられるＴｅ（℃）以下の温度で行うことを特徴と
   するパターン化されたアルミニウム層を形成する方法。