JPH0228249B2

JPH0228249B2 - Pataankasaretadodenseisookeiseisuruhoho

Info

Publication number: JPH0228249B2
Application number: JP1721183A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sasaki; Juji Imai
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1983-02-04
Filing date: 1983-02-04
Publication date: 1990-06-22
Anticipated expiration: 2003-02-04
Also published as: JPS59143320A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、絶縁性基板上にパターン化された導
電性層を形成する方法に関し、特に、半導体集積
回路装置の配線層を形成する場合に適用して好適
なものである。

半導体集積回路装置の配線層は、種々の理由で
Al層、Al−Si合金層、Al−Cu合金層、Cu層など
の金属層でなるのを普通としている。

このような半導体集積回路装置の配線層を形成
するにつき、従来は、半導体基板上に絶縁層を形
成している絶縁性基板上に、パターン化されるべ
きAl層、Al−Si合金層、Al−Cu合金層、Cu層な
どの金属層を形成し、次に、その金属層上にパタ
ーン化されたフオトレジストによるマスク層を形
成し、然る後、パターン化されるべき金属層に対
する、上記マスク層をマスクとした化学エツチン
グをすることによつて、パターン化された金属層
を、配線層として形成するのを普通としていた。

然しながら、このような従来の方法の場合、パ
ターン化せられるべき金属層に対する、パターン
化されたマスク層をマスクとした化学エツチング
をする工程において、パターン化された金属層
が、側方からエツチングされたもの即ち所謂サイ
ドエツチングされたものとして得られるのを余儀
なくされる。

このため、パターン化された金属層が、マスク
層のパターンよりもサイドエツチされた量だけ、
一周り小さなパターンを有するものとして形成さ
れる。

ところで、パターン化された金属層は、マスク
層のパターンと同じパターンで得られるのが望ま
しい。

その理由は、マスク層を、形成せんとするパタ
ーン化された金属層の所期のパターンと同じパタ
ーンに形成し置くだけで、パターン化された金属
層を、所期のパターンを有するものとして形成す
ることが出来るからである。

然しながら、パターン化された金属層が、マス
ク層のパターンよりもサイドエツチングされた量
だけ、一周り小さなパターンを有するものとして
形成されても、上述した化学エツチングを行う工
程において、サイドエツチングされる量が、予測
されていれば、マスク層を、予測されているサイ
ドエツチングされる量を見込んで、形成せんとす
るパターン化された金属層の所期のパターンより
も一周り大きなパターンに、予め形成しておくこ
とにより、パターン化された金属層を、所期のパ
ターンを有するものとして形成することが出来
る。

然しながら、上述した従来の方法による場合、
上述した化学エツチンングをする工程において、
上述したサイドエツチングされる量を予測するの
が極めて困難であつた。

このため、上述した従来の方法の場合、パター
ン化された金属層を、所期のパターンを有するも
のとして、再現性良く、微細に、高精度に形成す
るのが極めて困難である、などの欠点を有してい
た。

よつて本発明は、上述した欠点のない新規なパ
ターン化された導電性層を形成する方法を提案せ
んとするものである。

本発明者などは、第１図Ａに示すような、例え
ば、シリコンでなる半導体基板１上に例えば酸化
シリコン（SiO₂）でなる絶縁層２を形成してい
る絶縁性基板３を予め用意し、そして、その絶縁
性基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂに示すよう
に、パターン化されるべき金属層４Ａと、その金
属層４Ａとは異なる材料でなるパターン化される
べき導電性層４Ｂとを、それ自体は公知の方法に
よつて、それらの順とは逆の順に、積層して形成
し、次に、そのパターン化されるべき金属層４Ａ
上に、第１図Ｃに示すように、パターン化された
例えばフオトレジストでなるマスク層５を、金属
層４Ａ上にフオトレジスト層を形成し、そのフオ
トレジスト層に対するフオトマスクを用いた露
光、続く現像をなすという、それ自体は公知の方
法によつて形成し、このようにして、絶縁性基板
３上にパターン化されるべき金属層４Ａと、その
金属層４Ａとは異なる材料でなるパターン化され
るべき導電性層４Ｂとが、それらの順とは逆の順
に積層して形成され、その金属層４Ａ上にパター
ン化されたマスク層５が形成されている基板体６
を得た。

この場合、金属層４Ａは、配線層となり得る
Al層、Al−Si合金層、Al−Cu合金層、Cu層など
とし得る。

また、導電性層４Ｂは、MoSi₂、NiSi、PtSi
などでなる金属−シリコン合金層、Mo、Ｗ、
Ti、Ta、Ni、Ptなどでなる高融点金属層、導電
性の賦与された多結晶Si、非晶質Siなどの非単結
晶Si層などとし得る。

そして、上述した基板体６を、第２図に示すよ
うに、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液
１１を収容している槽１２内に、金属層４Ａが
略々垂直面上に延長するように、浸漬させ、ま
た、その槽１２内に、例えば白金でなる電極１３
を、基板体６の金属層４Ａと対向するように、浸
漬させ、そして、基板体６におけるパターン化さ
れるべき金属層４Ａを、マスク層５によつてマス
クされていない領域において、直流電源１４の正
極側に接続し、また、電極１３を、直流電源１４
の負極側に接続して、金属層４Ａに対する、マス
ク層５をマスクとし、且つ酸性またはアルカリ性
水溶液でなる電解液１１を用いた電解エツチング
をなした。

但し、この場合、酸性またはアルカリ性水溶液
でなる電解液１１を、金属層４ＡがAl層でなり、
また、導電性層４Ｂが、MoSi₂層、NiSi層、
PtSi層、Mo層、Ｗ層、Ti層、Ta層、Ni層、Pt
層、多結晶Si層、及び非晶質Si層中の何れか１つ
でなる場合、50〜85％濃度の燐酸を溶質の主体と
している水溶液でなる酸性水溶液、50〜85％濃度
の燐酸の15〜20容量部と、30〜60％濃度の硝酸の
１〜４容量部とを溶質の主体としている水溶液で
なる酸性水溶液、50〜85％濃度の燐酸の15〜20容
量部と、30〜60％濃度の硝酸の１〜４容量部と、
70〜100％濃度の酢酸の１〜４容量部とを溶質の
主体としている水溶液でなる酸性水溶液、５〜40
％濃度の塩酸を溶質の主体としている水溶液でな
る酸性水溶液、10〜50％濃度の水酸化カリウムを
溶質の主体としている水溶液でなるアルカリ性水
溶液、及び10〜50％濃度の水酸化ナトリウムを溶
質の主体としている水溶液でなるアルカリ性水溶
液中の何れか１つとした。

また、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解
液１１を、金属層４ＡがAl−Si合金層でなり、
また、導電性層４Ｂが、MoSi₂層、NiSi層、
PtSi層、Mo層、Ｗ層、Ti層、Ta層、Ni層、Pt
層、多結晶Si層、及び非晶質Si層中の何れか１つ
でなる場合、50〜85％濃度の燐酸を溶質の主体と
している水溶液でなる酸性水溶液、50〜85％濃度
の燐酸の15〜20容量部と、30〜60％濃度の硝酸の
１〜４容量部とを溶質の主体としている水溶液で
なる酸性水溶液、及び50〜85％濃度の燐酸の15〜
20容量部と、30〜60濃度の硝酸の１〜４容量部
と、70〜100％濃度の１〜４容量部とを溶質の主
体としている水溶液でなる酸性水溶液中の何れか
１つとした。

さらに、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電
解液１１を、金属層４ＡがAl−Cu合金層でなり、
また、導電性層４Ｂが、MoSi₂層、NiSi層、
PtSi層、Mo層、Ｗ層、Ti層、Ta層、Ni層、Pt
層、多結晶Si層、及び非晶質Si層中の何れか１つ
でなる場合、50〜85％濃度の燐酸を溶質の主体と
している水溶液でなる酸性水溶液、50〜85％濃度
の燐酸の15〜20容量部と、30〜60％濃度の硝酸の
１〜４容量部とを溶質の主体としている水溶液で
なる酸性水溶液、及び50〜85％濃度の燐酸の15〜
20容量部と、30〜60％濃度の硝酸の１〜４容量部
と、70〜100％濃度の酢酸の１〜４容量部とを溶
質の主体としている水溶液でなる酸性水溶液中の
何れか１つとした。

なおさらに、酸性またはアルカリ性水溶液でな
る電解液１１を、金属層４ＡがCu層でなり、ま
た、導電性層４Ｂが、PtSi層、Ｗ層、Ti層、Pt
層、多結晶Si層、及び非晶質Si層中の何れか１つ
でなる場合、40〜96％濃度の硫酸を溶質の主体と
している水溶液でなる酸性水溶液とした。

然るときは、金属層４Ａのマスク層５によつて
マスクされていない領域が陽極として作用し、ま
た、電極１３が陰極として作用し、金属層４Ａ
が、マスク層５によつてマスクされていない領域
において、第３図Ａに示すエツチングされていな
い状態から、第３図Ｂで一般的に示すような、表
面からエツチングされつつある状態を経て、第３
図Ｃで一般的に示すように、全厚さに亘つてエツ
チングされて、パターン化された金属層７Ａが、
マスク層５下に形成されることを確認するに到つ
た。但し、この場合、電極１３を白金でなるもの
とした。

また、本発明者などは、上述した電解エツチン
グを、パターン化させるべき金属層４Ａと電極１
３との間に接続している直流電源１４を直流定電
流源とし、そして金属層４Ａの、マスク層５によ
つてマスクされていない領域と、電極１３との間
の電圧Ｖ（ボルト）を、電圧計１５を用いて測定
しながら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電圧Ｖ（ボル
ト）の関係が、第４図に示すように、時点t_aまで
の間においては、電圧Ｖが時間ｔと共に僅かづつ
上昇するが、時点t_aから電圧Ｖが急激に大になる
ものとして得られた。

さらに、本発明者などは、上述した時間ｔに対
する電圧Ｖの関係と、金属層４Ａの、マスク層５
によつてマスクされていない領域のエツチングの
状態とを調べた結果、電圧Ｖが時間ｔと共に僅か
づつ上昇している時点t_aまでの間においては、金
属層４Ａの、マスク層５によつてマスクされてい
ない領域が、時間ｔと共に表面からエツチングさ
れるが、時点t_aに達すれば、金属層４Ａの、マス
ク層５によつてマスクされていない領域が、その
全厚さに亘つてエツチングされ、第３図Ｃで一般
的に示すように、パターン化された金属層７Ａが
得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者などは、上述した電解エ
ツチングを、上述した電圧Ｖが、急激に大になる
時点t_a即ち金属層４Ａの、マスク層５によつてマ
スクされていない領域が、その全厚さに亘つてエ
ツチングされる時点まで行つて、上述したパター
ン化された金属層７Ａを形成する場合、そのパタ
ーン化された金属層７Ａは、一般に、その側面
が、第３図Ｃでマスク層５の側面より内側にある
ものとして示されているように、サイドエツチン
グされたものとして得られていることを確認する
に到つた。

また、本発明者などは、上述した電解エツチン
グを、パターン化させるべき金属層４Ａと電極１
３との間に接続している直流電源１４を直流定電
圧源とし、そしてその直流定電圧源から、金属層
４Ａを通つて流れる電流Ｉ（ｍＡ）を、電流計１
６を用いて測定しながら行つた。

然るときは、時間ｔ（分）に対する電流Ｉ（ｍ
Ａ）の関係が、第５図に示すように、時点t_a′ま
での間においては、電流Ｉが時間ｔと共に僅かづ
つ減少するが、時点t_a′から電流Ｉが急激に小に
なるものとして得られた。

さらに、本発明者などは、上述した時間ｔに対
する電流Ｉの関係と、金属層４Ａの、マスク層５
によつてマスクされていない領域のエツチングの
状態とを調べた結果、電流Ｉが時間ｔと共に僅か
づつ減少している時点t_a′までの間においては、
金属層４Ａの、マスク層５によつてマスクされて
いない領域が、時間ｔと共に表面からエツチング
されるが、時点t_a′に達すれば、金属層４Ａの、
マスク層５によつてマスクされていない領域が、
その全厚さに亘つてエツチングされ、第３図Ｃで
一般的に示すように、パターン化された金属層７
Ａが得られていることを確認するに到つた。

なおさらに、本発明者などは、上述した電解エ
ツチングを、上述した電流Ｉが、急激に小になる
時点t_a′即ち金属層４Ａの、マスク層５によつて
マスクされていない領域が、その全厚さに亘つて
エツチングされる時点まで行つて、上述したパタ
ーン化された金属層７Ａを形成する場合、そのパ
ターン化された金属層７Ａは、一般に、その側面
が、第３図Ｃでマスク層５の側面より内側にある
ものとして示されているように、サイドエツチン
グされたものとして得られていることを確認する
に到つた。

また、本発明者などは、上述した電解エツチン
グを、電解液１１の温度Ｔ（℃）を一定温度T_e
（℃）として、直流電源１４から基板体６におけ
る金属層４Ａ、及び電極１３を通つて、電解液１
１に流れる電流Ｉを変え、従つて、金属層４Ａに
流れる電流の密度Ｊ（ｍＡ／cm²）を変えて、直流
電源１４が直流低電流源である場合、上述した電
圧Ｖが、急激に大になる時点t_aまで、また、直流
電源１４が直流定電圧源である場合、上述した電
流Ｉが、急激に小になる時点t_a′まで、即ち金属
層４Ａの、マスク層５によつてマスクされていな
い領域が、その全厚さに亘つてエツチングされる
時点まで行つて、上述したパターン化された金属
層７Ａを形成し、そして、その金属層７Ａがサイ
ドエツチングされている量即ちサイドエツチング
量Ｙ（μｍ）を測定した。

然るときは、電解液１１の温度Ｔ（℃）をパラ
メータとする電流密度Ｊに対する上述したサイド
エツチング量Ｙの関係が、一般に、第６照に示す
ように得られた。

なお、第６図に示されている温度T₁、及びT₂
は、T₁＜T₂なる関係を有する。

よつて、第６図に示す測定結果から、電解液１
１の温度Ｔを一定温度T_e（℃）とした場合、電流
密度Ｊを大とすれば、上述したサイドエツチング
量Ｙが小になることを確認するに到つた。

また、このように電流密度Ｊが大になるよう
に、電解液１１に流れる電流を大とすれば、サイ
ドエツチング量Ｙが小となるものとして得られる
のは、電流密度Ｊを大とすれば、金属層４Ａと電
極１３との間の電界強度が、主として、金属層４
Ａと電極１３とを結ぶ方向に関し、他の方向に比
し格段的に強くなり、このため、金属層４Ａのマ
スク層５によつてマスクされていない領域が厚さ
方向にエツチングされる速度と、面方向にエツチ
ングされる速度との比が大になるからであること
も確認するに到つた。

さらに、電流密度Ｊを一定電流密度Je（ｍＡ／
cm²）とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれ
ば、上述したサイドエツチング量Ｙが小になるこ
とを確認するに到つた。

なおさらに、上述したサイドエツチング量Ｙと
同じ値で得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高く
すれば、これに応じて電流密度Ｊを大にすればよ
いことも確認するに到つた。

また、第６図に示す測定結果から、上述したサ
イドエツチング量Ｙの値が零になるときの、電解
液１１の温度Ｔ（℃）に対する電流密度Ｊの関係
が、第７Ａ図に示すように、温度T₁及びT₂であ
る場合において、電流密度ＪがそれぞれJ₁及びJ₂
の値で得られること、及び上述したように、電解
液１１の温度Ｔを一定とした場合、電流密度Ｊを
大とすれば、上述したサイドエツチング量Ｙが小
になることから、上述した電解エツチングを、電
解液１１の温度Ｔを一定温度T_e（℃）にし、また
電流密度Ｊを、 T_e＝ａ・J_e＋ｂ ………（1a）ａ＝｛（T₂−T₁）／（J₂−J₁）｝ ×（１±0.1） ………（1b）ｂ＝｛（T₁J₂−T₂J₁）／（J₂−J₁）｝×（１±0.1）
………（1c）で与えれる電流密度J_e（ｍＡ／cm²）以上の電流密
度にして行えば、上述したパターン化された金属
層７Ａが、第８図に示すように、上述したサイド
エツチンング量Ｙが略々零であるものとして形成
されることも確認すするに到つた。

さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊ
の関係が、第７図に示すように得られること、及
び、上述したように、電流密度Ｊを一定電流密度
J_e（ｍＡ／cm²）とした場合、電解液１１の温度Ｔ
を低くすれば、上述したサイドエツチング量Ｙが
小になることから、上述した電解エツチングを、
電流密度Ｊを一定電流密度J_e（ｍＡ／cm²）にし、
また電解液１１の温度Ｔを、 T_e＝ａ・J_e＋ｂ ………（2a）ａ＝｛（T₂−T₁）／（J₂−J₁）｝ ×（１±0.1） ………（2b）ｂ＝｛（T₁J₂−T₂J₁）／（J₂−J₁）｝×（１±0.1）
………（2c）で与えられる温度T_e（℃）以下の温度にして行え
ば、上述したパターン化された金属層７Ａが、第
８図に示すように、上述したサイドエツチング量
Ｙが略々零であるものとして形成されることも確
認するに到つた。

以上で、絶縁性基板３上に、導電性層４Ｂ上に
積層して形成された金属層４Ａに対する、マスク
層５をマスクとした電解エツチングを行なうによ
つて、金属層４Ａから、一般的に、第３図Ｃに示
すように、パターン化された金属層７Ａが形成さ
れることが明らかとなつたが、このようにパター
ン化された金属層７Ａが形成されるとき、導電性
層４Ｂが露呈して電解液１１に触れる。

しかしながら、導電性層４Ｂが金属層４Ａとは
異なる材料でなるので、その材料を、金属層４Ａ
と電解液１１との兼合で、前述で例示したよう
に、適当に選定すれば、導電性層４Ｂが電解液１
１に触れても、導電性層４Ｂは実質的にエツチン
グされない。

従つて、上述したようにパターン化された金属
層７Ａが形成されるとき、導電性層４Ｂは、絶縁
性基板３上に、実質的にエツチングされないで残
つている。

本発明者などは、上述したように、パターン化
された金属層７Ａが形成されるときに、導電性層
４Ｂが絶縁性基板３上にエツチングされないで残
つているため、パターン化された金属層７Ａが形
成されるときに、金属層４Ａの一部が、一般的
に、第３図Ｃに符号８を付して点線図示している
ように、導電性層４Ｂの露呈している領域上に、
アイラント状に薄く残らんとしても、そのアイラ
ント８が、導電性層４Ｂを介し、次で、金属層４
Ａの直流電源１４に一端に連結されている部９
（第２図参照のこと）を介して、直流電源１４の
一端に、電気的に連結されているので、アイラン
ト８が電解エツチンングされ、従つて、パターン
化された金属層７Ａを、導電性層４Ｂが露呈する
領域上に上述したアイラント８を実質的に残すこ
となしに、形成することができることを確認する
に到つた。

また、本発明者などは、上述したようにパター
ン化された金属層７Ａを形成して後、導電性層４
Ｂに対するマスク層５またはパターン化された金
属層７Ａをマスクとした、上述した電解エツチン
グ以外の、それ自体は公知の種々のエツチング、
例えばリアクテイブイオンエツチング、プラズマ
エツチングなどのドライエツチング、さらにはエ
ツチング液を用いたウエツトエツチングを行え
ば、第９図及び第１０図に示すように、導電性層
４Ｂから、パターン化された導電性層７Ｂが、パ
ターン化された金属層７Ａ下に形成され、そし
て、この場合、導電性層４Ｂを十分薄い厚さにし
ておけば、エツチングがウエツトエツチングであ
つても、パターン化された導電性層７Ｂが、殆ん
どサイドエツチングされていないものとして得ら
れることを確認するに到つた。

さらに、本発明者などは、上述したようにパタ
ーン化された導電性層７Ｂを形成すれば、絶縁性
基板３上に、パターン化された金属層７Ａと、パ
ターン化された導電性層７Ｂとがそれらの順とは
逆に積層されている、目的としたパターン化され
た導電性総１０が形成されるが、そのパターン化
された導電性層１０が、半導体集積回路装置の配
線層として好適であることも確認するに到つた。

また、本発明者などは、上述したようにパター
ン化された導電性層７Ｂを形成すれば、上述した
パターン化された金属層７Ａを形成する工程にお
いて、導電性層４Ｂ上に、上述した金属層４Ａに
よるアイランド８が残つても、導電性層４Ｂがエ
ツチングされることによつて、それと共に除去さ
れることも確認するに到つた。

よつて、本発明者などは、特許請求の範囲に記
載している発明を、本発明による発明として提案
するに到つた。

以上で、本発明によるパターン化された導電性
層を形成する方法が明らかとなつた。

このような本発明による方法によれば、パター
ン化されるべき金属層に対する、パターン化され
たマスク層をマスクとした電解エツチングをする
工程において、形成されるパターン化された金属
層のサイドエツチング量Ｙを、第６図で上述した
ところから明らかなように、電解液の温度Ｔと、
電流密度Ｊとによつて、予測することができ、ま
たパターンされるべき導電性層に対する、パター
ン化されたマスク層またはパターン化された金属
層７Ａをマスクとしたエツチングをする工程にお
いて、形成されるパターン化された導電性層を、
サイドエツチングの殆んどないものとして形成す
ることができるので、目的とするパターン化され
た導電性層のサイドエツチング量を、電解液の温
度と電流密度とによつて、予測することができ
る。

このため、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法によれば、パターン化される
べき金属層上にパターン化されたマスク層を形成
する工程において、そのパターン化されたマスク
を、予測されるサイドエツチング量Ｙを見込んで
形成することにより、パターン化された導電性層
を、所期のパターンを有するものとして、再現性
良く、微細に、高精度に、容易に形成することが
出来る、という特徴を有する。

また、本発明によるパターン化された導電性層
を形成する方法によれば、上述した金属層に対す
る電解エツチングをする工程において、その電解
エツチングを、電解液の温度Ｔを一定温度T_e
（℃）にし、電流密度Ｊを、上述した（1a）〜
（1c）式で与えられる電流密度J_e（ｍＡ／cm²）以上
の電流密度にして行えば、または、電流密度Ｊを
一定電流密度J_e（ｍＡ／cm²）にし、電解液の温度
Ｔを、上述した（2a）〜（2c）式で与えられる
温度T_e（℃）以下の温度にして行えば、パターン
化された金属層が、サイドエツチング量Ｙが略々
零であるものとして形成され、また、上述した導
電性層に対するエツチングをする工程において、
パターン化された導電性層を、殆んどサイドエツ
チングされないものとして形成することができ
る。

このため、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法によれば、パターン化された
マスク層を形成する工程において、そのマスク層
を、形成せんとするパターン化された導電性層の
所期のパターンと同じパターンに形成し、また、
上述した電解エツチングの工程において、電解液
の温度Ｔを一定温度T_eとするとき、電流密度Ｊ
を上述した（1a）〜（1c）式で与えられる電流
密度J_e以上の電流密度にし、または、電流密度Ｊ
を一定電流密度J_eとするとき、電解液の温度Ｔを
上述した（2a）〜（2c）式で与えられる温度T_e
以下の温度にすることによつて、パターン化され
た導電性層を、所期のパターンを有するものとし
て、再現性良く、微細に、高精度に、容易に形成
することができるという特徴を有する。

さらに、本発明によるパターン化された導電性
層を形成する方法によれば、上述した金属層に対
する電解エツチングを、直流電源として直流定電
流源を用いて行なう場合、その電解エツチングを
する工程における、その電解エツチングの終了時
点が、陽極としてのパターン化されるべき金属層
と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激に
大になる時点に対応しているので、上述した電解
エツチングを、陽極としてのパターン化されるべ
き金属層と、これに対する陰極電極との間の電圧
が急激に大になる時点まで行うことによつて、パ
ターン化された金属層を、所期のパターンを有す
るものとして、より再現性良く、微細に、高精度
に、容易に形成することができる。

なおさらに、本発明によるパターン化された導
電性層を形成する方法によれば、上述した金属層
に対する電解エツチングを、直流電源として直流
定電流源を用いて行なう場合、上述した、陽極と
してのパターン化されるべき金属層と、これに対
する陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点
は、これを、種々の電圧検出器によつて、容易に
検出し得、また、その電圧検出器の出力によつ
て、陽極としての金属層と、これに対する陰極電
極との間に接続している直流定電流源をオフにし
たり、直流定電流源と、陽極としての金属層また
は陰極電極との間の線路を切断したりするという
簡易な手段によつて、上述した電解エツチング
を、陽極としてのパターン化されるべき金属層
と、これに対する陰極電極との間の電圧が急激に
大になる時点で、直ちに且つ容易に終了させるこ
とができる。

また、本発明によるパターン化された導電性層
を形成する方法によれば、上述した金属層に対す
る電解エツチングを、直流電源として直流定電圧
源を用いて行なう場合、その電解エツチングをす
る工程における、その電解エツチングの終了時点
が、直流定電圧源から、陽極としてのパターン化
されるべき金属層を通つて流れる電流が急激に小
になる時点に対応しているので、上述した電解エ
ツチングを、直流定電圧源から、陽極としてのパ
ターン化されるべき金属層を通つて流れる電流が
急激に小になる時点まで行うことによつて、パタ
ーン化された金属層を、所期のパターンを有する
ものとして、より再現性良く、微細に、高精度
に、容易に形成することができる。

なおさらに、本発明によるパターン化された導
電性層を形成する方法によれば、上述した金属層
に対する電解エツチングを、直流電源として直流
定電圧源を用いて行なう場合、直流定電圧源か
ら、上述した陽極としてのパターン化されるべき
金属層を通つて流れる電流が急激に小にらる時点
は、これを、種々の電流検出器によつて、容易に
検出し得、また、その電流検出器の出力によつ
て、陽極としての金属層と、これに対する陰極電
極との間に接続している直流定電圧源をオフにし
たり、直流定電圧源と、陽極としての金属層また
は陰極電極との間の線路を切断したりするという
簡易な手段によつて、上述した電解エツチング
を、直流定電圧源から、陽極としてのパターン化
されるべき金属層を通つて流れる電流が急激に小
になる時点で、直ちに且つ容易に終了させること
ができる。

従つて、本発明によるパターン化された導電性
層を形成する方法によれば、上述した本発明の特
徴を、確実、容易に発揮することができる、とい
う特徴を有する。

また、本発明によるパターン化された導電性層
を形成する方法によれば、上述した金属層に対し
て電解エツチングする工程において、その電解エ
ツチングを、絶縁性基板上にパターン化されるべ
き導電性層を有している状態で行うので、金属層
に対して電解エツチングする工程において、金属
層が、絶縁性基板上に、パターン化されるべきを
導電性層上において、アイランド状に残らんとし
ても、それが電解エツチングされ、また、たと
え、金属層に対して電解エツチングする工程にお
いて、金属層が、絶縁性基板上に、パターン化さ
れるべき導電性層４Ｂ上において、アイランド状
に残つたとしても、それが、パターン化されるべ
き導電性層に対してエツチングする工程におい
て、導電性層がエツチングされることによつて、
絶縁性基板上から除去される。

このため、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法によれば、パターン化された
導電性層を、明瞭、明確に形成することができ
る、という特徴を有する。

さらに、本発明によるパターン化された導電性
層を形成する方法によつて形成される、パターン
化された導電性層は、配線層として機能する。

従つて、本発明は、これを、半導体集積回路装
置の配線層を形成する場合に適用して、極めて好
適である、という特徴を有する。

次に、本発明の実施例を述べよう。

実施例１−1A 第１図Ａで上述したと同様に、基板１上に絶縁
層２を形成している絶縁性基板３を予め用意し
た。但し、この場合、基板１を、表面積が約40.0
cm²のシリコンでなるものとした。また、絶縁層２
を酸化シリコン（SiO₂）でなるものとした。

然して、絶縁性基板３の絶縁層２上に、第１図
Ｂで上述したと同様に、パターン化されるべき金
属層４Ａと、パターン化されるべき導電性層４Ｂ
とを、それらの順とは逆の順に積層して形成し
た。但し、この場合、金属層４Ａを蒸着によつ
て、1μｍの厚さを有するAl層でなるものとして
形成した。

また、導電性層４Ｂを、それ自体は公知の種々
の方法によつて、金属層４Ａに比し十分薄い厚さ
を有するMoSi₂、MiSi、PtSi、Mo、Ｗ、Ti、
Ta、Ni、Pt、多結晶Si、及び非晶質Si中から選
ばれた１つでなる層として形成した。

次に、Al層でなる金属層４Ａ上に、第１図Ｃ
で上述したと同様に、パターン化されたマスク層
５を形成した。

但し、この場合、マスク層５を、Al層でなる
金属層４Ａ上に、フオトレジスト層を形成し、そ
のフオトレジスト層に対するフオトマスクを用い
た露光、続く現像処理をなすことによつて、フオ
トレジストでなるものとして形成した。

このようにして、第１図Ｃで上述したと同様
に、絶縁性基板３上にパターン化されるべきAl
層でなる金属層４Ａと、パターン化されるべき導
電性層４Ｂとが、それらの順とは逆の順に積層し
て形成され、そのAl層でなる金属層４Ａ上に、
パターン化されたマスク層５が形成されている基
板体６を得た。

次に、基板体６を、第２図で上述したと同様
に、85％濃度の燐酸液でなる燐酸のみを溶質とし
た水溶液でなる電解液１１を収容している槽１２
内に、金属層４Ａが、略々垂直面上に延長するよ
うに浸漬させ、また、その槽１２内に、白金でな
る電極１３を、基板体６の金属層４Ａと対向する
ように浸漬させ、然して、基板体６におけるパタ
ーン化されるべき金属層４Ａを、マスク層５によ
つてマスクされていない領域において、直流定電
流源でなる直流電源１４の正極側に接続し、ま
た、電極１３を、直流電源１４の負極側に接続し
て、金属層４Ａに対する、上述した燐酸を溶質と
している水溶液でなる電解液１１を用いた電解エ
ツチングを、金属層４Ａ及び電極１３間の電圧Ｖ
が急激に大なる時点までなし、パターン化された
金属層７Ａを得た。

この場合、電解液１１の温度を20.0℃とし、ま
た電解液１１に通ずる電流を50.0ｍＡとし、従つ
て、Al層でなる金属層４Ａに通ずる電流密度を、
1.25（＝50.0ｍＡ／40.0cm²）ｍＡ／cm²とした。

然るときは、第８図で上述したと同様に、パタ
ーン化されたAl層でなる金属層７Ａが、サイド
エツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

次に、導電性層４Ｂに対する。上述したマスク
層５またはパターン化された金属層７Ａをマスク
とする、導電性層４Ｂの面に対して垂直な方向か
らのドライエツチングをなし、パターン化された
導電性層７Ｂを得た。

然るときは、第９図及び第１０図で上述したと
同様に、パターン化された導電性層７Ｂが、殆ん
どサイドエツチングされていないものとして得ら
れた。

また、上述したように、パターン化された金属
層７Ａ及びパターン化された導電性層７Ｂが得ら
れたことにより、絶縁性基板３上に、第９図及び
第１０図で上述したと同様に、パターン化された
金属層７Ａと、パターン化された導電性層７Ｂと
がそれらの順とは逆の順に積層されている。目的
とするパターン化された導電性層１０が、サイド
エツチング量が略々零であるものとして形成され
た。

実施例１−1B 上述した本発明の実施例１−1Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例１−1Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl層でなる金属層7A
を得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−1A
の場合と同様に、パターン化されたAl層でなる
金属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

次に、導電性層４Ｂに対して、上述した本発明
の実施例１−1Aの場合と同様のエツチングを行
い、上述した本発明の実施例１−1Aの場合と同
様のパターン化された導電性層７Ｂを得た。

然るときは、パターン化さた金属層７Ａ及びパ
ターン化された導電性層７Ｂが、上述したように
得られたことにより、絶縁性基板３上に、パター
ン化された金属層７Ａとパターン化された導電性
層７Ｂとがそれらの順とは逆の順に積層されてい
る、目的とするパターン化された導電性層１０
が、サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された。

実施例１−2A 上述した本発明の実施例１−1Aの場合と同様
の、絶縁性基板３上にパターン化されるべきAl
層でなる金属層４Ａと、パターン化されるべき上
述した実施例１−1Aの場合と同様の導電性層４
Ｂとがそれらの順とは逆の順に積層して形成さ
れ、その金属層４Ａ上にパターン化されたマスク
層５が形成されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−1Aの場合
における、金属層４Ａに対して電解エツチングを
行う工程で用いる電解液１１を、85％濃度の燐酸
液の16容量部でなる燐酸と、60％濃度の硝酸液の
１容量部でなる硝酸とを溶質とした水溶液でなる
ものに変更したことを除いては、上述した本発明
の実施例１−1Aの場合と同様の電解エツチング
を、上述した本発明の実施例１の場合と同様にな
して、パターン化されたAl層でなる金属層７Ａ
を得た。

ただし、この場合、電解液１１の温度を33.0℃
とし、また電解液１１に通ずる電流値を240.0ｍ
Ａとし、Al層でなる金属層４Ａに通ずる電流密
度を6.0（＝240.0ｍＡ／40.0cm²）ｍＡ／cm²とした。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及び
パターン化された導電性層７Ｂが、上述したよう
に得られたことにより、絶縁性基板３上に、パタ
ーン化された金属層７Ａとパターン化された導電
性層７Ｂとがそれらの順とは逆の順に積層されて
いる、目的とするパターン化された導電性層１０
が、サイドエツチング層が略々零であるものとし
て形成された。

実施例１−2B 上述した本発明の実施例１−2Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、Al層でなる金属層４Ａを通つて流れる電流
Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除い
ては、上述した本発明の実施例１−2Aの場合と
同様の工程をとつて、パターン化されたAl層で
なる金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−2A
の場合と同様に、パターン化されたAl層でなる
金属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及び
パターン化された導電性層７Ｂが、上述したよう
に得られたことにより、絶縁性基板３上に、パタ
ーン化された金属層７Ａとパターン化された導電
性層７Ｂとがそれらの順とは逆の順に積層されて
いる、目的とするパターン化された導電性層１０
が、サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された。

実施例１−3A 上述した本発明の実施例１−1Aの場合と同様
の、絶縁性基板３上に、パターン化されるべき
Al層でなる金属層４Ａと、パターン化されるべ
き上述した実施例１−1Aの場合と同様の導電性
層４Ｂとがそれらの順とは逆に順に積層して形成
され、そのAl層でなる金属層４Ａ上にパターン
化されたマスク層５が形成されている基板体６を
得た。

次に、上述した本発明の実施例１−1Aの場合
における、金属層4Aに対して電解エツチングを
行う工程で用いる電解液１１を、85％濃度の燐酸
液の16容量部でなる燐酸と、60％濃度の硝酸液の
１容量部でなる硝酸と、96％濃度の酢酸液の１容
量部でなる酢酸とを溶質とした水溶液でなるもの
に変更したことを除いては、上述した本発明の実
施例１−1Aの場合と同様の電解エツチングを、
上述した本発明の実施例１−1Aの場合と同様に
なして、パターン化されたAl層でなる金属層７
Ａを得た。

実施例１−3B 上述した本発明の実施例１−3Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、Al層でなる金属層４Ａを通つて流れる電流
Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除い
ては、上述した本発明の実施例１−3Aの場合と
同様の工程をとつて、パターン化されたAl層で
なる金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−3A
の場合と同様に、パターン化されたAl層でなる
金属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

実施例１−4A 上述した実施例１−1Aの場合と同様の、絶縁
性基板３上にパターン化されるべきAl層でなる
金属層４Ａと、パターン化されるべき導電性層４
Ｂとがそれらの順とは逆の順に形成され、その金
属層４Ａ上にパターン化されたマスク層５が形成
されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−1Aの場合
における、金属層４Ａに対して電解エツチングを
行う工程で用いる電解液１１を、５〜40％濃度の
塩酸（HCl）を溶質とした水溶液でなるものに変
更したことを除いては、上述した本発明の実施例
１−1Aの場合と同様の電解エツチングを、上述
した本発明の実施例１−1Aの場合と同様になし
て、パターン化されたAl層でなる金属層７Ａを
得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を33.0℃と
し、また電解液１１に通ずる電流を200.0ｍＡと
し、従つてAl層でなる金属層４Ａに通ずる電流
密度を、5.0（＝200.0ｍＡ／40.0cm²）ｍＡ／cm²とし
た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−1A
の場合と同様に、パターン化されたAl層でなる
全属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

実施例１−4B 上述した本発明の実施例１−4Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例１−4Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl層でなる金属層７
Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−4A
の場合と同様に、パターン化されたAl層でなる
金属層７Ａが、サイドエツチング層が略々零であ
るものとして形成された。

実施例１−5A 上述した実施例１−1Aの場合と同様の、絶縁
性基板３上に、パターン化されるべきAl層でな
る金属層４Ａと、パターン化されるべき上述した
実施例１−1Aの場合と同様の導電性層４Ｂとが
それらの順とは逆の順に積層して形成され、その
金属層４Ａ上にパターン化されたマスク層５が形
成されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−1Aの場合
における、金属層４Ａに対する電解エツチングを
行う工程で用いる電解液１１を、10〜50％濃度の
水酸化カリウム（KOH）を溶質とした水溶液で
なるものに変更したことを除いては、上述した本
発明の実施例１−1Aの場合と同様の電解エツチ
ングを、上述した本発明の実施例１−1Aの場合
と同様になして、パターン化されたAl層でなる
金属層７Ａを得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を33.0℃と
し、また電解液１１に通ずる電流を160.0ｍＡと
し、従つてアルミニウム層４に通ずる電流密度
を、4.0（＝160.0ｍＡ／40.0cm²）ｍＡ／cm²とした。

実施例１−5B 上述した本発明の実施例１−5Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例１−5Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl層でなる金属層７
Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−5A
の場合と同様に、パターン化されたAl層でなる
金属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

実施例１−6A 上述した実施例１−1Aの場合と同様の絶縁性
基板３上に、パターン化されるべきAl層でなる
金属層４Ａと、パターン化されるべき上述した実
施例１−1Aの場合と同様の導電性層４Ｂとがそ
れらの順とは逆の順に積層して形成され、その金
属層４Ａ上にパターン化されたマスク層５が形成
されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−1Aの場合
における、金属層４Ａに対して電解エツチングを
行う工程で用いる電解液１１を、10〜50％濃度の
水酸化ナトリウム（NaOH）を溶質とした水溶
液でなるものに変更したことを除いては、上述し
た本発明の実施例１−1Aの場合と同様の電解エ
ツチングを、上述した本発明の実施例１−1Aの
場合と同様になして、パターン化されたAl層で
なる金属層７Ａを得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を33.0℃と
し、また電解液１１に通ずる電流を180.0ｍＡと
し、従つてアルミニウム層４に通ずる電流密度
を、4.5（＝180.0ｍＡ／40.0cm²）ｍＡ／cm²とした。

然るときは、上述した本発明による実施例１−
1Aの場合と同様に、パターン化された金属層７
Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及び
パターン化された導電性層７Ｂが、上述したよう
に得られたことにより、絶縁性基板３上に、パタ
ーン化された金属層７Ａとパターン化された導電
性層７Ｂとがそれらの順とは逆の順に積層されて
い、目的とするパターン化された導電性層１０
が、サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された。

実施例１−6B 上述した本発明の実施例１−6Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例１−6Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl層でなる金属層７
Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−6A
の場合と同様に、パターン化されたAl層でなる
金属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

実施例２−1A 上述した本発明の実施例１−1Aにおける基板
体６の金属層４Ａを、Al−Si合金層に変更した
ことを除いては、上述した本発明の実施例１−
1Aの場合と同様の基板体６を得た。

次に、Al−Si合金層でなる金属層４Ａに対し、
上述した本発明の実施例１−1Aの場合と同様の
電解エツチングを、上述した本発明の実施例１−
1Aの場合と同様になして、パターン化されたAl
−Si合金層でなる金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例１−1A
の場合と同様に、パターン化されたAl−Si合金
層でなる金属層７Ａが、サイドエツチング量が
略々零であるものとして形成された。

実施例２−1B 上述した本発明の実施例２−1Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例２−1Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl−Si合金層でなる
金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−1A
の場合と同様に、パターン化されたAl−Si合金
層でなる金属層７Ａが、サイドエツチング量が
略々零であるものとして形成された。

実施例２−2A 上述した本発明の実施例２−1Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる電解液１１を、85％濃度の燐酸液の16
容量部でなる燐酸と、60％濃度の硝酸液の１容量
部でなる硝酸とを溶質とした水溶液でなるものに
変更したことを除いては、上述した本発明の実施
例２−1Aの場合と同様の電解エツチングを、上
述した本発明の実施例２−1Aの場合と同様にな
して、パターン化されたAl−Si合金層でなる金
属層７Ａを得た。

実施例２−2B 上述した本発明の実施例２−2Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例２−2Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl−Si合金層でなる
金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−2A
の場合と同様に、パターン化されたAl−Si合金
層でなる金属層７Ａが、サイドエツチング量が
略々零であるものとして形成された。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及び
パターン化された導電性層７Ｂが、上述したよう
に得られることにより、絶縁性基板３上に、パタ
ーン化された金属層７Ａとパターン化された導電
性層７Ｂとがそれらの順とは逆の順に積層されて
いる、目的とするパターン化された導電性層１０
が、サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された実施例２−3A 上述した本発明の実施例２−1Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる電解液１１を、85％濃度の燐酸液の16
容量部でなる燐酸と、60％濃度の硝酸液の１容量
部でなる硝酸と、96％濃度の酢酸液の１容量部で
なる酢酸とを溶質とした水溶液でなるものに変更
したことを除いては、上述した本発明の実施例２
−1Aの場合と同様の電解エツチングを、上述し
た本発明の実施例２−1Aの場合と同様になして、
パターン化されたAl−Si合金層でなる金属層７
Ａを得た。

実施例２−3B 上述した本発明の実施例２−3Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例２−3Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl−Si合金層でなる
金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例２−3A
の場合と同様に、パターン化されたAl−Si合金
層でなる金属層７Ａが、サイドエツチング量が
略々零であるものとして形成された。

実施例３−1A 上述した本発明の実施例１−1Aにおける基板
体６の金属層４Ａを、Al−Cu合金層に変更した
ことを除いては、上述した本発明の実施例１−
1Aの場合と同様の基板体６を得た。

次に、Al−Cu合金層でなる金属層４Ａに対し、
上述した本発明の実施例１−1Aの場合と同様の
電解エツチングを、上述した本発明の実施例１−
1Aの場合と同様になして、パターン化されたAl
−Cu合金層でなる金属層７Ａを得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を33.0℃と
し、また電解液１１に通ずる電流を240.0ｍＡと
し、従つてAl−Cu合金層でなる金属層４Ａに通
ずる電流密度を、6.0（＝240.0ｍＡ／40.0cm²）ｍ
Ａ／cm²とした。

しかるときは、上述した本発明の実施例１−
1Aの場合と同様に、パターン化されたAl−Cu合
金層でなる金属層７Ａが、サイドエツチング量が
略々零であるものとして形成された。

実施例３−1B 上述した本発明の実施例３−1Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電源が、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例３−1Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl−Au合金層でなる
金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３−1A
の場合と同様に、パターン化されたAl−Cu合金
層でなる金属層７Ａが、サイドエツチング量が
略々零であるものとして形成された。

実施例３−2A 上述した本発明の実施例３−1Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる電解液１１を、85％濃度の燐酸液の16
容量部でなる燐酸と、60％濃度の硝酸液の１容量
部でなる硝酸とを溶質とした水溶液でなるものに
変更したことを除いては、上述した本発明の実施
例３−1Aの場合と同様の電解エツチングを、上
述した本発明の実施例３−1Aの場合と同様にな
して、パターン化されたAl−Cu合金層でなる金
属層７Ａを得た。

実施例３−2B 上述した本発明の実施例３−2Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、
これに応じて電解エツチングを、直流定電圧源か
ら、金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に
小になる時点までなしたことを除いては、上述し
た本発明の実施例３−2Aの場合と同様の工程を
とつて、パターン化されたAl−Cu合金層でなる
金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３−2A
の場合と同様に、Al−Cu合金層でなる金属層７
Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

実施例３−3A 上述した本発明の実施例３−1Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して電解エツチングを行う工
程で用いる電解液１１を、85％濃度の燐酸液の16
容量部でなる燐酸と、60％濃度の硝酸液の１容量
部でなる硝酸と、96％濃度の酢酸液の１容量部で
なる酢酸とを溶質とした水溶液でなるものに変更
したことを除いては、上述した本発明の実施例３
−1Aの場合と同様の電解エツチングを、上述し
た本発明の実施例３−1Aの場合と同様になして、
パターン化されたAl−Cu合金層でなる金属層７
Ａを得た。

実施例３−3B 上述した本発明の実施例３−3Aの場合におけ
る、金属層４Ａに対して行う工程で用いる直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解
エツチングを、直流定電圧源から、金属層４Ａを
通つて流れる電流Ｉが、急激に小になる時点まで
なしたことを除いては、上述した本発明の実施例
３−3Aの場合と同様の工程をとつて、パターン
化されたAlCu合金層でなる金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例３−3A
の場合と同様に、Al−Cu合金層でなる金属層７
Ａが、サイドエツチング量が略々零であるものと
して形成された。

実施例 4A 上述した実施例１−1Aの場合と同様の絶縁性
基板３上に、パターン化されるべきCu層でなる
金属層４Ａと、PtSi、Ｗ、Ti、Pt、多結晶Si及
び非晶質Si中から選ばれた１つでなる導電性層４
Ｂとが、それらの順とは逆の順に積層して形成さ
れ、その金属層４Ａ上にパターン化されたマスク
層５が形成されている基板体６を得た。

次に、上述した本発明の実施例１−1Aの場合
における、金属層４Ａに対して電解エツチングを
行う工程で用いる電解液１１を、40〜59％濃度の
硫酸を溶質とした水溶液でなるものに変更したこ
とを除いては、上述した本発明の実施例１−1A
の場合と同様の電解エツチングを、上述した本発
明の実施例１−1Aの場合と同様になして、パタ
ーン化されたCu層でなる金属層７Ａを得た。

但し、この場合、電解液１１の温度を33.0℃と
し、また、電解液１１に通ずる電流を160.0ｍＡ
とし、従つてCu層でなる金属層４Ａに通ずる電
流密度を、4.0（＝160.0ｍＡ／40.0cm²）ｍＡ／cm²と
した。

然るときは、上述した本発明の実施例１−1A
の場合と同様に、パターン化されたCu層でなる
金属層７Ａが、サイドエツチング量が略々零であ
るものとして形成された。

然るときは、パターン化された金属層７Ａ及び
パターン化された導電性層７Ｂが、上述したよう
に得られることにより、絶縁性基板３上に、パタ
ーン化された金属層７Ａとパターン化された導電
性層７Ｂとがそれらの順とは逆の順に積層されて
いる、目的とするパターン化された導電性層１０
が、サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された。

実施例 4B 上述した本発明の実施例4Aの場合における、
金属層4Aに対して電解エツチングを行う工程で
用いる直流電源１４を、直流定電圧源とし、これ
に応じて電解エツチングを、直流定電圧源から、
金属層４Ａを通つて流れる電流Ｉが、急激に小に
なる時点までなしたことを除いては、上述した本
発明の実施例4Aの場合と同様の工程をとつて、
パターン化されたCu層でなる金属層７Ａを得た。

然るときは、上述した本発明の実施例４の場合
と同様に、パターン化されたCu層でなる金属層
７Ａが、サイドエツチング量が略々零であるもの
として形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ及びＣは、本発明によるパターン
化された導電性層を形成する方法の説明に供給す
る、パターン化されるべき金属層上に、パターン
化されたマスク層を形成する順次の工程におけ
る、略線的断面図である。第２図は、同様に、本
発明によるパターン化された導電性層を形成する
方法の説明に供する、パターン化されるべき金属
層に対する電解エツチングによつて、パターン化
された金属層を形成する工程を示す、略線図であ
る。第３図は、同様に、本発明によるパターン化
された導電性層を形成する方法の説明に供する、
パターン化されるべき金属層に対する電解エツチ
ングによつて、パターン化された金属層を形成す
る工程における、略線的断面図である。第４図
は、同様に、本発明によるパターン化された導電
性層を形成する方法の説明に供する、直流定電流
源でなる直流電源を用いたパターン化されるべき
金属層に対する電解エツチングによつて、パター
ン化された金属層を形成する工程における、時間
ｔ（分）に対する、基板体における陽極としての
金属層と、これに対する陰極電極との間の電圧Ｖ
（ボルト）の関係を示す図である。第５図は、同
様に、本発明によるパターン化された導電性層を
形成する方法の説明に供する、直流定電圧源でな
る直流電源を用いたパターン化されるべき金属層
に対する電解エツチングによつて、パターン化さ
れた金属層を形成する工程における、時間ｔ（分）
に対する、直流定電圧源から、基板体における陽
極としての金属層を通つて流れる電流Ｉ（ｍＡ）
の関係を示す図である。第６図は、同様に、本発
明によるパターン化された導電性層を形成する方
法の説明に供する、パターン化されるべき金属層
に対する電解エツチングによつて、パターン化さ
れた金属層を形成する工程における、電解液の温
度Ｔ（℃）をパラメータとした、電流密度Ｊ（ｍ
Ａ／cm²）に対する、本発明によつて形成されるパ
ターン化された金属層のサイドエツチング量Ｙ
（μｍ）の関係を示す図である。第７図は、同様
に、本発明によるパターン化された導電性層を形
成する方法の説明に供する、パターン化されるべ
き金属層に対する電解エツチングによつて、パタ
ーン化された金属層を形成する工程における、本
発明によつて形成されるパターン化された金属層
のサイドエツチング量Ｙが零となるときの、電解
液の温度Ｔ（℃）に対する、電流密度Ｊ（ｍＡ／
cm²）の関係を示す図である。第８図は、本発明に
よるパターン化された導電性層を形成する方法の
説明に供する、パターン化されるべき金属層に対
する電解エツチングによつて形成された、パター
ン化された金属層の一例を示す略線的断面図であ
る。第９図は、本発明によるパターン化された導
電性層を形成する方法の説明に供する、パターン
化されるべき導電性層に対するエツチングによつ
て、パターン化された導電性層を形成する工程を
示す、略線的断面図である。第１０図は、同様
に、本発明によるパターン化された導電性層を形
成する方法の説明に供する、パターン化されるべ
き導電性層に対するエツチングによつて、パター
ン化された導電性層を形成する工程を示す、略線
的断面図である。１……基板、２……絶縁層、３……絶縁性基
板、４Ａ……パターン化されるべき金属層、４Ｂ
……パターン化されるべき導電性層、５……パタ
ーン化されたマスク層、６……基板体、７Ａ……
パターン化された金属層、７Ｂ……パターン化さ
れた導電性層、１０……パターン化された導電性
層、１１……電解液、１２……槽、１３……電
極、１４……直流電源、１５……電圧計、１６…
…電流計。

Claims

【特許請求の範囲】１絶縁性基板上に、パターン化されるべき金属
層と、該金属層とは異なる材料でなるパターン化
されるべき導電性層とを、それらの順とは逆の順
に積層して形成し、次に、上記金属層上にパター
ン化されたマスク層を形成し、次に、上記金属層
に対する、上記マスク層をマスクとした電解エツ
チングを行うことによつて、上記金属層から、パ
ターン化された金属層を形成し、然る後、上記導
電性層に対する、上記マスク層または上記パター
ン化された金属層をマスクとした上記電解エツチ
ング以外の他のエツチングを行うことによつて、
上記導電性層から、パターン化された導電性層を
形成し、よつて、上記絶縁性基板上に、パターン
化された金属層と、パターン化された導電性層と
がそれらの順とは逆の順に積層されているパター
ン化された導電性層を形成することを特徴とする
パターン化された導電性層を形成する方法。２絶縁性基板上にパターン化されるべき金属層
と、該金属層とは異なる材料でなるパターン化さ
れるべき導電性層とを、それらの順とは逆の順に
積層して形成し、次に、上記金属層上にパターン
化されたマスク層を形成し、次に、上記金属層に
対する、上記マスク層をマスクとした電解エツチ
ングを、上記金属層を陽極とし、該陽極としての
金属層とこれに対する陰極電極との間に直流定電
流源を接続して、上記陽極としての金属層と上記
陰極電極との間の電圧が、急激に大になる時点ま
で行うことによつて、上記金属層から、パターン
化された金属層を形成し、然る後、上記導電性層
に対する、上記マスク層または上記パターン化さ
れた金属層をマスクとした上記電解エツチング以
外の他のエツチングを行うことによつて、上記導
電性層から、パターン化された導電性層を形成
し、よつて、上記絶縁性基板上に、パターン化さ
れた金属層と、パターン化された導電性層とがそ
れらの順とは逆の順に積層されているパターン化
された導電性層を形成することを特徴とするパタ
ーン化された導電性層を形成する方法。３絶縁性基板上にパターン化されるべき金属層
と、該金属層とは異なる材料でなるパターン化さ
れるべき導電性層とを、それらの順とは逆の順に
積層して形成し、次に、上記金属層上にパターン
化されたマスク層を形成し、次に、上記金属層に
対する、上記マスク層をマスクとした電解エツチ
ングを、上記金属層を陽極とし、該陽極としての
金属層とこれに対する陰極電極との間に直流定電
圧源を接続して、上記直流定電圧源から上記陽極
としての金属層を通つて流れる電流が、急激に小
になる時点まで行うことによつて、上記金属層か
ら、パターン化された金属層を形成し、然る後、
上記導電性層に対する、上記マスク層または上記
パターン化された金属層をマスクとした上記電解
エツチング以外の他のエツチングを行うことによ
つて、上記導電性層から、パターン化された導電
性層を形成し、よつて、上記絶縁性基板上に、パ
ターン化された金属層と、パターン化された導電
性層とがそれらの順とは逆の順に積層されている
パターン化された導電性層を形成することを特徴
とするパターン化された導電性層を形成する方
法。