JPS59113628A - パタ−ン化された金属層を形成する方法 - Google Patents

パタ−ン化された金属層を形成する方法

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JPS59113628A
JPS59113628A JP22355382A JP22355382A JPS59113628A JP S59113628 A JPS59113628 A JP S59113628A JP 22355382 A JP22355382 A JP 22355382A JP 22355382 A JP22355382 A JP 22355382A JP S59113628 A JPS59113628 A JP S59113628A
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metal layer
patterned
layer
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Yuji Imai
勇次 今井
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TDK Corp
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    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/14—Etching locally
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁性基板上にパターン化された金属層を形
成する方法に関し、特に半導体集積回路装置の配線層を
形成する場合、半導体集積回路装置を！！！造する場合
に用いるマスク層を形成する場合に適用して好適なもの
である。
半導体集積回路装置の配線層をＡ１層、Ａｌ−Ｓｉ合金
層、Ａｌ−Ｃｕ合金層、Ｃｕ層などの金ｌ１ｌｊＸ層で
形成したり、上述したマスク層をＣｒ層などの金属層で
形成したりするにつき、従来は、半導体基板上にパター
ン化されるべき金属層の１つの層を形成し、次に、その
金属層上にパターン化されたフォトレジストによるマス
ク層を形成し、然る後、パターン化されるべき金属層に
対する、上記マスク層をマスクとした化学エツチングを
することによって、パターン化された金属層を、配線層
またはマスク層として形成するのを酋通としていた。
黙しながら、このような従来の方法の場合、パターン化
けられるべき金属層に対する、パターン化されたマスク
層をマスクとした化学エツチングを覆る工程において１
、パターン化された金属層が、側方からエツチングされ
たもの即ち所謂サイドエツチングされたものとして得ら
れるのを余儀なくされる。このため、パターン化された
金属層が、マスク層のパターンよりもサイドエッチされ
た量だけ、−周り小さなパターンを有するものとして形
成される。
ところで、パターン化された金属層は、マスク層のパタ
ーンと同じパターンで得られるのが望ましい。
その理由は、マスク層を、形成ｕｌνとするパターン化
された金属層の所期のパターンと同じパターンに形成し
置くだけで、パターン化された金属層を、所期のパター
ンを有するものとして形成することが出来るからである
。
黙しながら、パターン化された金属層が、マスク層のパ
ターンよりもサイドエツチングされた量だけ、−周り小
さなパターンを有するものとして形成されても、上述し
た化学エツチングを行う工程において、サイドエツチン
グされる量が、予測されていれば、マスク層のパターン
を、予測されているサイドエツチングされる量を見込ん
で、形成Ｖ／υと１”るパターン化された金属層の所期
のパターンよりも−周り大きなパターンに、予め形成し
ておくことにより、パターン化された金属層を、所期の
パターンを有するものとして形成することが出来る。
黙しながら、上述した従来の方法による場合、上述した
化学エツチングをする■稈において、上述したサイドエ
ツチングされる量を予測するのが極めて困難であった。
このため、上述した従来の方法の場合、パターン化され
た金属層を、所期のパターンを有するものとして、再現
性良く、微細に、高精度に形成するのが極めて困難であ
ったなどの欠点を有していた。
よって本発明は、上述した欠点のない新規なパターン化
された金属層を形成する方法を提案１！／υとするもの
である。
本発明者は、第１図Ａに示すような、例えば、シリコン
でなる基板１上に例えば酸化シリコン（Ｓｉｎ２）でな
る絶縁層２を形成している絶縁性基板３を予め用意し、
そして、その絶縁性基板３の絶縁層２上に、第１図Ｂに
示すように、パターン化されるべぎ金属層４を、それ自
体は公知の例えば蒸着によって形成し、次に、そのパタ
ーン化されるべき金属層４上に、第１図Ｃに示すように
、パターン化された例えばフォトレジストでなるマスク
層５を、絶縁性基板３上の金属層４上にフォトレジスト
層を形成し、そのフォト−レジスト層に対するフォトマ
スクを用いた露光、続く現ｆｇ１をなりという、それ自
体は公知の方法によって形成し、このようにして、絶縁
性基板３上にパターン化されるべき金属層４が形成され
、その金属層４上にパターン化されたマスク層５が形成
されている基板体６を得ｌこ　。
この場合、金属層４は、配線層となり得るＡ１層、Ａｌ
−３ｉ合金層、ＡＩ−（：ｕ合金層、Ｃｕ層どし得、ま
た前述したマスク層どなり得るＣｒ層とし得る。
そして、その基板体６を、第２図に示すように、酸性ま
たはアルカリ性水溶液でなる電解液１１を収容している
槽１２内に、金属層４が略々垂直面上に延長するように
、浸漬させ、また、その槽１２内に、例えば白金でなる
電極１３を、基板体６の金属層４と対向するように、浸
漬させ、そして、基板体６におけるパターン化されるべ
き金属層４を、マスク層５によってマスクされていない
領域において、直流電源１４の正極側に接続し、まｌＣ
，電極１３を、直流電源１４の負極側に接続して、金属
層４に対する、マスク層５をマスクとし、且つ酸性また
はアルカリ性水溶液でなる電解液１１を用いた電解エツ
チングをなした。
但し、この場合、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電
解液１１を、金属層４がＡ１層でなる場合、５０〜８０
％濃度の酸性またはアルカリ性水溶液でなる酸性水溶液
、５０〜８０％濃度の燐酸の１５〜２０容量部と、３０
〜６０％濃度の硝酸の１〜４容量部〜とを溶質の主体と
している水溶液でなる酸性水溶液、５０〜８０％濃度の
燐酸の１５〜２０容量部と、３０〜６０％濃度の硝酸の
１〜４容吊部と、７０〜１００％濃度の酢酸の１〜４容
量部とを溶質の主体としている水溶液でなる酸性水溶液
、５〜４０％濃度の塩酸を溶質の主体としている水溶液
でなる酸性水溶液、１０〜５０％濃度の水酸化カリウム
を溶質の主体としている水溶液でなるアルカリ性水溶液
、及び１０〜５０％濃度の水酸化す１〜リウムを溶質の
主体としている水溶液でなるアルカリ性水溶液中の何れ
か１つとした。
また、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液１１を
、金属層４がＡｌ−８ｉ合金層でなる場合、５０〜８０
％濃度の酸性またはアルカリ性水溶液でなる酸性水溶液
、５０〜８０％濃度の燐酸の１５〜２０容ω部と、３０
〜６０％濃度の硝酸の１〜４容■部との混合水溶液でな
る酸性水溶液、及び５０〜８０％濃度の燐酸の１５〜２
０容量部と、３０〜６０淵度の硝酸の１〜４容量部と、
７０〜１００％ｌ　Ｉｆｆ　（７）　１　へ４古川部と
を溶質の主体としている水溶液でなる酸性水溶液中の何
れか１つとした。
さらに、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液１１
を、金属層４がＡｌ−Ｃｕ合金層でなる場合、５０〜８
０％濃度の酸性またはアルカリ性水溶液でなる酸性水溶
液、５０〜８０％濃度の燐酸の１５〜２０容量部と、３
０〜６０％濃度の硝酸の１〜４容但部とを溶質の主体と
している水溶液でなる酸性水溶液、及び５０〜８０％ｍ
度の燐酸の１５〜２０容倣部と、３０〜６０％濃度の硝
酸の１〜４容吊部と、７０〜１００％濃度の酢酸の１〜
４容量部とを溶質の主体としている水溶液でなる酸性水
溶液中の何れか１つとした。
なおさらに、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液
１１を、金属層４がＣＬＩ層でなる場合、４０〜９６％
濃度の硫酸を溶質の主体としている水溶液でなる酸性水
溶液とした。
また、酸性またはアルカリ性水溶液でなる電ｌ！Ｉ？液
１１を、金属層４がＣ，ｒ層でなる場合、５〜４０％濃
度のＴｊＡｌｍを溶質の主体としている水溶液でなる酸
性水溶液とした。
然るときは、金属層４のマスク層５によってマスクされ
ていない領域が陽極として作用し、また、電極１３が陰
極として作用して、金属層４が、マスク層５によってマ
スクされていない領域において、第３図Ａに示寸エツチ
ングされていない状態から、第３図Ｂで一般的に承りよ
うな、表面からエツチングされつつある状態を経て、第
３図Ｃで一般的に示すように、全厚さに亘ってエツチン
グされて、パターン化された金属層７が、マスク層５下
に形成されることを確認するに到った。但し、この場合
、電極１３を白金でなるものとした。
また、本発明者は、上述した電解エツチングを、パター
ン化されるべき金ＩＦｊＸ層４と電極１３との間に接続
している直流電源１４を直流定電流源とし、そして金属
層４の、マスク層５によってマスクされていない領域と
、電極１３との間の電圧Ｖ（ボルト）を、電圧１１１５
を用いて測定しながら行った。
然るときは、時間ｔ（分）に対する電圧Ｖの関係が、第
４図に示すにうに、時点ｔまでの間に一 おいては、電圧■が時間ｔと共に僅かづつ上昇するが、
時点ｔＬ／）−ら電圧Ｖが急激に大になるｂのとして得
られた。
さらに、本発明者は、上述した時間ｔに対する電圧Ｖの
関係と、金属層４の、マスク層５によってマスクされて
いない領域のエツチングの状態とを調べた結果、電圧■
が時間ｔと共に僅かづつ上昇している時点ｔまでの間に
おいては、代 金属層４の、マスク層５によってマスクされていない領
域が、時間ｔと共に表面からエツチングされるが、時点
ｔえに達すれば、金属層４の、マスク層５によってマス
クされていない領域が、その全厚さに亘ってエツチング
され、第３図Ｃで一般的に示すように、パターン化され
た金属層７が得られていることをＷ１認するに到った。
なおさらに、本発明者は、上述した電解エツチングを、
上述した電圧Ｖが、急激に人になる時点ｔえ即ち金ｒＦ
Ｓ層４の、マスク層５によってマスクされていない領域
が、その全厚さに亘ってエツチングされる時点まで行っ
て、上述したパターン化された金属層７を形成する場合
、そのパターン化された金属層７は、一般に、その側面
が、第３図Ｃでマスク層５の側面より内側にあるものと
して示されているように、サイドエツチングされたもの
として得られていることを確認するに到った。
また、本発明者は、上述した電解エツチングを、パター
ン化されるべき金属Ｆｊ４と電極１３とのＪＩｉＪに接
続している直流電源１４を直流定電圧源とし、そしてそ
の直流定電圧源から、金属層４を通って流れる電流１（
ＩＩＩＡ）を、電流計１６を用いて測定しながら行った
。
然るときは、時間ｔ（分）に対する電流■の関係が、第
５図に示１ように、時点１．）までの間においては、電
流Ｉが時間１と共に僅がづつ減少するが、時点ビがら電
流Ｉが急激に小にえ なるものとして得られた。
さらに、本発明者は、上述したＵ）間［に対する電流Ｉ
の関係と、金属層４の、マスク層５によってマスクされ
ていない領域のエツチングの状態とを調べた結果、電流
Ｉが時間ｔと共に僅かづつ減少している時点［、′　ま
での間においては、金属層４の、マスク層５によってマ
スクされていない領域が、時間【と共に表面からエツチ
ングされるが、時点［ｌに達すれば、金属層４の、マス
ク層５によってマスクされていない領域が、その全厚さ
に亘ってエツチングされ、第３図Ｃで一般的に示すよう
に、パターン化された金属ｍ７が得られていることを確
認するに到った。
なおさらに、本発明者は、上述した電解エツチングを、
上述した電流Ｉが、急激に小になる時点ｔ、４即ち金属
層４の、マスク層５によってマスクされていない領域が
、その全厚さに亘ってエツチングされる時点まで行って
、上述したパターン化された金属層７を形成する場合、
そのパターン化された金属層７は、一般に、その側面が
、第３図Ｃでマスク層５の側面より内側にあるものとし
て示されているように、サイドエツチングされたものと
して得られていることを確認するに到った。
また、本発明者は、上述した電解エツチングを、電解液
１１の温度−「（℃）を一定温度’ｌ’　ｅ（℃）とし
て、直流電源１４から基板体６におＧＪる金属層４、及
び電極１３を通って、電解液１１に流れる電流Ｉを変え
、従って、金属層４に流れる電流の密度Ｊ　（ＩＲＡ／
Ｃｍ’　）を変えて、直流電源１４が直流低電流源であ
る場合、上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点【えま
で、また、直流電源１４が直流定電圧源である場合、上
述した電流Ｉが、急激に小になる時点−′まで、即ち金
属層４の、マスク層５によってマスクされていない領域
が、その全厚さに亘ってエツチングされる時点まで行っ
て、上述したパターン化された金属層７を形成し、そし
て、その金属層７がサイドエツチングされでいるｍ即ら
υイドエツチングｆｆ１Ｙ（μｍ）を測定した。
然るときは、電解液１１の温度Ｔをパラメータとする電
流密度Ｊに対する上述したサイドエツチングｆｆ１Ｙの
関係が、一般に、第６図に示すように得られた。
なお、第６図に示されている温度゛［゛及び−「は、Ｔ
＜Ｔなる関係を有する。
よって、第６図に示づ゛測定結果から、電解液１１の温
度Ｔを一定温度Ｔｅ　（℃）とした場合電流密度Ｊを大
とすれば、上述したサイドエツチングｆｆ１Ｙが小にな
ることを確認するに到った。
また、このように電流密度Ｊが大になるように、電解液
１１に流れる電流を人と舊れば、１ナイドエツチングｆ
ｆ１Ｙが小となるものとして得られるのは、電流密度Ｊ
を大とすれば、金属層層４と電極１３との間の電界強度
が、主として、金属層４と電極１３とを結ぶ方向に関し
、他の方向に比し格段的に強くなり、このため、金属層
４のマスクＢ５によってマスクされていない領域が厚さ
方向にエツチングされる速度と、面方向にエツチングさ
れる速度との比が人になるからであることも確認するに
到った。
さらに、電流密度Ｊを一定とした場合、電解液１１の温
度■を低くすれば、上述したサイドエツチングｆｆ１Ｙ
が小になることを確認するに到った。
なおさらに、上述した゛す・イドエツチングＮＹを同じ
値で得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くすれば、こ
れに応じて電流密度Ｊを大にすればよいことも確認する
に到った。
また、第６図に示す測定結果から、上述したサイドエツ
チング量Ｙの値が零になるときの、電解液１１の温度Ｔ
に対する電流密度Ｊの関係が、第７図に示すように、温
度Ｔ及び王である２ 場合において、電流密度ＪがそれぞれＪｌ及びＪ。
の値で得られること、及び上述したように、電解液１１
の温度Ｔを一定とした場合、電流密度Ｊを人とり−れば
、上述したサイドエツチング量Ｙが小になることから、
上述した電解エツチングを、電解液１１の温度Ｔを温度
Ｔｅ　　（℃）にし、また電流密度Ｊを、 Ｔｅ　＝ａ　−Ｊｅ　＋ｂ・・・・・・・・・・・・・
・・（１ａ）ａ＝（Ｉ１７よ−Ｔ、）　／　（Ｊ、−Ｊ
−）×（１±０．１）・・・・・・・・・・・・（１ｂ
）で与えられる電流密度Ｊｅ　　（ｍ　Ａ／ａｍ’　）
以上の電流密度にして行えば、上述したパターン化され
た金属層７が、第８図に示すように、上述したサイドエ
ツチングｆｆ１Ｙが略々零であるものとして形成される
ことも確認するに到った。
さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ　　（ｍ　Ａ／ｃ
ｏ＋’　）とした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれ
ば、上述したサイドエツチングｆｆ１Ｙが小になること
から、上述した電解エツチングを、電流密度ＪをＪｅ　
　（ｍ　Ａ／ｃｍ’　）にし、電解液１１の温度］−を
、 Ｔｅ　＝ａ　−Ｊｅ　＋ｂ・・・・・・・・・・・・・
・・（２ａ）ａ　＝　（（Ｔ−Ｔ）−／　（Ｊ、−Ｊ、
）　）λ　　　１ ×（１±０．１）・・・・・・・・・・・・（２ｂ）ｂ
　＝　（（Ｔ、Ｊ２−与Ｊ、）　／　（Ｊ、−Ｊ、）　
）×（１±０．１）・・・・・・・・・・・・（２Ｃ）
で与えられる温度−１−ｅ（℃）以下の温度にして行え
ば、上述したパターン化された金属層７が、第８図に示
すように、上述したサイドエツチング量Ｙが略々零であ
るものとして形成されることも確認するに到った。
よって、本発明者は、特許請求の範囲記載の発明を、本
発明による発明として提案するに到った。
以上で、本発明によるパターン化された金属層を形成す
る方法が明らかとなった。　このような本発明による方
法によれば、パターン化されるべき金属層に対する、パ
ターン化されたマスク層をマスクとした電解エツチング
をする工程において、形成されるパターン化された金属
層のサイドエツチングｆｉｌ　’　Ｙを、第６図で上述
したところから明らかなように、電解液の温度Ｔと電流
密ＩＥＴ　Ｊとによって、予測することができる。
このため、本発明によるパターン化された金″属層を形
成する方法によれば、パターン化されるべき金属層上に
パターン化されたマスク層を形成する工程において、そ
のパターン化されたマスクを、予測されるサイドエツチ
ングｆｆ１Ｙを見込んで形成することにより、パターン
化された金属層を、所期のパターンを有するものとして
、再現性良く、微ＩＩＩに、高精度に、容易に形成する
ことが出来る、という特徴を有する。
また、本発明によるパターン化された金属層を形成する
方法によれば、上述した電解エツチングをする工程にお
いて、その電解エツチングを、電解液の温度１−を温度
Ｔｅ（℃）にし、電流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜（
１Ｃ）式で与えられる電流密度Ｊｅ　　（ＩＩＩ　Ａ／
Ｃ１１ｌ’　）以上の電流密度にし−Ｃ行えば、または
、電流密度Ｊを電流密度Ｊｅ　　（ｍ　Ａ／ｃｍ’　）
にし、電解液の温１良Ｔを、上述した（２ａ）〜（２Ｃ
）式で与えられる温度Ｔｅ　　（℃）以下の温度にして
行えば、パターン化された金属層が、サイドエツチング
ｆｆ１Ｙが略々零であるものとして形成される。
このため、本発明によるパターン化された金属層を形成
する方法によれば、パターン化されたマスク層を形成す
る工程において、そのマスク層を、形成せんとするパタ
ーン化された金属層の所期のパターンと同じパターンに
形成し、また、上述した電解エツチングの工程において
、電解液の温１褒Ｔを温１αＴｅとするとき、電流密度
Ｊを上述した（１ａ）〜（１Ｃ）式で与えられる電流密
度８０以上の電流密度にし、または、電流密度Ｊを電流
密度Ｊｅとするとき、電解液の温度Ｔを上述した（２ａ
）〜（２Ｃ）式で与えられる温度Ｔｅ以下の温度にする
ことによって、パターン化された金属層を、所期のパタ
ーンを有づるものとして、再現性良く、微細に、高精度
に、容易に形成することができるという特徴を右Ｊる。
さらに、本発明によるパターン化された金属層を形成す
る方法によれば、上述した電解エツチングを、直流電源
として直流定電流源を用いて行なう場合、その電解エツ
チングをする工程における、その電解エツチングの終了
時点が、陽極としてのパターン化されるべき金属層と、
これに対する陰極電極との間の電圧が急激に大になる時
点に対応しているので、上述した電解エツチングを、陽
極としてのパターン化されるべぎ金属層と、これに対す
”る陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点まで行
うことによって、パターン化された金属層を、所期のパ
ターンを有するものとして、より再現性良く、微細に、
高精度に、容易に形成することができる特徴を有する。
なおさらに、本発明によるパターン化された金属層を形
成する方法によれば、電解エツチングを、直流電源とし
て直流定電流源を用いて行なう場合、上述した、陽極と
してのパターン化されるべぎ金属層と、これに対する陰
極電極との間の電圧が急激に大になる時点は、これを、
種々の電圧検出器によって、容易に検出し得、また、そ
の電圧検出器の出力ににって、陽極としての金属層と、
これに対する陰極電極との間に接続している直流定電流
源をオフにしたり、直流定電流源と、陽極としての金属
層または陰極電極との間の線路を切断したりするという
簡易な手段によって、上述した電解エツチングを、陽極
としてのパターン化されるべき金属層と、これに対する
陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点で、直ちに
且つ容易に終了さけることができる。
また、本発明によるパターン化された金属層を形成する
方法によれば、上述した電解エツチングを、直流電源と
して直流定電圧源を用いて行なう場合、その電解エツチ
ングをする工程における、その電解エツチングの終了時
点が、直流定電圧源から、陽極としてのパターン化され
るべき金属層を通って流れる電流が急激に小になる時点
に対応しているので、上述した電解エツチングを、直流
定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべき金属
層を通って流れる電流が急激に小になる時点まで行うこ
とによって、パターン化された金ＲＦｍを、所期のパタ
ーンを有するものとして、より再現性良く、微細に、高
精度に、容易に形成することができる特徴を有する。
なおさらに、本発明によるパターン化された金属層を形
成する方法によれば、電解エツチングを、直流電源とし
て直流定電圧源を用いて行なう場合、直流定電圧源から
、上述した陽極すしてのパターン化されるべき金属層を
通って流れる電流が急激に小になる時点は、これを、種
々の電流検出器によって、容易に検出し得、また、その
電流検出器の出力によって、陽極としての金属層と、こ
れに対する陰極電極との間に接続している直流定電圧源
をオフにしたり、直流定電圧源と、陽極としての金属層
または陰極電極との間の線路を切断したりするという簡
易な手段によって、上述した電解エツチングを、直流定
電圧源から、陽極としてのパターン化されるべき金属層
を通って流れる電流が急激に小になる時点で、直ちに且
つ容易に終了させることができる。
従って、本発明によるパターン化された金属層を形成す
る方法によれば、上述した本発明の特徴を、確実、容易
に発揮することができる、という特徴を有する。
また、本発明によるパターン化された金Ｒ層を形成する
方法によって形成される、パターン化された金属層は、
配線層またはマスク層として機能する。
従って、本発明は、これを、半導体集積回路装置の配線
層を形成する場合、半導°体集積回路装置を製造する場
合に用いるマスク層を形成する場合に適用して、極めて
好適である、という特徴を有Ｊる。
次に、本発明の実施例を述べよう。
実施例１−１Ａ 第１図Ａで上述したと同様に、基板１上に絶縁層２を形
成している絶縁性基板３を予め用意した。但し、この場
合、基板１を、表面積が約４．０．０　　ｃｍ’　のシ
リコンでなるものとした。また、絶縁層２を酸化シリコ
ン（Ｓｉ０２）でなるものとした。
然し゛Ｃ１絶縁性阜板３の絶縁層２上に、第１図Ｂで上
述したと同様に、パターン化されるべぎ金属ＦＪ４を形
成した。但し、この場合、金属層４を蒸着によっ−Ｕ、
１μＩＩＩの厚さを有するＡ１層でなるものとして形成
した。
次に、このＡ１層でなる金属層４上に、第１図Ｃで上述
したと同様に、パターン化されたマスク層５を形成した
。但し、この場合、マスクｎ５を、Ａ１層でなる金属層
４上に、フォトレジスト層を形成し、そのフォトレジス
ト層に対するフォトマスクを用いた露光、続く現像処理
をなすことによって、フォトレジストでなるものとして
形成した。
このようにして、第１図Ｃで上述したと同様に、絶縁性
基板３上にパターン化されるべきＡ１層でなる金属層４
が形成され、そのＡ１層でなる金属層４上にパターン化
されたマスク層５が形成されている基板体６を得た。
次に、基板体６を、第２図で上述したと同様に、８５％
濃麿の燐酸液でなる燐酸のみを溶質とした水溶液でなる
電解液１１を収容している槽１２内に、金属層４が、略
々垂直面上に延長するように浸漬させ、また、その槽１
２内に、白金でなる電極１３を、基板体６の金属層４と
対向覆るように浸漬さｕ１然しで、基板体６におけるパ
ターン化されるべき金属層４を、マスク層５によってマ
スクされていない領域において、直流定電流源でなる直
流電源１４の正極側に接続し、また、電極１３を、直流
電源１４の負極側に接続して、金属層４に対する、上述
した燐酸を溶質としている水溶液でなる電解液１１を用
いた電解エツチングを、金属層４及び電極１３間の電圧
Ｖが急激に人になる時点までなし、パターン化された金
属層７を得た。
この場合、電解液１１の温度を２０．０℃とし、また電
解液１１に通ずる電流を５０．０１１１Ａとし、従って
、Ａ１層でなる金属層４に通ずる電流密度を、１．２５
　　（＝　５０．Ｏｍ　Ａ　／　４０，０Ｃ１１’　）
　　ｍＡ　／ｃｍ’　どした。
然るときは、上述した本発明による実施例１−ＩＡの場
合と同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が
、サイドエツチング量が略々零であるものとして形成さ
れた。
実施例１−１Ｂ 上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源から、金属層４を通って流れる電
流Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除いては
、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の工程
をとって、パターン化されたＡ１層でなる金属層７を得
た。
然るときは、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が、サ
イドエツチング量が略々零であるものとして形成された
。
実施例１−２Ａ 上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁
性基板３上にパターン化されるべきＡ１層でなる金属層
４が形成され、その金属層４上にパターン化されたマス
ク層５が形成されている基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
電解液１１を、８５％ａｍの燐酸液の１６容量部でなる
燐酸と、６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸とを
溶質とした水溶液でなるものに変更したことを除いては
、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の電解
エツチングを、上述した本発明の実施例１の場合と同様
になして、パターン化されたＡ１層でなる金属層７を得
た。
ただし、このばあい、電解液１１の温度を３３．０℃と
し、また電Ｆ／Ｉ！液１１に通ずる電流値を２４０．０
１１１　Ａとし、Ａ１層でなる金属層４に通ずる電流密
度を６．０（−２４０，０ｍ　Ａ／４０．０ｃｍ’　）
　ｍＡ　／　ｃｍ’　とした。
然るときは、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が、゛
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。
実施例１−２Ｂ 上述した本発明の実施例１−２Ａの場合にお（）る直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じＣ電解エツ
チングを、直流定電圧源から、Ａ１層でなる金属層４を
通って流れる電流Ｉが、急激に小になる時点までなした
ことを除いては、上述した本発明の実施例１−２Ａの場
合と同様の工程をとって、パターン化されたＡ１層でな
る金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例２−２Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡｌｌでなる金属層７が、サ
イドエツチング量が略々零であるものとして形成された
。
実施例１−３Ａ 上述した本発明の実施例１の場合と同様の、絶縁性基板
３上にパターン化されるべきＡ１層でなる一層４が形成
さ〜れ、そのＡ１層でなる金属層４上にパターン化され
たマスク層５が形成されている基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
電解液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容量部でなる
燐酸と、６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と、
９６％濃度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを溶質とし
た水溶液でなるものに変更したことを除いては、上述し
た本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の電解エツチン
グを、上述した本発明の実施例１の場合と同様になして
、パターン化されたＡ１層でなる金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が、サ
イドエツチング量が略々零であるものとして形成された
。
実施例１−３Ｂ 上述した本発明の実施例１−３Ａの場合にお【ノる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、Ａ１層でなる金属層４を
通って流れる電流■が、急激に小になる時点までなした
ことを除いては、上述した本発明の実施例１−３Ａの場
合と同様の工程をとって、パターン化されたＡｌｆｆで
なる金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例１−３Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が、サ
イドエツチング量が略々零であるものとして形成された
。
実施例１−４Ａ 上述した実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁性基板３
上にパターン化されるべきＡ１層でなる金属層４が形成
され、その金属層４上にパターン化されている基板体６
を得た。
次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
電解液１１を、５〜４０％濃度の塩ｆｌ！（ＨＣＩ）を
溶質とした水溶液でなるものに変更したことを除いては
、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の電解
エツチングを、上述した本発明の実施例１−１への場合
と同様になして、パターン化されたＡ１層でなる金属層
７を得た。
但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を２００．０　ｍＡとし、
従ってＡ１層でなる金属層４に通ずる電流密度を、５．
０　（＝　２００．０ｉｌ　Ａ　／　４０．０ｃｍ’　
）ｍＡ　／　ａｍ’　とした。
然るとぎは、パターン化されたアルミニウム合と同様に
、パターン化された金属層７が、サイドエツチング量が
略々零であるものとして形成された。
実施例１−４Ｂ 上述した本発明の実施例１−４Ａの場合における直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流
Ｉが、急激に小にな　゛る時点までなしたことを除いて
は、上述した本発明の実施例１−４Ａの場合と同様の工
程をとって、パターン化されたＡ１層でなる金属層７を
得た。
然るときは、上述した本発明の実施例１−４Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が、サ
イドエツチング量が略々零であるものとして形成された
。
実施例１−５Ａ 上述した実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁性基板３
上にパターン化されるべきＡ１層でなる金属層４が形成
され、その金属層４上にパターン化されている基板体６
を得た。
次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
電解液１１を、１０〜５０％濃度の水酸化カリウム（Ｋ
ＯＨ）を溶質とした水溶液でなるものに変更したことを
除０ては、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同
様の電解エツチングを、上述した本発明の実施例１−１
への場合と同様になして、パターン化されたＡ１層でな
る金属層７を得た。
但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を１６０．ＯｍＡとし、従
ってアルミニウム層４に通ずる電流密度を、４．０（＝
　１６０．０ｍ　Ａ／４０．０ｃｍ’　）　　ｍＡ／　
Ｃ１１ｌ’　とした。
然るときは、上述した本発明の実施例１−１への場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が、サ
イドエツチングωが略々零であるものとして形成された
。
実施例１−５Ｂ 上述した本発明の実施例１−５への場合における直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流
Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除いては、
上述した本発明の実施例１−５Ａの場合と同様の工程を
とって、パターン化されたＡ１層でなる金ａ層７を得た
。
然るときは、上述した本発明の実施例１−５Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が、サ
イドエツチング量が略々零であるものとして形成された
。
実施例１−６Δ 上述した実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁性基板３
上にパターン化されるべきＡ１層でなる金属層４が形成
され、その金属層４上にパターン化されている基板体６
を得た。
次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
電解液１１を、１０〜５０％ｍ瓜の水酸化ナトリウム（
Ｎａ　ＯＨ）を溶質とした水溶液でなるものに変更した
ことを除いては、上述した本発明の実施例１−１Ａの場
合と同様の電解エツチングを、上述した本発明の実施例
１−ＩＡの場合と同様になして、パターン化され／＝　
Ａ　１層でなる金属層７を得た。
但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を１８０．Ｏｍ八とし、従
ってアルミニウム層４に通ずる電流密度を、４．５（＝
　１８０．０ｍ　Ａ／４０．０ｃｍ’　）　　ｍΔ／　
ｃｍ’　とした。
然るときは、上述した本発明による実施例１−１　Ａの
場合と同様に、パターン化された金属層７が、サイドエ
ツチング量が略々零であるものとして形成された。
実施例１−６Ｂ 上述した本発明の実施例１−６Ａの場合における直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流
■が、急激に小になる時点までなしたことを除いては、
上述した本発明の実施例１−６　Ａの場合と同様の工程
をとって、パターン化されたＡ１層でなる金属層７を得
た。
然るときは、上述した本発明の実施例１−６Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡ１層でなる金属層７が、サ
イドエツチングｍが略々零であるものとして形成された
。
実施例２−１Ａ 上述した本発明の実施例１−１Ａにお（プる基板体６の
金属層４を、Ａｌ−５ｔ金金属でなるものに変更したこ
とを除いては、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合
と同様の基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様の
電解エツチングを、上述した本発明の実施例１−１Δの
場合と同様になして、パターン化されたＡｌ−８ｉ合金
層でなる金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８１層でなる金属層
７が、サイドエツチング量か略々零であるものとして形
成された。
、実施例２−１Ｂ 上述した本発明の実施例２−１Ａの場合における直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源′／Ｊ＼ら、金属層を通って流れ
る電流■が、急激に小になる時点までなしたことを除い
ては、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合と同様の
工程をとって、パターン化されたＡＩ　−３ｉ　層でな
る金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８ｉ層でなる金属層
７が、サイドエツチング量が略々零であるものとして形
成された。
実施例２−２Ａ 上述した本発明の実施例２−１への場合と同様の、絶縁
性基板３上にパターン化されるべきΔ１−８ｉ合金層で
なる金属層４が形成され、そのＡｌ−８ｉ合金層でなる
金属層４上にパタ−ン化されたマスク層５が形成されて
いる基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合における
電解液１１を、８５％ｒ４度の燐酸液の１６容量部でな
る燐酸と、６０％濃麿の硝酸液の１古註部でなる硝酸と
を溶質とした水溶液でなるものに変更したことを除いて
は、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合と同様の電
解エツチングを、上述した本発明の実施例２−１Ａの場
合と同様になして、パターン化されたＡｌ−８ｉ合金層
でなる金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合ど
同様に、パターン化されたＡＩ　−８ｉ層でなる金属層
７が、サイドエツチング量が略々零であるものとして形
成された。
実施例２−２Ｂ 上述した本発明の実施例２−２Ａの場合におＧフる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電
流■が、急激に小になる時点までなしたことを除いては
、上述した本発明の実施例２−２Ａの場合と同様の工程
をとって、パターン化されたＡｌ−８ｉ層でなる金属層
７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例２−２Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８ｉ合金層でなる金
属層７が、サイドエツチングｍが略々零であるものとし
で形成された。
実施例２−３Ａ 上述した本発明の実施例２−１Ａの場合と同様の、絶縁
性基板３上にパターン化されるべきＡｌ−８ｉ合金層で
なる金属層４が形成され、ｌ・ そのＡｌ−８ｉ合金層でな、る°金属層４上にパターン
化されたマスク層５が形成されている基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合における
電解液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容聞部でなる
燐酸と、６０％濃度の硝酸液の１容量部でなる硝酸と、
９６％濃度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを溶質とし
た水溶液でなるものに変更したことを除いＣは、上述し
た本発明の実施例２−１Ａの場合と同様の電解エツチン
グを、上述した本発明の実施例２−１への場合と同様に
なして、パターン化されたＡｌ−３ｉ合金層でなる金属
層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例２−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８１重金属でなる金
属層７が、サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された。
実施例２−３Ｂ 上述した本発明の実施例２−３Ａの場合における直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流
ｌが、急激に小になる時点までなしたことを除いては、
上）ホした本発明の実施例２−３Ａの場合と同様の工程
をとって、パターン化されたＡｌ−８ｉ層でなる金属層
７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例２−３への場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−８ｉ層でなる金属層
７が、サイドエツチング量が略々零であるものとして形
成された。
実施例３−１Ａ 上述した本発明の実施例１−１Ａにおりる基板体６の金
属層４を、ＡＩ−Ｃｔｌ金属層でなるものに変更したこ
とを除いては、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合
と同様の基板体６を得た。　次に、上述した本発明の実
施例１−１の場合と同様の電解エツチングを、上述した
本発明の実施例１−１Ａの場合と同様になして、パター
ン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層でなる金属層７を得た。
但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流を２４０．０ｍＡとし、従
ってＡｌ−Ｃｕ合金層４に通ずる電流密度を、６．０　
（＝　’２４０．０ｍ　Ａ／４０．０ｃｍ’　）　ｍＡ
／Ｃｌ１１’　とした。
しかるときは、上述した本発明の実施例１−１への場合
合と同様に、パターン化されたＡ１−Ｃｕ層でなる金属
層７が、サイドエッチング同が略々零であるものとして
形成された。
実施例３−１Ｂ 上述した本発明の実施例３−１Ａの場合におりる直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流
Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除いては、
上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と同様の工程を
とって、パターン化されたＡｌ−Ａｕ層でなる金属層７
を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例３−３Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−ＣＵ重金属でなる金
属層７が、サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された。
実施例３−２Ａ 上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と同様の、絶縁
性基板３上にパターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層で
なる金Ｂ層４が形成され、そのＡｌ−Ｃｕ合金層でなる
金属層４上にパターン化されたマスク層５が形成されて
いる基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例３−１Ａの場合における
電解液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容量部でなる
燐酸と、６０％ｍ度の硝酸液の１容量部でなる硝酸とを
溶質とした水溶液でなるものに変更したことを除いては
、上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と同様の電解
エツチングを、上）ホした本発明の実施例３−１への場
合と同様になして、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層
でなる金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例３−１の場合と同
様に、パターン化されたＡＩ　−Ｃｕ合金層でなる金属
層７が、゛サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された。
実施例３−２Ｂ 上述した本発明の実施例３−２への場合における直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流
Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除いては、
上述した本発明の実施例３−２Ａの場合と同様の工程を
とって、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ層でなる金属層７
を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例３−２への場合と
同様に、ＡＩ−ＣＬＩ合金層でなる金属層７が、サイド
エツチング量が略々零であるものとして形成された。
実施例３−３Ａ 上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と同様の、絶縁
性基板３上にパターン化されるべきＡｌ−Ｃｕ合金層で
なる金属層４が形成され、そのＡｌ−Ｃｕ合金層でなる
金属層４上にパターン化されたマスク層５が形成されて
いる基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例３−１Ａの場合における
電解液１１を、８５％濃度の燐酸液の１６容量部でなる
燐酸と、６０％濃疫の硝酸液の１容量部でなる硝酸と、
９６％濃度の酢酸液の１容量部でなる酢酸とを溶質とし
た水溶液でなるものに変更したことを除いては、上述し
た本発明の実施例３−１Ａの場合と同様の電解エツチン
グを、上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と同様に
なして、パターン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層でなる金属
層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例３−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＡＩ　−ＣＵ重金属でなる金
属層７が、サイドエツチング量が略々零であるものとし
て形成された。
実施例３−３Ｂ 上述した本発明の実施例３−３Ａの場合における直流電
源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチ
ングを、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流
Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを除いては、
上述した本発明の実施例３−３Ａの場合と同様の工程を
とって、パターン化されたＡｌＣｕ層でなる金属層７を
得た。
然るときは、上述した本発明の実施例３−３Ａの場合と
同様に、Ａｌ−Ｃｕ層でなる金属層７が、サイドエツチ
ング量が略々零であるものとして形成された。
実施例４Ａ 上述した実施例１−１Ａの場合と同様の、絶縁性基板３
上に、パターン化されるべきＣｕ層でなる金属層４が形
成され、その全８Ｍ４上にパターン化されたマスク層５
が形成されている基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合における
電解液１１を、５〜４０％濃度の硫酸を溶質とした水溶
液でなるものに変更したことを除いては、上述しＩＣ本
発明の実施例１−１Ａの場合と同様の電ＦＩｖエツチン
グを、上述した本発明の実施例１−１への場合と同様に
なして、パターン化されたＣｕ層でなる金Ｂ１８７をｍ
た。
但し、この場合、電解液１１の温度を３３，０℃とし、
また電解液１１に通ずる電流をｔ６０．ＯｒｉＡとし、
従ってＣｕ層でなる金属層４に通ずる’ｉｎ　＞ｌｉ　
ｅ　Ｗ　’Ｆｒ、４．０（＝　１６０．０＋＋＋　Ａ／
４０．０ｃｍ’　）１１Ａ　／　ＣＩ’　とした。
然るときは、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と
同様・に、パターン化された０１層でなる金属層７が、
サイドエツチング量が略々零であるものとして形成され
た。
実施例４Ｂ 上述した本発明の実施例４Ａの場合における直流電源１
４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチング
を、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流Ｉが
、急激に小になる時点までなしたことを除いては、上述
した本発明の実施例４Ａの場合と同様の工程をとって、
パターン化されたＣｕ層でなる金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例４の場合と同様に
、パターン化されたＣｕ層でなる金属層７が、サイドエ
ツチング伍が略々零であるものとして形成された。
実施例５Ａ 上述した実施例１−１への場合と同様の、絶縁性基板３
上にパターン化されるべきＣｒ層でなる金属層４が形成
され、その金属層４上にパターン化されたマスク層５が
形成されている基板体６を得た。
次に、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合にお１プ
る電解液１１を、５〜４０％濃度のを溶質とした水溶液
でなるものに変更したことを除いては、上述した本発明
の実施例１−１Ａの場合と同様の電解エツチングを、上
述した本発明の実施例１−１Ａの場合と同様になして、
パターン化されたＣｒ層でなる金属層７を得た。
但し、この場合、電解液１１の温度を３３．０℃とし、
また電解Ｆ＆１１に通ずる電流を２４０．０　ｍＡとし
、従ってＣｒ層でなる金属層４に通ずる電流密度を、６
．０（＝　２４０．０ｍ　Ａ／４０．０ｃｍ’　＞ｍＡ
／ａｍ’　とした。
然るどきは、上述した本発明の実施例１−１Ａの場合と
同様に、パターン化されたＣｒ層でなる金属層７が、→
ノイドエツチングｍが略々零であるものとして形成され
た。
実施例５Ｂ 上述した本発明の実施例５Ａの場合における直流電源１
４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツチング
を、直流定電圧源から、金属層を通って流れる電流Ｉが
、急激に小になる時点までなしたことを除いては、上述
した本発明の実施例５Ａの場合と同様の工程をとって、
パターン化されたＣｒ層でなる金属層７を得た。
然るときは、上述した本発明の実施例５Ａの場合と同様
に、パターン化されたＣｒ層でなる金属層７が、サイド
エツチング量が略々零であるものとして形成された。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ、Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
金属層を形成する方法の説明に供する、パターン化され
るべき金属層上に、パターン化されたマスク層を形成す
る順次の工程にお１プる、路線的断面図である。 第２図は、同様に、本発明によるパターン化された金属
層を形成する方法の説明に供する、パターン化されるへ
き金Ｂ層に対する電解エツチングによって、パターン化
された金属層を形成する工程を示す、路線図である。 ′ｉ：４’５３図は、間柱に、本発明によるパターン化
された金属層を形成する方法の説明に供する、パターン
化されるべき金属層に対する電解エツチングによって、
パターン化された金Ｒ層を形成Ｊ°る■稈における、路
線的断面図である。 第４図は、同様に、本発明によるパターン化された金属
層を形成する方法の説明に供する、直流定電流源でなる
直流電源を用いたパターン化されるべき金属層に対する
電解エツチングによって、パターン化された金属層を形
成する工程における、Ｒ間ｔ　（分）に対する、基板体
における陽極としての金属層と、これに対する陰極電極
どの間の電圧■（ボルト）の関係を示す図である。 第５図は、同様に、本発明によるパターン化された金属
層を形成する方法の説明に供する、直流定電圧源でなる
直流電源を用いたパターン化されるべき金属層に対する
電解エツチングによって、パターン化された金属層を形
成づる工程にお（）る、時間１（分）に対する、直流定
電圧源から、基板体にお１プる陽極としての金属層を通
って流れる電流１（ｍＡ＞の関係を示す図である。 第６図は、同様に、本発明によるパターン化された金属
層を形成する方法の説明に供する、パターン化されるべ
き金属層に対する電解エツチングによって、パターン化
された金属層を形成する工程における、電解液の温度を
パラメータとした、電流密度Ｊ　（ｍＡ／ｃｍ’　）に
対する、本発明によって形成されるパターン化された金
属層のサイドエツチング量−Ｙ（μ■）の関係を示す図
である。 第７図は、同様に、本発明によるパターン化された金属
層を形成する方法の説明に供する、パターン化されるべ
き、金属層に対する電解エツチングによって、パターン
化された金属層を形成する工程における、本発明によっ
て形成されるパターン化された金属層のサイドエツチン
グ量Ｙが零となるときの、電解液の温＋１７（℃）に対
する、電流密ＩＬＴＪ　（ｍ　Ａ／ｃｍ’　）の関係を
示す図である。 第８図は、本発明によるパターン化されたアルミニウム
層を形成する方法によって得られる、パターン化された
金属層の一例を示す路線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・・・・・
・・・・・・・・・絶縁層３・・・・・・・・・・・・
・・・絶縁性基板４・・・・・・・・・・・・・・・パ
ターン化されるべき金属層 ５・・・・・・・・・・・・・・・パターン化されたマ
スク層６・・・・・・・・・・・・・・・基板体７・・
・・・・・・・・・・・・・パターン化された金属層１
１・・・・・・・・・・・・・・・電解液１２・・・・
・・・・・・・・・・・４１勺１３・・・・・・・・・
・・・・・・電極１４・・・・・・・・・・・・・・・
直流電源。 １５・・・・・・・・・・・・・・・電圧計１６・・・
・・・・・・・・・・・・電流轟１出願人　　東京電気
化学工業株式会社 沁１図 第２に４グ １ム

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上にパターン化されるべき金属層を形成
    し、該金属層上にパターン化されたマスク層を形成し、
    然る後、上記金属層に対する、上記マスク層をマスクと
    し、且つ酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液を用
    いた電解エツチングを１、上記電解液に流れる電流の密
    度及び上記電解液の温度の何れか一方または双方を予定
    値にして行うことによって、上記電解液に流れる電流の
    密度及び上記電解液の温度何れか一方または双方の予定
    値に応じた門だけサイドエツチングされているパターン
    化された金属層を形成することを特徴とするパターン化
    された金属層を形成する方法。 ２、絶縁性基板上にパターン化されるべき金属層を形成
    し、該金属層上にパターン化されたマスク層を形成し、
    然る後、上記金属層に対する、上記マスク層をマスクと
    し、且つ酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液を用
    いた電解エツチングを、上記パターン化されるべき金属
    層を陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべき金
    属層とこれに対する陰極電極との間に直流定電流源を接
    続し、且つ、上記電解液に流れる電流の密度及び上記電
    解液の温度の何れか一方または双方を予定値にして、上
    記陽極としてのパターン化されるべき金属層と上記陰極
    電極との間の電圧が、急激に大になる時点まで行うこと
    によって、パターン化された金属層を形成することを特
    徴とするパターン化された金属層を形成する方法。 ３、絶縁性基板上にパターン化されるべき金属層を形成
    し、該金属層上にパターン化されたマスク層を形成し、
    然る後、上記金属層に対する、上記マスク層をマスクと
    し、且つ酸性またはアルカリ性水溶液でなる電解液を用
    いた電解エツチングを、上記パターン化されるべき金ｆ
    １ｍを陽極とし、該陽極としてのパターン化されるべき
    金属層とこれに対する陰極電極との間に直流定電圧源を
    接続し、且つ上記電解液に流れる電流の密度及び上記電
    解液の温度の何れか一方または双方を予定値にして、上
    記直流定電圧源から上記陽極としてのパターン化される
    べき金属層を通って流れる電流が、急激に小になる詩点
    まで行うことによって、パターン化された金属層を形成
    することを特徴とするパターン化された金属層を形成す
    る方法。
JP22355382A 1982-07-08 1982-12-20 パタ−ン化された金属層を形成する方法 Pending JPS59113628A (ja)

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US06/511,403 US4629539A (en) 1982-07-08 1983-07-07 Metal layer patterning method
US06/642,429 US4642168A (en) 1982-07-08 1984-08-20 Metal layer patterning method

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