JPH0136982B2 - - Google Patents
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- JPH0136982B2 JPH0136982B2 JP8583783A JP8583783A JPH0136982B2 JP H0136982 B2 JPH0136982 B2 JP H0136982B2 JP 8583783 A JP8583783 A JP 8583783A JP 8583783 A JP8583783 A JP 8583783A JP H0136982 B2 JPH0136982 B2 JP H0136982B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体基体のエツチング方法に係
り、特に侵食量のばらつきを低減できる半導体基
体のエツチング方法に関する。
り、特に侵食量のばらつきを低減できる半導体基
体のエツチング方法に関する。
使用電圧が数100V、電流容量が数100mAと言
う高耐圧大電流集積回路装置では、回路装置内の
各要素素子間の電気的分離方式として誘電体分離
方法が使われている。この誘電体分離方法は特公
昭41−160707号公報にて公知である。そこで先ず
この分離方法について第１図に従つて説明する。
う高耐圧大電流集積回路装置では、回路装置内の
各要素素子間の電気的分離方式として誘電体分離
方法が使われている。この誘電体分離方法は特公
昭41−160707号公報にて公知である。そこで先ず
この分離方法について第１図に従つて説明する。
第１図ａにおいて、結晶面（100）面のシリコ
ン基体１に熱酸化法によつて二酸化シリコン膜２
を形成する。次に公知のホトリソグラフイ法で
〔110〕方向に二酸化シリコン膜２を部分的に除去
した窓を開ける。次に特公昭45−17988号公報に
て公知なる異方性エツチング方法により、分離溝
３ａ，３ｂ，３ｃを形成する。分離溝の形状は図
示したごとく、（111）面で囲まれたＶ字形とな
り、〔110〕方向からみた溝形状の変化は自動的に
停止する。
ン基体１に熱酸化法によつて二酸化シリコン膜２
を形成する。次に公知のホトリソグラフイ法で
〔110〕方向に二酸化シリコン膜２を部分的に除去
した窓を開ける。次に特公昭45−17988号公報に
て公知なる異方性エツチング方法により、分離溝
３ａ，３ｂ，３ｃを形成する。分離溝の形状は図
示したごとく、（111）面で囲まれたＶ字形とな
り、〔110〕方向からみた溝形状の変化は自動的に
停止する。
第１図ｂにおいて、再び二酸化シリコン膜２を
形成後、その上に支持体となる多結晶シリコン４
を気相成長法等によつて形成する。次にシリコン
基体１をＡ−A′の位置まで研磨して除去すると
第１図ｃの構造の誘電体分離基体１０を得る。こ
こで、単結晶島１ａ〜１ｄは、二酸化シリコン膜
２ａ〜２ｄで絶縁され多結晶シリコン４で支持さ
れている。次に第１図ｄにおいて公知の拡散、ホ
トリソグラフイ、金属配線膜５形成等の技術によ
つて電極を形成し、半導体集積回路装置を得る。
形成後、その上に支持体となる多結晶シリコン４
を気相成長法等によつて形成する。次にシリコン
基体１をＡ−A′の位置まで研磨して除去すると
第１図ｃの構造の誘電体分離基体１０を得る。こ
こで、単結晶島１ａ〜１ｄは、二酸化シリコン膜
２ａ〜２ｄで絶縁され多結晶シリコン４で支持さ
れている。次に第１図ｄにおいて公知の拡散、ホ
トリソグラフイ、金属配線膜５形成等の技術によ
つて電極を形成し、半導体集積回路装置を得る。
以上の誘電体分離基体１０の製造プロセスの
内、異方性エツチング方法について第２図〜第３
図に従つてさらに詳細に説明する。単結晶の
（100）面を主表面とするシリコン基体１の〈110〉
方向に分離溝３を設ける。エツチヤントのマスク
材である二酸化シリコン膜２の幅をｌ、エツチン
グの最終的な溝深さをdnとすると、溝は（111）
面で囲まれたＶ字形となり、結晶学的に dn＝ｌ／√２ ……(1) の関係にある。直線的な溝の部分では、最もエツ
チング速度の小さい（111）面が出た時点でエツ
チングは停止するため、形状精度の良いＶ字形の
溝ができる。しかし、分離溝同志が交差する部分
では｛100｝、｛111｝に加え、第３の結晶面｛hkl｝
が現われる。この面の指数についてはエツチング
条件により諸説があり、明らかでない。しかしこ
の面のエツチング速度は ｛111｝≪｛hkl｝＜｛100｝ ……(2) の関係があり、比較的速くエツチングが進む。
｛hkl｝が著しくエツチングされると単結晶島の角
の部分の侵食が激しくなり素子形成領域が小さく
なる。このため、例えば特公昭45−17988号公報
に示される様に補償パターン６を設けることによ
つて｛hkl｝面の後退を防止する方法が知られて
いる。ここでエツチヤントとしては例えば水酸化
カリウム（KOH）水溶液イソプロピルアルコー
ル（IPA）の混合液を使い、70〜80℃に加熱した
液が用いられる。
内、異方性エツチング方法について第２図〜第３
図に従つてさらに詳細に説明する。単結晶の
（100）面を主表面とするシリコン基体１の〈110〉
方向に分離溝３を設ける。エツチヤントのマスク
材である二酸化シリコン膜２の幅をｌ、エツチン
グの最終的な溝深さをdnとすると、溝は（111）
面で囲まれたＶ字形となり、結晶学的に dn＝ｌ／√２ ……(1) の関係にある。直線的な溝の部分では、最もエツ
チング速度の小さい（111）面が出た時点でエツ
チングは停止するため、形状精度の良いＶ字形の
溝ができる。しかし、分離溝同志が交差する部分
では｛100｝、｛111｝に加え、第３の結晶面｛hkl｝
が現われる。この面の指数についてはエツチング
条件により諸説があり、明らかでない。しかしこ
の面のエツチング速度は ｛111｝≪｛hkl｝＜｛100｝ ……(2) の関係があり、比較的速くエツチングが進む。
｛hkl｝が著しくエツチングされると単結晶島の角
の部分の侵食が激しくなり素子形成領域が小さく
なる。このため、例えば特公昭45−17988号公報
に示される様に補償パターン６を設けることによ
つて｛hkl｝面の後退を防止する方法が知られて
いる。ここでエツチヤントとしては例えば水酸化
カリウム（KOH）水溶液イソプロピルアルコー
ル（IPA）の混合液を使い、70〜80℃に加熱した
液が用いられる。
第３図に使つて従来のエツチング方法の詳細を
述べる。第３図ａにおいて、エツチング槽７内
に、所定濃度のKOH水溶液とIPAを加えて電磁
式撹拌機等で充分撹拌し、ある一定温度に保つよ
う恒温浴槽内にエツチング槽ごと入れる。この
時、エツチヤントとして、IPAは蒸発し易いの
で、通常KOH水溶液内に於けるIPAの濃度を飽
和溶解度以上にしているため、主としてKOH水
溶液から成り少量のIPA（KOH濃度により異る）
を含むエツチング反応相８と、主としてIPAから
成り少量のKOH水溶液とを含む相（以下便宜上、
この相を浮遊IPA相と呼ぶ。）９との二つの相が
エツチヤント内にできる。実際の装置において
は、エツチング槽７の上には、IPAが蒸発してな
くなるのを防ぐ目的で設けるコンデンサや、エツ
チヤント温度を測るための温度計等が付いたフタ
があるが、説明の都合上省略してある。次に、第
３図ｂに示すごとく、所定温度にコントロールさ
れたエツチヤント内に、ウエハホルダ１０に収め
られたシリコン基体１を浮遊IPA相９を通過させ
ながらエツチング反応相８に入れエツチングを開
始する。（第３図ｃ）この場合、エツチングの速
度は、KOH水溶液の濃度、エツチヤント温度等
によつて大きく影響されるので、これ等は常に一
定となるような工夫が為されている。
述べる。第３図ａにおいて、エツチング槽７内
に、所定濃度のKOH水溶液とIPAを加えて電磁
式撹拌機等で充分撹拌し、ある一定温度に保つよ
う恒温浴槽内にエツチング槽ごと入れる。この
時、エツチヤントとして、IPAは蒸発し易いの
で、通常KOH水溶液内に於けるIPAの濃度を飽
和溶解度以上にしているため、主としてKOH水
溶液から成り少量のIPA（KOH濃度により異る）
を含むエツチング反応相８と、主としてIPAから
成り少量のKOH水溶液とを含む相（以下便宜上、
この相を浮遊IPA相と呼ぶ。）９との二つの相が
エツチヤント内にできる。実際の装置において
は、エツチング槽７の上には、IPAが蒸発してな
くなるのを防ぐ目的で設けるコンデンサや、エツ
チヤント温度を測るための温度計等が付いたフタ
があるが、説明の都合上省略してある。次に、第
３図ｂに示すごとく、所定温度にコントロールさ
れたエツチヤント内に、ウエハホルダ１０に収め
られたシリコン基体１を浮遊IPA相９を通過させ
ながらエツチング反応相８に入れエツチングを開
始する。（第３図ｃ）この場合、エツチングの速
度は、KOH水溶液の濃度、エツチヤント温度等
によつて大きく影響されるので、これ等は常に一
定となるような工夫が為されている。
以上のような従来技術による異方性エツチング
方法における問題点を第２図、第４図を用いて次
に述べる。前記したように(2)式の関係から｛hkl｝
面のエツチング速度が｛111｝面に比べて比較的
大きい。このため、単結晶島の角の部分が小さく
なるのを防ぐ目的で例えばSiO2膜より成る補償
パターン６を設けている。第２図において本発明
者等は実験の便宜上この単結晶島の角の部分の小
さくなる量を、補償パターン６の対角の先端から
単結晶島の角の先端までの距離ｘを測定し、この
量をコーナ侵食量と定義した。第４図は、従来の
異方性エツチング方法（第３図参照）で一定時間
エツチングした場合のコーナ侵食量のロツト内及
びロツト間のデータを示す。各ロツトは、ウエハ
ホルダ１０内にシリコンウエハを４枚チヤージし
た。各プロツトは１ウエハ内14点、計56点のデー
タのばらつきを示す。この方法で３ロツトのエツ
チングを行つた。図からコーナ侵食量ｘのばらつ
きは３ロツト計168点で中心値34μmに対して±
25.6％と極めて大きい。
方法における問題点を第２図、第４図を用いて次
に述べる。前記したように(2)式の関係から｛hkl｝
面のエツチング速度が｛111｝面に比べて比較的
大きい。このため、単結晶島の角の部分が小さく
なるのを防ぐ目的で例えばSiO2膜より成る補償
パターン６を設けている。第２図において本発明
者等は実験の便宜上この単結晶島の角の部分の小
さくなる量を、補償パターン６の対角の先端から
単結晶島の角の先端までの距離ｘを測定し、この
量をコーナ侵食量と定義した。第４図は、従来の
異方性エツチング方法（第３図参照）で一定時間
エツチングした場合のコーナ侵食量のロツト内及
びロツト間のデータを示す。各ロツトは、ウエハ
ホルダ１０内にシリコンウエハを４枚チヤージし
た。各プロツトは１ウエハ内14点、計56点のデー
タのばらつきを示す。この方法で３ロツトのエツ
チングを行つた。図からコーナ侵食量ｘのばらつ
きは３ロツト計168点で中心値34μmに対して±
25.6％と極めて大きい。
このようにばらつきが大きい場合、次のような
問題が生じる。コーナ侵食量ｘがオーバエツチン
グとなつた場合拡散領域が単結晶島からはみ出し
てしまう結果、この素子の耐圧は低下する。一方
コーナ侵食量ｘが所望量に達していない場合にお
いては単結晶島同志は分離されずに隣に形成され
る半導体素子の電気的影響を受けるためやはり高
耐圧が得られなくなる。
問題が生じる。コーナ侵食量ｘがオーバエツチン
グとなつた場合拡散領域が単結晶島からはみ出し
てしまう結果、この素子の耐圧は低下する。一方
コーナ侵食量ｘが所望量に達していない場合にお
いては単結晶島同志は分離されずに隣に形成され
る半導体素子の電気的影響を受けるためやはり高
耐圧が得られなくなる。
本発明の目的は、従来の問題点を除去し、従来
の製造プロセスを変えることなく、コーナ侵食量
のばらつきを低減できる半導体基体のエツチング
方法を提供することにある。
の製造プロセスを変えることなく、コーナ侵食量
のばらつきを低減できる半導体基体のエツチング
方法を提供することにある。
上記目的に鑑み、本発明の特徴はアルカリ水溶
液と該アルカリ水溶液より比重の小さいアルコー
ルとの混合物から成り、上記混合物中のアルカリ
水溶液の混合比が上記アルコールの混合比より大
きい第１の相と、該第１の相に積層され上記混合
物中のアルコールの混合比が上記アルカリ水溶液
の混合比より大きい第２の相とを有するエツチン
グ液によつて半導体基体をエツチングする方法に
於いて、上記半導体基体を上記第１の相にのみ触
れさせてエツチングすることにある。
液と該アルカリ水溶液より比重の小さいアルコー
ルとの混合物から成り、上記混合物中のアルカリ
水溶液の混合比が上記アルコールの混合比より大
きい第１の相と、該第１の相に積層され上記混合
物中のアルコールの混合比が上記アルカリ水溶液
の混合比より大きい第２の相とを有するエツチン
グ液によつて半導体基体をエツチングする方法に
於いて、上記半導体基体を上記第１の相にのみ触
れさせてエツチングすることにある。
本発明は本発明者等が見い出した「被エツチン
グ物が浮遊エツチング相に触れることによつてコ
ーナ侵食量ｘにばらつきが生じる」という実験事
実に基づくものである。
グ物が浮遊エツチング相に触れることによつてコ
ーナ侵食量ｘにばらつきが生じる」という実験事
実に基づくものである。
従来のエツチング方法においては、第３図にみ
られるように、エツチング反応相８に到達する前
に必ず浮遊IPA相９に触れる。従つてエツチング
前のシリコン基体表面には過剰なIPAが付着する
こととなり、エツチング反応相８に到達してもそ
の過剰なIPAはすぐには除去できない。何故なら
ば、エツチング反応相８は既にIPAの溶解度が飽
和状態となつているからである。つまり、反応初
期のシリコン基体の表面にはIPAの薄膜がロツト
内及びロツト間で不均一に付くか若しくは一度付
着したIPAがエツチング反応相８内で徐々に剥離
されるとき、この時の剥離量がロツト内やロツト
間で不均一となるために反応速度にばらつきが生
じる結果、コーナ侵食量ｘにばらつきが出る。
られるように、エツチング反応相８に到達する前
に必ず浮遊IPA相９に触れる。従つてエツチング
前のシリコン基体表面には過剰なIPAが付着する
こととなり、エツチング反応相８に到達してもそ
の過剰なIPAはすぐには除去できない。何故なら
ば、エツチング反応相８は既にIPAの溶解度が飽
和状態となつているからである。つまり、反応初
期のシリコン基体の表面にはIPAの薄膜がロツト
内及びロツト間で不均一に付くか若しくは一度付
着したIPAがエツチング反応相８内で徐々に剥離
されるとき、この時の剥離量がロツト内やロツト
間で不均一となるために反応速度にばらつきが生
じる結果、コーナ侵食量ｘにばらつきが出る。
つまり半導体基体をエツチング反応相にのみ触
れさせることによつて、コーナ侵食量のばらつき
を低減できることを本発明者等が見い出したので
ある。
れさせることによつて、コーナ侵食量のばらつき
を低減できることを本発明者等が見い出したので
ある。
以下本発明の実施例を第５図〜第６図に従つて
詳述する。第５図において、第３図と同一符号は
同一又は相当部分を示している。
詳述する。第５図において、第３図と同一符号は
同一又は相当部分を示している。
まず本発明のエツチング方法の基本を第５図に
従つて説明する。第５図ａは、第３図におけると
同様エツチング槽７内に所定濃度のKOH水溶液
とIPAを加えて電磁式撹拌機等で充分撹拌して、
所定温度に保たれた恒温浴槽内に入れる。この
時、エツチヤント内はエツチング反応相８と浮遊
IPA相９ができる。エツチヤント自身が所定温度
に達したら、例えばテフロン製ビーカ等により、
浮遊IPA相９のみを一度取り除く（第５図ｂ）。
この取り除いた浮遊IPA相９はやはり所定温度で
コントロールされている恒温浴槽に入れておく。
次に第５図ｃ図の如く、ウエハホルダにセツトさ
れたシリコン基体１を反応相８内に入れ、直後に
第５図ｂで取り除いた所定温度の浮遊IPA相９を
エツチング槽７内に戻す（第５図ｄ）。この時エ
ツチング開始時間は第５図ｃのシリコン基体１を
エツチング反応相８に入れた時点とする。
従つて説明する。第５図ａは、第３図におけると
同様エツチング槽７内に所定濃度のKOH水溶液
とIPAを加えて電磁式撹拌機等で充分撹拌して、
所定温度に保たれた恒温浴槽内に入れる。この
時、エツチヤント内はエツチング反応相８と浮遊
IPA相９ができる。エツチヤント自身が所定温度
に達したら、例えばテフロン製ビーカ等により、
浮遊IPA相９のみを一度取り除く（第５図ｂ）。
この取り除いた浮遊IPA相９はやはり所定温度で
コントロールされている恒温浴槽に入れておく。
次に第５図ｃ図の如く、ウエハホルダにセツトさ
れたシリコン基体１を反応相８内に入れ、直後に
第５図ｂで取り除いた所定温度の浮遊IPA相９を
エツチング槽７内に戻す（第５図ｄ）。この時エ
ツチング開始時間は第５図ｃのシリコン基体１を
エツチング反応相８に入れた時点とする。
尚、浮遊IPA相９をエツチング槽７に戻す理由
は、エツチング反応相８中のIPAが蒸発するのを
防ぎ、エツチング反応相８中のIPAの濃度を一定
に保つためである。
は、エツチング反応相８中のIPAが蒸発するのを
防ぎ、エツチング反応相８中のIPAの濃度を一定
に保つためである。
以上説明した本実施例によるエツチング方法で
エツチングしたシリコン基体のコーナ侵食量ｘを
第６図に示す。各プロツトは、14点／基体のデー
タを６枚のシリコン基体について（計84点）のば
らつきを示す。エツチングは６つのロツトについ
て行いそのばらつきも調べた。その結果コーナ侵
食量ｘのばらつきはロツト内及びロツト間含めて
中心値40.5μmに対して±8.6％となり、従来のば
らつき幅±25.6％に対して約1/3にできることが
わかつた。
エツチングしたシリコン基体のコーナ侵食量ｘを
第６図に示す。各プロツトは、14点／基体のデー
タを６枚のシリコン基体について（計84点）のば
らつきを示す。エツチングは６つのロツトについ
て行いそのばらつきも調べた。その結果コーナ侵
食量ｘのばらつきはロツト内及びロツト間含めて
中心値40.5μmに対して±8.6％となり、従来のば
らつき幅±25.6％に対して約1/3にできることが
わかつた。
エツチングの終点を判定するには、従来はコー
ナ侵食量ｘのばらつきが大きいことからエツチン
グとｘの測定を何度か繰返しては目標のコーナ侵
食量ｘに近づけるといつた方法をとつていた。し
かし本実施例によりそのばらつきを従来の1/3程
度に小さくできたことから一度のエツチングで目
標寸法ｘにすることが可能となり、エツチング工
程が大幅に短縮できた。再に、コーナ侵食量ｘの
寸法精度が向上した結果、単結晶島の完成形状が
均一化されたため、素子の歩留りも向上した。
ナ侵食量ｘのばらつきが大きいことからエツチン
グとｘの測定を何度か繰返しては目標のコーナ侵
食量ｘに近づけるといつた方法をとつていた。し
かし本実施例によりそのばらつきを従来の1/3程
度に小さくできたことから一度のエツチングで目
標寸法ｘにすることが可能となり、エツチング工
程が大幅に短縮できた。再に、コーナ侵食量ｘの
寸法精度が向上した結果、単結晶島の完成形状が
均一化されたため、素子の歩留りも向上した。
第７図〜第８図に本発明の他の実施例を示し説
明する。第７図及び第８図において第３図、第５
図と同一符号は同一又は相当部分を示す。
明する。第７図及び第８図において第３図、第５
図と同一符号は同一又は相当部分を示す。
まず、第７図について述べる。本実施例エツチ
ング装置はエツチング反応装置１１とIPAを一定
の飽和濃度にするための飽和IPA濃度作成装置１
２とから成る。双方の装置１１，１２はヒータ付
電磁式撹拌機１３とその撹拌子１４によりエツチ
ヤント８を撹拌する一方、温度も所定温度でコン
トロールしている。また装置１１及び１２の上部
は、蒸発するIPAを元に戻すためにコンデンサ１
５が取付けられている。両装置１１，１２間はポ
ンプＰ１とポンプＰ２により、主としてKOH水
溶液から成り少量のIPAを含む（この場合、IPA
は所定の飽和濃度となつている。）エツチング反
応相８が循環しており、エツチング反応装置１１
中のエツチング反応相８の濃度は常に略一定とな
る。このような装置において、エツチングするべ
きシリコン基体１はエツチング反応装置１１のエ
ツチング槽７に入れることにより浮遊IPA相９に
接触することなくエツチングが行える。なお、本
実施例に於いてはエツチング反応装置１１は飽和
IPA濃度作成装置１２と同一図面で述べたが、こ
の図面に限ることなく例えばIPA濃度センサを付
けたような定温、定濃度コントロール装置を使つ
てもよい。
ング装置はエツチング反応装置１１とIPAを一定
の飽和濃度にするための飽和IPA濃度作成装置１
２とから成る。双方の装置１１，１２はヒータ付
電磁式撹拌機１３とその撹拌子１４によりエツチ
ヤント８を撹拌する一方、温度も所定温度でコン
トロールしている。また装置１１及び１２の上部
は、蒸発するIPAを元に戻すためにコンデンサ１
５が取付けられている。両装置１１，１２間はポ
ンプＰ１とポンプＰ２により、主としてKOH水
溶液から成り少量のIPAを含む（この場合、IPA
は所定の飽和濃度となつている。）エツチング反
応相８が循環しており、エツチング反応装置１１
中のエツチング反応相８の濃度は常に略一定とな
る。このような装置において、エツチングするべ
きシリコン基体１はエツチング反応装置１１のエ
ツチング槽７に入れることにより浮遊IPA相９に
接触することなくエツチングが行える。なお、本
実施例に於いてはエツチング反応装置１１は飽和
IPA濃度作成装置１２と同一図面で述べたが、こ
の図面に限ることなく例えばIPA濃度センサを付
けたような定温、定濃度コントロール装置を使つ
てもよい。
第８図は再に本発明における他の実施例を示
す。この図は試料押入箱１６の一部のフタ１７が
上下する構造となつており、例えばテフロン製と
なつている。この装置の使用方法を詳述する。
す。この図は試料押入箱１６の一部のフタ１７が
上下する構造となつており、例えばテフロン製と
なつている。この装置の使用方法を詳述する。
まずシリコン基体１がセツトされたホルダ１０
を試料押入箱１６に収めフタをおろす。次に第３
図ａに示したエツチヤント槽７内に試料押入箱１
６を入れる。次にフタ１７を引き上げる。その後
ホルダ１０をエツチング反応相８内で移動し、試
料押入箱１６からおろした後、試料押入箱１６を
エツチヤント槽７から引き上げる。この場合にお
いてもシリコン基体１の表面は浮遊IPA相９に触
れないでエツチング反応相８に直接触れることと
なるので第５図及び第７図と同様の効果が得られ
る。なお本装置において、フタ１７は例えば底面
部に位置されても同様であり、箱に限らず袋等で
代用できる。
を試料押入箱１６に収めフタをおろす。次に第３
図ａに示したエツチヤント槽７内に試料押入箱１
６を入れる。次にフタ１７を引き上げる。その後
ホルダ１０をエツチング反応相８内で移動し、試
料押入箱１６からおろした後、試料押入箱１６を
エツチヤント槽７から引き上げる。この場合にお
いてもシリコン基体１の表面は浮遊IPA相９に触
れないでエツチング反応相８に直接触れることと
なるので第５図及び第７図と同様の効果が得られ
る。なお本装置において、フタ１７は例えば底面
部に位置されても同様であり、箱に限らず袋等で
代用できる。
尚、水酸化カリウムに限らず水酸化ナトリウム
水溶液等の他のアルカリ水溶液を用いても本発明
は適用できる。しかし半導体基体の製造プロセス
中にナトリウム等のイオンが入ると素子特性を劣
化させるので水酸化カリウムが良好である。
水溶液等の他のアルカリ水溶液を用いても本発明
は適用できる。しかし半導体基体の製造プロセス
中にナトリウム等のイオンが入ると素子特性を劣
化させるので水酸化カリウムが良好である。
また、IPAに限らずエチルアルコール、メチル
アルコール等の他のアルコールを用いても本発明
は適用できる。
アルコール等の他のアルコールを用いても本発明
は適用できる。
以上述べた様に、本発明によれば、コーナ侵食
量のばらつきが低減できる半導体基体のエツチン
グ方法を得ることができる。
量のばらつきが低減できる半導体基体のエツチン
グ方法を得ることができる。
第１図は誘電体分離基体の製造方法を示す図、
第２図は異方性エツチングによつてできるシリコ
ン基体の表面概略斜視図、第３図は従来のエツチ
ング方法を示す図、第４図は従来法によつた場合
のコーナ侵食量を示す図、第５図は本発明の１実
施例を示す図、第６図は本発明の１実施例によつ
た場合のコーナ侵食量を示す図、第７図及び第８
図は本発明における他の実施例を示す図である。 ７……エツチング槽、８……エツチング反応
相、９……浮遊IPA相。
第２図は異方性エツチングによつてできるシリコ
ン基体の表面概略斜視図、第３図は従来のエツチ
ング方法を示す図、第４図は従来法によつた場合
のコーナ侵食量を示す図、第５図は本発明の１実
施例を示す図、第６図は本発明の１実施例によつ
た場合のコーナ侵食量を示す図、第７図及び第８
図は本発明における他の実施例を示す図である。 ７……エツチング槽、８……エツチング反応
相、９……浮遊IPA相。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルカリ水溶液と該アルカリ水溶液より比重
の小さいアルコールとの混合物から成り、上記混
合物中のアルカリ水溶液の混合比が上記アルコー
ルの混合比より大きい第１の相と、該第１の相に
積層され上記混合物中のアルコールの混合比が上
記アルカリ水溶液の混合比より大きい第２の相と
を有するエツチング液によつて半導体基体をエツ
チングする方法に於いて、上記半導体基体を上記
第１の相にのみ触れさせてエツチングすることを
特徴とする半導体基体のエツチング方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に於いて、アルカリ水
溶液は水酸化カリウム水溶液であることを特徴と
する半導体基体のエツチング方法。 ３ 特許請求の範囲第１項に於いて、アルコール
はイソプロピルアルコールであることを特徴とす
る半導体基体のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8583783A JPS59213133A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 半導体基体のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8583783A JPS59213133A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 半導体基体のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213133A JPS59213133A (ja) | 1984-12-03 |
| JPH0136982B2 true JPH0136982B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=13869969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8583783A Granted JPS59213133A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 半導体基体のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213133A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636729U (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-18 | ||
| JP4111105B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2008-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | エッチング装置 |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP8583783A patent/JPS59213133A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59213133A (ja) | 1984-12-03 |
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