JPS6056086A - 銅メツキ浴 - Google Patents
銅メツキ浴Info
- Publication number
- JPS6056086A JPS6056086A JP16251083A JP16251083A JPS6056086A JP S6056086 A JPS6056086 A JP S6056086A JP 16251083 A JP16251083 A JP 16251083A JP 16251083 A JP16251083 A JP 16251083A JP S6056086 A JPS6056086 A JP S6056086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating bath
- group
- kinds
- mono
- disulfides
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、きわめて優れた光沢性および表面平滑性を有
し、かつ延性に富む銅電着被膜を得るための硫酸銅およ
び硫酸を主成分とする酸性銅メッキ浴に関するものであ
る。
し、かつ延性に富む銅電着被膜を得るための硫酸銅およ
び硫酸を主成分とする酸性銅メッキ浴に関するものであ
る。
光沢のある銅被膜をえるために、酸性の、峙に現在広く
普及している硫酸々性の銅電解f&に、特定の有機化合
物をごく僅か添加することが必要なことは従来より公知
の事実である。この目的に、例えばポリエチレングリコ
ール、チオ尿素、およヒソの誘導体、チオヒダントイン
、チオカルバミン酸エステル、千オ燐酸エステル七ノま
たハシ−にシフイド類およびこれら添加剤の2種以上の
混合添加などが行なわれている。しかしこれら添加剤を
使用してえられる錆皮膜の品質には問題がある。
普及している硫酸々性の銅電解f&に、特定の有機化合
物をごく僅か添加することが必要なことは従来より公知
の事実である。この目的に、例えばポリエチレングリコ
ール、チオ尿素、およヒソの誘導体、チオヒダントイン
、チオカルバミン酸エステル、千オ燐酸エステル七ノま
たハシ−にシフイド類およびこれら添加剤の2種以上の
混合添加などが行なわれている。しかしこれら添加剤を
使用してえられる錆皮膜の品質には問題がある。
すなわち、生成被膜はもろく、光沢も鏡面のような光沢
を有せず、また表面平滑性も十分ではなく今日要求され
る品質に適音しない。
を有せず、また表面平滑性も十分ではなく今日要求され
る品質に適音しない。
また例えば特公報昭40−21405号明細書に記載の
ある数多くのフェナジン染料を、単独にあるいは千オ尿
素などの有機硫化物とともに使用しても、良好な光沢性
、表面平滑性は得られず、生成した被膜の性質もニッケ
ルメッキとの密着性、ザラを生ずるなど問題がある。
ある数多くのフェナジン染料を、単独にあるいは千オ尿
素などの有機硫化物とともに使用しても、良好な光沢性
、表面平滑性は得られず、生成した被膜の性質もニッケ
ルメッキとの密着性、ザラを生ずるなど問題がある。
本発明者らはこのような銅酸性浴の欠点を解決するため
鋭意研究した結果、本発明を完成するに至ったものであ
る。すなわち、下記一般式(式中N 81% R2,n
、は同じかもしくは異なっていてもよく、それぞれ、水
素、低級アルキル基もしくは場合により置換されたアリ
ール基を表わし、人はアルキル置換アミノ基、またはO
H基、ハロゲン原子を意味し、Bはハロゲン原子、OH
基を表わし、ρは陰イオンを意味する。)で表わされる
フェナジン染料とモノまたはジスルフイV類の1種また
は2種以上、およびポリエーテル類の1種または2種以
上とを共に酸性銅浴に添加することKより01f記欠点
を解決することを見い出した。
鋭意研究した結果、本発明を完成するに至ったものであ
る。すなわち、下記一般式(式中N 81% R2,n
、は同じかもしくは異なっていてもよく、それぞれ、水
素、低級アルキル基もしくは場合により置換されたアリ
ール基を表わし、人はアルキル置換アミノ基、またはO
H基、ハロゲン原子を意味し、Bはハロゲン原子、OH
基を表わし、ρは陰イオンを意味する。)で表わされる
フェナジン染料とモノまたはジスルフイV類の1種また
は2種以上、およびポリエーテル類の1種または2種以
上とを共に酸性銅浴に添加することKより01f記欠点
を解決することを見い出した。
この一般式で表わされるフェナジン染料を具体的に例示
すれば次の表−1の通りである。
すれば次の表−1の通りである。
表−1
これら染料の製造は、例えば表−1の染料番号−1につ
いて示せば”次の通りであろう3−アミノ−6−ジエチ
ルアミノ−9−フェニル−フェナゾニウム硫酸塩501
を5tの水に加え、95〜98℃に熱して博解しr過す
る。PDを15〜20℃に冷却し、この中に亜硝酸ナト
リウム9.6tを20wtの水に溶解した溶液を注加す
る。この後ただちに98%浪度の硫酸66fを100d
の水に希釈した溶液を注加する。15〜20℃の温度で
1時間かきまぜてジアゾ化を行ない、次Kf1度を徐々
に上げ90℃で1時間かきまぜる。終了後濃縮し液量な
半分にし、室温まで冷却後、硫酸ナトリウムで塩析しr
過乾燥し、染料番号−1652を得た。
いて示せば”次の通りであろう3−アミノ−6−ジエチ
ルアミノ−9−フェニル−フェナゾニウム硫酸塩501
を5tの水に加え、95〜98℃に熱して博解しr過す
る。PDを15〜20℃に冷却し、この中に亜硝酸ナト
リウム9.6tを20wtの水に溶解した溶液を注加す
る。この後ただちに98%浪度の硫酸66fを100d
の水に希釈した溶液を注加する。15〜20℃の温度で
1時間かきまぜてジアゾ化を行ない、次Kf1度を徐々
に上げ90℃で1時間かきまぜる。終了後濃縮し液量な
半分にし、室温まで冷却後、硫酸ナトリウムで塩析しr
過乾燥し、染料番号−1652を得た。
また、染料番号−2の製造について述べると次の通りで
ある。
ある。
5−アミノ−6−ジエチル1ミノ−9−フェニル−フェ
ナゾニウム塩酸塩50Fを5tの水に加え、95〜98
℃に熱して溶解しr遇する。r液を15〜20℃に冷却
し、このΦに亜硝酸ナトリウム9.6fを20−の水に
溶解した溶液を注加する。この抜だだちに55%塩酸6
85tを注加する。この後は染料番号−1と同様に処理
し塩化ナトリウムで塩析し染料番号−2を6Af得た。
ナゾニウム塩酸塩50Fを5tの水に加え、95〜98
℃に熱して溶解しr遇する。r液を15〜20℃に冷却
し、このΦに亜硝酸ナトリウム9.6fを20−の水に
溶解した溶液を注加する。この抜だだちに55%塩酸6
85tを注加する。この後は染料番号−1と同様に処理
し塩化ナトリウムで塩析し染料番号−2を6Af得た。
これら両染料の混合割合は、定証的には明らかでないが
、薄層クロマトグラムでの目視判定ではクロル甜換体1
0〜20%に対し、OH基置換体は90〜80%である
。
、薄層クロマトグラムでの目視判定ではクロル甜換体1
0〜20%に対し、OH基置換体は90〜80%である
。
さらに染料番号−6の製造法について述べると、2.7
−シメチルー3.6−ジアミツー9−フェニル−”)工
tジfpム塩酸塩(サフラニンT)!i5Fを800−
の熱水に溶解しr過、P液を0〜5℃に冷却し、この中
に亜硝酸ナトリウム152を30−の水に溶解した液を
注加し、この後だだちに35%塩酸104tを注加する
。5℃以下で1時間かきまぜてジアゾ化を行ない反応終
了液を、塩化第2銅2水塩18f、銅片10r%55%
塩酸70f、水100dからなる液を煮沸し無色となっ
た液の中に注加する。この後常温で10時間かきまぜた
稜f過を行ないP液を濃縮して液量を半分とし冷却後、
塩化ナトリウムで塩析し染料3゜tを得た。
−シメチルー3.6−ジアミツー9−フェニル−”)工
tジfpム塩酸塩(サフラニンT)!i5Fを800−
の熱水に溶解しr過、P液を0〜5℃に冷却し、この中
に亜硝酸ナトリウム152を30−の水に溶解した液を
注加し、この後だだちに35%塩酸104tを注加する
。5℃以下で1時間かきまぜてジアゾ化を行ない反応終
了液を、塩化第2銅2水塩18f、銅片10r%55%
塩酸70f、水100dからなる液を煮沸し無色となっ
た液の中に注加する。この後常温で10時間かきまぜた
稜f過を行ないP液を濃縮して液量を半分とし冷却後、
塩化ナトリウムで塩析し染料3゜tを得た。
他の添加剤であるモノまたはジスルフィド類は従来光沢
剤として使用されているものがそのまま使用でき、例え
ばビス−(3−ナトリウムスルホプロピル)−ジスルフ
ィド°、またはビス−(3−ナトリウムスルホエチル)
−ジスルフィド0などがあり、これらはいずれも公知で
ある。
剤として使用されているものがそのまま使用でき、例え
ばビス−(3−ナトリウムスルホプロピル)−ジスルフ
ィド°、またはビス−(3−ナトリウムスルホエチル)
−ジスルフィド0などがあり、これらはいずれも公知で
ある。
またもう1つの添加剤であるポリエーテル類としては、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールな
どが挙げられる。
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールな
どが挙げられる。
以下本発明の特徴を明らかkするため実施例および比較
例を挙げる。これらの実施例、比較例においては、本発
明のメッキ浴および従来のメッキ浴を使用し、常法通り
脱脂、硫酸酸洗の前処理を行ない、ナ180エメリーバ
フにより研磨した真鍮板にメッキを行なった。なおメッ
キ方法は従来公知の方法により、また電解中メッキ液は
空気攪拌により十分攪拌を続け、ポリエチレングリコー
ルは平均分子ft1000のものを使用した。
例を挙げる。これらの実施例、比較例においては、本発
明のメッキ浴および従来のメッキ浴を使用し、常法通り
脱脂、硫酸酸洗の前処理を行ない、ナ180エメリーバ
フにより研磨した真鍮板にメッキを行なった。なおメッ
キ方法は従来公知の方法により、また電解中メッキ液は
空気攪拌により十分攪拌を続け、ポリエチレングリコー
ルは平均分子ft1000のものを使用した。
実施例1
硫酸銅 200 tit
硫m s o t/l
ポリエチレングリコール 0.2 titビス−(5−
す) IJ ラム−スルホプロビル)−α001 fa
tジスルフィド 表−1中CD染料番号−1ao025f/を浴温 25
℃ 電流密度 S A/dd 実施例2 実施例1の表−1中の染料番号−1を表−1、染料番号
−2,0,005f/1llc換えた以外は、すべて実
施例1に同じである。
す) IJ ラム−スルホプロビル)−α001 fa
tジスルフィド 表−1中CD染料番号−1ao025f/を浴温 25
℃ 電流密度 S A/dd 実施例2 実施例1の表−1中の染料番号−1を表−1、染料番号
−2,0,005f/1llc換えた以外は、すべて実
施例1に同じである。
実施例3
表−1中の染料番号−3,0,00S f/lを使用し
た以外はすべて実施例1と同じである。
た以外はすべて実施例1と同じである。
実施例4
硫酸銅 250 tit
硫 酸 50 fat
ポリビニルアルコール α4t/l
ビス−(3−ナトリウム−
スルホエチル)−ジスルフ
イド
表−1中の染料番号−4[10055f/を浴 潟 2
5℃ 電流密度 1〜6A/dn? 実施例5 硫酸銅 250 f/を 硫 酸 50171 ポリプロピレングリコール 0.5f/lメルカプトベ
ンズチアゾール CLO3t/L−8−プロパンスルホ
ン酸ナ トリウム 表−1中の染料番号−80,005tit浴 温 25
℃ mm密度 1−6 A/dtr? 比較例1 硫酸銅 200り/を 硫 酸 50 fat ポリエチレングリコール 0.2 fitビス−(3−
ナトリウム−0,001f/lスルホブaピル)−ジス
ル フィド 浴 協 25℃ 電流密度 3^/dd 比較例2 比較例1の浴にインチオシアノプロピルスルホン酸ナト
リウム0.05 titを添加したもの。
5℃ 電流密度 1〜6A/dn? 実施例5 硫酸銅 250 f/を 硫 酸 50171 ポリプロピレングリコール 0.5f/lメルカプトベ
ンズチアゾール CLO3t/L−8−プロパンスルホ
ン酸ナ トリウム 表−1中の染料番号−80,005tit浴 温 25
℃ mm密度 1−6 A/dtr? 比較例1 硫酸銅 200り/を 硫 酸 50 fat ポリエチレングリコール 0.2 fitビス−(3−
ナトリウム−0,001f/lスルホブaピル)−ジス
ル フィド 浴 協 25℃ 電流密度 3^/dd 比較例2 比較例1の浴にインチオシアノプロピルスルホン酸ナト
リウム0.05 titを添加したもの。
浴温、電流密度は比較例1と同じである。
実施例1〜5の実施結果はいずれも真鍮板上に鏡面の如
き光沢を有する銅被膜を生成し、かつ優れた平面平滑性
を示した。
き光沢を有する銅被膜を生成し、かつ優れた平面平滑性
を示した。
これらの結果を特産実施例1〜3と比較例1〜2と対比
させて示すと表−2の通りである。
させて示すと表−2の通りである。
なお銅被膜の光沢については肉眼で観察し完全鏡面光沢
を100とし、表面平滑性については、+180エメリ
ーパフによる目を完全に消す時な100とした。また本
発明のメッキ浴使用による実施例1〜5においては比較
のため電流密度を3A/d−の一定値に保って行なった
。
を100とし、表面平滑性については、+180エメリ
ーパフによる目を完全に消す時な100とした。また本
発明のメッキ浴使用による実施例1〜5においては比較
のため電流密度を3A/d−の一定値に保って行なった
。
表−2
表−2で明らかなように本発明のメッキ浴を使用すれば
、従来のメッキ浴に比べ光沢および表面平滑性が非常に
優れた銅電着皮膜を得ることができる。
、従来のメッキ浴に比べ光沢および表面平滑性が非常に
優れた銅電着皮膜を得ることができる。
保土谷化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、メッキ浴中忙、下記一般式 (式中、R1%R2,R,は同じかもしくは異なってい
てもよく、それぞれ、水素、低級アルキル基もしくは場
合により置換されたアリール基を表わし、人はアルキル
置換アミ7基、またはOH基、ハロゲン原子を意味し、
Bはハロゲン原子、OH基を表わし、戸は陰イオンを意
味する。) で表わされるフェナジン染料と、モノまたはジスルフィ
ド類の1種または2種以上、およびポリエーテル類の1
種または2種以上とを共に添加することを特徴とする酸
性銅メッキ浴。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16251083A JPS6056086A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 銅メツキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16251083A JPS6056086A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 銅メツキ浴 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6056086A true JPS6056086A (ja) | 1985-04-01 |
Family
ID=15755990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16251083A Pending JPS6056086A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 銅メツキ浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6056086A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6379522B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Electrodeposition chemistry for filling of apertures with reflective metal |
WO2004057061A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Atotech Deutschland Gmbh | Mixture of oligomeric phenazinium compounds and acid bath for electrolytically depositing a copper deposit |
WO2005049584A1 (en) | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Acidic bath for electrolytically depositing a copper deposit containing halogenated or pseudohalogenated monomeric phenazinium compounds |
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS5117945A (ja) * | 1974-05-13 | 1976-02-13 | Kuraray Co | |
JPS534499A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-17 | Hochiki Co | Sensor operation indicator |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP16251083A patent/JPS6056086A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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US7872130B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-01-18 | Atotech Deutschland Gmbh | Mixture of oligomeric phenazinium compounds and acid bath for electrolytically depositing a copper deposit |
WO2004057061A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Atotech Deutschland Gmbh | Mixture of oligomeric phenazinium compounds and acid bath for electrolytically depositing a copper deposit |
WO2005049584A1 (en) | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Acidic bath for electrolytically depositing a copper deposit containing halogenated or pseudohalogenated monomeric phenazinium compounds |
JP2007511562A (ja) * | 2003-11-19 | 2007-05-10 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ハロゲン化または擬ハロゲン化モノマーフェナジニウム化合物を含有する銅析出物を電解析出させるための酸性浴 |
US7786303B2 (en) | 2003-11-19 | 2010-08-31 | Atotech Deutschland Gmbh | Acidic bath for electrolytically depositing a copper deposit containing halogenated or pseudohalogenated monomeric phenazinium compounds |
JP4898450B2 (ja) * | 2003-11-19 | 2012-03-14 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ハロゲン化または擬ハロゲン化モノマーフェナジニウム化合物を含有する銅析出物を電解析出させるための酸性浴 |
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JP4644447B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2011-03-02 | 株式会社日立製作所 | プリント配線板の製造方法 |
JP2008099501A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Hokuriku Electric Power Co Inc:The | 送電鉄塔の回線標示装置 |
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