JPS6053399B2 - メモリコントロ−ル装置 - Google Patents

メモリコントロ−ル装置

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JPS6053399B2
JPS6053399B2 JP56093580A JP9358081A JPS6053399B2 JP S6053399 B2 JPS6053399 B2 JP S6053399B2 JP 56093580 A JP56093580 A JP 56093580A JP 9358081 A JP9358081 A JP 9358081A JP S6053399 B2 JPS6053399 B2 JP S6053399B2
Authority
JP
Japan
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input
terminal
data
mode
elements
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Expired
Application number
JP56093580A
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English (en)
Other versions
JPS57208689A (en
Inventor
正明 藤田
和美 河島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、No、東ゝメモリ等のメモリ素子を複数個
用いる場合のコントロール装置に関するものである。
メモリ機能を有する随東ゝメモリ等の素子にお−いて
、アドレスの指定やデータの読出し書込み等のコントロ
ールを行う場合には各種の方法がある。
たとえば、いま、第1図のような一つの素子があると
する。
ここで、1はメモリ素子、2はアドレスレジスタ、3は
データレジスタ、4は動作モード判別回路、5は入出力
制御回路である。 この素子のコントロールは、3つの
端子を用いて行う。すなわち、D端子はデータのやりと
りをするためのデータ入出力端子、C端子はデータをや
りとりするときに転送のタイミングをとるためのクロッ
ク入力端子、M端子は動作モードを指定するときはロー
レベルにし、そのモードを実行するときはハイレベルに
するモード制御端子てある。 この動作モードというの
は、例えば、メモリ素子1において、「アドレス指定上
「データ書込」、「データ消去」、「データ読出」等の
動作を行わせるためにどの動作をさせるかを選択すると
きに用いる。
例えば、第1図の素子の1つのアドレスからデータを
読出そうとするときは以下のような動作になる。
まず、第2図において、a−b区間でモード端子Mをロ
ーレベル(モード指定状態)にし、データ入出端子Dに
どのモードにするかのデータをシリアルに与え、クロッ
ク入力端子Cに加えるクロックによつてモード判別回路
4に転送し、入出力装置5に接続するレジスタを決め、
入出力状態を切替える。次いで、b−c区間でモード制
御端子Mをハイレベル(実行指定状態)にし、データ入
出力端子Dにアドレスデータを与え、クロツク入力端子
Cに加えるクロックによつてアドレスレジスタ2にデー
タをシリアル転送する。このとき、データ入出力端子D
は入力状態である。さらに、cmd区間でモード制御端
子Mをローレベル(モード指定状態)にし、データ入出
端子Dにデータ読出モードにするための制御データを与
え、クロック入力端子Cに加えるクロックによつてシリ
アル転送する。最後に、d−e区間でモード制御端子M
をハイレベル(実行指令状態)にし、クロック入力端子
Cに加えるクロックによつてデータ入出力端子Dにデー
タレジスタ3からのデータをシリアル転送し出力する。
このとき、データ入出力端子Dは出力状態である。以上
のような手順でメモリ素子1を駆動するのであるが、こ
こでわかるように、3つの端子M.D.Cで全てのデー
タのやりとりを行うことができる。
ところが、このような素子を複数個用いる必要のある場
合がある。
そのような楊合には、たとえば第3図に示すように、各
素子7,8,9の端子Rと端子Dは共通に接続し、端子
Cを独立にしてコントローラ6に接続することにより、
クロックを各素子7,8,9に独立して与えることによ
つて各素子7,8,9を独立して駆動する。ここで、一
例として、データ入出力端子Dは第4図のような入出力
回路の構成であるとする。この端子Dは端子M/)珀−
レベル即ちモード指定状態のとき、および入出力コント
ロール信号Pが入力状態に設定されているときにトラン
ジスタTRlがカットオフする。このとき、端子Dに加
えられたデータは抵抗R1、トランジスタM2、抵抗R
2を介して素子内に取込まれる(信号r)。また、入出
力コントロール信号Pが出力状態のときはトランジスタ
TRlはオン状態となり、出力データqがトランジスタ
TR3、抵抗R3、トランジスタTRl、抵抗R1を介
して端子Dに出力される。したがつて、複数個の素子7
,8,9を駆動する場合にコントロール用の線数を少な
くするために端子Dを共通にした場合には、いずれか一
つの素子が出力状態にあれば他の入力状態の素子へのデ
ータ転送が正常に行われないことになる。
そこで本発明は、かかる特性を有する入出力端子をもつ
素子において、その入出力端子同志を結合しても複数個
の素子を少ない線数で駆動することのできる装置を提供
しようとするものである。以下、第5図とともにそのコ
ントロール手順を説明する。まず、第3図の如き回路配
置において、モード制御端子Mをローレベル(モード指
定状態)にし、各素子7,8,9のデータ入出力端子D
を入力状態にする。このとき、各素子7,8,9のデー
タ入出力端子Dに、各素子7,8,9がモード制御端子
Mがハイレベル(実行状態)において、データ入出力端
子Dが入力状態になるような“モードデータ1゛をシリ
アルに送り、各素子7,8,9のクロック端子C−7,
C−8,・・・・C−9にクロックを加えてデータを各
素子7,8,9に転送する。つぎに、動作させようとす
る素子たとえば素子9に対して、その動作を行なわせる
ための゜゜モードデータ2゛をデータ入出力端子Dに送
り、動作させようとする素子9に対してのみクロックを
クロック入力端子C−9に加え、その素子9のみに“モ
ードデータ2゛を転送してその制御モードにする。
さらに、モード制御端子Mをハイレベルにして各素子7
,8,9を実行状態にする。
このと?き、素子9以外の素子7,8はすべて、入力状
態となるようなモードが指定されているため、素子9以
外の素子のデータ入出力端子Dは入力状態となつている
。したがつて、実行状態においても、入出力端子Dは素
子9に対してのみ有効な状態にすることがてきその素子
9のみを単独に制御動作することができることになる。
他の素子7,.8について動作させる場合も同様である
このように、本発明によればデータ転送を1つの入出力
端子で行なう素子において、複数個の素子を用いる楊合
にそれらの入出力端子同志を接続してコントローラへの
線数を減らそうとするときにも、動作させようとする素
子以外の素子の妨害を防ぐことができ、簡易に多くの素
子を正しく制御することができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はメモリ機能を有する素子の一例のブロック図、
第2図はその動作を説明するための波形図、第3図は本
発明の一実施例におけるメモリコントロール装置のブロ
ック図、第4図はその一部の具体回路図、第5図はその
動作を説明するための波形図である。 6・・・・・・コントローラ、7,8,9・・・・・・
メモリ機能を有する素子、M・・・・・・モード制御端
子、D・・・・データ入出力端子、C・・・・・・クロ
ック入力端子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 メモリ機能を有する素子を設け、その素子をコント
    ロールするための入出力端子とデータを転送するための
    クロックを加える端子と動作指定モードと実行モードを
    制御するモード制御端子とを設け、かかる素子を複数個
    用いる場合に上記各素子の入出力端子同志およびモード
    端子同志を接続して、動作させようとする素子以外の素
    子によつて入出力端子が影響されることを防止するよう
    にしたことを特徴とするメモリコントロール装置。 2 動作させようとする素子へのデータ転送を行なおう
    とするときに入出力端子が共通に接続されているすべて
    の素子をまず入力状態になるようなモードに指定するた
    めにすべての素子にクロックを与えることにより実行状
    態において入出力端子が他の素子へ影響を与えないよう
    にしてから、動作させようとする素子にのみクロック信
    号を加えることによつて正常なデータ転送を行なわせる
    ようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    のメモリコントロール装置。
JP56093580A 1981-06-16 1981-06-16 メモリコントロ−ル装置 Expired JPS6053399B2 (ja)

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JP56093580A JPS6053399B2 (ja) 1981-06-16 1981-06-16 メモリコントロ−ル装置

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JPS57208689A JPS57208689A (en) 1982-12-21
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01207194A (ja) * 1988-02-15 1989-08-21 Nippon Steel Corp 固定化担体を用いた活性汚泥処理方法
JPH02284696A (ja) * 1989-04-25 1990-11-22 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd 回分式活性汚泥処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013058277A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Renesas Electronics Corp 半導体装置

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JPS57208689A (en) 1982-12-21

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