JPS6053095A - はんだ接続加熱方法 - Google Patents
はんだ接続加熱方法Info
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- JPS6053095A JPS6053095A JP58160377A JP16037783A JPS6053095A JP S6053095 A JPS6053095 A JP S6053095A JP 58160377 A JP58160377 A JP 58160377A JP 16037783 A JP16037783 A JP 16037783A JP S6053095 A JPS6053095 A JP S6053095A
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- Japan
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- solder connection
- solder
- heat
- heating
- circuit board
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
- H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路素子（以下ＩＣと称す）を配
線等を有する回路基板に搭載して成る電子回路装置にお
いて、ＩＣｆｆ１回路基板にはんだ接続するに好適な加
熱方法に関する。
線等を有する回路基板に搭載して成る電子回路装置にお
いて、ＩＣｆｆ１回路基板にはんだ接続するに好適な加
熱方法に関する。
第１図〜第６図は従来のはんだ接続加熱方法の第１の例
を示す概略説明図である。この従来の第１の例のＩＣの
回路基板へのはんだ接続加熱方法においては、第１図に
示すように、回路基板１にＩＣ２をフラックスを塗って
仮付けした後、全体を熱源であるバッチ炉、ベルト炉。
を示す概略説明図である。この従来の第１の例のＩＣの
回路基板へのはんだ接続加熱方法においては、第１図に
示すように、回路基板１にＩＣ２をフラックスを塗って
仮付けした後、全体を熱源であるバッチ炉、ベルト炉。
あるいはウェーブソルダ上に通すことにより、はんだ６
を加熱して溶融させ、第２図に示すようなはんだ接続を
得ていた。なお、第１図の矢印は熱源からの熱の輻射方
向を示す。ところがこのような従来のはんだ接続加熱方
法にあっては、第３図に示すように、回路基板１が例え
ば液晶部５とガラス基板４．４′から構成される液晶表
示素子８である場合、ＩＣ２をこの液晶表示素子８には
んだ接続する際の加熱によって、液晶部５の温度も上昇
してし咬い、液晶の特性が劣化することが生じる欠点が
あった。
を加熱して溶融させ、第２図に示すようなはんだ接続を
得ていた。なお、第１図の矢印は熱源からの熱の輻射方
向を示す。ところがこのような従来のはんだ接続加熱方
法にあっては、第３図に示すように、回路基板１が例え
ば液晶部５とガラス基板４．４′から構成される液晶表
示素子８である場合、ＩＣ２をこの液晶表示素子８には
んだ接続する際の加熱によって、液晶部５の温度も上昇
してし咬い、液晶の特性が劣化することが生じる欠点が
あった。
寸だ、従来のはんだ接続加熱方法の第２の例として、第
４図に示すように、熱源に集光性の赤外線ラング６を用
い、接続すべきＩＣ２の上側から加熱するものがある。
４図に示すように、熱源に集光性の赤外線ラング６を用
い、接続すべきＩＣ２の上側から加熱するものがある。
なお、１０は支持台金示す。ところが、この方法におい
ては、ＩＣ２の上側から加熱を行なうため、ＩＣ２がは
んだろよりも速く温度上昇し、はんだろが溶融する前に
ＩＣ２が十分加熱されてしまい、ＩＣ２の特性の劣化が
生じる欠点があった。
ては、ＩＣ２の上側から加熱を行なうため、ＩＣ２がは
んだろよりも速く温度上昇し、はんだろが溶融する前に
ＩＣ２が十分加熱されてしまい、ＩＣ２の特性の劣化が
生じる欠点があった。
また、従来のはんだ接続加熱方法の第６の例としては、
第５図に示すように、接続すべきＩＣ２の下側から液晶
表示素子８のガラス基板４を介して赤外線ランプ６によ
り加熱する方法がある。しかしながら、この方法では、
赤外線に対するＩＣ２の吸収率がガラス基板４の吸収率
よりも大きいだめに、ガラス基板４の温度上昇によって
はんだ６が溶融する前に、ＩＣ２が赤外線の加熱により
温度上昇することにより、ＩＣ２の特性の劣化が生じる
という欠点があった。また、第５図に示すように、支持
台１ｏにより赤外線を遮蔽する場合は、接続すべきＩＣ
２の下部分のガラス基板４のみが赤外線ランプ６により
加熱されてし壕い、支持台１ｏにより遮蔽された加熱さ
れない他の部分のガラス基板４との間に熱による膨張差
が生じて該ガラス基板４が破壊してしまう欠点があった
。
第５図に示すように、接続すべきＩＣ２の下側から液晶
表示素子８のガラス基板４を介して赤外線ランプ６によ
り加熱する方法がある。しかしながら、この方法では、
赤外線に対するＩＣ２の吸収率がガラス基板４の吸収率
よりも大きいだめに、ガラス基板４の温度上昇によって
はんだ６が溶融する前に、ＩＣ２が赤外線の加熱により
温度上昇することにより、ＩＣ２の特性の劣化が生じる
という欠点があった。また、第５図に示すように、支持
台１ｏにより赤外線を遮蔽する場合は、接続すべきＩＣ
２の下部分のガラス基板４のみが赤外線ランプ６により
加熱されてし壕い、支持台１ｏにより遮蔽された加熱さ
れない他の部分のガラス基板４との間に熱による膨張差
が生じて該ガラス基板４が破壊してしまう欠点があった
。
さらに、従来技術の第４の例としては、第５図における
赤外線ランプ乙の代わりに、熱源としてホットガスブロ
ーや溶融した金属また（１合金を用いるものがある。し
かし、このような方法においても、液晶部５を保護する
ために該液晶部５を設けた部分のガラス基板４を支持台
１゜によｐ前記熱源からの輻射熱を遮蔽すると、ガラス
基板４において、加熱される部分と熱を遮蔽された部分
とで熱膨張差が生じ、ガラス基板４が破壊してし壕う欠
点があった。
赤外線ランプ乙の代わりに、熱源としてホットガスブロ
ーや溶融した金属また（１合金を用いるものがある。し
かし、このような方法においても、液晶部５を保護する
ために該液晶部５を設けた部分のガラス基板４を支持台
１゜によｐ前記熱源からの輻射熱を遮蔽すると、ガラス
基板４において、加熱される部分と熱を遮蔽された部分
とで熱膨張差が生じ、ガラス基板４が破壊してし壕う欠
点があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を解消し、Ｉ
Ｃを回路基板にはんだ接続する際に加熱を行なう熱源か
らの熱エネルギーを効率よく利用してＩＣを接続すべき
部分の回路基板の温度上昇全早め、ＩＣや液晶等の電子
回路部品の温度上昇を抑えて熱損傷全防止できるはんだ
接続加熱方法全提供するにある。
Ｃを回路基板にはんだ接続する際に加熱を行なう熱源か
らの熱エネルギーを効率よく利用してＩＣを接続すべき
部分の回路基板の温度上昇全早め、ＩＣや液晶等の電子
回路部品の温度上昇を抑えて熱損傷全防止できるはんだ
接続加熱方法全提供するにある。
この目的を達成するため、本開明は、ＩＣをはんだ接続
する面と反対側の回路基鈑の面に熱吸収板を密着させ、
この熱吸収板を介して加熱することを特徴とする。
する面と反対側の回路基鈑の面に熱吸収板を密着させ、
この熱吸収板を介して加熱することを特徴とする。
以下、本発明の実施例を第６図〜第９図をもとに説明す
る。
る。
第６図は本発明のはんだ接続加熱方法の第１の実施例を
示す概略説明図である。この図に示す本発明の第１の実
施例は、例えば黒鉛から成る熱吸収板７上に、ＩＣ２を
スラックス金塗って仮付けした回路基板例えば液晶表示
素子８を載置し、熱吸収板７の下方から集光性の赤外線
２ンプ６を照射するものである。なお、この場合、液晶
部５を図示しない任意の部材で覆って液晶部５へ照射さ
れる赤外線を遮蔽し、特性の劣化を防止する。このよう
な構成なので、本実施例においては、熱吸収板７にょっ
で赤外ａシンプロからの赤外線が吸収されてガラス基板
４の温度上昇が琴められ、ＩＣ２の温度が十分上昇する
前にはんだ６が溶融する。１だ、ガラス基板４は該基板
内で大きな温度差を生じることなく加熱される。したが
って、ＩＣ２の熱損傷およびガラス基板４の破壊を生じ
させることなく、ＩＣ２を液晶表示素子８に接続するこ
とができる。
示す概略説明図である。この図に示す本発明の第１の実
施例は、例えば黒鉛から成る熱吸収板７上に、ＩＣ２を
スラックス金塗って仮付けした回路基板例えば液晶表示
素子８を載置し、熱吸収板７の下方から集光性の赤外線
２ンプ６を照射するものである。なお、この場合、液晶
部５を図示しない任意の部材で覆って液晶部５へ照射さ
れる赤外線を遮蔽し、特性の劣化を防止する。このよう
な構成なので、本実施例においては、熱吸収板７にょっ
で赤外ａシンプロからの赤外線が吸収されてガラス基板
４の温度上昇が琴められ、ＩＣ２の温度が十分上昇する
前にはんだ６が溶融する。１だ、ガラス基板４は該基板
内で大きな温度差を生じることなく加熱される。したが
って、ＩＣ２の熱損傷およびガラス基板４の破壊を生じ
させることなく、ＩＣ２を液晶表示素子８に接続するこ
とができる。
第７図は本発明の第２の実施例を示す概略断面図である
。本実施例では、ＩＣ２が接続される部分のガラス基板
４の下面のみに熱吸収板７を設け、液晶部５が設けであ
るガラス基板４の下面は遮蔽部月１１によって赤外線を
遮蔽し、液晶部５の保護を図ったものである。いう才で
もなく、本実施例においても上記第１の実施例と同様の
作用、効果を奏する。
。本実施例では、ＩＣ２が接続される部分のガラス基板
４の下面のみに熱吸収板７を設け、液晶部５が設けであ
るガラス基板４の下面は遮蔽部月１１によって赤外線を
遮蔽し、液晶部５の保護を図ったものである。いう才で
もなく、本実施例においても上記第１の実施例と同様の
作用、効果を奏する。
第８図は本発明の第６の実施例を示す概略断面図である
。本実施例では、熱吸収板７に段差９が設けである。す
なわち、ＩＣ２が接続される部分のガラス基板４の裏側
に密着する熱吸収板７の部分の厚みが薄くしてあり、熱
から保護すべき液晶部５の下方の熱吸収板７０部分を厚
く（−２である。このような構成により赤外線の加熱に
よって液晶部５の特性が劣化するのを防止している。そ
の他の作用、効果は上記実施例と同様である。
。本実施例では、熱吸収板７に段差９が設けである。す
なわち、ＩＣ２が接続される部分のガラス基板４の裏側
に密着する熱吸収板７の部分の厚みが薄くしてあり、熱
から保護すべき液晶部５の下方の熱吸収板７０部分を厚
く（−２である。このような構成により赤外線の加熱に
よって液晶部５の特性が劣化するのを防止している。そ
の他の作用、効果は上記実施例と同様である。
第９図は本発明の第４の実施例を示す概略断面図である
。本実施例では、接続すべき複数のｌｒ２に対応して熱
吸収板７に複数の四部が設けており、かつ平面状赤外線
ヒータ１２によって加熱を行なうものである。このよう
な構成により、複数のＩＣ２のＪｔよんだ接続を一括し
て行なうことができる。
。本実施例では、接続すべき複数のｌｒ２に対応して熱
吸収板７に複数の四部が設けており、かつ平面状赤外線
ヒータ１２によって加熱を行なうものである。このよう
な構成により、複数のＩＣ２のＪｔよんだ接続を一括し
て行なうことができる。
ン耳１０図は本発明のｇ５の実施例を示す概略断面１剥
である。本実殉例では、図示のように熱吸収板７０段差
９に傾斜を付けたこと（心より、加熱叫のカラス基板４
の温朋勾配を緩和させ、部分的な膨張差に基因する該カ
ラス基板４の破壊を防止する。
である。本実殉例では、図示のように熱吸収板７０段差
９に傾斜を付けたこと（心より、加熱叫のカラス基板４
の温朋勾配を緩和させ、部分的な膨張差に基因する該カ
ラス基板４の破壊を防止する。
なお、本発明（ｌよ上記の九施例に限定されないことは
いう才でもない。すなわち、ｌｒよんだ接続を行なう熱
源として６寸、上記赤外線ランプやヒータ等の輻射手段
の他、対流手段であるホットガスプローや溶融し７た金
属捷たｒＪ：合金を用いても、上記赤外線ランプまたは
ヒータと同様な効果を得ることができるのは明らかであ
る。
いう才でもない。すなわち、ｌｒよんだ接続を行なう熱
源として６寸、上記赤外線ランプやヒータ等の輻射手段
の他、対流手段であるホットガスプローや溶融し７た金
属捷たｒＪ：合金を用いても、上記赤外線ランプまたは
ヒータと同様な効果を得ることができるのは明らかであ
る。
以上説明したように、本Ｗｖ明によれば、ＴＣの回路基
板への１（士んだ接続において、熱吸収板を介して加熱
を行なうことにより、熱エネルギーを効率よく利用し、
ＩＣ，液晶等の電子回路部品に熱損傷を力えずにかつ、
ａ板が破壊することなく、すみやかにはんだ接続を実現
できる効果がある。
板への１（士んだ接続において、熱吸収板を介して加熱
を行なうことにより、熱エネルギーを効率よく利用し、
ＩＣ，液晶等の電子回路部品に熱損傷を力えずにかつ、
ａ板が破壊することなく、すみやかにはんだ接続を実現
できる効果がある。
比１図〜第５図はそれぞれ従来のは−んだ接続加熱方法
の例を示ず概略説明図、第６Ｉ閃〜第１０図はそれぞれ
本発、明の第１〜第５の実施例を示す概略酸、開園であ
る。 １・・・回路基板 ２・・ＩＣ ろ・・・はんだ ４．／Ｉ’・・・ガラス基板５・・・
液晶部 ６・赤外線ランプ ７・・・熱吸収板 ８・・・液晶表示素子９・・・段差
１０・支持台 １１・・・遮蔽部４Ａ１２・・・赤外線ヒータ兜１図 〒２ス 第５尼
の例を示ず概略説明図、第６Ｉ閃〜第１０図はそれぞれ
本発、明の第１〜第５の実施例を示す概略酸、開園であ
る。 １・・・回路基板 ２・・ＩＣ ろ・・・はんだ ４．／Ｉ’・・・ガラス基板５・・・
液晶部 ６・赤外線ランプ ７・・・熱吸収板 ８・・・液晶表示素子９・・・段差
１０・支持台 １１・・・遮蔽部４Ａ１２・・・赤外線ヒータ兜１図 〒２ス 第５尼
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体集積回路素子と回路基板との間にはんだを介
在させて熱源により加熱することにより前記半導体集積
回路素子を前記回路基板にはんだ接続するはんだ接続加
熱方法において、前記半導体集積回路素子をはんだ接続
する面と反対側の前記回路基板の面に熱吸収板を密着さ
せ該熱吸収板を介して前記加熱を行なうことを特徴とす
るはんだ接続加熱方法。 ２、前記半導体集積回路素子をはんだ接続する前記回路
基板の箇所に対応する前記熱吸収板の部分の厚みを薄く
し、その他の部分の厚みを厚くする段差を設けたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のはんだ接続加熱
方法。 ６、前記熱源として、赤外線輻射あるいはホットガスプ
ローあるいは溶融した金属または合金を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のはんだ接続加熱方
法。 ４、前記段差に傾斜を付けたことを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載のはんだ接続加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160377A JPS6053095A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | はんだ接続加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160377A JPS6053095A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | はんだ接続加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6053095A true JPS6053095A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15713646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160377A Pending JPS6053095A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | はんだ接続加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053095A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01180779A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-18 | Maruchiyuu:Kk | 加熱溶着方法 |
| JPH02154438A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Seiko Instr Inc | フリップチップボンディング方法 |
| JP2011152500A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 静電霧化装置 |
| WO2019065473A1 (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-04 | 株式会社新川 | 実装装置および製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5426476A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-28 | Fujitsu Ltd | Reflow solder dipping device |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP58160377A patent/JPS6053095A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5426476A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-28 | Fujitsu Ltd | Reflow solder dipping device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01180779A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-18 | Maruchiyuu:Kk | 加熱溶着方法 |
| JPH02154438A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Seiko Instr Inc | フリップチップボンディング方法 |
| JP2011152500A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 静電霧化装置 |
| WO2019065473A1 (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-04 | 株式会社新川 | 実装装置および製造方法 |
| TWI690036B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-04-01 | 日商新川股份有限公司 | 封裝裝置以及半導體裝置的製造方法 |
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