JPS6052056A - 半導体サイリスタ - Google Patents
半導体サイリスタInfo
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- JPS6052056A JPS6052056A JP15980883A JP15980883A JPS6052056A JP S6052056 A JPS6052056 A JP S6052056A JP 15980883 A JP15980883 A JP 15980883A JP 15980883 A JP15980883 A JP 15980883A JP S6052056 A JPS6052056 A JP S6052056A
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- JP
- Japan
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- cathode electrode
- chip
- thyristor
- emitter
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41716—Cathode or anode electrodes for thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体サイリスタ、特に平形サイリスタに関す
る・ 第１図は従来の平形サイリスタのサンドイッチ構造図で
あって、例えばＮ形シリコン単結晶基板の両面からアク
セプタ不純物、例えばＧａｖ熱拡散して、Ｐベース２．
Ｐエミッタ３、及びＮペース１（単結晶基板を用いる）
を形成し、次にＰベース側から、ドナー不純物、例えば
リンを選択拡散することによｐ、Ｎエミッタ４を形成し
、この時、Ｎエミッタ内に多数のＰペース露出部５を形
成し、サイリスタチップを製造する。このようにして製
造したサイリスタチップにアノード電極６、カソード電
極７．ゲート電極８を例えばアルミニウムの蒸着により
設け、熱膨張係数の等しい１対の熱補強板９．１０の間
にろう付けし、サンドイッチを構成する。
る・ 第１図は従来の平形サイリスタのサンドイッチ構造図で
あって、例えばＮ形シリコン単結晶基板の両面からアク
セプタ不純物、例えばＧａｖ熱拡散して、Ｐベース２．
Ｐエミッタ３、及びＮペース１（単結晶基板を用いる）
を形成し、次にＰベース側から、ドナー不純物、例えば
リンを選択拡散することによｐ、Ｎエミッタ４を形成し
、この時、Ｎエミッタ内に多数のＰペース露出部５を形
成し、サイリスタチップを製造する。このようにして製
造したサイリスタチップにアノード電極６、カソード電
極７．ゲート電極８を例えばアルミニウムの蒸着により
設け、熱膨張係数の等しい１対の熱補強板９．１０の間
にろう付けし、サンドイッチを構成する。
このようにして構成されたサンドイッチの表面電界強度
を下げるためにボディティブもしくはネガティブにチッ
プ周辺部をベベルカットし、さらに、ベベルカット時の
チップ周辺部の損傷を取り除くために、混酸によシチッ
プ周辺部を２０μ〜３０μエツチングしている。ところ
が、このような構造の場合、前記エツチング後において
上部熱補強板の周辺部の局部的温度上昇によ）チップの
補強板周辺部が局部的に、異常エツチングされ、第２図
に示すような形状となシ、降服電圧の低下、及び耐圧劣
下の小回となる・本発明の目的は降服電圧の低下や耐圧
の劣化のない半導体サイリスタを得ることにある。
を下げるためにボディティブもしくはネガティブにチッ
プ周辺部をベベルカットし、さらに、ベベルカット時の
チップ周辺部の損傷を取り除くために、混酸によシチッ
プ周辺部を２０μ〜３０μエツチングしている。ところ
が、このような構造の場合、前記エツチング後において
上部熱補強板の周辺部の局部的温度上昇によ）チップの
補強板周辺部が局部的に、異常エツチングされ、第２図
に示すような形状となシ、降服電圧の低下、及び耐圧劣
下の小回となる・本発明の目的は降服電圧の低下や耐圧
の劣化のない半導体サイリスタを得ることにある。
本発明によれば、このような不都合を取シ除くために、
チップの熱補強板周辺部にカソード電極周辺部と重複す
るように絶縁層を設け、カソード電極周辺部と絶縁層に
よりチップの上部熱補強板の周辺部を保護し、局部的異
常エツチングを防止した半導体サイリスタを得る。
チップの熱補強板周辺部にカソード電極周辺部と重複す
るように絶縁層を設け、カソード電極周辺部と絶縁層に
よりチップの上部熱補強板の周辺部を保護し、局部的異
常エツチングを防止した半導体サイリスタを得る。
次に図面を参照して本発ＢＡ＝ｆ−，１詳ＭＢに説明す
る。
る。
第３図は、本発明の一実施例によるサイリスタチップを
示すもので、Ｎ形シリコン単結晶基板の両面から、アク
セプタ不純物、例えばＧａを熱拡散シて、Ｐベース】２
、Ｐエミッタ１３を形成し、単結晶基板そのものはＮペ
ース１１とし、次にＰベース側からドナー不純物である
例えばリンを選択拡散することによシ％Ｎエミッタ１４
を形成する。この時、Ｎエミッタ１４内に多数のＰペー
ス露出部１５を形成する。このようにしてサイリスタチ
ップを製造する。次に、チップ周辺部に絶縁層、例えば
Ｓ１０．膜１６を形成し、アノード電極１７、絶縁層１
６と周辺部が重複しているカソード電極１８、及びゲー
ト電極１９を例えばアルミニウムの蒸着によシ設け、熱
膨張係数の等しい１対の補強板２０．２１の間にろう付
けしてサンドインチ構造を形成する。このようにして構
成されたサンドイッチ構造の周辺部をボディティプ、ネ
ガティブにベベルカットした構造とする。
示すもので、Ｎ形シリコン単結晶基板の両面から、アク
セプタ不純物、例えばＧａを熱拡散シて、Ｐベース】２
、Ｐエミッタ１３を形成し、単結晶基板そのものはＮペ
ース１１とし、次にＰベース側からドナー不純物である
例えばリンを選択拡散することによシ％Ｎエミッタ１４
を形成する。この時、Ｎエミッタ１４内に多数のＰペー
ス露出部１５を形成する。このようにしてサイリスタチ
ップを製造する。次に、チップ周辺部に絶縁層、例えば
Ｓ１０．膜１６を形成し、アノード電極１７、絶縁層１
６と周辺部が重複しているカソード電極１８、及びゲー
ト電極１９を例えばアルミニウムの蒸着によシ設け、熱
膨張係数の等しい１対の補強板２０．２１の間にろう付
けしてサンドインチ構造を形成する。このようにして構
成されたサンドイッチ構造の周辺部をボディティプ、ネ
ガティブにベベルカットした構造とする。
上記実施例から、明らかなように、本発明によればカソ
ード電極周辺部と重複する絶縁層と、カソード電極の周
辺部によシ、チップの上部補強板周辺の異常エツチング
をなくすることができ、耐圧劣化を防止することができ
る。
ード電極周辺部と重複する絶縁層と、カソード電極の周
辺部によシ、チップの上部補強板周辺の異常エツチング
をなくすることができ、耐圧劣化を防止することができ
る。
第１図は従来の平形サイリスタのベベルカット後のサン
ドイッチ構造の断面図である・第２図は従来の平形サイ
リスタのエツチング後のサンドイッチ構造の断面図であ
る。第３図は本発明の一実施例によるサイリスタチップ
構造の断面図である・ １・・・・・・Ｎペース、２・・・・・・Ｐペース、３
・・・・・・Ｐエミッタ、４・・・・・・Ｎエミッタ、
５・・・・・・Ｐエミッタ露出部、６・・・・・・アノ
ード電極、７・・・・・・カソード電極、８・・・・・
・ゲート電極、９・・・・・・アノード側熱補強板、１
０・・・・・・カソード側熱補強板、１１・・・・・・
Ｎペース、１２・・・・・・Ｐベース、１３・・・・・
・Ｐエミッタ、１４・・・・・・Ｎエミッタ％１５・・
・・・・Ｐエミッタ露出部、１６・・・・・・絶縁層、
１７・・・・・・アノード電極、１８・・・・・・カソ
ード電極、１９・・・・・・ゲート電極、２０・・・・
・・アノード側補強板、２１・・・・・・カソード側補
強板。 ５−
ドイッチ構造の断面図である・第２図は従来の平形サイ
リスタのエツチング後のサンドイッチ構造の断面図であ
る。第３図は本発明の一実施例によるサイリスタチップ
構造の断面図である・ １・・・・・・Ｎペース、２・・・・・・Ｐペース、３
・・・・・・Ｐエミッタ、４・・・・・・Ｎエミッタ、
５・・・・・・Ｐエミッタ露出部、６・・・・・・アノ
ード電極、７・・・・・・カソード電極、８・・・・・
・ゲート電極、９・・・・・・アノード側熱補強板、１
０・・・・・・カソード側熱補強板、１１・・・・・・
Ｎペース、１２・・・・・・Ｐベース、１３・・・・・
・Ｐエミッタ、１４・・・・・・Ｎエミッタ％１５・・
・・・・Ｐエミッタ露出部、１６・・・・・・絶縁層、
１７・・・・・・アノード電極、１８・・・・・・カソ
ード電極、１９・・・・・・ゲート電極、２０・・・・
・・アノード側補強板、２１・・・・・・カソード側補
強板。 ５−
Claims (1)
- ＰＮＰＮの連続した相隣接する４層を有する半導体チッ
プが第１の主面にアノード電極を又第２の主面にゲート
電極とカソード電極とを具備し、１対の熱補強板の間に
ろう付けされ、さらに１対の放熱体により、加圧接触さ
れてなるサイリスタにおいて、前記半導体チップの前記
カソード電極側の熱補強板周辺部に、前記カソード電極
周辺部と重なる絶縁膜を有することを特徴とする半導体
サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980883A JPS6052056A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15980883A JPS6052056A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体サイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052056A true JPS6052056A (ja) | 1985-03-23 |
Family
ID=15701703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15980883A Pending JPS6052056A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052056A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347253A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 繰出機自動紙継装置 |
| CN102629510A (zh) * | 2011-02-04 | 2012-08-08 | 株式会社鹭宫制作所 | 模制线圈及使用模制线圈的电磁阀 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP15980883A patent/JPS6052056A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347253A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 繰出機自動紙継装置 |
| CN102629510A (zh) * | 2011-02-04 | 2012-08-08 | 株式会社鹭宫制作所 | 模制线圈及使用模制线圈的电磁阀 |
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