JPS6051262B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6051262B2 JPS6051262B2 JP1671377A JP1671377A JPS6051262B2 JP S6051262 B2 JPS6051262 B2 JP S6051262B2 JP 1671377 A JP1671377 A JP 1671377A JP 1671377 A JP1671377 A JP 1671377A JP S6051262 B2 JPS6051262 B2 JP S6051262B2
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- Japan
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- polyethylene
- fluorine
- layer
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、信頼性の高い保護膜を有する半導体装置に関
する。
する。
一般に、半導体装置では、その表面に保護膜を形成する
ことが行なわれていて、その保護膜の材料としては燐硅
酸ガラス（ＰＳＧ）が多用されている。
ことが行なわれていて、その保護膜の材料としては燐硅
酸ガラス（ＰＳＧ）が多用されている。
しかしながら、燐硅酸ガラス膜は耐水性の点で充分な性
能を有しているとは言い難い。特に、高湿中では、燐が
水分に依つて溶出し、例えばボンディング・パッドに於
ける電極・配線金属を腐蝕する欠点がある。本発明は、
半導体装置の保護膜或いは絶縁膜として、弗素系樹脂及
びポリエチレンの膜を用いて前記従来技術の欠点を解消
しようとするものであり、以下これを詳細に説明する。
能を有しているとは言い難い。特に、高湿中では、燐が
水分に依つて溶出し、例えばボンディング・パッドに於
ける電極・配線金属を腐蝕する欠点がある。本発明は、
半導体装置の保護膜或いは絶縁膜として、弗素系樹脂及
びポリエチレンの膜を用いて前記従来技術の欠点を解消
しようとするものであり、以下これを詳細に説明する。
本発明では、燐硅酸ガラス膜の代り、或いはその上にポ
リエチレン膜と弗素系樹脂膜の２層を形成するものてあ
る。
リエチレン膜と弗素系樹脂膜の２層を形成するものてあ
る。
弗素系樹脂は、燐硅酸ガラスに比較し、耐湿性、耐薬品
性、電気的特性全ての面に亘り優れていて、勿論、成分
物質が水分に依つて溶け出すこともない。
性、電気的特性全ての面に亘り優れていて、勿論、成分
物質が水分に依つて溶け出すこともない。
しかしながら、半導体ウェハ表面、ガラス等に対する密
着性は良くない。そこで、本発明では半導体ウェハと弗
素系樹脂膜との間にポリエチレン膜を介在させて密着性
を向上させている。即ち、ポリエチレン膜は、半導体ウ
ェハに対して密着性が良好であり、かつ弗素系樹脂膜に
連続的に変化てきるため該弗素系樹脂膜とポリエチレン
膜との間には境界を生せす密着性は良好てある。ところ
で、ポリエチレン膜にせよ、弗素系樹脂膜にせよ、半導
体ウェハ上に塗布に依つて形成することは甚だ困難てあ
る。
着性は良くない。そこで、本発明では半導体ウェハと弗
素系樹脂膜との間にポリエチレン膜を介在させて密着性
を向上させている。即ち、ポリエチレン膜は、半導体ウ
ェハに対して密着性が良好であり、かつ弗素系樹脂膜に
連続的に変化てきるため該弗素系樹脂膜とポリエチレン
膜との間には境界を生せす密着性は良好てある。ところ
で、ポリエチレン膜にせよ、弗素系樹脂膜にせよ、半導
体ウェハ上に塗布に依つて形成することは甚だ困難てあ
る。
そこで、本発明では、それ等皮膜をプラズマ重合に依つ
て形成している。
て形成している。
プラズマ重合は、例えば０．１〜１〔Ｔｏｒｒ〕に排気
した反応室内に皮膜が形成されるウェハを配置し、所定
のガスを通流させながら、反応室内に対向設置された電
極或いは反応室に巻回された電極に交流或いは高周波を
加えてグロー放電を発生させることに依りウェハ上に所
望の皮膜を均質に形Ｊ成するものである。
した反応室内に皮膜が形成されるウェハを配置し、所定
のガスを通流させながら、反応室内に対向設置された電
極或いは反応室に巻回された電極に交流或いは高周波を
加えてグロー放電を発生させることに依りウェハ上に所
望の皮膜を均質に形Ｊ成するものである。
反応室に通流させるガスとしては、
弗素系樹脂の場合
（１）弗素炭素系物質のガス或いはそれ等ガスの混合ガ
ス丁（２）無機弗化物と炭化水素系物の混合ガス或いは
それ等の混合物に水素（Ｈｏ）、窒素（Ｎｏ）、アルゴ
ン（Ａｒ）等のガスを加えたもの等を使用して良く、 ポリエチレンの場合 脂肪族炭化水素及びそのガスとの混合物 を使用して良い。
ス丁（２）無機弗化物と炭化水素系物の混合ガス或いは
それ等の混合物に水素（Ｈｏ）、窒素（Ｎｏ）、アルゴ
ン（Ａｒ）等のガスを加えたもの等を使用して良く、 ポリエチレンの場合 脂肪族炭化水素及びそのガスとの混合物 を使用して良い。
従つて、ポリエチレン膜を形成してから、弗素系樹脂膜
を形成するには、反応室に通流させるガスの成分を変更
するのみで、連続的に形成でき、その場合、ポリエチレ
ン膜が次第に弗素系樹脂膜に変化するようにできる。
を形成するには、反応室に通流させるガスの成分を変更
するのみで、連続的に形成でき、その場合、ポリエチレ
ン膜が次第に弗素系樹脂膜に変化するようにできる。
尚、ポリエチレンは耐熱性が低い点で問題が在るように
思われようが、プラズマ重合に依つて形成されたポリエ
チレン膜は高分子の結合がリンク状になるので、耐熱性
は著しく向上する。この点は弗素系樹脂も同様である。
次に、本発明に依り、半導体装置上に保護膜を形成する
場合の具体例を説明する。第１図に示される如く、半導
体基板１１中に所望の領域１２が形成され、該領域１２
上を含む半導体基板１１表面を覆う二酸化シリコン（Ｓ
ｌＯ２）等の絶縁皮膜１３に設けられた電極窓を介して
、該絶縁皮膜１３上に導出されたアルミニ，ウム電極１
４を有する半導体素子を準備した。
思われようが、プラズマ重合に依つて形成されたポリエ
チレン膜は高分子の結合がリンク状になるので、耐熱性
は著しく向上する。この点は弗素系樹脂も同様である。
次に、本発明に依り、半導体装置上に保護膜を形成する
場合の具体例を説明する。第１図に示される如く、半導
体基板１１中に所望の領域１２が形成され、該領域１２
上を含む半導体基板１１表面を覆う二酸化シリコン（Ｓ
ｌＯ２）等の絶縁皮膜１３に設けられた電極窓を介して
、該絶縁皮膜１３上に導出されたアルミニ，ウム電極１
４を有する半導体素子を準備した。
該半導体素子を反応処理装置内へ配置した後、該反応処
理装置内を０．２〔ＴＯｒｒ〕程の圧力とし、該反応処
理装置内へ下記（１）、（２）のガスを導入して、３０
ＣＷ〕程の商用周波数電源あるいは高周波ノ電源を用い
てグロー放電させ、前記半導体素子上に厚さ８０００Ｃ
Ａ〕程の樹脂皮膜を形成した。まず（１）のガスを１分
間導入し、半導体素子上に３厚さ４００〔Ａ〕のポリエ
チレン層を形成し、次の１分間に（１）のガスから（２
）のガスへ除々に変換して前記ポリエチレン層上に厚さ
４００〔Ａ〕のポリエチレンー４弗化樹脂混合層を形成
し、更に（２）のガスのみを用いて１８分間処理を行な
い前記ポリエチ３レンー４弗化樹脂混合層上に厚さ７２
００ＣＡ〕の４弗化樹脂層を形成した。このようにして
形成された樹脂層に対し、フォト・レジストをマスクと
してイオンエッチングを行ない、前記電極１４上を覆う
樹脂層の一部に、該電極１４に外部導出用リード線が接
続される開口を形成する。
理装置内を０．２〔ＴＯｒｒ〕程の圧力とし、該反応処
理装置内へ下記（１）、（２）のガスを導入して、３０
ＣＷ〕程の商用周波数電源あるいは高周波ノ電源を用い
てグロー放電させ、前記半導体素子上に厚さ８０００Ｃ
Ａ〕程の樹脂皮膜を形成した。まず（１）のガスを１分
間導入し、半導体素子上に３厚さ４００〔Ａ〕のポリエ
チレン層を形成し、次の１分間に（１）のガスから（２
）のガスへ除々に変換して前記ポリエチレン層上に厚さ
４００〔Ａ〕のポリエチレンー４弗化樹脂混合層を形成
し、更に（２）のガスのみを用いて１８分間処理を行な
い前記ポリエチ３レンー４弗化樹脂混合層上に厚さ７２
００ＣＡ〕の４弗化樹脂層を形成した。このようにして
形成された樹脂層に対し、フォト・レジストをマスクと
してイオンエッチングを行ない、前記電極１４上を覆う
樹脂層の一部に、該電極１４に外部導出用リード線が接
続される開口を形成する。
この状態を第２図に示す。
同図において、１５はポリエチレン層、−１６はポリエ
チレンー４弗化ノ樹脂混合層、１７は４弗化樹脂層、１
８は開口、１９は外部導出用リード線である。このよう
な本発明に係る保護膜あるいは絶縁膜は、電極材料ある
いは絶縁皮膜との密着性が良く、ピンセット等で接して
も傷が生ずるだけであつて、剥離は全く生じなかつた。
チレンー４弗化ノ樹脂混合層、１７は４弗化樹脂層、１
８は開口、１９は外部導出用リード線である。このよう
な本発明に係る保護膜あるいは絶縁膜は、電極材料ある
いは絶縁皮膜との密着性が良く、ピンセット等で接して
も傷が生ずるだけであつて、剥離は全く生じなかつた。
またこのような半導体素子を高湿試験した楊合、従来の
如く燐硅酸ガラスを保護膜とするものにあつては燐の溶
出により電極が腐蝕されるが、本発明によればこのよう
な現象の発生は皆無であつた。なお、電極層１４上に更
に第２層目の配線を形成する際には、前記４弗化樹脂層
上にポリエチレン層を形成すれは該第２層目の配線層の
密着性を大幅に改善することができる。
如く燐硅酸ガラスを保護膜とするものにあつては燐の溶
出により電極が腐蝕されるが、本発明によればこのよう
な現象の発生は皆無であつた。なお、電極層１４上に更
に第２層目の配線を形成する際には、前記４弗化樹脂層
上にポリエチレン層を形成すれは該第２層目の配線層の
密着性を大幅に改善することができる。
以上の説明で判るように、本発明に依れば、保護膜或い
は絶縁膜として、ポリエチレン膜及び弗素系樹脂膜の２
層構造を有する半導体装置が得られ、その皮膜は、耐湿
性、耐薬品性、電気的特性に優れ、半導体ウェハとの密
着性も良好であるから、半導体装置の信頼性は向上する
。
は絶縁膜として、ポリエチレン膜及び弗素系樹脂膜の２
層構造を有する半導体装置が得られ、その皮膜は、耐湿
性、耐薬品性、電気的特性に優れ、半導体ウェハとの密
着性も良好であるから、半導体装置の信頼性は向上する
。
第１図、第２図は本発明による半導体装置の製造過程を
示す断面図である。 図面において、１５はポリエチレン層、１６はポリエチ
レンー４弗化樹脂混合層、１７は４弗化樹脂混合層てあ
る。
示す断面図である。 図面において、１５はポリエチレン層、１６はポリエチ
レンー４弗化樹脂混合層、１７は４弗化樹脂混合層てあ
る。
Claims (1)
- １ 保護膜或いは絶縁膜として、プラズマ重合で形成さ
れたポリエチレン膜及びその上の弗素系樹脂膜の２層か
らなる皮膜を有してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1671377A JPS6051262B2 (ja) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1671377A JPS6051262B2 (ja) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53101979A JPS53101979A (en) | 1978-09-05 |
| JPS6051262B2 true JPS6051262B2 (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=11923899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1671377A Expired JPS6051262B2 (ja) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051262B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617024A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPH0821579B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1996-03-04 | 旭硝子株式会社 | 半導体素子・集積回路装置 |
| JP2010062276A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Brother Ind Ltd | 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
| KR101623956B1 (ko) | 2010-01-15 | 2016-05-24 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
-
1977
- 1977-02-17 JP JP1671377A patent/JPS6051262B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53101979A (en) | 1978-09-05 |
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