JPH01312870A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01312870A JPH01312870A JP14148988A JP14148988A JPH01312870A JP H01312870 A JPH01312870 A JP H01312870A JP 14148988 A JP14148988 A JP 14148988A JP 14148988 A JP14148988 A JP 14148988A JP H01312870 A JPH01312870 A JP H01312870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen concentration
- titanium nitride
- film
- etching
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 27
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 210000000496 pancreas Anatomy 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係り、特に信頼性の高い半導体
装置に関する。
装置に関する。
従来、窒化チタンをバリヤ層等に用いた半導体装置では
、テクニカル ダイジェスト シンポジウム オン Ｖ
ＬＳＩ チク／ロジー、Ｖ−４５５頁−５６頁（１９
８６） （Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ Ｓｙ
ｍｐｏｓｊｕｍｏｎ ＶＬＳ ｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ Ｖ ４＋ Ｐｐ、５５ ５６（１９８６） ）に
述べられているように、窒化チタンが多量の酸素を含ん
でいる程耐熱性が優れていると考えられているため、窒
化チタン膜中へ酸素を取り込む工夫がなされてきた。
、テクニカル ダイジェスト シンポジウム オン Ｖ
ＬＳＩ チク／ロジー、Ｖ−４５５頁−５６頁（１９
８６） （Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ Ｓｙ
ｍｐｏｓｊｕｍｏｎ ＶＬＳ ｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ Ｖ ４＋ Ｐｐ、５５ ５６（１９８６） ）に
述べられているように、窒化チタンが多量の酸素を含ん
でいる程耐熱性が優れていると考えられているため、窒
化チタン膜中へ酸素を取り込む工夫がなされてきた。
上記従来技術は、窒化チタン膜の加工については配慮さ
れておらず、半導体製造プロセスにおいて窒化チタン膜
のドライエツチング速度が遅いという問題があった。
れておらず、半導体製造プロセスにおいて窒化チタン膜
のドライエツチング速度が遅いという問題があった。
窒化チタン膜は導電層として用いられ、加工の際は、下
地の絶縁膜（通常はＳｉｏ２を主成分とするものが多い
）とのエツチング速度の比（選択比）が重要である。半
導体素子は表面起伏によって部分的に窒化チタンの膜厚
が異なるため、場所によってエツチングの所要時間が異
なり、膜厚の薄い部分はエツチングが先に終了し、下地
絶縁１！ケがエツチングされでしまう。すへての場所で
の窒化チタン膜のエツチングが終了し、下地絶縁膜のエ
ツチングはを少なくするには、窒化チタン膜と絶縁膜の
選択比をできるだけ大きくする必要がある。
地の絶縁膜（通常はＳｉｏ２を主成分とするものが多い
）とのエツチング速度の比（選択比）が重要である。半
導体素子は表面起伏によって部分的に窒化チタンの膜厚
が異なるため、場所によってエツチングの所要時間が異
なり、膜厚の薄い部分はエツチングが先に終了し、下地
絶縁１！ケがエツチングされでしまう。すへての場所で
の窒化チタン膜のエツチングが終了し、下地絶縁膜のエ
ツチングはを少なくするには、窒化チタン膜と絶縁膜の
選択比をできるだけ大きくする必要がある。
これが微細なパターンを精度良く加工することをｎ）能
にする。選択比が小さいと、下地のエツチング敏を抑え
るために部分的にエツチング不足が生したりして、リー
ク、短絡等を起こす。
にする。選択比が小さいと、下地のエツチング敏を抑え
るために部分的にエツチング不足が生したりして、リー
ク、短絡等を起こす。
本発明の目的は、加工性に優れた窒化チタン膜を有する
半導体装置を提供することにある。
半導体装置を提供することにある。
Ｉ−記［−１的は、窒化チタン膜を有する半導体装置に
おいて、上記窒化チタン膜の少なくとも一部は膜中の酸
素１度が１一原子％以下であることを特徴とする半導体
装置によって達成される。
おいて、上記窒化チタン膜の少なくとも一部は膜中の酸
素１度が１一原子％以下であることを特徴とする半導体
装置によって達成される。
従来、窒化チタン１摸中の酸素、農度と膜質との関係は
、酸１度が数％以」二の領域で検討されていた。例えば
、アプライド フィジカル レター・１７を（５）４７
１〜４７３頁（＋９８５） （Ａρρ１．Ｐｈｙｓ。
、酸１度が数％以」二の領域で検討されていた。例えば
、アプライド フィジカル レター・１７を（５）４７
１〜４７３頁（＋９８５） （Ａρρ１．Ｐｈｙｓ。
１、、ｅｔｔ、 ／３７． （５） ４７１−４７３
（１９８５） ）には、ベースプレッシャ＜ ｌ Ｘ
１Ｏ−８Ｔｏｒｒ、排気速度０．１ｎｍ／ｍｉｎの条件
で窒化チタン膜を製造した例が記載されているが、この
場合の酸素濃度は２％でと排気速度との値から酸素濃度
は数％△の値であると思われる。
（１９８５） ）には、ベースプレッシャ＜ ｌ Ｘ
１Ｏ−８Ｔｏｒｒ、排気速度０．１ｎｍ／ｍｉｎの条件
で窒化チタン膜を製造した例が記載されているが、この
場合の酸素濃度は２％でと排気速度との値から酸素濃度
は数％△の値であると思われる。
酸素濃度を減少させた窒化チタン膜は、蒸着又はスパッ
タ雰囲気中の酸素濃度を抑制することで製造することが
可能である。スパッタリングにおいて通常ベースプレッ
シャは≦Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒとすることが好まし
い。これは装置の真空系にメタルシールを採用したり、
配管を短くし、内面を鏡面仕上げにする等の方法により
可能である。また、窒化チタン膜を形成する基板に負バ
イアスを印加することが好ましい。この方法で膜中の酸
素濃度を更に減少させることができる。しかしバイアス
電圧の値が大きいと高応力化の問題が生しる。窒化チタ
ン膜の応力はＩＧＰａ以下であることが好ましい。これ
以上の応力が存在すると、膜にクラックが入ったり、膜
が剥離したりする。そのためバイアス電圧の値はあまり
大きくない方が好ましい。
タ雰囲気中の酸素濃度を抑制することで製造することが
可能である。スパッタリングにおいて通常ベースプレッ
シャは≦Ｉ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒとすることが好まし
い。これは装置の真空系にメタルシールを採用したり、
配管を短くし、内面を鏡面仕上げにする等の方法により
可能である。また、窒化チタン膜を形成する基板に負バ
イアスを印加することが好ましい。この方法で膜中の酸
素濃度を更に減少させることができる。しかしバイアス
電圧の値が大きいと高応力化の問題が生しる。窒化チタ
ン膜の応力はＩＧＰａ以下であることが好ましい。これ
以上の応力が存在すると、膜にクラックが入ったり、膜
が剥離したりする。そのためバイアス電圧の値はあまり
大きくない方が好ましい。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、窒化チタンを形成する基板
に印加するバイアス電圧の値を変化させた場合のＡ Ｅ
Ｓによって訓電した窒化チタン膜中の酸素濃度とその
応力を示す。曲線ａはスパッタリング中の装置の排気速
度を小さくシ、約］ＯｍＴｏｒｒの気体中で成膜した場
合の値である。また点しは同しく排気速度を大きくし、
約１ｍＴｏｒｒの条件とした場合の値である。曲線ａに
示されるように負のバイアス電圧の値を大きくすること
により、膜中酸素１虐度の小さい窒化チタン膜を得るこ
とができるが、その応力は増加する。しかし例えば排気
速度を変えることにより、応力がそれ程大きくなく低酸
素、ｆＡ度の膜を得ることができる。なお。
に印加するバイアス電圧の値を変化させた場合のＡ Ｅ
Ｓによって訓電した窒化チタン膜中の酸素濃度とその
応力を示す。曲線ａはスパッタリング中の装置の排気速
度を小さくシ、約］ＯｍＴｏｒｒの気体中で成膜した場
合の値である。また点しは同しく排気速度を大きくし、
約１ｍＴｏｒｒの条件とした場合の値である。曲線ａに
示されるように負のバイアス電圧の値を大きくすること
により、膜中酸素１虐度の小さい窒化チタン膜を得るこ
とができるが、その応力は増加する。しかし例えば排気
速度を変えることにより、応力がそれ程大きくなく低酸
素、ｆＡ度の膜を得ることができる。なお。
スパッタ中の圧力、バイアス電圧の絶対値は、スパッタ
装置に依存した値であり１個々の装［ｉ？？である程度
変化する。
装置に依存した値であり１個々の装［ｉ？？である程度
変化する。
１″作 用〕
本発明において、窒化チタン膜のトライエツチング性が
向」ニする理由は明確ではないが一応次のように考えら
れる。窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ ）膜中で酸素はおそら
＜Ｔｉと結合した形をとっているであろう。Ｔ ｉ −
０結合は非常に強く、エツチング性ヌによって供給され
るＦ、Ｃ１ｌとＴｉとの結合より勝るため、化学的な反
応による結合切断すなわちエツチングが進みにくい。ま
た物理的なスパッタ率も一般に酸化物は低く、このスパ
ッタ効果によるエツチングも進みにくいと思われる。従
って低酸素濃度の窒化チタン膜は科学的にも物理的にも
エツチングされにくい酸化物が少ないため、トライエツ
チング性が向上するのであろう。
向」ニする理由は明確ではないが一応次のように考えら
れる。窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ ）膜中で酸素はおそら
＜Ｔｉと結合した形をとっているであろう。Ｔ ｉ −
０結合は非常に強く、エツチング性ヌによって供給され
るＦ、Ｃ１ｌとＴｉとの結合より勝るため、化学的な反
応による結合切断すなわちエツチングが進みにくい。ま
た物理的なスパッタ率も一般に酸化物は低く、このスパ
ッタ効果によるエツチングも進みにくいと思われる。従
って低酸素濃度の窒化チタン膜は科学的にも物理的にも
エツチングされにくい酸化物が少ないため、トライエツ
チング性が向上するのであろう。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
実施例 １
Ｓ ｉｏ２膜上に、種々の酸素濃度のＴｉＮ膜を形成し
た。酸素濃度の制御は、成膵時の装置の排気速度を変化
させ、雰囲気の混合気体（Ａｒ、 Ｎ２）の圧力を変化
させると共に、基板に負のバイアス電圧を印加し、その
電圧を変化させて行なった。
た。酸素濃度の制御は、成膵時の装置の排気速度を変化
させ、雰囲気の混合気体（Ａｒ、 Ｎ２）の圧力を変化
させると共に、基板に負のバイアス電圧を印加し、その
電圧を変化させて行なった。
酸素濃度０．６原子％のＴｉＮ膜は、１０ｍＴｏｒｒの
雰囲気でバイアス電圧−７５Ｖで成膜して得た。これら
の膜のエツチング速度を第２図に示す。エツチング条件
は、エツチングガス：８０誌、、 ＣＦ、、 ０２（容
積比；１００：２０： １） 、ガス圧：約０．ＩＴｏ
ｒｒ。
雰囲気でバイアス電圧−７５Ｖで成膜して得た。これら
の膜のエツチング速度を第２図に示す。エツチング条件
は、エツチングガス：８０誌、、 ＣＦ、、 ０２（容
積比；１００：２０： １） 、ガス圧：約０．ＩＴｏ
ｒｒ。
入力型カニ ５００Ｗである。図から分かるように、Ｔ
ｉＮ中の酸素濃度が高いとエツチング速度は小さく、酸
素濃度への依存性は弱い。酸素濃度が低くなるにつれて
、エツチング速度は次第に増加するが、１原子％以下で
は急激な増加がみられる。
ｉＮ中の酸素濃度が高いとエツチング速度は小さく、酸
素濃度への依存性は弱い。酸素濃度が低くなるにつれて
、エツチング速度は次第に増加するが、１原子％以下で
は急激な増加がみられる。
ガス種、その混合比、ガス圧、電力等のエツチング条件
を変えてエツチングを行なった場合も、エツチング速度
自体には変動があるが、酸素濃度１原子％前後以下で、
エツチング速度が急増する傾向は変らない。すなわち、
エツチングガスをＢＣ娼、ＣＣｌ１４．ＣＣαＦ１、Ｓ
Ｆ、及びこれらのガスにｃｍ２（１０−３０％） 、
ＣＦ４（１０−４０％）、０．（５〜４０％）の一種又
は二種以上を混合したものについて、ガス圧を０．０２
〜１ 、０Ｔｏｒｒの間で変化させ、入力電圧を１００
〜１００ＯＷの間で変化させた場合について検討したが
上述の傾向を示した。
を変えてエツチングを行なった場合も、エツチング速度
自体には変動があるが、酸素濃度１原子％前後以下で、
エツチング速度が急増する傾向は変らない。すなわち、
エツチングガスをＢＣ娼、ＣＣｌ１４．ＣＣαＦ１、Ｓ
Ｆ、及びこれらのガスにｃｍ２（１０−３０％） 、
ＣＦ４（１０−４０％）、０．（５〜４０％）の一種又
は二種以上を混合したものについて、ガス圧を０．０２
〜１ 、０Ｔｏｒｒの間で変化させ、入力電圧を１００
〜１００ＯＷの間で変化させた場合について検討したが
上述の傾向を示した。
以上の結果から酸素濃度１原子％以下のＴｉＮでは、エ
ツチング速度が大きく、下地Ｓｉｎ、どの選択比が大き
くとれ、精度の良い加工が可能となる。この効果は酸素
濃度が低いほど著しい。ＴｉＮは荊合金膜との積層膜と
して用いられることが多いため、耐加工条件に近い条件
でＴｉＮが精度良く加工できることが望ましい。従って
Ａｌ１合金加工に用いられる塩素系又はフッ素ガスを主
体としたガスで、前述のように精度の良いパターニング
が実現できることは、素子製造上大きな利点となる。
ツチング速度が大きく、下地Ｓｉｎ、どの選択比が大き
くとれ、精度の良い加工が可能となる。この効果は酸素
濃度が低いほど著しい。ＴｉＮは荊合金膜との積層膜と
して用いられることが多いため、耐加工条件に近い条件
でＴｉＮが精度良く加工できることが望ましい。従って
Ａｌ１合金加工に用いられる塩素系又はフッ素ガスを主
体としたガスで、前述のように精度の良いパターニング
が実現できることは、素子製造上大きな利点となる。
さらに実際の半導体装置において、酸素濃度を変化させ
たＴｉＮ膜を形成し、パターニングした結果を示す。約
０．５ｕｍの段差のある下地Ｓ ｉｏ２上に５００ｎｍ
厚のＴｉＮ膜を形成しパターニングした。
たＴｉＮ膜を形成し、パターニングした結果を示す。約
０．５ｕｍの段差のある下地Ｓ ｉｏ２上に５００ｎｍ
厚のＴｉＮ膜を形成しパターニングした。
配線間隔を変えて短絡歩留りを調べた。結果を第３図に
示す、配線間の短絡歩留りは、ＴｉＮ膜中の酸素濃度が
高いほど低くなる傾向がある。配線間隔が狭くても歩留
りが下がるが、酸Ｍｔ１度１％以下の範囲では、はぼ実
用的歩留りが得られた。
示す、配線間の短絡歩留りは、ＴｉＮ膜中の酸素濃度が
高いほど低くなる傾向がある。配線間隔が狭くても歩留
りが下がるが、酸Ｍｔ１度１％以下の範囲では、はぼ実
用的歩留りが得られた。
この歩留りも当然エツチング条件に依存するが、酸素濃
度１％以下の膜を使うことにより加工性が著しく改善さ
れる点はほぼ共通している。
度１％以下の膜を使うことにより加工性が著しく改善さ
れる点はほぼ共通している。
なお、前述の通り多量の酸素を含んでいる窒化チタン膜
の方が耐熱性に優れていると報告されているが、これら
の報告は′ｆｆｊ！索濃度数％以上のものについての報
告であり１本発明の酸素濃度１％以下のＴｉＮ膜は耐熱
性にとくに問題はなかった。
の方が耐熱性に優れていると報告されているが、これら
の報告は′ｆｆｊ！索濃度数％以上のものについての報
告であり１本発明の酸素濃度１％以下のＴｉＮ膜は耐熱
性にとくに問題はなかった。
これは酸素濃度の低い膜はむしろ構造が緻密で耐熱性が
良好であり、一方酸素濃度の高い膜は構造が緻密でない
が、さらに多くの酸素が添加されることにより構造が安
定するためではないかと推定される。
良好であり、一方酸素濃度の高い膜は構造が緻密でない
が、さらに多くの酸素が添加されることにより構造が安
定するためではないかと推定される。
実施例 ２
実施例】と同様の検討を、Ａｎ・Ｓ ｉ ／ Ｔ ｉ
Ｎ積層膜について行なった。スパッタ法で０．５−厚の
ＡＱ１％Ｓｉ膜を０．１．厚のＴｉＮ膜上に形成し、二
層膜を同時に加工した。短絡不良率を測定したところ、
はぼ第３図と同様の傾向を示した。すなわち、ＴｉＮ中
の酸素濃度が１％を越えると、歩留りが急激に低下する
。
Ｎ積層膜について行なった。スパッタ法で０．５−厚の
ＡＱ１％Ｓｉ膜を０．１．厚のＴｉＮ膜上に形成し、二
層膜を同時に加工した。短絡不良率を測定したところ、
はぼ第３図と同様の傾向を示した。すなわち、ＴｉＮ中
の酸素濃度が１％を越えると、歩留りが急激に低下する
。
更にこのようにして形成した配線を、パシベーション膜
（プラズマ・ＣＶＤ法で形成したシリコン窒化膜、ｌ／
／１１厚）で覆い、高温（２００℃）放置（１０００時
間）後の不良率を評価した０歩留りの悪い場合について
は試料を選別し、初期状態では正常なもののみを試験し
た。各々の条件で約５００個づつの試料を試験した。第
４図はその結果を示している。ＴｉＮ中の酸素濃度が１
原子％以下では不良の発生が観測されなかったが、１％
を越えて高濃度に酸素が含まれた膜を用いた配線では急
激に不良率が増加していることが明らかである。
（プラズマ・ＣＶＤ法で形成したシリコン窒化膜、ｌ／
／１１厚）で覆い、高温（２００℃）放置（１０００時
間）後の不良率を評価した０歩留りの悪い場合について
は試料を選別し、初期状態では正常なもののみを試験し
た。各々の条件で約５００個づつの試料を試験した。第
４図はその結果を示している。ＴｉＮ中の酸素濃度が１
原子％以下では不良の発生が観測されなかったが、１％
を越えて高濃度に酸素が含まれた膜を用いた配線では急
激に不良率が増加していることが明らかである。
本発明の半導体装置は、窒化チタン膜が加工性に優れる
ため、高信頼性を有する。
ため、高信頼性を有する。
第１図は、本発明の窒化チタン膜の製造条件と製造した
膜の酸素濃度と応力との関係を示す図、第２図、第３図
及び第４図は本発明を説明するための図である。
膜の酸素濃度と応力との関係を示す図、第２図、第３図
及び第４図は本発明を説明するための図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窒化チタン膜を有する半導体装置において、上記窒
化チタン膜の少なくとも一部は膜中の酸素濃度が１原子
％以下であることを特徴とする半導体装置。 ２、上記酸素濃度が１原子％以下の窒化チタン膜はアル
ミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金と接する
部分を有する請求項１記載の半導体装置。 ３、上記窒化チタン膜は応力が１ＧＰａ以下である請求
項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14148988A JPH01312870A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14148988A JPH01312870A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312870A true JPH01312870A (ja) | 1989-12-18 |
Family
ID=15293104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14148988A Pending JPH01312870A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01312870A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066615A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP14148988A patent/JPH01312870A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066615A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5681779A (en) | Method of doping metal layers for electromigration resistance | |
| US5399527A (en) | Method of forming multilayer aluminum wiring in semiconductor IC | |
| JPS59119867A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3125745B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01312870A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3118913B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4040893A (en) | Method of selective etching of materials utilizing masks of binary silicate glasses | |
| JPH06349791A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH02246246A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3315770B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0629294A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03255632A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0334558A (ja) | 多層配線構造体の製造方法 | |
| JPS6051262B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2948062B2 (ja) | Ｃｕ配線形成方法 | |
| JPS6197826A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0547753A (ja) | 半導体素子の保護膜の形成方法 | |
| JPS62154643A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63226946A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63262856A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS612360A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60192347A (ja) | ＧａＡｓ集積回路の製造方法 | |
| JPH06326105A (ja) | 半導体装置の積層配線構造 | |
| JPS6249644A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02192402A (ja) | 酸化物超伝導材料の保護膜の形成方法 |