JPS605098A - 化合物結晶の製造方法 - Google Patents

化合物結晶の製造方法

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JPS605098A
JPS605098A JP58109941A JP10994183A JPS605098A JP S605098 A JPS605098 A JP S605098A JP 58109941 A JP58109941 A JP 58109941A JP 10994183 A JP10994183 A JP 10994183A JP S605098 A JPS605098 A JP S605098A
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JP
Japan
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deposition
hemispherical
deposited
bulk crystal
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JP58109941A
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English (en)
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Hirokuni Nanba
宏邦 難波
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、化合物バルク結晶を化学的気相堆積（以下、
ＣＶＤと称す）法により製造する方法に関するものでろ
る。　゛ （背景技術） 例えばＡＢ化合物（Ａ、Ｂはそれぞれ異なる元素）を製
造するＣＶＤ法には、従来第１図に例を示すようなＣＶ
Ｄ装置が用いられている。図において、１は石英管より
成る気相反応室で、その中に堆積用基板２が置かれ、反
応室１内はヒーター３により適当な温度に加熱される。
適当な反応条件（圧力、温度）に保持された反応領域Ｓ
に、原料ガス投入ノズル４，５よｐ原料ノノス６（Ａを
含むノノス）、７（ＢＱ含むガス）が導入されると、Ａ
とＢが気相反応し、堆積用基板２上にＡＢ化合物のバル
ク結晶８が堆積される。
９．１０は原料ガス６．７の流量計である。
このようなＣＶＤ法では、目的結晶の形状に対応した堆
積用基板全使用するのが普通である。堆積生成物が第１
図に示すように平板又はこれに近い形状のものは、従来
の方法で特に問題はなかったが、第２図に示すような半
球ドーム状又はこれに近い形状のものを得る場合、下記
のような問題があった。
第２図において、堆積用基板１１は半球ドーム状の凸面
１２を有し、原料ガス投入用ノズル４，５よｐＡ、Ｂ原
料ガス６．７が導入されると、基板Ｉｌ上にＡＢＳ化合
物バルク結晶１３が堆積される。この場合、堆積用基板
１１の表面形状、ガスの流れ具合により、基板ｌｌ上の
“バルク結晶１３に図に示すような厚み分布の不均一を
生じるので、不必要に厚く堆積する所を生じ、材料のロ
スが多く、又厚みの最も薄い所が律速段階になるため、
成長に長時間を要する欠点がある。
（発明の開示） 本発明は、上述の欠点を解消するため成されたもので、
堆積バルク結晶が凸面又は凹面を有するものでも、堆積
物の厚み分布が均一となり、材料のロスが低減され、成
長に要する時間が低減される化合物バルク結晶の製造方
法全提供せんとするものである。
本発明は、化学的気相堆積法によシ凸面又は凹面を有す
る化合物バルク結晶を製造する方法において、堆積用基
板の一部を回転することを特徴とする化合物結晶の製造
方法である。
本発明によシ製造される化合物結晶は、例えば周期律表
のＩＩ−Ｖｌ族化合物（例、ＺｎＳ＋　Ｚｎ５ｅ。
ＺｎＳｘＳｅ１−ｘ、　ＣｄＴｅ　）、　ｌ−Ｖ族化合
物（例、ＧａＡｓ　ｐＩｎＰ等）、酸化物、炭化物、窒
化物、弗化物、又は硼化物（例、ＺｎＯ、ＣａＦ２−　
ＭｇＦ２　、ＢＮ等）などの化合物より成るものである
。
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。
第３図は本発明方法の実施例に用いられる堆積基板部の
例を示す断面図である。図において、堆積用基板は半球
状基板１４および平板状基板１５よ回転駆動機構１７、
駆動軸１８により駆動される。
反応領域を適当な反応条件（圧力、温度）に保持し、原
料ガス投入ノズル４，５よシ原料ガス６．７を導入する
と、半球状基板１４が回転しているため、基板１４上に
堆積されるバルク結晶１６の厚みは均一化され、厚み分
布の均一な化合物バルク結晶１６が得られる。
なお１第３図では堆積用基板が凸面を有する場合の例を
示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、凹
面を有するものでも良く、又半球状以外の凸面、凹面で
も良く、いずれの場合も同様の作用効果を奏することは
明らかである。
（実施例） 第３図に示す装置を用い、直径１５０朋の半球状基板１
４上にＺ）・Ｓ化合物のドーム状バルク結晶を堆積した
。
半球状基板１４をｌｒｐｍの速度で回転を加えつつ、原
料ガス投入用ノズル４，５より下記の条件で原料ガスを
送給した。
金属亜鉛→−Ａｒガス　０．２Ｎｌ１分Ｈ２Ｓガス　１
．２Ｎｌ１分 圧　力　４０Ｔｏｒｒ 基板１４の温度を７００℃とした。
基板１４上に肉厚５　ｍｍのＺｎＳバルク結晶を得るの
に１００時間を要し、厚み分布は均一であった。
比較のため、半球状基板Ｉ４の回転を停止し、他は同一
の条件にして２００時間堆積を行なったところ、基板】
４上のＺｎＳバルク結晶は一部肉厚が５關に達しない部
分（４，５ｍｍ）があシ、又厚い所では肉厚１５ｍｍで
、極めて不拘゛−であった。
（発明の効果） 上述のように構成された本発明の化合物結晶の製造方法
は次のような効果がある。
（イ）　凸面又は凹面を有する堆積用基板の一部を回転
するから、回転する基板上に堆積されるバルク結晶の厚
みが均一化され、厚み分布の均一な化合物バルク結晶が
得られる。
（ロ）堆積結晶の厚み分布が均一になるだめ、材料のロ
スが低減されると共に、成長に要する時間が低減される
ので、製造コストが安くなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＣＶＤ装置の例を示す断面図である。 第２図は従来のＣＶＤ装置の堆積基板部の他の例を示す
断面図である。 第３図は本発明方法′の実施例に用いられるＣＶＤ装置
の堆積基板部の例を示す断面図である。 １・・・気相反応室、２．ＩＩ・・・堆積用基板、３・
・・ヒーター、４．５・・・原料ガス投入ノズル、６．
７・・・原料ガス、８．１３．１６　・・バルク結晶、
９，１０・・流量計、１２・・・凸面、１４・・・半球
状基板、１５・平板状基板、１７・・回転駆動機構、１
８・・・駆動軸、Ｓ・・・反応領域。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）化学的気相堆積法により凸面又は凹面を有する化
    合物バルク結晶を製造する方法において、堆積用基板の
    一部を回転することを特徴とする化合物結晶の製造方法
    。
  2. （２）　凸面又は凹面を有する化合物バルク結晶が、半
    球ドーム状の形状金有するものであり、堆積用基板のう
    ちの回転部分が、半球状のものである特許請求の範囲第
    １項記載の化合物結晶の製造方法。
JP58109941A 1983-06-17 1983-06-17 化合物結晶の製造方法 Pending JPS605098A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58109941A JPS605098A (ja) 1983-06-17 1983-06-17 化合物結晶の製造方法
EP84303775A EP0132037B1 (en) 1983-06-17 1984-06-05 A process for the production of a compound crystal
DE8484303775T DE3467906D1 (en) 1983-06-17 1984-06-05 A process for the production of a compound crystal
CA000455974A CA1238557A (en) 1983-06-17 1984-06-06 Process for the production of a compound crystal

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6317687A (ja) * 1986-07-10 1988-01-25 Toagosei Chem Ind Co Ltd 抗昆虫蛋白毒素産生枯草菌

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3642521A (en) * 1969-10-27 1972-02-15 Texas Instruments Inc Production of metal oxides
DE2739258C2 (de) * 1977-08-31 1985-06-20 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Aufbringung einer Siliciumcarbid und Siliciumnitrid enthaltenden Schutzschicht auf Kohlenstofformkörper

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6317687A (ja) * 1986-07-10 1988-01-25 Toagosei Chem Ind Co Ltd 抗昆虫蛋白毒素産生枯草菌

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CA1238557A (en) 1988-06-28
EP0132037A1 (en) 1985-01-23
EP0132037B1 (en) 1987-12-02
DE3467906D1 (en) 1988-01-14

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