JPS605098A - 化合物結晶の製造方法 - Google Patents
化合物結晶の製造方法Info
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- JPS605098A JPS605098A JP58109941A JP10994183A JPS605098A JP S605098 A JPS605098 A JP S605098A JP 58109941 A JP58109941 A JP 58109941A JP 10994183 A JP10994183 A JP 10994183A JP S605098 A JPS605098 A JP S605098A
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- hemispherical
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、化合物バルク結晶を化学的気相堆積(以下、
CVDと称す)法により製造する方法に関するものでろ
る。 ゛ (背景技術) 例えばAB化合物(A、Bはそれぞれ異なる元素)を製
造するCVD法には、従来第1図に例を示すようなCV
D装置が用いられている。図において、1は石英管より
成る気相反応室で、その中に堆積用基板2が置かれ、反
応室1内はヒーター3により適当な温度に加熱される。
CVDと称す)法により製造する方法に関するものでろ
る。 ゛ (背景技術) 例えばAB化合物(A、Bはそれぞれ異なる元素)を製
造するCVD法には、従来第1図に例を示すようなCV
D装置が用いられている。図において、1は石英管より
成る気相反応室で、その中に堆積用基板2が置かれ、反
応室1内はヒーター3により適当な温度に加熱される。
適当な反応条件(圧力、温度)に保持された反応領域S
に、原料ガス投入ノズル4,5よp原料ノノス6(Aを
含むノノス)、7(BQ含むガス)が導入されると、A
とBが気相反応し、堆積用基板2上にAB化合物のバル
ク結晶8が堆積される。
に、原料ガス投入ノズル4,5よp原料ノノス6(Aを
含むノノス)、7(BQ含むガス)が導入されると、A
とBが気相反応し、堆積用基板2上にAB化合物のバル
ク結晶8が堆積される。
9.10は原料ガス6.7の流量計である。
このようなCVD法では、目的結晶の形状に対応した堆
積用基板全使用するのが普通である。堆積生成物が第1
図に示すように平板又はこれに近い形状のものは、従来
の方法で特に問題はなかったが、第2図に示すような半
球ドーム状又はこれに近い形状のものを得る場合、下記
のような問題があった。
積用基板全使用するのが普通である。堆積生成物が第1
図に示すように平板又はこれに近い形状のものは、従来
の方法で特に問題はなかったが、第2図に示すような半
球ドーム状又はこれに近い形状のものを得る場合、下記
のような問題があった。
第2図において、堆積用基板11は半球ドーム状の凸面
12を有し、原料ガス投入用ノズル4,5よpA、B原
料ガス6.7が導入されると、基板Il上にABS化合
物バルク結晶13が堆積される。この場合、堆積用基板
11の表面形状、ガスの流れ具合により、基板ll上の
“バルク結晶13に図に示すような厚み分布の不均一を
生じるので、不必要に厚く堆積する所を生じ、材料のロ
スが多く、又厚みの最も薄い所が律速段階になるため、
成長に長時間を要する欠点がある。
12を有し、原料ガス投入用ノズル4,5よpA、B原
料ガス6.7が導入されると、基板Il上にABS化合
物バルク結晶13が堆積される。この場合、堆積用基板
11の表面形状、ガスの流れ具合により、基板ll上の
“バルク結晶13に図に示すような厚み分布の不均一を
生じるので、不必要に厚く堆積する所を生じ、材料のロ
スが多く、又厚みの最も薄い所が律速段階になるため、
成長に長時間を要する欠点がある。
(発明の開示)
本発明は、上述の欠点を解消するため成されたもので、
堆積バルク結晶が凸面又は凹面を有するものでも、堆積
物の厚み分布が均一となり、材料のロスが低減され、成
長に要する時間が低減される化合物バルク結晶の製造方
法全提供せんとするものである。
堆積バルク結晶が凸面又は凹面を有するものでも、堆積
物の厚み分布が均一となり、材料のロスが低減され、成
長に要する時間が低減される化合物バルク結晶の製造方
法全提供せんとするものである。
本発明は、化学的気相堆積法によシ凸面又は凹面を有す
る化合物バルク結晶を製造する方法において、堆積用基
板の一部を回転することを特徴とする化合物結晶の製造
方法である。
る化合物バルク結晶を製造する方法において、堆積用基
板の一部を回転することを特徴とする化合物結晶の製造
方法である。
本発明によシ製造される化合物結晶は、例えば周期律表
のII−Vl族化合物(例、ZnS+ Zn5e。
のII−Vl族化合物(例、ZnS+ Zn5e。
ZnSxSe1−x、 CdTe )、 l−V族化合
物(例、GaAs pInP等)、酸化物、炭化物、窒
化物、弗化物、又は硼化物(例、ZnO、CaF2−
MgF2 、BN等)などの化合物より成るものである
。
物(例、GaAs pInP等)、酸化物、炭化物、窒
化物、弗化物、又は硼化物(例、ZnO、CaF2−
MgF2 、BN等)などの化合物より成るものである
。
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。
第3図は本発明方法の実施例に用いられる堆積基板部の
例を示す断面図である。図において、堆積用基板は半球
状基板14および平板状基板15よ回転駆動機構17、
駆動軸18により駆動される。
例を示す断面図である。図において、堆積用基板は半球
状基板14および平板状基板15よ回転駆動機構17、
駆動軸18により駆動される。
反応領域を適当な反応条件(圧力、温度)に保持し、原
料ガス投入ノズル4,5よシ原料ガス6.7を導入する
と、半球状基板14が回転しているため、基板14上に
堆積されるバルク結晶16の厚みは均一化され、厚み分
布の均一な化合物バルク結晶16が得られる。
料ガス投入ノズル4,5よシ原料ガス6.7を導入する
と、半球状基板14が回転しているため、基板14上に
堆積されるバルク結晶16の厚みは均一化され、厚み分
布の均一な化合物バルク結晶16が得られる。
なお1第3図では堆積用基板が凸面を有する場合の例を
示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、凹
面を有するものでも良く、又半球状以外の凸面、凹面で
も良く、いずれの場合も同様の作用効果を奏することは
明らかである。
示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、凹
面を有するものでも良く、又半球状以外の凸面、凹面で
も良く、いずれの場合も同様の作用効果を奏することは
明らかである。
(実施例)
第3図に示す装置を用い、直径150朋の半球状基板1
4上にZ)・S化合物のドーム状バルク結晶を堆積した
。
4上にZ)・S化合物のドーム状バルク結晶を堆積した
。
半球状基板14をlrpmの速度で回転を加えつつ、原
料ガス投入用ノズル4,5より下記の条件で原料ガスを
送給した。
料ガス投入用ノズル4,5より下記の条件で原料ガスを
送給した。
金属亜鉛→−Arガス 0.2Nl1分H2Sガス 1
.2Nl1分 圧 力 40Torr 基板14の温度を700℃とした。
.2Nl1分 圧 力 40Torr 基板14の温度を700℃とした。
基板14上に肉厚5 mmのZnSバルク結晶を得るの
に100時間を要し、厚み分布は均一であった。
に100時間を要し、厚み分布は均一であった。
比較のため、半球状基板I4の回転を停止し、他は同一
の条件にして200時間堆積を行なったところ、基板】
4上のZnSバルク結晶は一部肉厚が5關に達しない部
分(4,5mm)があシ、又厚い所では肉厚15mmで
、極めて不拘゛−であった。
の条件にして200時間堆積を行なったところ、基板】
4上のZnSバルク結晶は一部肉厚が5關に達しない部
分(4,5mm)があシ、又厚い所では肉厚15mmで
、極めて不拘゛−であった。
(発明の効果)
上述のように構成された本発明の化合物結晶の製造方法
は次のような効果がある。
は次のような効果がある。
(イ) 凸面又は凹面を有する堆積用基板の一部を回転
するから、回転する基板上に堆積されるバルク結晶の厚
みが均一化され、厚み分布の均一な化合物バルク結晶が
得られる。
するから、回転する基板上に堆積されるバルク結晶の厚
みが均一化され、厚み分布の均一な化合物バルク結晶が
得られる。
(ロ)堆積結晶の厚み分布が均一になるだめ、材料のロ
スが低減されると共に、成長に要する時間が低減される
ので、製造コストが安くなる。
スが低減されると共に、成長に要する時間が低減される
ので、製造コストが安くなる。
第1図は従来のCVD装置の例を示す断面図である。
第2図は従来のCVD装置の堆積基板部の他の例を示す
断面図である。 第3図は本発明方法′の実施例に用いられるCVD装置
の堆積基板部の例を示す断面図である。 1・・・気相反応室、2.II・・・堆積用基板、3・
・・ヒーター、4.5・・・原料ガス投入ノズル、6.
7・・・原料ガス、8.13.16 ・・バルク結晶、
9,10・・流量計、12・・・凸面、14・・・半球
状基板、15・平板状基板、17・・回転駆動機構、1
8・・・駆動軸、S・・・反応領域。
断面図である。 第3図は本発明方法′の実施例に用いられるCVD装置
の堆積基板部の例を示す断面図である。 1・・・気相反応室、2.II・・・堆積用基板、3・
・・ヒーター、4.5・・・原料ガス投入ノズル、6.
7・・・原料ガス、8.13.16 ・・バルク結晶、
9,10・・流量計、12・・・凸面、14・・・半球
状基板、15・平板状基板、17・・回転駆動機構、1
8・・・駆動軸、S・・・反応領域。
Claims (2)
- (1)化学的気相堆積法により凸面又は凹面を有する化
合物バルク結晶を製造する方法において、堆積用基板の
一部を回転することを特徴とする化合物結晶の製造方法
。 - (2) 凸面又は凹面を有する化合物バルク結晶が、半
球ドーム状の形状金有するものであり、堆積用基板のう
ちの回転部分が、半球状のものである特許請求の範囲第
1項記載の化合物結晶の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58109941A JPS605098A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 化合物結晶の製造方法 |
DE8484303775T DE3467906D1 (en) | 1983-06-17 | 1984-06-05 | A process for the production of a compound crystal |
EP84303775A EP0132037B1 (en) | 1983-06-17 | 1984-06-05 | A process for the production of a compound crystal |
CA000455974A CA1238557A (en) | 1983-06-17 | 1984-06-06 | Process for the production of a compound crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58109941A JPS605098A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 化合物結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS605098A true JPS605098A (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=14522990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58109941A Pending JPS605098A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 化合物結晶の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0132037B1 (ja) |
JP (1) | JPS605098A (ja) |
CA (1) | CA1238557A (ja) |
DE (1) | DE3467906D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6317687A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 抗昆虫蛋白毒素産生枯草菌 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3642521A (en) * | 1969-10-27 | 1972-02-15 | Texas Instruments Inc | Production of metal oxides |
DE2739258C2 (de) * | 1977-08-31 | 1985-06-20 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Aufbringung einer Siliciumcarbid und Siliciumnitrid enthaltenden Schutzschicht auf Kohlenstofformkörper |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58109941A patent/JPS605098A/ja active Pending
-
1984
- 1984-06-05 DE DE8484303775T patent/DE3467906D1/de not_active Expired
- 1984-06-05 EP EP84303775A patent/EP0132037B1/en not_active Expired
- 1984-06-06 CA CA000455974A patent/CA1238557A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6317687A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 抗昆虫蛋白毒素産生枯草菌 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1238557A (en) | 1988-06-28 |
EP0132037B1 (en) | 1987-12-02 |
DE3467906D1 (en) | 1988-01-14 |
EP0132037A1 (en) | 1985-01-23 |
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