JPS6050982A - 半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6050982A JPS6050982A JP16007283A JP16007283A JPS6050982A JP S6050982 A JPS6050982 A JP S6050982A JP 16007283 A JP16007283 A JP 16007283A JP 16007283 A JP16007283 A JP 16007283A JP S6050982 A JPS6050982 A JP S6050982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- light emitting
- stripe pattern
- cladding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｐ（またはｎ ） −ＡｌｘＧａ、−ｘＡＳ
層とｎ（またはＰ ） −ＡｌｚＧａＩ−ｚＡｓ層との
間にノンドープ寸たはＰ ｌたはｎ ） −ＡＪｙＧａ
Ｉ−ｙＡｓ層（活性層）をサノドイツチ状に挾み込み、
Ｐ （またはｎ） −Ａ ｌ； ｘＧａＩ−ｘ ＡＳ層
を、横方向の光閉じ込めのだめのストライブパターン領
域を除いて所定の膜厚にエツチングしてなる半導体レー
ザおよびその製造方法に関する。
層とｎ（またはＰ ） −ＡｌｚＧａＩ−ｚＡｓ層との
間にノンドープ寸たはＰ ｌたはｎ ） −ＡＪｙＧａ
Ｉ−ｙＡｓ層（活性層）をサノドイツチ状に挾み込み、
Ｐ （またはｎ） −Ａ ｌ； ｘＧａＩ−ｘ ＡＳ層
を、横方向の光閉じ込めのだめのストライブパターン領
域を除いて所定の膜厚にエツチングしてなる半導体レー
ザおよびその製造方法に関する。
第１図は従来例の半導体レーザの構造断面図である。第
１図において、符号１は、ｎ＋−ＧａＡｓ基板、２はｎ
−ＡｇｘＧａｒ−ｚＡｓ層（第１クラッド層）、３は
ｎ−Ａ４ｙＧａｌ−ｙＡｓ 層（活性層、ただし、ｙ（
ｘ、ｚ）、４はＰ Ａｌ ｚ Ｇａ、 ｙＡｓ層（第２
クラッド層）、５はＰ”−Ｇ ａ Ａ ｅ層、６はＴ１
層、７はＡｕ層、８はＡｕＧｅ層である。このよう々半
導体レーザでは、活性層３のストライプパターンの領域
９に対応する部分の横方向（紙面左右方向）に光を良好
に閉じ込めるため該領域９を除いて第２クラッド層４を
所定の膜厚にエツチングするよりにしている。
１図において、符号１は、ｎ＋−ＧａＡｓ基板、２はｎ
−ＡｇｘＧａｒ−ｚＡｓ層（第１クラッド層）、３は
ｎ−Ａ４ｙＧａｌ−ｙＡｓ 層（活性層、ただし、ｙ（
ｘ、ｚ）、４はＰ Ａｌ ｚ Ｇａ、 ｙＡｓ層（第２
クラッド層）、５はＰ”−Ｇ ａ Ａ ｅ層、６はＴ１
層、７はＡｕ層、８はＡｕＧｅ層である。このよう々半
導体レーザでは、活性層３のストライプパターンの領域
９に対応する部分の横方向（紙面左右方向）に光を良好
に閉じ込めるため該領域９を除いて第２クラッド層４を
所定の膜厚にエツチングするよりにしている。
ところで、この半導体レーザではレーザ発光面方向（紙
面垂直方向）から見たストライプパターンの構造は、発
光点中心を通る中心線１０からみて左右対称になってい
る。このよりな左右対称のストライプパターンの構造で
は、大電流にて高出力を得ようとすると横モード発振か
不安定になり易いという欠点があった。
面垂直方向）から見たストライプパターンの構造は、発
光点中心を通る中心線１０からみて左右対称になってい
る。このよりな左右対称のストライプパターンの構造で
は、大電流にて高出力を得ようとすると横モード発振か
不安定になり易いという欠点があった。
本発明は、大電流にて高出力を得る場合に安定した横モ
ード発振が得られるようにすることを目的とする。
ード発振が得られるようにすることを目的とする。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第２図は本発明の実施例の構造断面図である。
この実施例の半導体レーザは、分子線エピタキシャル成
長法等によりＧａＡｓ基板上に各層か形成されてなる。
長法等によりＧａＡｓ基板上に各層か形成されてなる。
第２図において、１１は、ｎ（またはＰ）−ＧａＡｓ基
板、１２は第１クラッド層としてのｎ（まだ１ｌ−１：
Ｐ ） −Ａｊ’ｘＧａ、−ｚＡｓ層、１３は活性層と
しての７ンドープまたはＰ（またはｎ）−ＡＪｙＧａ、
−ｙ４ｓ層（ただし、ｙ＜ｘ、ｇ） 、１４は第２クラ
ッド層としてのＰ（またはｎ ） −ＡＪｚＧａＩ−ｙ
Ａｓ層、１５はＰ（またはｎ）−ＧａＡｓ層、１６はＴ
１層、１７はＡｕ層、１８はＡｕＧｅ層である。
板、１２は第１クラッド層としてのｎ（まだ１ｌ−１：
Ｐ ） −Ａｊ’ｘＧａ、−ｚＡｓ層、１３は活性層と
しての７ンドープまたはＰ（またはｎ）−ＡＪｙＧａ、
−ｙ４ｓ層（ただし、ｙ＜ｘ、ｇ） 、１４は第２クラ
ッド層としてのＰ（またはｎ ） −ＡＪｚＧａＩ−ｙ
Ａｓ層、１５はＰ（またはｎ）−ＧａＡｓ層、１６はＴ
１層、１７はＡｕ層、１８はＡｕＧｅ層である。
第２クラッド層１４ｉｄ更に該第１クラッド層１４と同
伝導型のＡｌｚ′Ｇａｒ−２′Ａ６層（ただし、ｚ’＜
０．４５）１４ａと、Ａｌ； ｚ″Ｇ ａ（−ｚ″八［
１層（たたし、Ｚ″＞ ０．４５）１４ｂとにより構成
される。ここで、Ｐ−Ａｊ’ｚＧａ＋ ｚＡｓのエンチ
ング速度特性を第３図に示す。第３図は、熱塩酸にょ９
ＡＩ！ ｚ Ｇａ＋ ｚ ＡＳをエツチングする場合
の２の値を横軸に、またエツチング速度を縦軸にそれぞ
れ示す線図である。第３図より明らかなように、！ （
０４５においてばＡ７？ｚＧａ、−＋ｔＡｓはエツチン
グされず、ｚ）０．４５においては、２の値に比例する
エツチング速度でＡｌ ｚＧａ、７ｚＡＳはエツチング
されることになる。したがって、ストライプパターンの
領域１９にＳ ｉ３Ｎ、等のマスクをかぶせて、先ずＰ
−ＧａＡｓ層１５を選択的傾除去するか、または第２ク
ラッド層１４のＡｌｚ″Ｇａ１−２″Ａθ層１４ｂの一
部までを除去した後、熱塩酸により更にエツチングする
と、Ａ ｌ ｚ ＧａＩ−ｚ ”Ａ Ｓ層ｉ ４ ｂ
ｌ Ａｌ：ｚ’Ｇａ＋−ｚ’Ａｓ層１４ａとの内、Ａ
ｌｚ Ｇａｒ Ｚ”Ａ ８層１４ｂのみが、２“〉０・
４５であるために除去される。このため、第２クラッド
層１４の膜厚は、ストライプ領域を除いてＡｌ ｚ’Ｇ
ａＩ−ｚ’Ａθ層１４ａの膜厚に正確に制御される。こ
の実施例での発光面方向に形成されるストライプパター
ン１９はレーザ発光面方向（紙面垂直方向）から見た場
合に、左右非対称（（なっている。このようなパターン
１９の構造は、次のようにして作られる。先ず、ミラー
指数（ｌ！。
伝導型のＡｌｚ′Ｇａｒ−２′Ａ６層（ただし、ｚ’＜
０．４５）１４ａと、Ａｌ； ｚ″Ｇ ａ（−ｚ″八［
１層（たたし、Ｚ″＞ ０．４５）１４ｂとにより構成
される。ここで、Ｐ−Ａｊ’ｚＧａ＋ ｚＡｓのエンチ
ング速度特性を第３図に示す。第３図は、熱塩酸にょ９
ＡＩ！ ｚ Ｇａ＋ ｚ ＡＳをエツチングする場合
の２の値を横軸に、またエツチング速度を縦軸にそれぞ
れ示す線図である。第３図より明らかなように、！ （
０４５においてばＡ７？ｚＧａ、−＋ｔＡｓはエツチン
グされず、ｚ）０．４５においては、２の値に比例する
エツチング速度でＡｌ ｚＧａ、７ｚＡＳはエツチング
されることになる。したがって、ストライプパターンの
領域１９にＳ ｉ３Ｎ、等のマスクをかぶせて、先ずＰ
−ＧａＡｓ層１５を選択的傾除去するか、または第２ク
ラッド層１４のＡｌｚ″Ｇａ１−２″Ａθ層１４ｂの一
部までを除去した後、熱塩酸により更にエツチングする
と、Ａ ｌ ｚ ＧａＩ−ｚ ”Ａ Ｓ層ｉ ４ ｂ
ｌ Ａｌ：ｚ’Ｇａ＋−ｚ’Ａｓ層１４ａとの内、Ａ
ｌｚ Ｇａｒ Ｚ”Ａ ８層１４ｂのみが、２“〉０・
４５であるために除去される。このため、第２クラッド
層１４の膜厚は、ストライプ領域を除いてＡｌ ｚ’Ｇ
ａＩ−ｚ’Ａθ層１４ａの膜厚に正確に制御される。こ
の実施例での発光面方向に形成されるストライプパター
ン１９はレーザ発光面方向（紙面垂直方向）から見た場
合に、左右非対称（（なっている。このようなパターン
１９の構造は、次のようにして作られる。先ず、ミラー
指数（ｌ！。
ｍ、ｎ）における各ミラー指数を第４図に示す。
ここで０００）・００１）・・は面群をあられしている
。
。
第５図は各ミラー指数によりあられされる面群を斜め方
向から見た図である。このような面群において、先ず、
ＧａＡｓ基板１１の（１ｏ ｏ）面を第６図で説明する
。第６図は、第５図の面群を矢符Ａ方向から見た図であ
る。即ち、ＧａＡｓ基板１１の（１０ｏ）面は、第６図
の（１００）面に平行な線Ｂに沿って切断してなる面で
ある。この実施例のＧａＡθ基板１１は、この（１００
）面から第７図に示すよう（０１１）またはく０丁丁〉
方向へ、これを傾むける吉ともに線Ｃに沿って切断して
なる基板面上に前記各層が形成されるようになっている
。
向から見た図である。このような面群において、先ず、
ＧａＡｓ基板１１の（１ｏ ｏ）面を第６図で説明する
。第６図は、第５図の面群を矢符Ａ方向から見た図であ
る。即ち、ＧａＡｓ基板１１の（１０ｏ）面は、第６図
の（１００）面に平行な線Ｂに沿って切断してなる面で
ある。この実施例のＧａＡθ基板１１は、この（１００
）面から第７図に示すよう（０１１）またはく０丁丁〉
方向へ、これを傾むける吉ともに線Ｃに沿って切断して
なる基板面上に前記各層が形成されるようになっている
。
また、前記ストライプパターンは（０１〒〉方向に一致
させられる。なお、＜ｚ、ｍ、ｎ＞方向はＣ１，ｍ、ｎ
、）面に垂直な方向であることを示す。
させられる。なお、＜ｚ、ｍ、ｎ＞方向はＣ１，ｍ、ｎ
、）面に垂直な方向であることを示す。
更に、活性層１３には、（０１丁）面と（０工１） ｔ
ｍｉに沿ってへき開されてなるフエプリペロー反射面が
形成される。
ｍｉに沿ってへき開されてなるフエプリペロー反射面が
形成される。
一般に、結晶（１００）面上にく０〒ｌ〉方向に細長い
帯状のマスク３０を置き結晶をエツチングした場合、（
０〒１）面に平行な面で（１００）面を切断した断面を
みると第９図に示すように台形状にエツチングされるこ
とが知られている。
帯状のマスク３０を置き結晶をエツチングした場合、（
０〒１）面に平行な面で（１００）面を切断した断面を
みると第９図に示すように台形状にエツチングされるこ
とが知られている。
本発明においては、結晶切断面を（１００）面から（０
１１）または、く０〒〒〉方向へθだけ傾けて切出す構
成をとっている。
１１）または、く０〒〒〉方向へθだけ傾けて切出す構
成をとっている。
このようにして構成されることにより、前述のように熱
塩酸により第１クラッド層１４のＡ ｌｚ’ＧＦＬ１、
ＩＩＡＢ層がエツチングされると、エツチング速度が、
ストライプパターンを発光面方向から見て左右両側では
相異なり、第２図のように左側では傾斜角度が緩やかに
また右側ではそれが急となるストライプパターン１９が
形成される。
塩酸により第１クラッド層１４のＡ ｌｚ’ＧＦＬ１、
ＩＩＡＢ層がエツチングされると、エツチング速度が、
ストライプパターンを発光面方向から見て左右両側では
相異なり、第２図のように左側では傾斜角度が緩やかに
また右側ではそれが急となるストライプパターン１９が
形成される。
第８図は他の実施例の構造断面図である。第８図に示す
半導体レーザも分子線エピタキシャル成長法等によりＧ
ａＡｓ基板上に各層が形成される。
半導体レーザも分子線エピタキシャル成長法等によりＧ
ａＡｓ基板上に各層が形成される。
第８図において、２１はｎ （＝ｊたはＰ）−ＧａＡｓ
基板、２２は第１クラッド層としてのｎ（またはＰ ）
−ＡＩ！ｘＧａ「ｚＡｓ層、２３は活性層としてのノ
ンドープまたはＰ（またはｎ ） −ＡＩ！ｙＧａ、−
ｙＡｅ層（ただし、ｙ＜ｘ、ｚ）、２４は第２クラッド
層としてのＰ（またはｎ ） 、−Ａｊ’ｚＧａｆ−ｚ
Ａｓ層、２５はＰ＋（捷たはｎ＋）−Ｇａ、Ａｅ層、２
６はＴ１層、２７はＡｕ層、２８はＡｕＧｅ層である。
基板、２２は第１クラッド層としてのｎ（またはＰ ）
−ＡＩ！ｘＧａ「ｚＡｓ層、２３は活性層としてのノ
ンドープまたはＰ（またはｎ ） −ＡＩ！ｙＧａ、−
ｙＡｅ層（ただし、ｙ＜ｘ、ｚ）、２４は第２クラッド
層としてのＰ（またはｎ ） 、−Ａｊ’ｚＧａｆ−ｚ
Ａｓ層、２５はＰ＋（捷たはｎ＋）−Ｇａ、Ａｅ層、２
６はＴ１層、２７はＡｕ層、２８はＡｕＧｅ層である。
第２クラッド層２４は更にＡｌ ｚ’Ｇａ、−ｚ’Ａｓ
層２４ａと、膜厚が薄いＡ Ｉ Ｚ Ｇａ、−ｚ ″Ａ
ｓ層２４１）と、Ａ ｌ ｚ ’Ｇ ａ（−２“′Ａθ
層２４Ｃとの少なくとも第２クラット層と同伝導型の３
層の構造を有する。ここで、７“〉０．４５、ｙ ＜
ｚ 〃（０，４５，２１≧Ｑ、４５である。また、ＡＺ
２″Ｇａｔ ｚ″Ａ８層２４１）の膜厚は、活性層２
３のそれよりも薄くして光がこの層２４ｂで閉じ込めら
れないようにする一方で、熱塩酸によるエツチング阻止
層としての機能を有するようにしている。なお、第２ク
ラッド層２４のｋｌ ｚ″Ｇａ、−ｚ″′Ａｓ層２４Ｃ
が熱塩酸によりエツチングされるが、Ａ ｌ ｚ Ｇａ
ｒ ｚ″ＡＳ層はエツチングされないことは、第３図よ
り明らかである。第８図の実施例におけるストライプパ
ターン２９０発光面方向から見た構造が、第２図のそれ
と同様に左右非対称となっているが、第８図の実施例も
第２図のそれと同様にして作られるのでその説明は省略
する。
層２４ａと、膜厚が薄いＡ Ｉ Ｚ Ｇａ、−ｚ ″Ａ
ｓ層２４１）と、Ａ ｌ ｚ ’Ｇ ａ（−２“′Ａθ
層２４Ｃとの少なくとも第２クラット層と同伝導型の３
層の構造を有する。ここで、７“〉０．４５、ｙ ＜
ｚ 〃（０，４５，２１≧Ｑ、４５である。また、ＡＺ
２″Ｇａｔ ｚ″Ａ８層２４１）の膜厚は、活性層２
３のそれよりも薄くして光がこの層２４ｂで閉じ込めら
れないようにする一方で、熱塩酸によるエツチング阻止
層としての機能を有するようにしている。なお、第２ク
ラッド層２４のｋｌ ｚ″Ｇａ、−ｚ″′Ａｓ層２４Ｃ
が熱塩酸によりエツチングされるが、Ａ ｌ ｚ Ｇａ
ｒ ｚ″ＡＳ層はエツチングされないことは、第３図よ
り明らかである。第８図の実施例におけるストライプパ
ターン２９０発光面方向から見た構造が、第２図のそれ
と同様に左右非対称となっているが、第８図の実施例も
第２図のそれと同様にして作られるのでその説明は省略
する。
以上のよりに、本発明によれば、ストライプパターンが
発光面方向から見て左右非対称に構成されているので、
大電流にて高出力を、横モード発振を安定させた状態で
得ることができる。また、本発明によれば、ＧａＡｓ基
板の基板面を、ミラー指数で（１００）面から（０１１
）またはく０丁丁〉方向へ傾斜角θで切り出して形成し
、捷だストライプパターンをく０１丁〉方向へ一致させ
るとともに活性層に（０１丁）而と（０１１）面に泪っ
てへき開してなる反射面を形成するようにしたので、ス
トライプパターンが発光面方向から見て左右非対称とな
る半導体レーザを製造することができる。
発光面方向から見て左右非対称に構成されているので、
大電流にて高出力を、横モード発振を安定させた状態で
得ることができる。また、本発明によれば、ＧａＡｓ基
板の基板面を、ミラー指数で（１００）面から（０１１
）またはく０丁丁〉方向へ傾斜角θで切り出して形成し
、捷だストライプパターンをく０１丁〉方向へ一致させ
るとともに活性層に（０１丁）而と（０１１）面に泪っ
てへき開してなる反射面を形成するようにしたので、ス
トライプパターンが発光面方向から見て左右非対称とな
る半導体レーザを製造することができる。
第１図は従来例の構造断面図、第２図〜第８図は本発明
の実施例に係り、第２図はこの実施例の構造断面図、第
３図はｋｌ ｚＧａ、−ｚＡｓの２の値に対するＡ ｌ
ｚ ＧａＩ−ｚ Ａ８のエツチング速度特性を示す線
図、第４図はミラー指数によりあられされる面群の模式
図、第５図は第４図の面群を斜め方向から見た図、第６
図・第７図は第５図を矢符Ｐ方向から見たものでＧａＡ
ｓ基板の基板面の切り出しの説明に供する図、第８図は
他の実施例の構造断面図、第９図は結晶（１００）面に
（０１１）方向にマスクをおいてエツチングしたときの
エツチング状態を示す図である。 １１＋ ２１・・ＧａＡｓ基板、１２．２２・第１クラ
ッド層、１３．２３・・活性層、１４．２４・・第２ク
ラッド層、１９．２９・ストライプパターンＯ 出 願 人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士岡田和秀 第１図 第２図 第３図 ＯＱ２ ０．４０４” ０．６ ２ （０１ｆ） 第 ５ 図 ロフ
の実施例に係り、第２図はこの実施例の構造断面図、第
３図はｋｌ ｚＧａ、−ｚＡｓの２の値に対するＡ ｌ
ｚ ＧａＩ−ｚ Ａ８のエツチング速度特性を示す線
図、第４図はミラー指数によりあられされる面群の模式
図、第５図は第４図の面群を斜め方向から見た図、第６
図・第７図は第５図を矢符Ｐ方向から見たものでＧａＡ
ｓ基板の基板面の切り出しの説明に供する図、第８図は
他の実施例の構造断面図、第９図は結晶（１００）面に
（０１１）方向にマスクをおいてエツチングしたときの
エツチング状態を示す図である。 １１＋ ２１・・ＧａＡｓ基板、１２．２２・第１クラ
ッド層、１３．２３・・活性層、１４．２４・・第２ク
ラッド層、１９．２９・ストライプパターンＯ 出 願 人 ローム株式会社 代 理 人 弁理士岡田和秀 第１図 第２図 第３図 ＯＱ２ ０．４０４” ０．６ ２ （０１ｆ） 第 ５ 図 ロフ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１ＧａＡｓ基板上にＰ（またはｎ ） Ａ ｌ ｘ
Ｇａ。 −ｘ Ａ ０層（第１クラッド層という）と、ノンドー
プまたはＰ（またはｎ ） −ＡｌｙＧａｌ−ｙＡｓ層
（活性層という、ただし、ｙ（ｘ、ｚ）と、ｎ （−ま
たはＰ ） −ｋｌ ｚＧａ、−ｚＡＥ１層（第２クラ
ッド層という）とが形成され、第２クラッド層か発光面
方向に形成されるストライプパターンの領域を除いて所
定の膜厚にエツチングされてなるリッジウェブガイド形
の半導体レーザにおいて、前記ストライブパターンの発
光面方向の断面が左右非対称に形成されてなる半導体レ
ーザ。 （２１ＧａＡｓ基板上にＰ（またはｎ ） Ａ ｌ ｘ
Ｇａ１−、Ａｅ層（第１クラッド層という）と、ノン
ドープまたばＰ（またはｎ ） −ＡｌｙＧａＩ−ｙＡ
ｓ層（活性層という、ただし、１１＜Ｘ、りと、ｎ （
またはＰ）−八ｌ ｖ Ｇａ（−Ｉ！ＡＦ３層とを形成
し、第２クラッド層を発光面方向に形成されるストライ
プパターンの領域を除いて所定の膜厚にエツチングする
ことにより半導体レーザを製造する方法において、Ｇａ
Ａｓ基板の基板面を、ミラー指数で（１００）面から（
０１１）または〈Ｏ〒〒〉方向へ傾斜角θで切り出して
形成し、前記ストライプパターンを（０１丁〉方向に一
致させて形成するとともに第２クラッド層をエツチング
すると七によりストライプパターンの発光面方向断面を
左右非対称にする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16007283A JPS6050982A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16007283A JPS6050982A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050982A true JPS6050982A (ja) | 1985-03-22 |
| JPS6350877B2 JPS6350877B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=15707275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16007283A Granted JPS6050982A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050982A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108512034A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262472A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 膜形成方法 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP16007283A patent/JPS6050982A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108512034A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法 |
| CN108512034B (zh) * | 2017-02-28 | 2020-04-03 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350877B2 (ja) | 1988-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6050982A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPS60789A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2516953B2 (ja) | 半導体レ―ザ装置の製造方法 | |
| JPS61272987A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH09266347A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2669373B2 (ja) | 面発光型レーザ | |
| JPH06140718A (ja) | 端面発光型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3049916B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH02119285A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS58134491A (ja) | 半導体レ−ザ−装置 | |
| JP2847770B2 (ja) | 半導体レーザ共振器端面の保護層の形成方法 | |
| JP2003152279A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP4024319B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2780307B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2687449B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2000133876A (ja) | 面発光レーザ装置 | |
| JPS63196089A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH04340286A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH01272177A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS63281492A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH01217988A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01162393A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPS61164288A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6054489A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS58197726A (ja) | 半導体装置 |