JPS605061B2 - 集積化容量素子の製造方法 - Google Patents
集積化容量素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS605061B2 JPS605061B2 JP50116423A JP11642375A JPS605061B2 JP S605061 B2 JPS605061 B2 JP S605061B2 JP 50116423 A JP50116423 A JP 50116423A JP 11642375 A JP11642375 A JP 11642375A JP S605061 B2 JPS605061 B2 JP S605061B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- capacitor
- electrode
- manufacturing
- capacitive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
従来、ＩＣチップにトランジスタ、抵抗等と共に集積化
可能な静電容量素子としては、誘電体としてＳｉ０２、
ＡＩ２０３等を用いていた。
可能な静電容量素子としては、誘電体としてＳｉ０２、
ＡＩ２０３等を用いていた。
これらの誘電体膜は、ＩＣにおいて一般の絶縁膜として
使われるものであり、その電気的特性も明らかで容量素
子としては比較的、使い易い。しかし、Ｓｉ０２膜、Ａ
Ｉ２０３膜等は一般の形成法として用いられるのが、熱
酸化法、ＣＶＤ法でありこれらの製作法によるＳｉ０２
腰、ＡＩ２０３膜等はどうしても、ある程度膜厚がバラ
ついてしまう。又、静電容量値を大きくしようとすると
、どうしても面積がふえてしまう。
使われるものであり、その電気的特性も明らかで容量素
子としては比較的、使い易い。しかし、Ｓｉ０２膜、Ａ
Ｉ２０３膜等は一般の形成法として用いられるのが、熱
酸化法、ＣＶＤ法でありこれらの製作法によるＳｉ０２
腰、ＡＩ２０３膜等はどうしても、ある程度膜厚がバラ
ついてしまう。又、静電容量値を大きくしようとすると
、どうしても面積がふえてしまう。
面積が増加すればする程、ピンホールその他の欠陥がふ
えて絶縁漏洩を起してしまう。従って実用上ある程度以
上大きな容量値の静電容量をＩＣ化する事は実際上不可
能であり、この事はＩＣの回路設計上非常に大きな障害
で、設計の自由度をせばめているといえよつ。回路シス
テム的に、どうしてもある程度以上大きな容量値を必要
とする場合はＩＣチップとは別の外付けコンデンサを用
いなければならないのが現状であり、これは、信頼性低
下につながっていくものであり、あまり望ましい方式と
はいえない。
えて絶縁漏洩を起してしまう。従って実用上ある程度以
上大きな容量値の静電容量をＩＣ化する事は実際上不可
能であり、この事はＩＣの回路設計上非常に大きな障害
で、設計の自由度をせばめているといえよつ。回路シス
テム的に、どうしてもある程度以上大きな容量値を必要
とする場合はＩＣチップとは別の外付けコンデンサを用
いなければならないのが現状であり、これは、信頼性低
下につながっていくものであり、あまり望ましい方式と
はいえない。
本発明はこのような現状に鑑み、高信頼性でバラッキの
少ない静電容量でしかも比較的大きな値の容量を簡単、
確実に集積可能としたものである。
少ない静電容量でしかも比較的大きな値の容量を簡単、
確実に集積可能としたものである。
以下図面により本発明の説明をする。第１図１は通常の
ＩＣ工程（バィポーラ、ＭＯＳ等）を経たシリコンＩＣ
チップ、２はリンガラス等の保護膜、３はＡＩ電極膜（
コンデンサ下部電極を兼ねている）、４はポリィミド誘
電膜、５はＮ電極膜（コンデンサ上部電極）である。
ＩＣ工程（バィポーラ、ＭＯＳ等）を経たシリコンＩＣ
チップ、２はリンガラス等の保護膜、３はＡＩ電極膜（
コンデンサ下部電極を兼ねている）、４はポリィミド誘
電膜、５はＮ電極膜（コンデンサ上部電極）である。
さて第１図の如き構造をもつ集積化容量素子を有するＩ
Ｃの製造工程を次に述べる。
Ｃの製造工程を次に述べる。
ＩＣ作りこみの工程に関しては、基本的工程はバィポー
ラに，ＭＯＢ−ＩＣ、いずれも周知であるのでその詳細
は省略する。
ラに，ＭＯＢ−ＩＣ、いずれも周知であるのでその詳細
は省略する。
通常のＩＣ工程を経てパ津シベーション膜を付着し電極
用窓あげのエッチングを終ったＩＣにＡＩ膜を全面蒸着
し、しかるのちコンデンサ下部電極として必要なパター
ンを残して他の部分をフオトェッチングでとりさりコン
デンサ−下部電極３を形成する。
用窓あげのエッチングを終ったＩＣにＡＩ膜を全面蒸着
し、しかるのちコンデンサ下部電極として必要なパター
ンを残して他の部分をフオトェッチングでとりさりコン
デンサ−下部電極３を形成する。
次にポリアミック酸溶液をスピンナを用いて所定の厚さ
だけ塗布する。
だけ塗布する。
塗布後、加熱処理をおこない、該ポリアミック酸溶液塗
布膜をポリィミド膜として変成硬化させる。かくして形
成せしめたポリィミド膜４をコンデンサ譲露体として用
いるのであるが、該ポリィミド膜の誘電率は熱処理温度
、時間、ポリアミック酸溶液の不純物含有量等によって
差はあるものの、一般的にはＳｉ０２の譲露率に比較的
近い値をとれる。従ってコンデンサとして割合使い易い
特性を有している。さてポリィミド誘電体膜４を形成し
たあとは、再度ＡＩ面を全面蒸着し、コンデンサ上部電
極５として必要なパターンを残して他の部分はフオトエ
ツチングでとりさればよい。，ＭＯＳコンデンサの様な
通常のコンデンサ構造ではチップ内の専有面積は他の素
子の面積とのかね合いでそれ程大きくは出来ず、おのず
から制限されてしまう。
布膜をポリィミド膜として変成硬化させる。かくして形
成せしめたポリィミド膜４をコンデンサ譲露体として用
いるのであるが、該ポリィミド膜の誘電率は熱処理温度
、時間、ポリアミック酸溶液の不純物含有量等によって
差はあるものの、一般的にはＳｉ０２の譲露率に比較的
近い値をとれる。従ってコンデンサとして割合使い易い
特性を有している。さてポリィミド誘電体膜４を形成し
たあとは、再度ＡＩ面を全面蒸着し、コンデンサ上部電
極５として必要なパターンを残して他の部分はフオトエ
ツチングでとりさればよい。，ＭＯＳコンデンサの様な
通常のコンデンサ構造ではチップ内の専有面積は他の素
子の面積とのかね合いでそれ程大きくは出来ず、おのず
から制限されてしまう。
従って容量値そのものも限定されるが、本発明のコンデ
ンサ構造ではＩＣチップのほぐ全面をコンデンサとして
用いる事が出釆る為非常に大きな容量値を実現すること
が出来る。しかも、ポリィミド膜厚のバラッキ等によっ
て容量値が所定の値に作れなかった場合にはヒドラジン
等を用いてポリィミド膜を除去し、再度ポリアミック酸
溶液を塗布、加熱処理し、ＡＩ上部電極をつける事によ
って容易に作り直す事が出釆る。この際製作工程から明
らかなように、ＩＣそのものの特性には全く影響を及ぼ
す心配がない。
ンサ構造ではＩＣチップのほぐ全面をコンデンサとして
用いる事が出釆る為非常に大きな容量値を実現すること
が出来る。しかも、ポリィミド膜厚のバラッキ等によっ
て容量値が所定の値に作れなかった場合にはヒドラジン
等を用いてポリィミド膜を除去し、再度ポリアミック酸
溶液を塗布、加熱処理し、ＡＩ上部電極をつける事によ
って容易に作り直す事が出釆る。この際製作工程から明
らかなように、ＩＣそのものの特性には全く影響を及ぼ
す心配がない。
従って本発明の集積化容量素子を用いれば大容量でしか
も、容量値の許容差を非常に４・さく出来るコンデンサ
が容易にＩＣチップに作りこめる。又、第１図では上部
Ｎ電極をポリィミド誘電体膜の上面にのみ配置した構造
を示したが、必要に応じては第２図の如く上部ＡＩ電極
を保護膜２上にまで引出す事も可能である。
も、容量値の許容差を非常に４・さく出来るコンデンサ
が容易にＩＣチップに作りこめる。又、第１図では上部
Ｎ電極をポリィミド誘電体膜の上面にのみ配置した構造
を示したが、必要に応じては第２図の如く上部ＡＩ電極
を保護膜２上にまで引出す事も可能である。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図、第２図は、
本発明の他の実施例を示す断面図である。 １はシリコンＩＣチップ、２はリンガラス等の保護膜、
３は山電極（コンデンサ下部電極）、４はポリイミド誘
電膜、５は山電極（コンデンサ上部電極）。 グー図 矛２図
本発明の他の実施例を示す断面図である。 １はシリコンＩＣチップ、２はリンガラス等の保護膜、
３は山電極（コンデンサ下部電極）、４はポリイミド誘
電膜、５は山電極（コンデンサ上部電極）。 グー図 矛２図
Claims (1)
- １ ＩＣチツプ上にポリアミツク酸溶液を塗布し、しか
るのち加熱処理を行って該ポリアミツク酸塗布膜をポリ
イミド膜に変成せしめ、該ポリイミド膜上に電極膜を形
成することを特徴とする集積化容量素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50116423A JPS605061B2 (ja) | 1975-09-29 | 1975-09-29 | 集積化容量素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50116423A JPS605061B2 (ja) | 1975-09-29 | 1975-09-29 | 集積化容量素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5240987A JPS5240987A (en) | 1977-03-30 |
| JPS605061B2 true JPS605061B2 (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=14686708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50116423A Expired JPS605061B2 (ja) | 1975-09-29 | 1975-09-29 | 集積化容量素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605061B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889854A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS6028702U (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-26 | 三菱レイヨン株式会社 | 光伝送性繊維 |
| JPH0654774B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1994-07-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1975
- 1975-09-29 JP JP50116423A patent/JPS605061B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5240987A (en) | 1977-03-30 |
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