JPS604866A - ピ−クホ−ルド回路 - Google Patents

ピ−クホ−ルド回路

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Publication number
JPS604866A
JPS604866A JP58114587A JP11458783A JPS604866A JP S604866 A JPS604866 A JP S604866A JP 58114587 A JP58114587 A JP 58114587A JP 11458783 A JP11458783 A JP 11458783A JP S604866 A JPS604866 A JP S604866A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
peak hold
time
field effect
effect transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58114587A
Other languages
English (en)
Inventor
Etsuo Sugimoto
杉本 悦夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58114587A priority Critical patent/JPS604866A/ja
Publication of JPS604866A publication Critical patent/JPS604866A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ピークホールド回路に関するものである。
従来、この種の回路として第1図に示すものがあった。
図において、■は入力信号を印加する入力端子、2は入
力端子1の入力リターン端子、3は入力信号を検波する
検波ダイオード、4はピークホールド用コンデンサ、7
は出力に対するバッファ用電界効果トランジスタ、5は
電界効果トランジスタ7のゲートバイアス抵抗器、6は
電界効果トランジスタ7のソースバイアス抵抗器、8は
電源端子、9は出力端子、10は出力リターン端子であ
る。
第3図は上記ピークホールド回路の各部のタイムチャー
トである。図において、21はパルス被変調信号、22
はコンデンサ4の充電電圧、23は出力電圧である。
次に動作について第3図を用いて説明する。入力端子1
及び入力リターン端子2間にパルス被変調信号21を印
加した時、パルス被変調信号21が印加状態である時点
aにおいては、検波ダイオード3が導通状態となり、検
波電圧がピークホールド用コンデンサ4に充電され、そ
の充電電圧22は電界効果トランジスタ7でインピーダ
ンス変換され、出力端子9及び出力リターン端子10に
出力信号23として出力される。
又、パルス被変調信号21が休止状態にある時点すにお
いては、検波ダイオード3が非導通状態となり、ピーク
ホールド用コンデンサ4に充電された充電電圧22は検
波ダイオード3、電界効果トランジスタ7の漏洩電流及
びゲートバイアス抵抗器5の抵抗値に応じて放電され、
その電圧は電界効果トランジスタ7でインピーダンス変
換され、出力端子9及び出力リターン端子1oに出力電
圧23として出力される。
従来のピークホール1回路は以上のように構成されてい
るので、ピークホールド時間T 2はほぼコンデンサ4
の容量値と抵抗器5の抵抗値の積に比例し、立上り時間
T1はダイオード3の導通インピーダンスとコンデンサ
4の容量値の積に比例するため、立上り時間とピークボ
ールド時間との比に限界があった。
この発明は一ト記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、出カハッファ用電界効果トラン
ジスタのゲートバイアスをダイオードで与えることによ
り、立上り時間とピークホールド時間との比を太き(取
れるピークボールド回路を提供することを目的としてい
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第2図はこの発明の一実施例によるピークボールド回路
を示しく図において、1は入力信号を印加する入力端子
、2は入力端子1の入力リターン端子、3は入力信号を
検波する検波ダイオード、4はピークホールド用コンデ
ンサ、7は出力に対するバ・ノファ用電界効果トランジ
スタ、6は電界効果トランジスタ7のソースバイアス抵
抗器、8は電源端子、9は出力端子、1oは出方リター
ン端子、11は電界効果トランジスタ7にゲートバイア
スを与えるゲートバイアスダイオードである。
第4図は本発明の一実施例によるピークホールド回路の
各部のタイムチ十−トであり、図において、21は被変
調パルス信号、22はコンデンサ4の充電電圧、23ば
出力電圧である。
次に動作について第4図を用いて説明する。入力端子1
及び入力リターン端子2間に第4図に示すパルス被変調
信号21を印加した時、時点aにおいてば検波ダイオ一
ド3が導通状態となり、該ダイオード3により検波され
た検波電圧が立上り時間T1を経てピークホールド用コ
ンデンサ4に充電され、充電電圧22となる。そしてこ
の立上り時間T1はダイオード3の導通インピーダンス
とコンデンサ4の容量値の積に比例する。
時点すにおいてはダイオード3が非導通状態となり、コ
ンデンづ・4に充電された充電電圧22は、検波ダイオ
ード3、ゲートバイアスダイオード11の漏洩電流及び
電界効果トランジスタ7のゲート電流によりピークホー
ルド時間T2°を経ながら放電される。
そしてその結果、ゲートに充電電圧Ecがない時、電昇
効果トランジスタ7ばソースバイアス抵抗器6及びゲー
トバイアスダイオード11にて自己バイアスされ、この
時出力端子9及び出力リターン端子10間に自己バイア
ス電圧Eoが出力電圧23として出力され、電界゛効果
トランジスタ7のゲートに充電電圧Ecがある時は端子
9,10間にEc+Eoが出力電圧23として出力され
る。
ところで、周知の通り、ダイオード3.11の漏洩イン
ピーダンス及び電界効果トランジスタ7のゲートインピ
ーダンスはダイオード3の導通インピーダンスに比して
非常に大であり、立上り時間T1とピークホールド時間
T2’ の比はタイオード3の導通インピーダンスと、
ダイオード3゜11の漏洩インピーダンス及びゲートイ
ンピータンスの比で決定されるため、本実施例回路にお
けるピークホールド時間T2’ は立上り時間丁1に比
べ約100倍と非常に長くできるものである。
以上のように、この発明によれば、電界効果トランジス
タのゲートバイアス回路をダイオードにて構成したので
、立上り時間に対し、非常に長いピークホールド時間を
得ることが出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のピークホールド回路を示す図、第2図は
この発明の一実施例によるピークホールド回路を示す図
、第3図は従来のピークホールド回路の各部分の波形を
示すタイムチャート図、第4図はこの発明の一実施例の
各部分の波形を示すタイムチャート図である。 3・・・検波ダイオード、4・・・ピークホールド用コ
ンデンサ、7・・・電界効果トランジスタ、11・・・
ゲ−トバイアスダイオード。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 第2図 手続補正書(自発) 1.事件の表示 特願昭 58−114587号2、発
明の名称 ピークホールド回路 、′3゜補止をする者 代表者片山仁へ部 4、代理人 5、?li正の対象 明細書の発明の詳細な説明の11別 6、?ili正の内容 (1) 明細刊第6頁第3〜4行の1−ゲートインピー
ダンス]を1電界効呆トランソスク7のゲートインピー
ダンス」に訂正する。 (2)同第6頁第6行のr’ 100倍Jを「I×10
6倍」に訂正する。 (3)同第6頁第9行の「立上/)時間コをU容易に立
上り時間」に訂正する。 以 上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (11電界効果1ランジスタを出カバソファとするダイ
    オード検波形のピークホールド回路において、上記電界
    効果トランジスタのゲートバイアス素子としてダイオー
    ドを用いたことを特徴とするピークホールド回路。
JP58114587A 1983-06-23 1983-06-23 ピ−クホ−ルド回路 Pending JPS604866A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58114587A JPS604866A (ja) 1983-06-23 1983-06-23 ピ−クホ−ルド回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58114587A JPS604866A (ja) 1983-06-23 1983-06-23 ピ−クホ−ルド回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS604866A true JPS604866A (ja) 1985-01-11

Family

ID=14641583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58114587A Pending JPS604866A (ja) 1983-06-23 1983-06-23 ピ−クホ−ルド回路

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Country Link
JP (1) JPS604866A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6255885B1 (en) 1997-12-22 2001-07-03 Per-Olof Brandt Low voltage transistor biasing
US7690217B2 (en) 2002-10-24 2010-04-06 Showa Denko K.K. Refrigeration system, compressing and heat-releasing apparatus and heat-releasing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6255885B1 (en) 1997-12-22 2001-07-03 Per-Olof Brandt Low voltage transistor biasing
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