JPS6047896B2 - 電解コンデンサ用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔Info
- Publication number
- JPS6047896B2 JPS6047896B2 JP56142170A JP14217081A JPS6047896B2 JP S6047896 B2 JPS6047896 B2 JP S6047896B2 JP 56142170 A JP56142170 A JP 56142170A JP 14217081 A JP14217081 A JP 14217081A JP S6047896 B2 JPS6047896 B2 JP S6047896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum foil
- electrolytic capacitors
- ppm
- aluminum
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インジウム(In)を含有する電解コンデン
サ用アルミニウム箔に関する。
サ用アルミニウム箔に関する。
尚、本明細書において、’’%’’及び’゛pμm’’
とあるのは、特に規定しない限り重量基準で示すものと
する。
とあるのは、特に規定しない限り重量基準で示すものと
する。
電解コンデンサに使用されるアルミニウl、箔としては
、エッチング性に優れていること、耐折強度が大なるこ
と、コンデンサとした場合の静電容量が大となること等
の性能を具備することが要求される。
、エッチング性に優れていること、耐折強度が大なるこ
と、コンデンサとした場合の静電容量が大となること等
の性能を具備することが要求される。
従来この様な性質を有するアルミニウム箔を得る為に、
高純度アルミニウムに一定量の適当な合金成分を含有さ
せることが提案されているが、いずれも種々の点で充分
満足すべきものとはいい難い。本発明者は、公知のアル
ミニウム合金箔の問題点に留意しつつ種々研究を重ねた
結果、特定量のInを含有する純度99.9%以上のア
ルミニウl、合金箔が、エッチング性、耐折強度、コン
デンサ特性等の点で優れた効果を奏することを見出し、
遂に本発明を完成するにいたつた。即ち、本発明は、I
nを0.1〜1ppm含有するアルミニウム純度99.
9%以上の電解コンデンサ用アルミニウム箔に係るもの
である。本発明においては、アルミニウム純度を99.
9%以上とするとともに、エッチング特性、耐折強度、
コンデンサ特性等を総合的に勘案してIn含有量を00
1〜1ppm)より好ましくは0.25〜0.75pp
mとする。
高純度アルミニウムに一定量の適当な合金成分を含有さ
せることが提案されているが、いずれも種々の点で充分
満足すべきものとはいい難い。本発明者は、公知のアル
ミニウム合金箔の問題点に留意しつつ種々研究を重ねた
結果、特定量のInを含有する純度99.9%以上のア
ルミニウl、合金箔が、エッチング性、耐折強度、コン
デンサ特性等の点で優れた効果を奏することを見出し、
遂に本発明を完成するにいたつた。即ち、本発明は、I
nを0.1〜1ppm含有するアルミニウム純度99.
9%以上の電解コンデンサ用アルミニウム箔に係るもの
である。本発明においては、アルミニウム純度を99.
9%以上とするとともに、エッチング特性、耐折強度、
コンデンサ特性等を総合的に勘案してIn含有量を00
1〜1ppm)より好ましくは0.25〜0.75pp
mとする。
In含有量が0.1pμm未満の場合には、エッチング
性の改善及びコンデンサ容量の増大が充分に行なわれず
、一方1pμmを上回る場合には、コンデンサ容量が低
下する傾向がある。本発明のアルミニウム箔は、純度9
9.9%以上のアルミニウム鋳造時にInを10.1〜
1ppm含有する様に添加し、以後常法に従い圧延を行
ない、必要に応じ4500C以上で非酸化性雰囲気又は
真空下に焼鈍することにより得られる。
性の改善及びコンデンサ容量の増大が充分に行なわれず
、一方1pμmを上回る場合には、コンデンサ容量が低
下する傾向がある。本発明のアルミニウム箔は、純度9
9.9%以上のアルミニウム鋳造時にInを10.1〜
1ppm含有する様に添加し、以後常法に従い圧延を行
ない、必要に応じ4500C以上で非酸化性雰囲気又は
真空下に焼鈍することにより得られる。
本発明のアルミニウム箔においては、In添加により、
その軟化後の表面酸化皮膜の欠陥部は、ヨツテイング開
始点となり、その数は著るしく増加しているものと思わ
れる。
その軟化後の表面酸化皮膜の欠陥部は、ヨツテイング開
始点となり、その数は著るしく増加しているものと思わ
れる。
従つて、エッチング時にCl−イオン浸入は容易であり
、エッチング初期ノの段階に多数のピットが形成される
。(100)面占有率を向上させるには、圧延時の加工
歪量の蓄積が十分に行なわれる。
、エッチング初期ノの段階に多数のピットが形成される
。(100)面占有率を向上させるには、圧延時の加工
歪量の蓄積が十分に行なわれる。
必要がある。しかるにアルミニウム純度が例えば99.
99%にもなると、圧延時に加工軟化してしまう為、最
5終軟化時の結晶粒の粗大化が著るしい。本発明で使用
するInは、圧延時の加工歪を蓄積させる効果があり、
且つ結晶粒の粗大化を防止するので、(100)面占有
率を増加させる。実施例1 鋳造時に99.99%NにInをO〜1.0ppm添加
し、常法に従つて冷間圧延により0.1wtの合金箔と
した後、真空下550℃で3時間焼鈍する。
99%にもなると、圧延時に加工軟化してしまう為、最
5終軟化時の結晶粒の粗大化が著るしい。本発明で使用
するInは、圧延時の加工歪を蓄積させる効果があり、
且つ結晶粒の粗大化を防止するので、(100)面占有
率を増加させる。実施例1 鋳造時に99.99%NにInをO〜1.0ppm添加
し、常法に従つて冷間圧延により0.1wtの合金箔と
した後、真空下550℃で3時間焼鈍する。
(イ)次いで、HCll2.5VOl%を含むエッチン
グ浴に得られた軟質箔を浸漬し、浴温80℃、直流電流
密度30AIddの条件下に所定時間エッチングを行な
う。
グ浴に得られた軟質箔を浸漬し、浴温80℃、直流電流
密度30AIddの条件下に所定時間エッチングを行な
う。
In添加量とエッチング性(ビット数)との関係を各エ
ッチング時間につき調べた結果を第1図として示す。第
1〜3図において曲線Aは、エッチング時間3@、曲線
Bは90秒、曲線Cは18(8の場合の結果を夫々示す
。第1図から明らかな如く、In添加量が0.1〜0.
5ppmの範囲でビット数増大の効果が顕著であり、0
.75ppm以上になると効果はあまり認められない。
但し、エッチング条件によつては、0.75ppm以上
でも添加の効果が認められる場合があることも確認され
た。(ロ)前記で得られた軟化箔におけるIn添加量と
(100)面占有率との関係を調べた結果を第2図に示
す。
ッチング時間につき調べた結果を第1図として示す。第
1〜3図において曲線Aは、エッチング時間3@、曲線
Bは90秒、曲線Cは18(8の場合の結果を夫々示す
。第1図から明らかな如く、In添加量が0.1〜0.
5ppmの範囲でビット数増大の効果が顕著であり、0
.75ppm以上になると効果はあまり認められない。
但し、エッチング条件によつては、0.75ppm以上
でも添加の効果が認められる場合があることも確認され
た。(ロ)前記で得られた軟化箔におけるIn添加量と
(100)面占有率との関係を調べた結果を第2図に示
す。
In添加による結晶粒の微細化に伴う(100)面占有
率の向上が顕著である。(ハ)上記(イ)で得られた各
エツチド箔を夫々10V化成した場合のIn添加量と静
容量との関係を第3図として示す。
率の向上が顕著である。(ハ)上記(イ)で得られた各
エツチド箔を夫々10V化成した場合のIn添加量と静
容量との関係を第3図として示す。
In添加量が0.25〜0.75ppmの範囲で最も良
好な結果が得られている。
好な結果が得られている。
第1〜3図は、本発明によるアルミニウム箔の物性を示
すグラフである。
すグラフである。
Claims (1)
- 1 インジウムを0.1〜1ppm含有するアルミニウ
ム純度99.9%以上の電解コンデンサ用アルミニウム
箔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142170A JPS6047896B2 (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142170A JPS6047896B2 (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5842747A JPS5842747A (ja) | 1983-03-12 |
JPS6047896B2 true JPS6047896B2 (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=15308979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56142170A Expired JPS6047896B2 (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6047896B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2790008B1 (fr) | 1999-02-23 | 2001-04-13 | Pechiney Rhenalu | Feuille en alluminium raffine pour condensateurs electrolytiques |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3498765A (en) * | 1966-09-06 | 1970-03-03 | Aluminum Co Of America | Capacitor foil composed of alloys of aluminum and cadmium or indium |
JPS57110646A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | Sumitomo Alum Smelt Co Ltd | High-purity aluminum alloy foil for anode of electrolytic capacitor |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP56142170A patent/JPS6047896B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3498765A (en) * | 1966-09-06 | 1970-03-03 | Aluminum Co Of America | Capacitor foil composed of alloys of aluminum and cadmium or indium |
JPS57110646A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | Sumitomo Alum Smelt Co Ltd | High-purity aluminum alloy foil for anode of electrolytic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5842747A (ja) | 1983-03-12 |
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