JPS637614A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔Info
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- JPS637614A JPS637614A JP15258286A JP15258286A JPS637614A JP S637614 A JPS637614 A JP S637614A JP 15258286 A JP15258286 A JP 15258286A JP 15258286 A JP15258286 A JP 15258286A JP S637614 A JPS637614 A JP S637614A
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- aluminum foil
- etching
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 8
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
駁1」L悲B」L交互
本発明は、電解コンデンサ用アルミニウム箔に関する。
従来の技術とその問題点
電解コンデンサ用アルミニウム籠(以下単にA+273
という)としては、−般にエツチングによる粗面化によ
り表面積を拡大し、もって静電8聞の向上を図っている
。従来、エツチング性の改善は、主にAQ箔に微量の合
金元素を添加することにより行なわれているが、同じ成
分のアルミニウム箔を用いても、製箔工程の違いによっ
て静電8母が変動することが知られ゛ている。
という)としては、−般にエツチングによる粗面化によ
り表面積を拡大し、もって静電8聞の向上を図っている
。従来、エツチング性の改善は、主にAQ箔に微量の合
金元素を添加することにより行なわれているが、同じ成
分のアルミニウム箔を用いても、製箔工程の違いによっ
て静電8母が変動することが知られ゛ている。
問題点を解決するための手段
本発明者は、AQ箔のエツチング性に及ぼす製箔工程中
の各種要因について研究を重ねた拮果、Fe等の不純物
含有量を一定限度以下としたAQ箔に特定の耐電圧を有
する酸化皮膜を形成させる場合には、エツチング性の改
善とそれに伴う静電8但の増大が可能となることを見出
した。即ち、本発明は、純度99.7%以上で、Fe0
117%以下、Si 0.07%以下かツCu0.0
05%以下のアルミニウム箔表面に皮膜耐電圧が0.5
〜1.0■である酸化度、摸を形成された電解コンデン
サ用アルミニウム箔に係る。
の各種要因について研究を重ねた拮果、Fe等の不純物
含有量を一定限度以下としたAQ箔に特定の耐電圧を有
する酸化皮膜を形成させる場合には、エツチング性の改
善とそれに伴う静電8但の増大が可能となることを見出
した。即ち、本発明は、純度99.7%以上で、Fe0
117%以下、Si 0.07%以下かツCu0.0
05%以下のアルミニウム箔表面に皮膜耐電圧が0.5
〜1.0■である酸化度、摸を形成された電解コンデン
サ用アルミニウム箔に係る。
本発明で使用するAQ箔は、純度99.7%以上で、F
e0.17%以下、Si 0.07%以下かつCu
O,005%以下であることを要する。Fe、Si及
びCLIのいずれが1種の含有量がこれ等の上限値を上
回る場合には、エツチングの際の粗面化効率が低下して
しまうこと及び電解コンデンサの安定性を阻害してしま
うという問題があり、実用性がない。
e0.17%以下、Si 0.07%以下かつCu
O,005%以下であることを要する。Fe、Si及
びCLIのいずれが1種の含有量がこれ等の上限値を上
回る場合には、エツチングの際の粗面化効率が低下して
しまうこと及び電解コンデンサの安定性を阻害してしま
うという問題があり、実用性がない。
また、AQ箔表面に形成される酸化皮膜の耐電圧は、0
.5〜1.0ボルトであることを要する。
.5〜1.0ボルトであることを要する。
この耐電圧が0.5ボルト未満の場合には、エツチング
操作時にAQ箔の腐食が過度に進行するので、粗面化に
よる静電容量の増大が期待できない。
操作時にAQ箔の腐食が過度に進行するので、粗面化に
よる静電容量の増大が期待できない。
−方、耐電圧が1.0ボルトを上回る場合には、不純物
、特にFeの析出が促進されてAQ箔の化学溶解性が増
すため、静電容量が低下してしまう。
、特にFeの析出が促進されてAQ箔の化学溶解性が増
すため、静電容量が低下してしまう。
本発明における酸化皮膜の形成方法としては、AQ箔を
約100〜200℃で約0.5〜24時間保持する方法
、AQ箔を陽8i酸化処理する方法等が挙げられる。
約100〜200℃で約0.5〜24時間保持する方法
、AQ箔を陽8i酸化処理する方法等が挙げられる。
なお、本発明のAQ箔は、常法に従って、エツチング処
理することにより、高い静電容量を呈する。また、電解
コンデンサの陽極箔又は陽極箔として使用する場合にも
、既存のAQ箔と同様にして使用される。
理することにより、高い静電容量を呈する。また、電解
コンデンサの陽極箔又は陽極箔として使用する場合にも
、既存のAQ箔と同様にして使用される。
発明の効果
本発明によれば、純度99.7%のAQ陰極箔から純度
99.99%の中低圧陽極箔にいたる広範なコンデンサ
用AQ箔の静電容量を著るしく向上させることができる
。
99.99%の中低圧陽極箔にいたる広範なコンデンサ
用AQ箔の静電容量を著るしく向上させることができる
。
実 施 例
以下、実施例を示し、本発明の特徴とするところをより
一層明らかにする。
一層明らかにする。
実施例1
純度99 、’98%、Fe O,006%、3i0
.005%、Cu 0.005%の圧延上りAQ箔(
厚さ0.1mm)を空気中種々の温度で8時間にわたり
加熱処理し、酸化皮膜を形成させた。
.005%、Cu 0.005%の圧延上りAQ箔(
厚さ0.1mm)を空気中種々の温度で8時間にわたり
加熱処理し、酸化皮膜を形成させた。
上記の様にして加熱処理したAQ箔をHCQ10%、A
QCQ3 ・6H205%及びH3P0t1%の浴にて
温度50℃、電流密度50A/dm2で3分間交流エツ
チング処理した。
QCQ3 ・6H205%及びH3P0t1%の浴にて
温度50℃、電流密度50A/dm2で3分間交流エツ
チング処理した。
次いで、上記エツチング処理AQ箔を8%ホウ酸アンモ
ニウム液中30℃で50Vの直流電流を20分間印加し
て、化成処理した。加熱処理後のAQ箔の皮膜耐電圧と
得られた化成処理箔の静電容量との関係を表1に示す。
ニウム液中30℃で50Vの直流電流を20分間印加し
て、化成処理した。加熱処理後のAQ箔の皮膜耐電圧と
得られた化成処理箔の静電容量との関係を表1に示す。
表 1
実施1!ill 2
純度99.98%、Fe 0.006%、S10.0
05%、Cut 0.005%の圧延上りAQ箔(厚
ざ0.1m1ll)を空気中種々の温度で加熱処理し、
酸化皮膜を形成させた。
05%、Cut 0.005%の圧延上りAQ箔(厚
ざ0.1m1ll)を空気中種々の温度で加熱処理し、
酸化皮膜を形成させた。
処理侵のAQ箔を20%NaCQの浴にて温度95℃、
電流密度50A/dm2で2分間直流エツチング処理し
た。次いで実施例1と同じ条件で化成処理した。得られ
た化成処理箔の静電容ωを測定し、その結果を表2に示
す。
電流密度50A/dm2で2分間直流エツチング処理し
た。次いで実施例1と同じ条件で化成処理した。得られ
た化成処理箔の静電容ωを測定し、その結果を表2に示
す。
表 2
実施例3
純度99.75%、Fe0.16%、Si0.06%、
Cub、00%の圧延上りAQ箭(厚さ0.05mm)
を種々の温度で加熱処理し、酸化皮膜を形成させた。
Cub、00%の圧延上りAQ箭(厚さ0.05mm)
を種々の温度で加熱処理し、酸化皮膜を形成させた。
上記の様にして加熱処理したAQ箔を1−10910%
、AQCQ3 ・6H205%及びHaPO&1%の浴
にて温度50℃、電流密度50A/dm2で2分間交流
エツチング処理した。
、AQCQ3 ・6H205%及びHaPO&1%の浴
にて温度50℃、電流密度50A/dm2で2分間交流
エツチング処理した。
加熱処理後のAQ箔の皮膜耐電圧と得られたエツチド箔
の無化成静電容量との関係を表3に示す。
の無化成静電容量との関係を表3に示す。
表 3
実施例4
純度99.98%の圧延上りAQ箔を5%ホウ酸浴中に
て陽極酸化を行ない、0.5〜5vの皮膜を付与した。
て陽極酸化を行ない、0.5〜5vの皮膜を付与した。
実施例1と同様にして、エツチング及び化成処理を施し
た。結果を表4に示す。
た。結果を表4に示す。
表 4
実施例1〜4に示した如く、皮膜耐電圧が0.5〜1.
QVoltの範囲内の酸化皮膜を有するAQ箔(純度9
9.7%以上)は、電解エツチングの際の粗面化効率が
優れでおり、高い静電容量を示すことが明らかである。
QVoltの範囲内の酸化皮膜を有するAQ箔(純度9
9.7%以上)は、電解エツチングの際の粗面化効率が
優れでおり、高い静電容量を示すことが明らかである。
(以 上)
’、==7
″;=−−′、コ・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 純度99.7%以上で、Fe0.17%以下、Si
0.07%以下かつCu 0.005%以下のアルミニウム箔表面に皮膜耐電圧が
0.5〜1.0Vである酸化皮膜を形成させた電解コン
デンサ用アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61152582A JP2602013B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | エッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61152582A JP2602013B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | エッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS637614A true JPS637614A (ja) | 1988-01-13 |
JP2602013B2 JP2602013B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=15543614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61152582A Expired - Lifetime JP2602013B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | エッチング処理用の電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2602013B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0422758U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-25 | ||
JPH04179110A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔 |
JP2003100565A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53112452A (en) * | 1977-03-14 | 1978-09-30 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Aluminum cathode foil for electrolytic capacitor |
JPS5649508A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrolytic condenser |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61152582A patent/JP2602013B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53112452A (en) * | 1977-03-14 | 1978-09-30 | Mitsubishi Keikinzoku Kogyo | Aluminum cathode foil for electrolytic capacitor |
JPS5649508A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrolytic condenser |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0422758U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-25 | ||
JPH04179110A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔 |
JP2602357B2 (ja) * | 1990-11-09 | 1997-04-23 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔 |
JP2003100565A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2602013B2 (ja) | 1997-04-23 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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