JPS6211487B2 - - Google Patents
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- JPS6211487B2 JPS6211487B2 JP21440181A JP21440181A JPS6211487B2 JP S6211487 B2 JPS6211487 B2 JP S6211487B2 JP 21440181 A JP21440181 A JP 21440181A JP 21440181 A JP21440181 A JP 21440181A JP S6211487 B2 JPS6211487 B2 JP S6211487B2
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- aluminum foil
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Landscapes
- Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)
Description
本発明はアルミニウム電解コンデンサにおいて
陽極箔および／または陰極箔として使用されるア
ルミニウム電極箔の製造方法に関するものであ
る。 一般に、アルミニウム電解コンデンサは、アル
ミニウムケースまたは樹脂ケース内に、外部端子
を有する平滑または粗面化（エツチング）された
アルミニウム箔に陽極酸化膜を生成させた陽極箔
と、外部端子を有する粗面化されたアルミニウム
箔の陰極箔とをクラフト紙またはマニラ麻混抄紙
を介して巻回したコンデンサ素子を収容し、ゴム
またはゴム張りベーク材もしくは樹脂材により封
口した構造となつている。このようなアルミニウ
ム電解コンデンサを経済的に製造し、かつ小形化
するには原アルミニウム箔の粗面化によるその表
面積拡大率を向上させることが第一義的であり、
またこのことはすでに周知である。 従来、原アルミニウム箔を粗面化し、その表面
積拡大率を向上させる方法としては幾多の方法が
文献、学会誌あるいはコンデンサ研究会などで公
表されているが、その主たる方法を以下に述べ
る。 (1) エツチング液として塩酸または食塩を主体と
し、種々の酸を添加することにより表面積拡大
率を向上させる方法。 (2) 電源として直流電源、種々なる脈動波電源
（正弦波から矩形波までを含む）の単独電源ま
たはそれらの組合わせ電源を使用することによ
り表面積拡大率を向上させる方法。 (3) 種々のエツチング液と種々の電源を組合わせ
ることにより表面積拡大率を向上させる方法。 (4) 原アルミニウム箔の各粗面化工程の間に、熱
酸化膜または陽極酸化膜を生成させ、初期にで
きた微細な粗面部の溶解を抑制し、該皮膜の欠
陥部に対して次の粗面化工程で有効に粗面化す
ることにより表面積拡大率を向上させる方法。 つまり、アルミニウム箔の表面積拡大率を向上
させる方法としては上述したようにエツチング液
の組成、電源の選択および粗面化工程の組合わせ
などが一般的である。 しかし、従来の方法での主たる粗面化のメカニ
ズムは、電源として脈動波電源を使用した場合、
粗面化を行ないながら添加する酸の性質により極
く薄い膜を生成させてその皮膜の欠陥部より粗面
化を行なうか、または粗面化進行の中間にて酸化
膜を生成させて表面溶解性を抑制しようとするも
のである。 ところで、本発明は従来の表面積拡大率よりさ
らに大きな表面積拡大率を得ることを目的とした
もので、例えば平滑な原アルミニウム箔を電気化
学的に予備粗面化し、次いでこれを圧延し、この
ようにして得られた予備粗面化および圧延化され
たアルミニウム箔を従来の原アルミニウム箔なる
ものとして従来と同様な粗面化工程によりアルミ
ニウム電極箔を製造する方法を提供するものであ
る。 通常、陽極箔として使用されるのは純度99.99
〜99.98％の原アルミニウム箔であり、箔厚は50
〜120μｍである。本発明において箔厚は200〜
400μｍの箔地の状態の原アルミニウム箔を使用
し、先ず予備粗面化を行ない、必要に応じて脱塩
素化処理し、その後圧延を行なつて最終所望箔厚
50〜120μｍを得、次いで粗面化条件に合つた調
質処理を行ない、本格的な粗面化を従来の技術手
段である電気化学的に行なうようにしたものであ
る。つまり、本発明の特徴はアルミニウム箔の圧
延工程中に予備粗面化工程を設けたものである
と、換言することもできる。 以下、本発明の実施例を説明する。実施例１は
中高圧用（160〜600V）電解コンデンサに使用さ
れる陽極箔を作成する例を示す。実施例２と３は
中低圧用（6.3〜160V）電解コンデンサに使用さ
れる陽極箔を作成する例を示す。 実施例 １ 箔厚400μｍの原アルミニウム箔を界面活性剤
にて洗浄し、350℃の真空状態にて６時間焼鈍す
る。次に、液温80℃の塩酸6.0wt％のエツチング
液中にて電流密度500mA／cm2、電気量300mA・
min／cm2の直流電源により予備粗面化処理する。
しかる後、液温85℃の硼酸3wt％の液にて１分間
脱塩素化処理する。引続き、２パス圧延手段によ
り箔厚100μｍに圧延し、界面活性剤にて洗浄
し、550℃の真空状態にて10時間焼鈍する。次に
述べる工程は従来と同様な工程で、予備粗面化お
よび圧延化されたアルミニウム箔を液温82℃の塩
酸6.0wt％のエツチング液中にて電流密度
110mA／cm、電気量200mA・min／cm2の直流電源
により第１の粗面化処理し液温86℃の塩酸、
4.5wt％のエツチング液中にて電流密度85mA／
cm2、電気量700mA・min／cm2の直流電源により第
２の粗面化処理し、液温85℃の硼酸3wt％の液に
て１分間脱塩素化処理する。そして、陽極酸化の
前処理として純水にて10分間煮沸し、液温85℃の
硼酸8wt％、硼安0.12wt％の化成液中にて30分間
350V化成し、陽極酸化処理する。 このようにして得られた本発明に係る陽極箔で
ある実施例１と、箔厚100μｍの原アルミニウム
箔を上述と同様な条件により第１の粗面化処理
し、第２の粗面化処理し、脱塩素化処理し、陽極
酸化処理して得られた陽極箔である従来例１との
比較を第１表に示す。
陽極箔および／または陰極箔として使用されるア
ルミニウム電極箔の製造方法に関するものであ
る。 一般に、アルミニウム電解コンデンサは、アル
ミニウムケースまたは樹脂ケース内に、外部端子
を有する平滑または粗面化（エツチング）された
アルミニウム箔に陽極酸化膜を生成させた陽極箔
と、外部端子を有する粗面化されたアルミニウム
箔の陰極箔とをクラフト紙またはマニラ麻混抄紙
を介して巻回したコンデンサ素子を収容し、ゴム
またはゴム張りベーク材もしくは樹脂材により封
口した構造となつている。このようなアルミニウ
ム電解コンデンサを経済的に製造し、かつ小形化
するには原アルミニウム箔の粗面化によるその表
面積拡大率を向上させることが第一義的であり、
またこのことはすでに周知である。 従来、原アルミニウム箔を粗面化し、その表面
積拡大率を向上させる方法としては幾多の方法が
文献、学会誌あるいはコンデンサ研究会などで公
表されているが、その主たる方法を以下に述べ
る。 (1) エツチング液として塩酸または食塩を主体と
し、種々の酸を添加することにより表面積拡大
率を向上させる方法。 (2) 電源として直流電源、種々なる脈動波電源
（正弦波から矩形波までを含む）の単独電源ま
たはそれらの組合わせ電源を使用することによ
り表面積拡大率を向上させる方法。 (3) 種々のエツチング液と種々の電源を組合わせ
ることにより表面積拡大率を向上させる方法。 (4) 原アルミニウム箔の各粗面化工程の間に、熱
酸化膜または陽極酸化膜を生成させ、初期にで
きた微細な粗面部の溶解を抑制し、該皮膜の欠
陥部に対して次の粗面化工程で有効に粗面化す
ることにより表面積拡大率を向上させる方法。 つまり、アルミニウム箔の表面積拡大率を向上
させる方法としては上述したようにエツチング液
の組成、電源の選択および粗面化工程の組合わせ
などが一般的である。 しかし、従来の方法での主たる粗面化のメカニ
ズムは、電源として脈動波電源を使用した場合、
粗面化を行ないながら添加する酸の性質により極
く薄い膜を生成させてその皮膜の欠陥部より粗面
化を行なうか、または粗面化進行の中間にて酸化
膜を生成させて表面溶解性を抑制しようとするも
のである。 ところで、本発明は従来の表面積拡大率よりさ
らに大きな表面積拡大率を得ることを目的とした
もので、例えば平滑な原アルミニウム箔を電気化
学的に予備粗面化し、次いでこれを圧延し、この
ようにして得られた予備粗面化および圧延化され
たアルミニウム箔を従来の原アルミニウム箔なる
ものとして従来と同様な粗面化工程によりアルミ
ニウム電極箔を製造する方法を提供するものであ
る。 通常、陽極箔として使用されるのは純度99.99
〜99.98％の原アルミニウム箔であり、箔厚は50
〜120μｍである。本発明において箔厚は200〜
400μｍの箔地の状態の原アルミニウム箔を使用
し、先ず予備粗面化を行ない、必要に応じて脱塩
素化処理し、その後圧延を行なつて最終所望箔厚
50〜120μｍを得、次いで粗面化条件に合つた調
質処理を行ない、本格的な粗面化を従来の技術手
段である電気化学的に行なうようにしたものであ
る。つまり、本発明の特徴はアルミニウム箔の圧
延工程中に予備粗面化工程を設けたものである
と、換言することもできる。 以下、本発明の実施例を説明する。実施例１は
中高圧用（160〜600V）電解コンデンサに使用さ
れる陽極箔を作成する例を示す。実施例２と３は
中低圧用（6.3〜160V）電解コンデンサに使用さ
れる陽極箔を作成する例を示す。 実施例 １ 箔厚400μｍの原アルミニウム箔を界面活性剤
にて洗浄し、350℃の真空状態にて６時間焼鈍す
る。次に、液温80℃の塩酸6.0wt％のエツチング
液中にて電流密度500mA／cm2、電気量300mA・
min／cm2の直流電源により予備粗面化処理する。
しかる後、液温85℃の硼酸3wt％の液にて１分間
脱塩素化処理する。引続き、２パス圧延手段によ
り箔厚100μｍに圧延し、界面活性剤にて洗浄
し、550℃の真空状態にて10時間焼鈍する。次に
述べる工程は従来と同様な工程で、予備粗面化お
よび圧延化されたアルミニウム箔を液温82℃の塩
酸6.0wt％のエツチング液中にて電流密度
110mA／cm、電気量200mA・min／cm2の直流電源
により第１の粗面化処理し液温86℃の塩酸、
4.5wt％のエツチング液中にて電流密度85mA／
cm2、電気量700mA・min／cm2の直流電源により第
２の粗面化処理し、液温85℃の硼酸3wt％の液に
て１分間脱塩素化処理する。そして、陽極酸化の
前処理として純水にて10分間煮沸し、液温85℃の
硼酸8wt％、硼安0.12wt％の化成液中にて30分間
350V化成し、陽極酸化処理する。 このようにして得られた本発明に係る陽極箔で
ある実施例１と、箔厚100μｍの原アルミニウム
箔を上述と同様な条件により第１の粗面化処理
し、第２の粗面化処理し、脱塩素化処理し、陽極
酸化処理して得られた陽極箔である従来例１との
比較を第１表に示す。
【表】
本発明に係る実施例１の方が従来例１と比較
し、折曲強度および引張強度の低下を生ずること
なく静電容量値の向上をはかることができる。 実施例 ２ 箔厚400μｍの原アルミニウム箔を界面活性剤
にて洗浄し、550℃の真空状態にて６時間焼鈍す
る。次に、液温90℃の塩酸6.0wt％のエツチング
液中にて電流密度100mA／cm2、電気量200mA・
min／cm2の直流電源により予備粗面化処理する。
しかる後、液温85℃の硼酸3wt％の液にて１分間
脱塩素化処理する。引続き、３パス圧延手段によ
り箔厚70μｍに圧延し、界面活性剤にて洗浄し、
450℃の真空状態にて６時間焼鈍する。次に述べ
る工程は従来と同様な工程で、予備粗面化および
圧延化されたアルミニウム箔を液温46℃の塩酸
8.0wt％、硫酸0.01wt％、燐酸0.9wt％、硝酸
0.5wt％のエツチング液中にて電流密度800mA／
cm、電気量1900mA・min／cm2の交流（7.5Hz）電
源により第１の粗面化処理し、液温50℃の燐酸
2wt％の液にて40秒間脱塩素化処理する。そし
て、液温80℃の燐酸0.1wt％、アンモニア0.15wt
％の化成液中にて30分間100V化成し、陽極酸化
処理する。 このようにして得られた本発明に係る陽極箔で
ある実施例２と、箔厚70μｍの原アルミニウム箔
を上述と同様な条件により第１の粗面化処理し、
脱塩素化処理し、陽極酸化して得られた陽極箔で
ある従来例２との比較を第２表に示す。
し、折曲強度および引張強度の低下を生ずること
なく静電容量値の向上をはかることができる。 実施例 ２ 箔厚400μｍの原アルミニウム箔を界面活性剤
にて洗浄し、550℃の真空状態にて６時間焼鈍す
る。次に、液温90℃の塩酸6.0wt％のエツチング
液中にて電流密度100mA／cm2、電気量200mA・
min／cm2の直流電源により予備粗面化処理する。
しかる後、液温85℃の硼酸3wt％の液にて１分間
脱塩素化処理する。引続き、３パス圧延手段によ
り箔厚70μｍに圧延し、界面活性剤にて洗浄し、
450℃の真空状態にて６時間焼鈍する。次に述べ
る工程は従来と同様な工程で、予備粗面化および
圧延化されたアルミニウム箔を液温46℃の塩酸
8.0wt％、硫酸0.01wt％、燐酸0.9wt％、硝酸
0.5wt％のエツチング液中にて電流密度800mA／
cm、電気量1900mA・min／cm2の交流（7.5Hz）電
源により第１の粗面化処理し、液温50℃の燐酸
2wt％の液にて40秒間脱塩素化処理する。そし
て、液温80℃の燐酸0.1wt％、アンモニア0.15wt
％の化成液中にて30分間100V化成し、陽極酸化
処理する。 このようにして得られた本発明に係る陽極箔で
ある実施例２と、箔厚70μｍの原アルミニウム箔
を上述と同様な条件により第１の粗面化処理し、
脱塩素化処理し、陽極酸化して得られた陽極箔で
ある従来例２との比較を第２表に示す。
【表】
本発明に係る実施例２によると、折曲強度およ
び引張強度は従来例２と同等で、静電容量値は従
来例２より向上をはかることができる。 実施例 ３ 箔厚400μｍの原アルミニウム箔を界面活性剤
にて洗浄し、350℃の真空状態にて６時間焼鈍す
る。次に、液温65℃の塩酸10.0wt％のエツチング
液中にて電流密度500mA／cm2、電気量450mA・
min／cm2の交流（50Hz）電源により予備粗面化処
理する。しかる後、液温85℃の硼酸3wt％の液に
て１分間脱塩素化処理する。引続き、３パス圧延
手段により箔厚90μｍに圧延する。この場合には
洗浄および焼鈍処理は行なわない。次に述べる工
程は従来と同様な工程で、予備粗面化および圧延
化されたアルミニウム箔を液温92℃の塩酸2wt
％、硫酸ソーダ2wt％のエツチング液中にて電流
密度700mA／cm2、電気量800mA・min／cm2の直流
電源により第１の粗面化処理し、液温50℃の燐酸
2wt％の液にて40秒間脱塩素化処理する。そし
て、液温80℃の燐酸0.1wt％、アンモニア0.15wt
％の化成液中にて30分間100V化成し、陽極酸化
処理する。 このようにして得られた本発明に係る陽極箔で
ある実施例３と、箔厚90μｍの原アルミニウム箔
を上述と同様な条件により第１の粗面化処理し、
脱塩素化処理し、陽極酸化して得られた陽極箔で
ある従来例３との比較を第３表に示す。
び引張強度は従来例２と同等で、静電容量値は従
来例２より向上をはかることができる。 実施例 ３ 箔厚400μｍの原アルミニウム箔を界面活性剤
にて洗浄し、350℃の真空状態にて６時間焼鈍す
る。次に、液温65℃の塩酸10.0wt％のエツチング
液中にて電流密度500mA／cm2、電気量450mA・
min／cm2の交流（50Hz）電源により予備粗面化処
理する。しかる後、液温85℃の硼酸3wt％の液に
て１分間脱塩素化処理する。引続き、３パス圧延
手段により箔厚90μｍに圧延する。この場合には
洗浄および焼鈍処理は行なわない。次に述べる工
程は従来と同様な工程で、予備粗面化および圧延
化されたアルミニウム箔を液温92℃の塩酸2wt
％、硫酸ソーダ2wt％のエツチング液中にて電流
密度700mA／cm2、電気量800mA・min／cm2の直流
電源により第１の粗面化処理し、液温50℃の燐酸
2wt％の液にて40秒間脱塩素化処理する。そし
て、液温80℃の燐酸0.1wt％、アンモニア0.15wt
％の化成液中にて30分間100V化成し、陽極酸化
処理する。 このようにして得られた本発明に係る陽極箔で
ある実施例３と、箔厚90μｍの原アルミニウム箔
を上述と同様な条件により第１の粗面化処理し、
脱塩素化処理し、陽極酸化して得られた陽極箔で
ある従来例３との比較を第３表に示す。
【表】
本発明に係る実施例３によると、折曲強度およ
び引張強度は従来例３と同等で、静電容量値は従
来例３より向上をはかることができる。 以上にて述べたように、原アルミニウム箔を予
備粗面化処理し、しかる後に所望箔厚に圧延化処
理してなるアルミニウム電極箔の製造方法を提供
するもので、本発明に係る方法によると従来方法
より優れた箔の表面積拡大率を向上することがで
きる。なお、ここでは予備粗面化処理について電
気化学的な手法による場合についてのみ説明した
が、機械的にキズなどを付することによつて予備
粗面化処理することもできる。また、アルミニウ
ム電極箔として陽極箔および陰極箔にも適用でき
ることは言うまでもないことである。
び引張強度は従来例３と同等で、静電容量値は従
来例３より向上をはかることができる。 以上にて述べたように、原アルミニウム箔を予
備粗面化処理し、しかる後に所望箔厚に圧延化処
理してなるアルミニウム電極箔の製造方法を提供
するもので、本発明に係る方法によると従来方法
より優れた箔の表面積拡大率を向上することがで
きる。なお、ここでは予備粗面化処理について電
気化学的な手法による場合についてのみ説明した
が、機械的にキズなどを付することによつて予備
粗面化処理することもできる。また、アルミニウ
ム電極箔として陽極箔および陰極箔にも適用でき
ることは言うまでもないことである。
Claims (1)
- １ 原アルミニウム箔を予備粗面化処理し、しか
る後に所望箔厚に圧延化処理し、さらに粗面化処
理してなるアルミニウム電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21440181A JPS58116717A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | アルミニウム電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21440181A JPS58116717A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | アルミニウム電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116717A JPS58116717A (ja) | 1983-07-12 |
| JPS6211487B2 true JPS6211487B2 (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16655174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21440181A Granted JPS58116717A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | アルミニウム電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116717A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136484A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-06 | Fukuda Kinzoku Hakufun Kogyo Kk | 銅箔の粗面化処理方法 |
| JP3258249B2 (ja) * | 1996-12-25 | 2002-02-18 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔 |
| JPH1126320A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔およびアルミニウム電解コンデンサ |
| CN108405716A (zh) * | 2018-02-28 | 2018-08-17 | 中国科学院力学研究所 | 一种集流体铝箔的表面织构轧制方法 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP21440181A patent/JPS58116717A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58116717A (ja) | 1983-07-12 |
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