JPS6044845B2 - 発振回路 - Google Patents

発振回路

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JPS6044845B2
JPS6044845B2 JP52028002A JP2800277A JPS6044845B2 JP S6044845 B2 JPS6044845 B2 JP S6044845B2 JP 52028002 A JP52028002 A JP 52028002A JP 2800277 A JP2800277 A JP 2800277A JP S6044845 B2 JPS6044845 B2 JP S6044845B2
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JP
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transistor
collector
resistor
transistors
base
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JP52028002A
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啓雄 北澤
正人 田辺
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Priority to DE2758478A priority patent/DE2758478C3/de
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/04Synchronising
    • H04N5/12Devices in which the synchronising signals are only operative if a phase difference occurs between synchronising and synchronised scanning devices, e.g. flywheel synchronising
    • H04N5/126Devices in which the synchronising signals are only operative if a phase difference occurs between synchronising and synchronised scanning devices, e.g. flywheel synchronising whereby the synchronisation signal indirectly commands a frequency generator

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はテレビジョン受像機の水平発振回路等に使用し
て好適な集積回路化が容易な発振回路に関する。
従来テレビジョン受像機の水平発振回路を集積′曾 ・
・ ヤーー、”れ1、・・一、・゜′゜♂に、『゛フ
、、、、:=:==、−J−4ミゝ1゛?5ιゝι((
Ξ=1nFiiζ』、【9F、ミーー3口:えられてい
る。
この従来の発振回路について第1図を参照して説明する
と、その回路構成は次の通りである。すなわちエミッタ
同志を接続したNPN形の第1第2トランジスタ10、
11は差動形に構成され、そのエミッタ接続点にはNP
N形の第3トランジスタ12のコレクタが接続され、こ
のトランジスタ12のエミッタは抵抗13を介して接地
される。このトランジスタ12のベースは抵抗14を介
して動作電源端子15に接続されると共にコレクターベ
ース間を短絡したNPN形の第4トランジスタ31のコ
レクタと接続されており、このトランジスタ31のエミ
ッタは抵抗16を介して接地されている。前記第1トラ
ンジスタ10のベースは電源端子15と接地魚−間に直
列に接続した抵抗17、16の接続点と接続されており
、又コレクタは直接電源端子15と接続されている。一
方前記第2トランジスタ11のベースは充放電用コンデ
ンサ19を介して接地されると共にコレクタは抵抗20
を介して電源端)子15と接続されている。そしてこの
コレクタには更にPNP形の第5トランジスタ21のベ
ースが接続されており、第5トランジスタ21のエミッ
タは抵抗22を介して電源端子15に接続される。第5
トランジスタ21のコレクタは抵抗23sを介して接地
されると共に夫々抵抗24、25を介してNPN形の第
6第7トランジスタ26,27のベースと接続される。
この第6トランジスタ26のエミツタは直接接地される
と共にコレクタは抵抗28を介して前記第1トランジス
タ10のベースと接続される。同様に第7トランジスタ
27のエミツタは直接接地されコレクタは抵抗29を介
して前記第2トランジスタ11のベースと接続され、こ
の第2トランジスタ11のベースは抵抗30を介して電
源端子15と接続して発振回路を構成している。次にこ
の発振回路の動作について説明すれば、まずコンデンサ
19の端子電圧が低く第1トランジスタ10がオンで第
2トランジスタ11がオフの状態にあると仮定する。
この状態においては第1トランジスタ10のベース電圧
は第2図aに示す様に一定電圧に保持されている。そし
てコンデンサ19には電源端子15からの電源電圧によ
つて抵抗30を介して充電電流が流れ指数関数的に充電
をおこなつていく。このコンデンサ19の両端電圧をみ
れば第2図bの様になる。このコンデンサ19の充電電
圧が第1トランジスタ10のしきい値を越える電肚Hま
で充電されると第1第2トランジスタ10,11の動作
が反転して第2トランジスタ11がオン、第1トランジ
スタ10がオフとなる。第2トランジスタ11がオンす
ることによつてコレクタ電流が流れ抵抗20に電圧降下
を生じコレクタ電位を低下させる。このため第5トラン
ジスタ21がオンとなりコレクタ電流が流れて抵抗23
の端子電圧を上昇させる。この端子電圧の上昇は第2図
Cに示す様になりこの結一果第6第7トランジスタ26
,27が共にオンする。この時抵抗29に対して抵抗3
0の関係をR29<R3Oに設定しておくことによつて
コンデンサ19に充電されていた充電電荷は抵抗29及
び第7トランジスタ27を通して放電する。この抵.抗
29とトランジスタ27のコレクタとの接続点電圧波形
を示せば第2図dの様になる。一方第6トランジスタ2
6がオンすることによつて第1トランジスタ10のベー
ス電圧はとなつて低下する。
但し VO。
・・・電源電圧 Rl7・・・抵抗17の抵抗値 Rl8・・・抵抗18の抵抗値 R28・・・抵抗28の抵抗値 このため第1トランジスタ10はオア状態にあり第2ト
ランジスタ11はオン状態を保持する。
従つて第7トランジスタ27も飽和領域でオン状態を保
持しているのでコンデンサ19の充電電荷は抵抗29を
通して放電しつづけ第2図Bf)Vしレベルまで放電し
つづける。このVLレベルまで放電すると第2トランジ
スタ11はオフ状態に反j転させられ、このため第5、
第6及び第7トランジスタ21,26,27も夫々オフ
になる。第6トランジスタ26がオフに転することによ
り第1トランジスタ10のベース電圧は抵抗17,18
によつて分圧された分圧電圧となり第1トランジスタ1
0がオン状態となりコンデンサ19が抵抗30を通して
て再び充電され始める。
この様な動作を繰返すことにより発振動作が継続される
訳であるが第7トランジスタ27がオン状態からオフ状
態に転換する際トランジスタ27の蓄積効果による蓄積
時間の遅れが発生し、コンデンサ19の放電電圧は所定
値以下まで放電をしてしまう結果となりコンデンサ19
の端子電圧は第2図の期間tで5レベル以下にまで低下
してしまう。
このため発振回路の発振周波数は所定の発振周波数より
も低下してしまう欠点があり、また蓄積時間は温度によ
つて大きく左右するため温度変化によつて発振周波数が
変動する欠点があつた。本発明はこの様な点に鑑みなさ
れたもので発振周波数の低下がなく、しかも温度変化に
対しても安定な動作をおこなう発振回路を提供するもの
である。
以下第3図を参照して説明するとその回数は次の様に構
成される。
すなわちNPN形の第1及び第2トランジスタ40,4
1のエミツタ同志を互いに接続して差動形態に構成し、
このエミツタをNPN形の第3トランジスタ42のコレ
クタと接続し、このトランジスタ42のエミツタは抵抗
43を通して接地されている。
前記第3トランジスタ42のベースはベースとコレクタ
間を接続したNPN形の第4トランジスタ44のコレク
タに接続されると共に抵抗45を介して動作電圧Vcc
が供給される電源端子46に接続されており第4トラン
ジスタ44のエミツタは抵抗47を介して接地されてい
る。前記第1トランジスタ40のベースは電源端子46
と接地へ間に接続された抵抗48,49の接続点に接続
されコレクタは電源端子46に直接接続されている。一
方前記第2トランジスタ41のベースは電源端子46と
接地点間に直列に接続された抵抗50と充放電用コンデ
ンサ51との接続点に接続され、そのコレクタは負荷抵
抗52を介して電源端子46に接続されている。この第
2トランジスタ41のコレクタは更にPNP形に構成さ
れた第5及び第6トランジスタ53,54の夫々のベー
スと接続されており、第5第6トランジスタ53,54
の夫々のエミツタは抵抗55,56を介して電源端子4
6と接続され、夫々のコレクタは抵抗57,58を介し
て接地されている。この夫々の抵抗57,58と夫々の
コレクタとの接続点はNPN形の第7及び第8トランジ
スタ59,60のベースと接続されている。この第7ト
ランジスタ59のエミツタは接地されておりコレクタは
抵抗61を介して前記第1トランジスタ40のベースに
接続され、又第8トランジスタ60のエミツタは接地さ
れコレクタは抵抗62を介して前記第2トランジスタ4
1のベースと接続されている。前記第7トランジスタ5
9のコレクタはNPN形の第9トランジスタ63のエミ
ツタとも接続されており、このトランジスタ63のコレ
クタは前記第5トランジスタ53のエミツタと接続され
ている。そしてトランジスタ63のベースはNPN形の
第10トランジスタ64のベースに接続しており、この
トランジスタ64のエミツタは前記第8トランジスタ6
0のコレクタと接続され、又コレクタは前記第6トラン
ジスタ54のエミツタと接続している。して前記第9及
び第1叶ランジスタ63,64のベースはPNP形のエ
ミツタフオロアとして動作する第11トランジスタ65
のエミツタと接続しており、このエミツタは抵抗66を
介して電源端子46に接続され、コレクタは接地されて
いる。このトランジスタ65のベースは電源端子46と
接地点間に直列に接地された抵抗67,68の接続点に
接続されている。前記第2トランジスタ41のベースに
は入力端子69及び抵抗70を介して自動周波数制御回
路71が接続されており、又第2トランジスタ41のコ
レクタにはPNP形の第12トランジスタ72のベース
が接続されている。このトランジスタ72のエミツタは
抵抗73を介して電源端子46と接続され、コレクタは
抵抗74を介して接地されると共にフリツプフロツプ回
路75を介して水平ドライブ回路76と接続されて発振
回路を構成している。次に上記発振回路の動作について
説明するとコンデンサ51の端子電圧が低く第2トラン
ジスタ41がオフで第1トランジスタ40がオンの状態
にあると仮定する。この状態では第2トランジスタ41
がオフの状態にあるからコレクタ電位は略電源電圧VO
。まで上昇しており、このため第5、第6トランジスタ
53,54はオア状態となつている。このトランジスタ
53,54がオフの間は第7第8及び第9第10トラン
ジスタ59,60,63,64も夫々オア状態となつて
いる。そして第11トランジスタ65と抵抗66,67
,68は第9第10トランジスタ63,64のバイアス
回路として動作をおこなつている。第2トランジスタ4
1がオア状態の間はコンデンサ51に抵抗50を通して
充電電流が流れコンデンサ51に指数関数的に増加する
充電電圧を蓄わえる。この充電電圧が第1トランジスタ
40のベース電圧以上となると第2トランジスタ41が
オンに転じ第1トランジスタ40はオフとなる。第2ト
ランジスタ41がオンとなることによつて抵抗52を通
してコレクタ電流が流れこの抵抗52の両端に電圧降下
゛を生じるのでコレクタ電位が低下する。このため第5
第6トランジスタ53,54が共にオン状態となりエミ
ツタコレクタ間に電流が流れ夫々のコレクタ抵抗57,
58の両端に電圧降下を生じるので第7第8トランジス
タ59,60が共にオン・する。この第7第8トランジ
スタ59,60のコレクタ電圧はバイアス回路を構成す
る抵抗67,68によつて設定されたバイアス電圧以下
には低下しない。すなわち第7第8トランジスタ59,
60のコレクタ電圧が前記バイアス電圧以下に低ノ下す
ると第9第1叶ランジスタ63,64が順方向にバイア
スされるので第9第10トランジスタ63,64に電流
が流れ、この電流は第9トランジスタ63については抵
抗55→トランジスタ63のコレクタエミツタ通路→ト
ランジスタ59のコレクタエミツタ通路→地点の経路で
流れる。同様に第10トランジスタ64については抵抗
56→トランジスタ64のコレクタエミツタ通路→トラ
ンジスタ60のコレクタエミツタ通路→接地点間の経路
で電流が流れる。この電流の流れる経路は、第5トラン
ジスタ53及び抵抗57と、第6トランジスタ54及び
抵抗58を流れる電流通路に対する分流経路として働く
ことになり、このため第7第8トランジスタ59,60
の夫々のベース電位は低下してくる。したがつて第7第
8トランジスタ59,60のコレクタ電圧が抵抗67,
68で設定されるバイアス電圧以上となつた場合には第
9第10トランジスタ63,64はオフとなり分流経路
は遮断されるので第7第8トランジスタ59,60のベ
ース電位は低下しない。この第7第8トランジスタ59
,60のオン時のコレクタ電圧はとして表わすことがで
きる。
但し Cc・・・電源電圧 R67・・・抵抗67の抵抗値 R68・・・抵抗68の抵抗値 VBE65・・・トランジスタ65のベースエミツタ
間電圧BE63,6O・・・トランジスタ6
3又はトランジス 夕64のベースエミツタ
間電圧したがつて第7第8トランジスタ59,60は飽
和領域で動作をせず能動領域内で動作をおこなう.こと
となる。
この第8トランジスタ60がオンすることによつて抵抗
62と抵抗50との値を抵抗62〈抵抗50となる様に
設定しておくことによりコンデンサ51に充電されてい
た充電電荷は抵抗62及び第8トランジスタ60のコレ
クタエミツタ間通路を通して放電する。そしてこのコン
デンサ51の放電電圧が第1トランジスタ40のベ一又
電圧以下にまで低下すると第2トランジスタ41がオフ
となり第1トランジスタ40がオンとなる。この結果第
5第6トランジスタ53,54及び第7第8トランジス
タ59,60もオフとなり再びコンデンサ51にして充
電を開始する。以後この動作を繰返えす。前記第8トラ
ンジスタ60は飽和領域で動作させらいで能動領域で動
作させることによつてトランジスタの蓄積時間による遅
れがないためコンデンサ51が,レベル以下にまでは低
下しないので発振周波数の低下や温度変化に対する影響
を受けないので発振周波数変動をおさえることができる
。尚発振周波数は第2トランジスタ41のコレクタから
取り出され第12トランジスタ72を介してフリツプフ
ロツプ回路75供給され、このフリツプフロツプ回路7
5の出力で水平ドライブ回路76を制御する。一方この
発振回路の発振周波が到来テレビジヨン信号中の同期信
号と同期がとれらていない場合には自動周波数制御回路
71から制御電圧が第2トランジスタ41のベースに供
給され発振周波数と同期をとる様に制御される。又{3
)式から判る様にVBE65とVBE63(0i)は集
積回路においてはBE6S″.BO63(64)するこ
とが比較的容易に設定できるので(3)式はと書き表わ
すことができ、トランジスタ59,60のコレクタ電圧
は電源電圧と抵抗67,68の比によつて容易に設定す
ることができる。
上記発振回路の発振周波数は で表わされる。
但しCはコンデンサを又Rは抵抗を夫々示し各数字は夫
々の素子の説明の際に使用した番号を付してその素子を
表わしている。この(5)式からも判る様にこの発振回
路はトランジスタの直流電流増幅率を充分高くすること
によつて電源電圧に依存しない回路構成とすることがで
き、又コンデンサ51抵抗62,50以外の素子は抵抗
比で決まるため、抵抗比の精度が高くとれる集積回路に
適用すれば極めて好適である。以上述べてきた様に本発
明の発振回路によれば発振周波数の変動が少なくしかも
温度変化に対しても安定性の高い集積回路に適用して好
適な発振回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の発振回路を示す回路図、第2図は第1図
に示す発振回路の各部の信号波形を示す波形図、第3図
は本発明に係る発振回路を示す回路図である。 40・・・第1トランジスタ、41・・・第2トランジ
スタ、48,49・・・分圧回路を構成する抵抗、50
,55,56,61,62,66,67,68・・・抵
抗、51・・・充放電用コンデンサ、53,54,59
,63,64・・・トランジスタ、60・・・放電用の
トランジスタ、65・・・エミッタフオロア用のトラン
ジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1及び第2のトランジスタを差動構成に接続し、
    この第1のトランジスタのベースには分圧回路を、又第
    2のトランジスタのベースには充放電用のコンデンサを
    夫々接続し、このコンデンサを充電する充電手段を設け
    ると共に前記トランジスタのいずれかの出力回路に接続
    された制御用トランジスタ回路によつてベースバイアス
    を制御され前記第1のトランジスタのベースバイアスを
    制御する第7のトランジスタ及び前記コンデンサの放電
    路を構成する第8のトランジスタを夫々設け、前記第7
    及び第8のトランジスタのコレクタと前記トランジスタ
    回路間に第9及び第10のトランジスタのコレクタエミ
    ッタ通路を介在させ、この両トランジスタのベースバイ
    アスを抵抗分割によつてベースバイアスが設定されたエ
    ミッタフォロア回路から得る様にし、前記第7及び第8
    のトランジスタを非飽和領域で動作させたことを特徴と
    する発振回路。
JP52028002A 1976-12-28 1977-03-16 発振回路 Expired JPS6044845B2 (ja)

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GB54003/77A GB1556841A (en) 1976-12-28 1977-12-28 Automatic frequency control circuit
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MY179/81A MY8100179A (en) 1976-12-28 1981-12-30 Automatic frequency control circuit

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