DE2759841C2 - Horizontal-Treiberschaltung - Google Patents

Description

stor und eine Regeleinrichtung für die Betätigung mindestens des vierten Transistors, wobei die Ausgangsgleichspannung an die Basis des zweiten Transistors anlegbar ist Femer ist eine Kopplungseinrichtung zur Kopplung der Ausgangsgröße des spannungsgesteuerten Oszillators zu einem Eingang einer nachfolgenden Stufe vorhanden. Die Kopplungseinrichtung umfaßt eine Treiberschaltung.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, eine Horizontal-Treiberschaltung der eingangs definierten Art derart zu verbessern, daß unmittelbar bei Auftreten einer abnormalen Spannung an dem Eingangsanschluß der Treiberübertragerschaltung das Zuführen bzw. Weiterleiten dieser abnormalen. Spannung unmittelbar unterbrochen werden kann und zwar derart, daß gleichzeitig der Eingangsanschluß des Treibers an ein Bezugspotential wie beispielsweise Massepotential gelegt werden kann.

Ausgehend von der Horizontal-Treiberschaltung der eingangs genannten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein Strompfad des Ausgangsstufen-Transistors zwischen die E.ugangsanschlüsse der Spannungsdetektorschaltung und des Treibers und einer Bezugspotentialquelle, beispielsweise Masse, eingeschaltet ist, und daß die genannte Einrichtung zum Außerbetriebsetzen Mittel enthält, um den Ausgangsstufen-Transistors zwangsweise in einen leitenden Zustand zu bringen.

Durch die erfindungsgemäße Ausbildung tier Horizontal-Treiberschaltung wird im Gegensatz zu der bekannten Schaltungsanordnung unmittelbar verhindert, daß die abnormale Spannung weitergeleitet wird bzw. überhaupt zur Anode einer Kathodenstrahlröhre gelangen kann. Dadurch wird auf sehr wirkungsvolle Weise der nachteilige Einfluß jeglicher abnormalen Spannung von vornherein ausgeschaltet

Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels unter Hinweis auf die Zeichnung näher erläutert, deren einzige Figur ein Schaitbild einer Horizontal-Treiberschaltung mit Merkmalen nach der Erfindung zeigt.

Nachstehend ist die Treiberschaltung 15 anhand der Figur näher erläutert. Diese Schaltung ist zwar nicht auf die Verwendung bei Farbfernsehempfängern beschränkt, doch da mit ihr bei Farbfernsehempfängern besonders vorteilhafte Wirkungen erreicht werden, ist im folgenden ihre Anwendung beispielhaft in Verbindung mit der Horizontal-Treiberstufe bei einem Farbfernsehempfänger beschrieben.

Die Figur veranschaulicht den Schaltungsaufbau einer Schaltung zur Ankopplung des Oszillator-Ausgangssignals von einer Horizontal-Oszillatorstufe an einer Treiberstufe und eine Detektorschaltung für abnormale Spannung. Nachstehend ist zunächst ein spezieller Schaltungsaufbau und dessen Arbeitsweise erläutert.

Ein an einer Horizonial-Oszillatorstufe erzeugtes Horizontal-Treibersignal von 15,5 kHz wird an eine Klem- eo me 151 angelegt und über zwei Reihenwiderstände 152 und 153 an die Basis eines npn-Eingangstransistors 155 angekoppelt, der einen Teil eines direkt koppelnden Mehrstufenverstärkers 154 bildet. Der Emitter des Transistors 155 ist an Masse gelegt, während sein KoI-lektor mit der Basis eines npn-Ausgangstransistors 156 des direkt koppelnden Nftehrstufenverstärkers 154 verbunden ist. Da^s an die Basis des Eingangstransistors 155 angelegte Treibersignal wird außerdem über die Verzweigung zwischen den Widerständen 152 und 153 und außerdem über einen Widerstand 157 an die Basis eines als Umsetzer dienenden npn-Transistors 158 angekoppelt Der Emitter des Transistors 158 ist an Masse gelegt, während sein Kollektor über einen Widerstand 159 mit einer Stromversorgungsklemme 150 verbunden ist, der eine vorbestimmte Stromversorgungsspannung Vcc zugeführt wird. Das an die Klemme 151 angelegte Treibersignal wird daher durch den als Umsetzer wirkenden npn-Transistor 158 einer Polaritätsumkehrung unterworfen, wobei das invertierte Treibersignal am Kollektor dieses Transistors auftritt Die Verbindung oder Verzweigung zwischen dem Kollektor dieses Transistors und dem Widerstand 159 ist mit der Basis eines npn-Transistors 160 verbunden, der zusammen mit dem Eingangstransistor 155 eine Gegeutakt-Konstruktion bildet, wobei das Ausgangssignal des als Umsetzer wirkenden npn-Transistors 158 zum Durchschalten des Transistors 160 benutzt wird. Der K/.iiektor des Transistors 160 ist über einen Widerstand iöJ an die Stromversorgungsklemme 150 angeschlossen, während sein Emitter mit dem Kollektor des Eingangstransistors 155 verbunden ist Die Basis des Ausgangstransistors 156 ist daher mit der Verzweigung zwischen dem Kollektor des Eingangstransistors 152 und dem Emitter des Transistors 160 verbunden. Infolgedessen wird das Treibersignal von der Eingangsklemme 151 unmittelbar an die Basis des Ausgangstransistors 155 angekoppelt und außerdem über den Umsetzer-Transistor 158 an die Basis des Transistors 160 angelegt, so daß die beiden Transistoren 155 und 160 durch das Treibersignal abwechselnd geschaltet oder durchgeschaltet werden. Wenn nämlich der Transistor 160 bei sperrendem Transistor 155 durchgeschaltet ist, fließt der Basisstrom über den Transistor 160 zur Basis des Ausgangstransistors 156, um diesen zu triggern. Wenn der Transistor 155 getriggert und somit gegenüber dem folgenden Treibersig;/al gesperrt ist, wird der Basisstrom über den Transistor 156 durch die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 16C- geleitet, um den Transistor 156 durchzuschalten. Dies bedeutet, daß der Transistor 160 im Durchschaltzustand als Emitterfolger arbeitet und eine niedrige Impedanz zum schnellen Triggern des Transistors 156 bildet, während im Durchschaltzustand des Transistors 155 auf ähnliche Weise eine niedrige Impedanz zum schnellen Sperren des Transistors 156 erreicht wird. Auf diese Weise wird das Ansprechen auf Signale verbessert. Die genannten Schaltungen sind so ausgelegt, daß sie sich für die Herstellung als integrierte Halbleiterschaltkreise eignen, und wenn für die Fertigung der integrierten Halbleiterschaltkreise keine speziellen Anforderungen bistt'iea, können der Umsetzer-Transistor 158 und der Transistor 160, die beide einen npn-Aufbau besitzen, durch einen einzigen pnp-Transistor in komplementärer Anordnung zum Transistor 155 ersetzt werden. Wahlweise können diese Transistoren 158 und 160 weggelassen werden, und anstelle der Gegentakt-Konstruktion kann der Kollektor des Transistors 155 über den einzigen Widerstand 161 mit der Stromversorgungsklemme 150 verbunden werden, so daß das Treibersignal zur Ansteuerung des Transistors 156 von der Verzweigung zwischen diesem Kollektor und dem Widerstand 161 erhalten wird. Der 'Vusgangstransistor 156 des direkt gekoppelten Mehrstufenverstärkers 154 wird auf diese Weise angesteuert. Der Emitter dieses Transistors 156 liegt an Masse, während sein Kollektor mit einer Klemme 162 der integrierenden Schaltung und von hier aus

mit der Basis eines Horizontal-Treibertransistors 163 verbunden ist, der außerhalb der integrierenden Schaltung angeordnet ist. An die Basis des Transistors 163 ist über einen Widerstand 164 eine Stromversorgungsspannung Vb von einer Stromversorgungsklemme 165 angelegt, wobei diese Spannung außerdem über eine Reihenschaltung aus einem Widerstand 166 und der Primärwicklung 168 eines Treibertransformators 167 an den Kollektor des Transistors 163 angelegt ist, dessen Emiiter an Masse liegt. Die Schaltwirkung des Treibertransistors 163 erfolgt somit, wenn er durch das Ausgangssignal des Transistors 156 angesteuert wird, um auf der Primärwicklung 168 des Treibertransformators 167 einen Signalimpuls erscheinen zu lassen, der von der Sekundärwicklung 169 abgenommen wird, und zwar als Treibersignal, das von den Ausgangsklemmen 170 und 171 aus an die naehgeschaltete, nicht dargestellte Horizontal-Auseangsschaltung angekoppelt wirH Wenn in diesem Fall aus dem einen oder anderen Grund eine Störung, beispielsweise ein öffnen des Emitters dieses Treibertransistors 163. auftritt, wird am Kollektor des Transistors 156 eine abnormale Spannung erzeugt. Wenn dies der Fall ist, wird dem Transistor 156 in seinem Sperrzustand eine Gegenvorspannung in Form einer hohen Spannung aufgeprägt, die zu einem thermischen Durchbruch dieses Transistors 156 führt. Nach einem thermischen Durchbruch des Transistors 156 wäre die Funktion der gesamten integrierenden Schaltung gestört, so daß ein Austausch der gesamten integrierenden Schaltung erforderlich würde. Der Kollektor des Transistors 156 ist daher mit der einen Seite einer Spannungs-Detektorschaltung 175 zur Feststellung einer abnormalen Spannung verbunden, die aus einer Reihenschaltung aus einem Widerstand 172. einer Zenerdiode 173 und einer Diode 174 besteht, während die andere Seite dieser Schaltung 175 mit einer Flip-Flop-Schaltung, d. h. einem siliciumgesteuerten Gleichrichter- bzw. Vierschicht-Trioden-Schalterkreis 176 verbunden ist. Der Schalterkreis 176 besteht aus einer Kombination eines pnp-Transistcrs 177 und eines npn-Transistors 178. wobei die Silicium-Gleichrichter- bzw. Vierschichttriodenkonstruktion dadurch gebildet wird, daß der Kollektor des Transistors 177 mit der Basis des Transistors 178 verbunden wird, der Kollektor des Transistors 178 mit der Basis des Transistors 177 verbunden wird und außerdem Widerstände 178 und 180 zwischen Basis und Emitter der betreffenden Transistoren 177 bzw. 178 beschaltet werden. Der Emitter des Transistors 177 ist über einen Widerstand 181 mit der Stromversorgungsklemme 150 verbunden während der Emitter des anderen Transistors 178 über einen Widerstand 182 an Masse liegt. Die Verbindung zwischen diesem Schalterkreis 176 und der Spannungs-Detektorschaltung 175 für abnormale Spannung erfolgt durch Verbindung der Kathodenseite der Diode 174 mit der Basis des Transistors 178. Wenn sich der Treibertransistor 163 im Normalbetrieb befindet, d. h. wenn die Kollektorspannung des Transistors 156 innerhalb des normalen Spannungs-Betriebsbereichs liegt, wird die Spannungs-Detektorschaltung 175 nicht durchgeschaltet, so daß sie auch nichi den Schalterkreis 176 iriggert. Hierbei wird also keine Spannung über den Widerstand 182 des Schalterkreises 176 erzeugt Wenn dagegen die Kollektorspannung am Transistor 156 in abnormer Weise ansteigt, stellt die Spannungs-DetektorschaJtung 175 diese abnorme Spannung fest, um einen Strom über den Widerstand 172, die Zenerdiode 173 und die Diode 174 in der Detektorschaltung 175 fließen zu lassen und dadurch den Schalterkreis 176 zu triggern. Der Silicium-Gleichrichter- bzw. Vierschichttrioden-Schalterkreis 176 läßt also einen Strom über den Widerstand 182 fließen, so daß über diesen Widerstand eine positive Spannung erzeugt wird. Infolge des Silicium-Gleichrichter- bzw. Vierschichttrioden-Aufbaus dieses Schalterkreises 176 hält er diesen Zustand bis zum Trennen der Stromversorgung aufrecht, so daß auch die positive Spannung bis zu diesem Zeitpunkt über den Widerstand 182 anliegt. Der Widerstand 182 ist an die Basis eines npn-Schalttransistors 183 angeschlossen, dessen Emitter an Masse liegt und dessen Kollektor mit der Verzweigung oder Verbindung zwischen den Widerständen 152 und 153 verbunden ist. Solange die Schaltung normai arbeitel, wird also keine positive Spannung über den Widerstand 182 erzeugt, so daß der Transistor 183 im Sperrzustand verbleibt und keinerlei Einfluß auf die Schaltung hat. Sobald jedoch der Transistor !83 bei Erzeugung einer positiven Spannung über den Widerstand 182 getriggert ist, wird die Verzweigung zwischen den Transistoren 155 und 158 über die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 183 an Masse gelegt. Infolgedessen wird das Basispotential des Transistors 155 praktisch auf Massepotential verringert, so daß der Transistor 155 sperrt.

Dieser Zustand bleibt erhalten, bis der Schalterkreis 176 invertiert vvird. Gleichzeitig wird das Basispotential am Umsetzertra -sistor 158 praktisch auf Massepotential verringert, so daß dieser Transistor 158 ebenfalls in den Sperrzustand versetzt wird. Bei sperrendem Transistor 158 wird der Transistor 160 getrigger;, um den Durchschaltzustand unabhängig vom Eingangs-Treibersignal aufrechtzuerhalten. Infolgedessen werden der Durchschaltzustanddes Transistors 160 und der Sperrzustand des Transistors 155 gleichzeitig erreicht, so daß der Transistor 156 weiterhin im Durchschaltzustand gehalten wird. Wenn bei weiterhin im Durchschaltzustand befindlichem Transistor 156 an dessen Kollektor eine abnormale Spannung erscheint, fließt ein Strom von der Stromversorgungsklemme 165 über den Widerstand 164 zu diesem Transistor. Da jedoch dieser Transistor durchgeschaltet ist, ist seine Kollektorspannung sehr niedrig, d. h. in der Größenordnung von 0,2 V, so daß dieser Transistor und mithin die integrierende Schaltung vor der abnormalen Spannung geschützt ist und zu diesem Zweck nur sehr wenig Strom verbraucht wird.

Wie vorstehend beschrieben, kann der Transistor 156 auch in einem abnormalen Zustand, beispielsweise infolge des Öffnens des Emitters des Treibertransistors 163, vor einem Durchbruch geschützt werden, der anderenfalls bei einem Auftreten der abnormalen Spannung erfolgen könnte. Die dargestellte Konstruktion kann nicht nur zum Schutz der integrierenden Schaltung vor einer abnormalen Spannung beispielsweise aufgrund eines öffnens des Emitters des Treibertransistors 163 eingesetzt, sondern auch in Verbindung mit anderen Schaltungen oder Schaltkreisen verwendet werden. Mit anderen Worten:

Obgleich bei der vorstehend beschriebenen Konstruktion der Schalterkreis 176 durch das Ausgangssignal der Spannungs-Detektorschaltung 175 für abnormale Spannung getriggert wird, läßt sich eine ähnliche Arbeitsweise durch Triggern des Schalterkreises 176 mittels einer anderen Schaltung erreichen. Als Beispiel für einen anderen Anwendungsfall ist im folgenden die Anwendung der genannten Detektorschaltung für die Verhinderung der Erzeugung von Röntgenstrahlung beschrieben.
Es ist allgemein bekannt, daß bei einer Farbfernseh-

Kathodenstrahlröhre bei Anlegung einer über einer vorbestimmten Hochspannung liegenden Anodenspannung eine größere als eine vorbestimmte bzw. zulässige Menge an Röntgenstrahlung erzeugt wird. Dies bedeutet, daß zur Unterdrückung der Röntgenstrahlungserzeugung auf weniger als die vorgeschriebene oder zulässige i/ienge die an die Farbfernseh-Kathodenstrahlröhre angelegte Anodenspannung innerhalb eines vorbestimmten Bereichs gehalten werden kann. Bei der Schaltung gemäß der Figur ist daher der Schalterkreis 176 durch die Anodenspannung-Detcktorschaltung 190 triggerbar, wenn die Anodenspannung einen vorbestimmten Wert übersteigt. Obgleich sich die Anodenspannung-Detektorschaltung 190 bezüglich ihrer Bezeichnung von der Detektorschaltung für die abnormale Spannung unterscheidet, besitzt sie dieselbe Funktion wie die Spannungs-Detektorschaltung 175. Die unterschiedliche Bezeichnungsweise soll lediglich die jeweilige Funktion angeben, da die zu messenden oder festzustellenden Spannungen unterschiedlich sind, doch handelt es sich in beiden Fällen um eine Detektorschaltung zur Feststellung einer abnormalen Spannung. Bei Verwendung als Anodenspannungs-Detektorschaltung 190 wird eine Zunahme des Anodenstroms aufgrund einer Erhöhung der Anodenspannung über den vorbestimmten Wert hinaus festgestellt und in eine entsprechende Spannung umgewandelt. Da der Anodenstrom, genauer gesagt, über die Sekundärwicklung des Rücklauftransformators fließt, ist in die Sekundärwicklung ein Spannungsmeßwiderstand zum Sperren und Durchschalten des Transistors in Abhängigkeit von der über diesen Transistor erzeugten Spannung eingeschaltet, wobei das Ausgangssignal des Transistors als Triggersignal über den Schalterkreis 176 benutzt wird. Wahlweise kann eine spezielle Wicklung oder Spule für die Röntgenspannungsfhessung an der Sekundärwicklung des Rücklauftransformators vorgesehen sein, so daß durch Steuerung eines Transistors oder Diode aufgrund der Messung der in der Spule erzeugten Spannung ein Triggerausgangssignal geliefert werden kann. Als weitere Alternative ist es möglich, eine Anordnung zur Feststellung des Ausgangssignals eines an den Rücklauftransformator angeschlossenen Gleichrichterkreises vorzusehen und die Anodenspannung im Meßausgangssignal festzustellen. Ersichtlicherweise können verschiedenartige Schaltungskonstruktionen als Anodenspannung-Detektorschaltung 190 vorgesehen werden, die selbstverständlich auch andere Schaltungen oder Schaltkreise umfassen können, die jedoch nur eine ähnliche Arbeitsweise wie die Anodenspannungs-Detektorschaltung 190 gewährleisten. Eine Klemme 191 ist mit einer nicht dargestellten Horizontal-Ausgangsschaltung verbunden. Wenn die Anodenspannung bei der Anodenspannungs-Detektorschaltung 190 über einen vorbestimmten Wert ansteigt, liefert die Detektorschaltung 190 ein Trigger-Ausgangssignal zum Triggern des erwähnten Schalterkreises 176. Hierdurch wird über den Widerstand 182 eine positive Spannung erzeugt, weiche den Transistor 183 triggert und die Transistoren 155 und 158 sperrt, so daß die Transistoren 156 und 160 im Durchschaltzustand gehalten werden. Bei kontinuierlich im Durchschaltzustand bleibendem Transistor 156 führt der Treibertransistor 163 keine Schaltwirkung durch, so daß am Koliektor dieses Transistors 163 kein Signaiimpuis erzeugt wird. Wenn in der Sekundärwicklung des Treibertransformator 167 kein Treibersignal erzeugt wird, wird der nachgeschaltete Horizontal-Ausgangstransistor nicht angesteuert, so daß auch keine Hochspannung, d. h. Anodenspannung erzeugt wird. Auf diese Weise kann die Erzeugung von Röntgenstrahlung verhindert werden. Da die mit einer Erhöhung der Anodenspannung verbundene Erzeugung von Röntgenstrahlung verhindert werden kann, lassen sich die anderenfalls möglichen, schädlichen Auswirkungen von Röntgenstrahlung auf den menschlichen Körper vermeiden.

Obgleich der Schalterkreis 176 bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform so aufgebaut ist, daß die Siliciiim-Gleichrichter- bzw. Vierschichttrioden-Verbindung durch eine Kombinationsschaltung aus dem pnp-Transistor 177 und dem npn-Transistor 178 gebildet wird, kann dieser Schalterkreis auch durch ein Silicium-Gleichrichter- bzw. Vierschichttrioden-Element selbst gebildet werden. Obgleich die Integration eines solchen Elements in einem integrierten Halbleiterschaltkreis möglich ist. da dieses Element einen Vierelektroden-Halbleiteraufbau besitzt, läßt sich die beschriebene Kombination aus Transistoren im Hinblick auf ihren Aufbau vorteilhafter anwenden. Selbstverständlich kann das getrennte Element der genannten Art in dem Fall eingesetzt werden, wenn keine Integration als integrierter Halbleiterschaltkreis erfolgt. Die beschriebene Silicium-Gleichrichter- bzw. Vierschichttrioden-Verbindung wird deshalb benutzt, weil sich der Schalterkreis 176 zum Zeitpunkt des Anschlusses der Stromversorgung stets im Sperrzustand befindet. Bei Verwendung einer gewöhnlichen Flip-Flop-Schaltung liegt die Möglichkeit dafür, daß sich der Schalterkreis beim Einschalten der Verbindung der Stromversorgung im Sperrzustand befindet, normalerweise bei 50% Wenn sich dieser Schalterkreis beim Einschalten der Stromversorgung im Durchschaltzustand befindet, wird auf erwähnte Weise eine positive Spannung über den Widerstand 182 erzeugt und dadurch der Transistor 183 getriggert. Infolgedessen wird der Transistor 156 ständig im Durchschaltzustand gehalten. Aus diesem Grund wird die Horizontal-Ausgangsschaltung nicht betätigt, so daß keine Anodenspannung erzeugt wird und mithin kein Bild auf dem Bildschirm der Farbfernsehröhre wiedergegeben werden kann. Aus diesem Grund ist die Verwendung der Flip-Flop-Schaltung deshalb unvorteilhaft, weil der Stromversorgungsschalter wiederholt ein- und ausgeschaltet werden muß, bis auf dem Bildschirm eine normale Bildwiedergabe erfolgt. Dieser Mangel kann mit der Silicium-Gleichrichter- bzw. Vierschichttrioden-Verbindung vermieden werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Horizontal-Treiberschahung zürn Treiben einer Horizontal-Ausgangsschaltung, die eine Rücklaufspannung erzeugt mit einer Verstärkerschaltung mit Ausgangsstufen-Transistor zum Verstärken des Oszillatorsignals einer spannungsgesteuerten Horizontal-Oszillatorstufe, mit einem Treiber zum Erzeugen eines Impulssignals abhängig von der Ausgangsgröße der Verstärkerschaltung und zum Ankoppeln des Impulssignals an die Horizontal-Ausgangsschaltung, mit einer Spannungsdetektorschaltung zur Feststellung einer abnormalen Spannung in der Ausgangsgröße der Verstärkerschaltung, mit einem Schalterkreis an einem Ausgang der Spannungsdetektorschaltung zum Erzeugen einer Ausgangsgröße, und mit einer Einrichtung zum Außerbetriebsetzen der Verstärkersckaitung, wenn die genannte Ausgangsgröße erscheint, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strompfad des Ausgangsstufen-Transistors (156) zwischen die Eingangsanschlüsse der Spannungsdetektorschaltung (175) und des Treibers (167) und einer Bezugspotentialquelle beispielsweise Masse, eingeschaltet ist, und daß die genannte Einrichtung zum Außerbetriebsetzen Mittel (155, 158, 160,182,183) enthält, um den Ausgangsstufen-Transistcr (156) zwangsweise in einen leitenden Zustand zu bringen.

2. Horizontaf-Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangsstufen-Transistor (156) mit seinem Basisanschluß an das Ausgangsende der Verstärkerschaltung (154) angeschaltet ist, daß sein K.ollektoransci.luß mit den Eingangsanschlüssen der Spannungsdetektorschaltung (175) und des Treibers (167) verbunden ist, und daß sein Emitteranschluß geerdet ist.

3. Horizontal-Treiberschaitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Außerbetriebsetzen einen Widerstand (182) enthält, der in Reihe mit dem Schalterkreis (176) geschaltet ist, um abhängig von der Ausgangsgröße des Schalterkreises (176) eine Spannung zu erzeugen, daß zwischen die Eingangsseite der Verstärkerschaltung (154) und Masse ein Transistor (183) geschaltet ist, um die Eingangsseite der Verstärkerschaltung (154) abhängig von der über dem Widerstand (182) erzeugten Spannung zu erden, daß weiter die Verstärkerschaltung (154) einen Eingangstransistor (158) aufweist, dessen Basis mit einem Eingangsanschluß der Verstärkerschaltung (154) und von Gegentakttransistoren (155, 160) verbunden ist, wobei ein gemeinsamer Ausgangsanschluß mit einer Basis des Ausgangsstufen-Transistors (156) verbunden ist.

4. Horizontal-Treiberschaitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektorschaltung (175) die Kollektorspannung des Ausgangsstufen-Transistors (156) der Verstärkerschaltung (154) erfaßt.

5. Horizontal-Treiberschaitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anodenspannungs-Detektor (190) vorgesehen ist, der die Rücklaufspannung erfaßt, welche einer Kathodenstrahlröhre zugeführt wird, und welcher eine Detektor-Ausgangsgröße zum Schalterkreis (176) überträgt.

Die Erfindung betrifft eine Horizontal-Treiberschaitung zum Treiben einer Horizontal-Ausgangsschaltung, die eine Rücklaufspannung erzeugt, mit einer Verstärkerschaltung mit Ausgangsstufen-Transistor zum Verstärken des Oszillatorsignals einer spannungsgesteuerten Horizontal-Oszillatorstufe, mit einem Treiber zum Erzeugen eir.es Impulssignals abhängig von der Ausgangsgröße der Verstärkerschaltung und zum Ankoppeln des Impulssignals an die Horizontal-Ausgangs- schaltung, mit einer Spannungsdetektorschaltung zur Feststellung einer abnormalen Spannung in der Ausgangsgröße der Verstärkerschaltung, mit einem Schalterkreis an einem Ausgang der SpannungsdetektorscLaltung zum Erzeugen einer Ausgangsgröße, und mit einer Einrichtung zum Außerbetriebsetzen der Verstärkerschaltung, wenn die genannte Ausgangsgröße erscheint

Eine derartige Horizontal-Treiberschaitung ist aus der DE-OS 25 25 S27 bekannt

Die bekannte Treiberschaltung ist zar Verhinderung störender Auswirkungen von Störsignalen infolge eines von der Zeilenfrequenz abweichenden Schwingens der Zeilenendstufe eines Fernsehempfangsgerätes ausgelegt, indem ein Zeilenoszillator mit empfangenen Zeilensynchronimpulsen synchronisiert wird und in dem die Ausgangsimpulse des 'Zfeilenoszillators über eine Treiberstufe der Zeilenendstufe zugeführt werden. Die Zeilendetektorschaltung besteht bei dieser bekannten Schaltungsanordnung aus einer Phasenvergleichsstufe, in der in der Zeilenendstufe auftretende Zeilenrückschlagsimpulse mit den Ausgangsimpulsen des Zeilenoszillators verglichen werden und die beim Vorhandensein von großen Phasen- oder Amplitudenunterschieden zwischen den Signalen an ihren Eingängen ein Kennsignal an ihrem Ausgang erzeugt An diese Phasenvergleichsstufe ist eine Steuerstufe angeschlossen, in der das genannte Kennsignal ausgewertet und ein Steuersignal zur direkten oder indirekten Phasen- und/oder frequenzmäßigen Beeinflussung der Zeilenendstufe erzeugt wird. Das von der Steuerstufe erzeugte Steuersignal kann jedoch auch dazu verwendet werden, die Zuführung von Impulsen des Zeilenoszillators auf die Treiberstufe zu unterbrechen.
Aus der DE-AS 24 27 592 ist eine Oszillatorschaltung mit einem zwischen eine erste und zweite Spannungsversorgungsleitung in Serie zu einem Ladewiderstand geschalteten Taktzeitkondensator und einem Komparator bekannt, der mit einem ersten Steueranschluß am · Taktzeitkondensator liegt und an seinem zweiten Steueranschluß mit einer Schwellwertspannung beaufschlagt wird, um ausgangsseitig ein Steuersignal in Abhängigkeit von der Spannung am Taktzeitkondensator beim Erreichen eines bestimmten Niveaus zu liefern. Bei dieser bekannten Oszillatorschaltung liefert ein Phasendetektor über ein Tiefpaßfilter eine Ausgangsgleichspannung als Steuersignal an einen spannungsgesteuerten Oszillator. Der spannungsgesteuerte Oszillator umfaßt zwei differentiell miteinander verbundene Transistoren, eine Spannungsteilerschaltung zur Lieferung einer Teilungsspannung an die Basis des ersten Transistors, einen an die Basis des zweiten Transistors angeschlossenen, aufladbaren und endladbaren Kondensator, eine Ladeeinrichtung zum Aufladen des Kondensators, eine durch mindestens eines der Ausgangssignale des ersten und des zweiten Transistors gesteuerten dritten Transistor zur Regelung der Basisvorspannung am ersten Transistor, einen eine Entladungsstrecke für den genannten Kondensator darstellenden vierten Transi-