JPS6042614B2 - 半導体装置のボンデイング方法 - Google Patents

半導体装置のボンデイング方法

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JPS6042614B2
JPS6042614B2 JP59127757A JP12775784A JPS6042614B2 JP S6042614 B2 JPS6042614 B2 JP S6042614B2 JP 59127757 A JP59127757 A JP 59127757A JP 12775784 A JP12775784 A JP 12775784A JP S6042614 B2 JPS6042614 B2 JP S6042614B2
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bonding
capillary
metal wire
semiconductor
semiconductor pellet
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譲二 古庄
好明 福井
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NEC Kyushu Ltd
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NEC Kyushu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラミック容器と半導体ペレットとを金属細線
て接続する半導体装置のボンディング方法に関する。
従来の半導体装置の内部配線にキャピラリ−を用いる方
法がある。
これは、金属線をボンデインーグツール孔に通してペレ
ットまたは容器のボンディング面に於て、加圧を行なつ
た状態て振動あるいは熱をかけながらボンディングする
ものである。第１図は従来の半導体装置の金属線ボンデ
ィング法の１例を説明する断面図てある。
セラミックで作られた容器１に半導体ペレット４を搭載
し、該半導体ペレット４の電極部と容器のボンディング
部２とを金属線５でボンディングする。
このボンディングには金属線５が通る通り・孔を有する
キヤピラリー６を使用する。従来使用していたキャピラ
リ−ではボンディング部端面７から金属線通り孔方向へ
Ｏ、９Ｔｎｍ伸ひた所迄のキャピラリ−の最大外径がＯ
、６１Ｗ！Ｉｎ以上であつた。このためボンディング部
近辺に側壁３がある半導体装置容器には適用が困難で従
来のボンディングキャピラリ−でボンディング可能な広
いボンディング面積をもうけるという問誕題があつた。
このため容器は大きなものとなつてしまう。又、ボンデ
ィングする際、ボンディング位置を照明スポット８にて
ペレット上面に対し斜め上方に照射している為ボンディ
ングキャピラリ−と照明スポット８を合わせずらいとい
う問題を生じさせていた。本発明は上記欠点を除き、ボ
ンディング面積を狭くすることができもつて容器の小型
化を可能とする半導体装置のポンチインク方法を提供す
ることてある。本発明の特徴は、半導体ペレット搭載面
より高い位置にボンディング面を有し該ボンディング面
の外周に該ボンディング面より上方に向つて側壁が設け
られているセラミック容器の該半導体ペレット搭載面に
半導体ペレットを搭載し、該半導体ペレットの所定部と
該ボンディング面の所定部とを金属細線でボンディング
接続するに際し、先端面より所定の長さまでの最大外径
が一定でかつ他の部分よりも細くなつているキャピラリ
ーを用いて上記金属細線のボンディングを行う半導体装
置のボンディング方法にある。上記方法によれば容器の
小型化が可能となる。
又、ボンディング部への照明スポットも合せやすい。さ
らに本発明に使用されるキャピラリーは前記先端面から
少くとも０．９ｒｗＬまでの最大外径が０．６悶以下で
あることが実用上好ましい。
次に本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明の１実施例のボンディングキャピラリー
と該キャピラリーを用いて金属線ボンディングを行う方
法を説明する断面図である。
本発明のボンディングキャピラリー１６は、ボンディン
グ部先端１７から金属線通り穴方向へ０．ｈ伸びた所迄
の最大外径を０．６？以下とした。このボンディングキ
ャピラリー１６は、先端が細い為、半導体装置容器のボ
ンディング部１２が近辺の壁１３に当たることなくボン
ディングが可能となる、従つて不要なボンディング面積
をなくすことができ、半導体装置を小型化できる。さら
にボンディングする際、ボンディング位置を照明スポッ
ト１８にて半導体ペレット１４及び容器のボンディング
面１２に対し斜め上方より照らしているが、従来のボン
ディングキャピラリーよりも先端部を細くしているので
ボンディングキャピラリーと照明スポットを合わせやす
い。以上説明した様に、本発明のキャピラリーを用いる
と、半導体装置の小型化及び製品の品質を向上させるこ
とができるという利点をもたらす。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の方法による半導体装置の金属線ボンディ
ング法の１例を説明する断面図、第２図は本発明の方法
の１実施例のボンディングキャピラリーと該キャピラリ
ーを用いて金属線ボンディングを行う方法を説明する断
面図である。 １，１１・・・・・・半導体装置容器、２，１２・・・
・・・容器のボンディング面、３，１３・・・・・・容
器の壁、４，１４・・・・・半導体ペレット、５，１５
・・・・・・金属線、６，１６・・・・・・ボンディン
グキャピラリー、７，１７・・・・・・ボンディング部
端面、８，１８゜・、照明スポット。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体ペレット搭載面より高い位置にボンディング
    面を有し該ボンディング面の外周に該ボンディング面よ
    り上方に向つて該ボンディング面に対して垂直な側壁が
    設けられているセラミック容器の該半導体ペレット搭載
    面に半導体ペレットを搭載し、該半導体ペレットの所定
    部と該ボンディング面の所定部とを金属細線でボンディ
    ング接続するに際し、該ボンディング面より該側壁の上
    面までの長さを少なくとも有する先端面より所定の長さ
    までの最大外径が一定でかつ他の部分よりも細くなつて
    いるキャピラリーを用いて上記金属細線のボンディング
    を、照射スポットをボンディング部に照射した状態で行
    うことを特徴とする半導体装置のボンディング方法。 ２ 前記キャピラリーは前記先端面から少くとも、９ｍ
    ｍまでの最大外径が０．６ｍｍ以下であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置のボンディ
    ング方法。
JP59127757A 1984-06-21 1984-06-21 半導体装置のボンデイング方法 Expired JPS6042614B2 (ja)

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JPS6016437A JPS6016437A (ja) 1985-01-28
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62254477A (ja) * 1986-04-26 1987-11-06 Mitsubishi Metal Corp 発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法
JPH01255514A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Pioneer Electron Corp トランスファーモールド金型
JPH07125021A (ja) * 1993-10-29 1995-05-16 Nec Corp 射出成形用金型

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62254477A (ja) * 1986-04-26 1987-11-06 Mitsubishi Metal Corp 発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法
JPH01255514A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Pioneer Electron Corp トランスファーモールド金型
JPH07125021A (ja) * 1993-10-29 1995-05-16 Nec Corp 射出成形用金型

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JPS6016437A (ja) 1985-01-28

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