JPS62254477A - 発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法 - Google Patents

発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法

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Publication number
JPS62254477A
JPS62254477A JP61097740A JP9774086A JPS62254477A JP S62254477 A JPS62254477 A JP S62254477A JP 61097740 A JP61097740 A JP 61097740A JP 9774086 A JP9774086 A JP 9774086A JP S62254477 A JPS62254477 A JP S62254477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spherical surface
pin
punch
tip
concave spherical
Prior art date
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Pending
Application number
JP61097740A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsutoshi Kanda
神田 勝利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp filed Critical Mitsubishi Metal Corp
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Publication of JPS62254477A publication Critical patent/JPS62254477A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、たとえば発光ダイオード素子などの発光半導
体素子の中でも、特に微少なレンズ部をに関し、より詳
しくは、金型に装填され、発光半導体素子のレンズ部を
形成するピンの凹球面の形成方法に関するものである。
[従来の技術] 第6図に示すものは、微少なレンズ部1aを有  ′す
る発光ダイオードlである。発光ダイオード素子をパッ
ケージして発光ダイオード1とするには、トランスファ
ー成形により、第7図に示すように、金型2のキャビテ
ィC内に樹脂を充填するわけであるが、レンズ部1aは
金型2の一部に装填されたピン2aにより形成される。
このピン2aの先端は、レンズ部1aの凸球面に応じた
曲率半径の凹球面に形成されている。
ところで、レンズ部1aの曲率半径が大きい場合には、
ピン2aに高精度で凹球面を形成することは困難ではな
いが、レンズ部1aの凹球面の曲率半径がたとえば0.
6mm程度と非常に小さいものが要求される場合に、レ
ンズ部1aが正確に球面となっていないと、焦点が狂っ
てしまい、製品)−)fはス自凪λかAt−めに− レ
ンズ部1aの貞球皮については厳格な精度が要求されて
いる。ところが、このような凹球面を高精度で形成する
適当な研削工具がないために、従来は、成形砥石により
あらかじめおおよその形状の凹曲面を形成し、その後、
熟練者が手作業で仕上げ研磨を施して凹球面としていた
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、熟練者が手作業で凹球面を形成するため
に、真球度の精度にバラツキが生じるという問題を回避
することはできず、また、精度の高さを期待することは
できない。そこで、いったん凹球面を形成したピン2a
を用いて実際に発光ダイオード素子等を封止して製品と
し、これを発光させて焦点をチェックし、焦点のずれ等
を見てピン2aの凹球面を再研磨する、といった作業を
何度も繰り返しながら凹球面の真球度の精度を高めてい
か・ざるを得ず、それでもなお精度的には不十分である
という問題があった。
この発明では、発光半導体素子封止金型に装填されるピ
ンの凹球面の形成方法において、凹球面の真球度の精度
の低さ、精度のバラツキといった点を問題としている。
[問題点を解決するための手段] この発明の発光半導体素子封止金型に装填されるピン先
端に凹球面を形成する凹球面の形成方法は、パンチの先
端に凸球面を形成し、このパンチの先端とピン体の先端
とを対向させてパンチとピン体とを同一中心軸線上に位
置させるとともに、ピン体を固定した状態でパンチを往
復動させ、ピン体の先端にパンチの先端を衝突させてピ
ン体の先端に凹球面を形成するようにしたものである。
[実施例] 第1図から第5図はこの発明の1実施例を示すもので、
符号lOはパンチ、同11はピン、同12・13はジグ
である。
前記パンチIOは、第1図に示すように、直径101前
後の超硬調の丸棒状のもので、その一端を徐々に小径と
しながらその先端をたとえば曲率半径0.6mmの凸球
面10aとして形成されている。
凹球面よりも凸球面10aのほうがはるかに形成しやす
いので、凸球面10aの真球度は、高精度のものが得ら
れる。なお、凸球面10aの表面は、0、Is〜!、O
8程度、好ましくは0.2S程度の鏡面仕上げとなって
いる。
前記ピン体11は、第1図に示すように、直径数mm前
後の丸棒状のダイス鋼製のものである。なお、ピン体1
1の先端の平坦面11aは、0.IS〜1.OS程度、
好ましくは0.2S程度の鏡面仕上げとなっている。
前記ジグ!2は、第2図に示すように円筒状のもので、
その中空部L2aにパンチ10を遊嵌してパンチ10の
中心軸線方向に往復動可能に案内する構成になっている
。パンチ■0の外径と中空112aの内径とのクリアラ
ンスは、パンチ10とピン体I■との中心軸線が一致す
るように、パンチ10が中空部12a内を往復動可能な
範囲内でできるだけ狭いほうが好ましい。
前記ジグ13は、略円筒状のもので、その上端にジグ1
2を嵌合する嵌合部13aを有するととた構成になって
いる。この中空部13bの内径とピン体!lの外径との
クリアランスは、ジグ12の中空部12aと同様にピン
体11を出し入れ可能な範囲内でできるだけ狭い方が好
ましい。したがって、前記ジグ12をジグ13に嵌合し
た状態の中空部12a13bどうしの中心軸線Xは一致
するようになっている。
次に、上記のパンチ10等を用いてピン体11に凹球面
を形成してピン20を形成する方法について説明する。
まず、第4図に示すように、プレス機I5のボルスタ−
15aにジグ13を着脱可能に固定するとともに、上ラ
ム15bの下端にパンチIOを固定し、上ラム15bの
下死点位置を設定する。ついで、上ラム15bを下降さ
せてジグ13内に遊嵌されたピン体14の先端にパンチ
IOの凸球面10aを打刻する。すると、第3図に示す
ように、ピン体2の先端の平坦面11alが塑性変形さ
れて凹球面11cが形成され、ピン20となる。こ5b
を上昇させ、ジグ12をジグ13から外し、ジグ13か
らピン20を抜き出し、凹球面lieをパフ仕上げする
。この場合、ボルスタ−15bからジグ13を取り外し
てピン20を取り出すようにしてもよい。なお、必要で
あれば、打刻時に生じたピン20先端の変形部分を削り
落とす。
上記の状態では、通常、凹球面11cの中心とピン20
の中心軸線とが一致しないので、凹球面11cのセンタ
ー出しを行う。このセンター出しは、ピン20の中心軸
線が凹球面11cの中心と一致するように、ピン20の
外周を切削する。次に、脱炭に注意しながら真空焼き入
れし、後に再度パフ仕上げを行う。次に、凹球面11c
の深さ出しを行う。凹球面11cの底部から平坦面11
aまでの高さが深すぎるときは、平坦面11aを削り落
として凹球面11cの深さを調整する。これが終われば
、再び前述の方法で凹球面11cのセンター出しを行い
、最後に凹球面11cの真球度の測定を行う。
以上のように、パンチ10の凸球面10aの真球度を高
精度で形成することができるので、このパンチlOによ
って塑性変形されたピン20の凹球面11cの真球度も
高精度のものを得ることができる。したがって、このよ
うにして形成されたピン20を金型に装填して樹脂成形
すれば、発光ダイオードなどの半導体製品におけるレン
ズ部の真球度の精度も飛躍的に向上させることができる
また、いったん高精度の凸球面10aをもったパンチl
Oを形成すれば、熟練作業によらずして大量に高精度の
しかも品質にバラツキのない凹球面11cをもったピン
20を製作することができ、ひいてはコストダウンを図
ることができる。
[発明の効果] この発明の発光半導体素子封止金型におけるピン先端に
凹球面を形成する凹球面の形成方法は、パンチの先端に
凸球面を形成し、この凸球面をピンに打刻して凹球面を
形成するようにしたものである。したがって、熟練を要
せずして凹球面の真球度を高精度とすることができるだ
けでなく、高精度の凹球面をもったピンを大量にしかも
精度的にバラツキなく製作することができ、ひいてはコ
ストダウンを図ることもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第5図はこの発明の1実施例を示すもので、
第1図(イ)はパンチの正面図、同図(ロ)はピンの正
面図、第2図はジグどうしを嵌合した状態の断面図、第
3図は凹球面を形成したピンの部分拡大図、第4図はプ
レス機の側面図、第5図はピンの完成図、第6図(イ)
(ロ)はそれぞれ発光ダイオードの正面図と側面図、第
7図は従来の発光半導体素子封止金型の部分断面図であ
る。 2・・・・・・金型、lO・・・・・・パンチ、10a
・・・・・・凸球面、11・・・・・・ピン体、llc
・・・・・・凹球面、20・・・・・・ピン、X・・・
・・・中心軸線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 発光半導体素子封止金型に装填されるピン先端に凹球面
    を形成する凹球面の形成方法であって、パンチの先端に
    凸球面を形成し、このパンチの先端とピン体の先端とを
    対向させてパンチとピン体とを同一中心軸線上に位置さ
    せるとともに、ピン体を固定した状態でパンチを往復動
    させ、ピン体の先端にパンチの先端を衝突させてピン体
    の先端に凹球面を形成するようにした発光半導体素子封
    止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法。
JP61097740A 1986-04-26 1986-04-26 発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法 Pending JPS62254477A (ja)

Priority Applications (1)

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JP61097740A JPS62254477A (ja) 1986-04-26 1986-04-26 発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法

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JP61097740A JPS62254477A (ja) 1986-04-26 1986-04-26 発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法

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JPS62254477A true JPS62254477A (ja) 1987-11-06

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ID=14200292

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JP61097740A Pending JPS62254477A (ja) 1986-04-26 1986-04-26 発光半導体素子封止金型に装填されるピンの凹球面の形成方法

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60143932A (ja) * 1983-12-30 1985-07-30 Hitachi Ltd 精密凹球面加工装置
JPS6042614B2 (ja) * 1984-06-21 1985-09-24 九州日本電気株式会社 半導体装置のボンデイング方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60143932A (ja) * 1983-12-30 1985-07-30 Hitachi Ltd 精密凹球面加工装置
JPS6042614B2 (ja) * 1984-06-21 1985-09-24 九州日本電気株式会社 半導体装置のボンデイング方法

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