JPH02125345U - - Google Patents

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JPH02125345U
JPH02125345U JP1989035337U JP3533789U JPH02125345U JP H02125345 U JPH02125345 U JP H02125345U JP 1989035337 U JP1989035337 U JP 1989035337U JP 3533789 U JP3533789 U JP 3533789U JP H02125345 U JPH02125345 U JP H02125345U
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JP
Japan
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cap
wall portion
semiconductor device
solder layer
soldered
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JP1989035337U
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す半導体装置
の断面図、第2図、第3図はそれぞれこの考案の
他の実施例を示す断面図、第4図は従来の半導体
装置の断面図である。 図において、1……ウオール部、2……キヤツ
プ、3a……ウオール部上面とキヤツプ下面に設
けたメタライズ部、3b……キヤツプ側面に設け
たメタライズ部、4a……ウオール部上面とキヤ
ツプ下面の間にできた半田層、4b……ウオール
部上面とキヤツプ側面のメタライズ部の間にでき
たフイレツト状の半田層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を
示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ヘツダ側のウオール部により形成された中空部
    に半導体チツプがダイボンドされ、かつワイヤボ
    ンドが施された後、気密封止のためのキヤツプが
    半田付けされた半導体装置において、前記キヤツ
    プの大きさを前記ウオール部の内側に位置するよ
    うに小さく形成し、半田層の一部を前記キヤツプ
    の側面または底面から前記ウオール部上面の外側
    端部方向にフイレツト状に厚く形成したことを特
    徴とする半導体装置。
JP1989035337U 1989-03-27 1989-03-27 Pending JPH02125345U (ja)

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JPH02125345U true JPH02125345U (ja) 1990-10-16

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