JPS6036321A - 炭素含有供給流からアンモニアを製造する方法 - Google Patents

炭素含有供給流からアンモニアを製造する方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、触媒の不存在下で、部分酸化により合成ガス
からアンモニアを製造する方法に関する。
[従来の技術] 好ましくは化学世論比のH,: N2比を3:1に近い
か又は等しい比で混合した水素及び窒素と、できる限り
最少限の量であるのが好ましいが、メタンやアルゴン等
の不活性ガス類とを含有する合成ガスからアンモニアを
製造するのが、商業規模での一般的なアンモニア合成法
である。合成ガスは、米国特許第4.153.67,3
号明細書に記載された方法のような触媒接触水蒸気改質
、仏間特許第1−+ 158,611号明細書及び「ナ
イトロジエンJ (Nitrogen) 35−38 
(1962年5月17日刊)に収載の[トプソエ・SB
A・オートサーマル・プロセスJ (”Topsoe−
5BA AutothemalProcess”)と題
する和文に記載された方法のような触媒接触酸素改質、
又は米国特許第3,929゜429号明細書に記載の方
法のような部分酸化により合成ガスを製造することがで
きる。部分酸化法においては、アンモニア合成に必要な
窒素量よりも多量の窒素が合成ガス流に含有される結果
になるから、反応器中では空気は使用しない。この種の
方法では、酸素又は酸素富化空気を使用する。
しかしながら、米国特許第2,795.55’9号明細
書には、部分酸化反応器中の唯一の遊離酸素源として空
気を使用する方法が記載されている。
アンモニア合成の前段の低温(又は冷却)分離工程で過
剰の窒素を除去して、合成ループに供給する適切なH2
:N2比にする。
[発明の目的] 本発明は、部分酸化により調製した合成ガスからアンモ
ニアを製造する方法を提供せんとするものである。
本発明のもう一つの目的は、合成ループの前段で過剰の
窒素を除去する必要もなく、純粋の酸素を調製すること
が要求されることもない方法であって、部分酸化反応器
中の唯一の酸素源として空気を使用する方法を提供する
ことである。
本発明の別の目的は、合成ループ中での水素効率(即ち
、水素利用効率)が高く、全工程中で消費されるエネル
ギーが極めて低く、資本コストの安い改良されたアンモ
ニア製造方法を提供することである。
本発明のその他の目的及び利点は、以下の記載から明ら
かになる部分もあり、以下の記載がら推考できるものも
あり、本発明を実施することにより明らかになるものも
あろう。本発明の目的及び利点は、特許請求の範囲に記
載された装置を用い組合せを採用して実施し達成するこ
とができる。
[問題点を解決するための手段] 実施例を記載し広い技術的範囲についても明細書に開示
した本発明の目的・用途に沿うよう」二連の如く詳細に
示した目的を達成するために、炭素含有供給原料からア
ンモニアを製造する方法であって、 (a)断熱的に運転されている反応器中で800℃〜1
700°Cの温度で遊離酸素源として空気のみを使用し
て前記供給原料と空気とを反応させて、水素と、炭素酸
化物類と、メタンと、窒素とを含み、乾燥重量基準での
メタン含有量が10モル%である粗製合成ガスを製造す
る工程と、(b)工程(a)からの流出流を水性ガス化
工程に供1して、該流出流に含有されている一酸化炭素
の実質的に全量を二酸化炭素と水素とに変換する工程と
、 (c)工程(b)からの流出流を該ガスから炭素酸化物
類及び硫黄化合物類を除去する純化工程に供して、H2
/ N 2比が2.4未満の窒素と水素とを含有する純
化合成ガスを得る工程と、 (d)工程(c)からの流出流をアンモニア合成ループ
に噴射注入してアンモニアを合成し前記アンモニアを合
成ループから回収する工程と、(e)前記アンモニア合
成ループから置換ガスを抽出して、前記置換ガスを処理
し、水素に富む流れと、窒素に富む流れと、メタンに富
む流れとを得る工程と、 (f)前記の水素に富むガスを前記アンモニア合成ルー
プに還流させる工程と、 (g)前記のメタンに富むガスの少なくとも一部分を処
理工程(a)に還流させる工程と を含むことを特徴とする方法が本発明による方法である
合成ガスが硫黄を含有する場合には、合成ガスを合成ル
ープに噴射注入するに先立って、硫黄を除去せねばなら
ない。硫黄の除去は、水性ガス転化工程に先立って行な
わねばならない。
[実施例] さて、現時点において好ましい実施例について述べる。
部分酸化によるガス化法で酸素源として空気を使用する
と、合成ガス中に含有される過剰の窒素は、米国特許第
2,795,559号明細書に教示されたようにアンモ
ニア合成ループの前段で除去するよりもアンモニア合成
ループの後段で除去するほうがよいという知見が得られ
た。この理由は、反応を規制する要素は触媒上への窒素
の吸着であるから1反応器合物中に過剰の窒素を存在さ
せることによりアンモニア合成の活力が向上するためで
ある。更に、本発明によれば、水素に富む流れは窒素除
去操作で分離されて、この水素に富む流れが合成ループ
に還流される。この分離と還流の結果、全体としての水
素の利用効率が高くなる。更に、メタンに富む流れが得
られ、ガス化反応器に還流されて供給流を搬送する搬送
ガスとして使用されるという利点を生じる。
第1図に示すように、本発明方法は、ガス化工程1と、
水性ガス化工程2と、炭素酸化物類除去工程3と、アン
モニア合成ループ4と、低温(冷却)分離工程5と、水
素に富む流れ12を合成ループに還流する工程と、メタ
ンに富む流れ14をガス化工程に還流する工程とから成
る。過剰の窒素は流路」3を介して取り除かれる。本発
明で用いるガス化工程としては、商業的に実施されてい
る工程又は部分酸化に関する技術文献又は特許文献に開
示されている工程のどの工程を用いてもよい。ガス化工
程1に供給する供給原料としては、たとえは炭化水素(
ガス状、液状又は固体状)、石炭、シェール(頁岩)、
木、有機化合物及びこれらの組合せから成る各種の炭素
質材料を使用することができる。供給原料は液状(たと
えば、石油、石油−石炭スラリー又は石炭−水スラリ−
)、ガス状(気化させた炭化水素)又は2組の混合物(
たとえば部分的に気化させた炭化水素又は石炭の微粉末
を搬送ガスに担持させたもの)を挙げることができる。
ガス化工程の操作圧力は、好ましくは、約2゜atmで
あり、約100 atm程度の高圧にすることもできる
。操作温度は800℃〜1700℃である。炭化水素供
給原料を使用する部分酸化工程の場合には、操作温度を
約1100℃〜1400℃とする。随伴床反応器中で石
炭をガス化する場合の温度は、約り300℃〜約170
0℃にしなければならない。流動床反応器中で石炭をガ
ス化する場合の温度は約950°C〜1200°Cであ
る。
ガス化工程から出る流出流の(H,、十C○)/N2の
モル比は、供給原料の元素分析値、反応器の操作温度及
びガス化反応器の入口温度等に依存する。流出ガス流中
の水素及び−酸化炭素の量は水性ガス化反応後に存在す
る水素の量とほぼ一致するわけだから、」二記の(H2
+CO)/N2比は、アンモニア合成に必要な化学量論
酌量と過剰の窒素の量との直接的な表われである。
ガス化温度が1400℃〜1500℃の場合、モル比は
約0.7〜1.4でなければならない。温度が約850
°C〜約1100℃の場合、モル比は約1.7〜約2.
4でなければならない。ガス化により、合成ループの下
流で除去すべき過剰の窒素量以下の窒素が生成されるよ
う、ガス化は好ましくは約り50℃〜約1100℃で行
なう。
はとんどのガス化工程において、メタンがガス化工程か
ら出る流出流に含有される実質的に唯一の炭化水素であ
る。流出ガスのメタン含有率は、乾燥物基準で約0.2
〜約]Oモル%の範囲内にすることができる。しかしな
がら、本発明の好ましい実施例にお−いては、好ましい
メタン含有率は、乾燥物基y((で、約2モル%〜約6
モル%である。
供給原料が石炭の場合、流動床ガス化反応器を使用する
ことにより、上述の好ましい条件にすることができる。
供給原料が炭化水素類を含有する場合には、細かい炭素
粒子を含有する流動床を用いることにより、好ましい条
件にすることができる。
アンモニアの製造に適した合成ガスを製造するためには
、ガス化工程で生成する粗製合成ガスを幾つかの処理工
程に供して、C○をCO2及びH3に変え(水性ガス化
)、CO3、存在する場合にはH2S及びCO8並びに
痕跡量のC○を除去しなければならない。これらの諸工
程を第1図中のブロック2及びブロック3に示す。
必要な場合には、水性ガス化前に硫黄を除去する。水性
ガス化前に硫黄除去を行なうようにするれば、銅及び亜
鉛を含有する従来法の低温(200°C〜230℃)水
性ガス転化触媒を使用できる。この触媒の使用により、
乾燥物基準での残留CO含有量が0.3〜0.6容量%
のガスが得られる。しかしながら、このような処理手順
は1合成ガスのために冷却−加熱サイクルが必要となる
ためエネルギー効率が悪い。或いは、ガス化工程の直後
で硫黄及びCO2の除去前に水性ガス化を行なってもよ
い。
硫黄除去前に水性ガス化を行なう場合には、使用する触
媒は硫黄の存在を許容するものでなければならない。こ
の種の触媒は市販されており、活性成分としてコバル1
へとモリブデンとを含有する。
硫黄の存在を許容する触媒の例は、米国特許第4゜23
3.1.80号明細書に記載されている。
硫黄系不純物類は、二酸化炭素と同時に除去するのが一
般的である。二酸化炭素及び硫黄を除去イールドJ (
BENFIELD)、「べ1〜ロコークJ (V ET
 ROCOK E )、「カタカーブ」(CATACA
RB)、モノエタノールアミン法又はジェタノールアミ
ン法が、化学溶剤を使用する商業的規模の方法である。
これら既知の方法は、溶剤の再生のためにかなりの量の
熱を消費する。
従って、本発明での好ましいCO2及び硫黄除去法は、
物理溶剤(physjca] sol、vant)を用
いる方法である。既に商業的規模で使用されている適宜
な物理溶剤は、炭酸プロピレン(Fiuor)、メタノ
ール(Reeti sol )、ポリエチレングリコー
ルのジメチルエーテル(Selexoi)、及びN−メ
チル−2−ピロリドン(N−methy−2−ピロリド
ン;Purjsol)である。尿素合成の場合等のよう
に硫黄を含有しないCO□流が望ましい場合には、同一
溶剤から成る異なる流れ及び異なる吸収温度を用いた2
段連続工程で硫黄及びCO□を別々に吸収させる。
次に、痕跡量の炭素酸化物類を除去しなければならない
。この工程は、ガスを銅−アンモニウム液のような適宜
な溶剤と接触させることによって達成する。しかしなが
ら、痕跡の炭素酸化物除去方法として好ましいのは接触
メタネーション(cata]ytj、c methan
ation)であり、水素は炭素酸化物と反応してメタ
ンを生成する。
このようにして純化された合成ガスを次にアンモニア合
成ループに供給する。アンモニア及び排出ガスを合成ル
ープから抜き取り、水素に富むガス流とメタンに富むガ
ス流とを低温分離(cryoge−njc 5epar
atjon)により排出ガスから回収する。
本発明の好ましい実施例を第2図に示す。第2A図は、
ガス化工程及び水性ガス化工程を示す図である。第2B
図は、二酸化炭素及び硫黄を除去する]工程と、痕跡量
の二酸化炭素を除去する工程とを示す図である。第2C
図には、アンモニア合成ループ及び排出ガスの分離を示
しである。
低温(cryogenic)蒸溜カラム65(第2C図
に示しである)から還流されたメタンに富む流れ14は
、水蒸気と混合されて供給流2]を形成し、通常は燃焼
ヒーターの形のヒーター22で100℃〜700℃、好
ましくは300℃〜500℃の温度に加熱される。流路
6を介して供給される空気は、ヒーター22又はもう一
つのヒーター(図示せず)圧縮された後予熱されて、2
00℃〜850℃、好ましくは500’C〜750℃の
温度になる。次に、供給流7を流れ2]と混合する。予
熱された空気及び供給原料/メタン流を次いで部分酸化
反応器23に導入する。反応器は上述の条件下で運転す
る。
ガス化反応器23からの流出流は粗製合成ガスぞあり、
ドラム25の内部で水で直接に冷却する。
熱交換により、間接的に冷却して、水蒸気を製造した後
、冷却し、水で洗滌(スフラッパーを用いる)すること
もできる。水でスクラッピングすることにより、ガスと
ともに運ばれて来る可能性のある灰分及び未反応炭素粒
子が除去される。供給原料が石炭である場合には、ガス
のスクラッピングに使用した水は灰分に富むことになる
。この洗滌水は捨ててもよく、灰分を除去した後にドラ
ム25に還流させてもよい。供給原料が燃料油である場
合には、水に含有されるのは、大部分が炭素粒子であり
灰分は痕跡量に過ぎない。炭素−水スラリーを処理して
炭素粒子を回収し、これをガス化工程に還流させること
もできる。浄化された水は、ドラム25に還流させるこ
ともできる。
必要な場合には、ドラム25を離れたガスを更に追加し
た水蒸気5と混合して供給ガス流26を形成させ、熱交
換器27の内部で280℃〜330℃に予熱して、水性
ガス化反応器28に供給する。水性ガス化反応器28は
一床又は数球の触媒床を有し、各床間で間接熱交換し或
いは水で冷却して、反応温度を制御し、発熱反応である
水性ガス化反応の熱の一部分を除去する。水性ガス化反
応器28の内部では、COが水蒸気と反応してCO2及
びH2を生成する。反応器28からの流出流は、熱交換
器27及び30の内部で冷却し、凝縮された水は分離器
31で除去する。
水性ガス化反応器28の内部の圧力は、流体流による両
反応器間の圧力降下以外の点については、ガス化反応器
23の内部の圧力と実質的に同一である。水性ガス化反
応器28からの流出ガス中のした場合、乾燥物基準で0
.6〜1.5容量%、通常は約1.0容量%である。反
応器28の出口温度は、300℃〜340℃の範囲にあ
る。更に、ガス化反応器23から出る粗製合成ガス中に
含有される実質的に全てのCO8が水性ガス化反応器2
8の内部でH2S及びC02に変わる。流出流29の内
部に残るCO8は容積で僅かに数ppmに過ぎない。
第2A図には示していないが、流出流29の内部に残留
するCOを選択的に酸化して二酸化炭素にすることもで
きる。この工程で、後段での残留酸化炭素類のメタネー
ションの期間中に消費されねばならない水素の量を大幅
に減少する。
分離器31を出た合成ガス流8を吸収器32の内部でC
O2及び硫黄除去に供する(第2B図参照)。吸収器3
2は、水性ガス化反応器28の圧力とほぼ同一の圧力で
作動させる。吸収器32の底部から抽出される溶剤は、
再生器33の内部で大気圧付近で再生されて、ポンプ3
4によって再加圧されスフラッパ32に還流される。
流出ガス流20は、痕跡炭素酸化物類除去工程に送られ
る。本メ施例に示すように、反応器37中でメタネーシ
ョンを行なわせることにより、痕跡炭素酸化物類を除去
する。流出ガス流20を熱交換器35の内部で予熱し、
必要ならば第二の熱交換器で更に予熱する。メタネーシ
ョン反応器37の入口部のガスの温度は、約り70℃〜
約330°Cである。反応器37は、従来法のどのよう
なメタネーション触媒を用いる型式のものでもよい。
普通、触媒類は活性成分としてニッケルを含有する。メ
タネーション反応は僅かに発熱する発熱反応であり、こ
れによりガス温度が約15℃〜50℃になる。メタネー
ション反応器37からの流出流は、20ppm (容積
)以下の炭素酸化物類を含有し、合成ガスを浄化したガ
スである。この流出流37を熱交換器35及び39で室
温に冷却する。
分離器40の内部で、凝縮された水をガス流38から分
離する。分離器40を出たガスは、必須成分として水素
と窒素とを含有し、H2/N2の比は広くは0.7〜2
.4の範囲内で、好ましくは、1.5〜2.0の範囲内
で変化させることができる。分子篩または同様の型の吸
着剤を用いて、」二記のガスを乾燥させることができる
変形実施例(図示せず)においては、分離器4oを離れ
た純化合成ガスを乾燥することなくアンモニア合成に使
用することもできる。その場合には、合成ガスが合成触
媒と接触する前に無水液状アンルニア(anhydro
us 1iquid ammonja)で洗滌される点
でアンモニア合成ループに入れればよい(第2C図参照
)。
分離器40又は乾燥器41を出たガスは、更に圧縮する
ことなくアンモニア合成ループ中で使用することもでき
、合成ループの圧力がガス化時の圧力よりも高い場合に
は、コンプレッサ42で圧縮してもよい。合成ガス圧縮
用のコンプレッサ42を使用しない場合における合成ル
ープ内の圧力は約50〜約90気圧の範囲にする。アン
モニア合成圧力をガス化圧よりも相当程度高くする場合
には、ガス化圧力を20〜80気圧の範囲にとり、アン
モニア合成圧力を好ましくは70〜200気圧の範囲に
する。好ましいコンプレッサ42は、単段型又は単バレ
ル型である。
純化された合成ガスをアンモニア合成ループ゛に噴射注
入する。本実施例に示すように、アンモニア合成のため
の方法のうち、どの方法によってもよい。第2C図に代
表的な方法を示しであるが、この方法においては生成し
たアンモニアは冷却・凝縮により回収される。アンモニ
ア合成圧力が極めて低い場合、たとえば50〜80気圧
の場合には、米国特許第4,153,673号明細書に
記載された方法の如き水によるスクラッピングによりア
ンモニアを回収することができる。
第2C図に示すように、本発明の好ましい実施例では、
純化された合成ガス流9をまず還流されてくる水素に富
むガスJ2及び還流ガス流67と混合し、混合物をコン
プレッサー42で圧縮し、クーラー43で冷却する。合
成ガス流9の圧力よりも相当程度高い圧力で低温分離を
行なう場合には、水素に富むガス12をコンプレッサ4
2の内部で中間圧縮点で浄化合成ガス9と混合する。ク
ーラー43を出たガスを合成ループ還流ガス44と混合
して流れ45を形成させ、流れ45を還流コンプレッサ
46で更に、圧縮することになるが、この圧力差(即ち
、圧縮圧)は合成ループを通過する際の圧力降下値に等
しい。コンプレッサ46を出たカスのアンモニア含有量
は2〜7モル%である。ガスは熱交換器47は予熱され
てガス流48を形成し、次いで、アンモニア工業で通常
実施されていると同様にして、180℃〜300℃の間
の温度でアンモニア合成反応器49の各点に噴射される
合成反応器49は、一般に使用されている合成反応器で
あればどの型でもよく、必須成分として磁性酸化鉄(m
a(Hnetic 1ron oxide)を含み、カ
リウム、セリウム及びベリリウムの酸化物の如き添加剤
を促進剤として含有する触媒のような従来法によるアン
モニア合成触媒を収納しである。触媒と接触すると、合
成ガスの一部分が反応してアンモニアを形成する。発熱
反応の熱によって反応器内部のガス混合物の温度は上昇
し、触媒の出口温度は320℃〜500℃、通常は35
0℃〜420℃である。合成反応器49を出たガス50
に含まれる熱は、次々に廃熱ボイラー51で回収されて
高圧の流れをつくり、次いで水子熱器52に入り、供給
ガス予熱器47に入る。次に、ガス5゜は、生成したア
ンモニアをできる限り大量に凝縮させるために、ガス5
0を冷却器54で冷却し、熱交換器55で冷却し、冷媒
としてアンモニア等を使用したレフリジェランl−・ク
ーラー(refrj、gerant cool、er)
で冷却して、ガス温度を通常2°C〜12℃に冷却する
。液状アンモニアを分離器57でガス状反応物類から分
離し、分離器を出たガスを二つの留分に分割する。第一
の通常は多量のほうの留分、即ち還流ガス44を熱交換
器55に通じ、純化された合成ガスと混合する。
第二の留分、即ち高圧の排出ガス60は、コンデンサ6
1で通常は一15℃以下に冷却して、含有されているア
ンモニアを回収する。コンデンサ61からの流出流は、
排出ガス流]1である。他の実施例(図示せず)では、
高圧排出ガスを水で洗滌(スクラッピング)して、該ガ
ス中に含まれるアンモニアを除去・回収する。
液状アンモニア流58を分離器66中で残留ガスから分
離した後、液状アンモニア流62と合流させてアンモニ
ア合成ループ生成物を形成させる。
残留ガス流をガス流9に還流させる。
窒素、メタン及びアルゴン等のガス類がアンモニア合成
ループ中に蓄積するから、排出ガス流1コは相当量の上
記のガス類を含有することになる。
ループから選択的に排出ガスを抜き取り、還流ガス44
のメタン含有率が好ましくは約20モル%以下になり、
還流ガス44のH2/N2比が好ましくは2.0以上に
保たれるようにする。
次に排出ガスを処理して、水素に富む流れにする。この
水素に富む流れのH2/N2比は3/1 より大きく、
この流れはアンモニア合成ループに還流される。主供給
原料と混合した後少なくとも一部分はガス化工程に還流
できるメタンに富むガスを回収する。特に供給原料が石
炭又は木質材料のような固体である場合には、粉砕した
供給原料をガス化反応器に導入するに用いる搬送ガスと
して上記のメタンに富むガスを使用するとよい。窒素に
富む流れも回収する。充分な量のメタンを含有する場合
には、上記の沫れを燃料として使用することもでき、力
及び冷却力を回収した後に大気中に放出してもよい。
排出ガス流11はまず低温熱交換器63で一160°C
〜195℃に冷却され、次いで蒸溜塔65の適宜な高さ
位置に噴射注入される。塔には、トレー、バッキングそ
の他の気液接触手段の如き適宜な分溜手段がある。熱交
換器63中での冷却工程中に、排気ガスの少なくとも一
部分を点線で示したように抽出して、蒸溜塔65の底部
に再沸騰熱を供給し、次いで適宜な個所で熱交換器63
に戻す。塔65に再沸騰熱を供給する手段としては、他
の手段も使用できる。蒸溜塔65の作動圧力は、アンモ
ニア合成圧力とガス化圧力の中間圧力にする。しかしな
がら、塔65の好ましい圧力はアンモニア合成圧力にで
きる限り近い圧力である。この結果、水素に富むガス流
12の還流時のエネルギーを節減できる。
メタンに富む流れ14は、温度−1,4−0℃〜−18
5℃で塔65の底部から取り出される。流れ14は、弁
又は膨張タービンを介して膨張させられガス化反応器2
3の圧力よりも僅かに高い圧力になり、次いで熱交換器
63で気化され加熱されて、入って来る排出ガス流11
の冷却熱を提供する。第2A図に示すように、供給流7
と混合することにより、少なくとも一部分をガス化反応
器23に還流させる。
窒素に富む流れ6は、カラム65の中間位置で液体とし
て抽出される。この流れ6は、弁又は膨張タービンを介
して膨張させられて6気圧以下の圧力になり、カラム6
5の頂部に位置する熱交換器のシェル側を通過し、カラ
ム65を上昇し熱交換器の管側を流れるガスの一部分を
凝縮させる還流を冷却する冷却熱を提供する。窒素に富
む流れ13は、排出ガスに含有されるアルゴンの大部分
を含有している。メタン及び水素の存在の結果として充
分な熱量を持′つ場合には、燃料として使用できる。或
いは、大気中に放出してしまってもよい。窒素に富む流
れを大気中に逃すことにより、アンモニア合成ループか
ら過剰の窒素及びアルゴンを除去することができる。
上昇するガスは水素に富むガスとなって、−コ−70℃
〜−200℃の温度で塔65の」二部から出る。窒素に
富む流れ13並びに水素に富む流れは、熱交換器63を
通過して、入って来る排気流11に冷却熱を与える。水
素に富む流れは、次いで、純化された合成ガス]0と混
合された後、分離コンプレッサ(図示せず)又はコンプ
レッサ46を介して合成ループに還流する。
本発明の好ましい実施例においては、水素の回収のため
の低温蒸溜に必要な冷却熱は、窒素に富む流れ13及び
メタンに富む流れ14の膨張によって得られる。本発明
のもう一つの実施例においては、必要な冷却熱の一部分
が、アンモニア冷却サイクルのような外部冷却源から供
給される。もう一つ別の実施例では、必要な冷却熱の一
部分が、冷却蒸溜塔65に入る前の流入ガスの膨張にょ
って与えられ、必要な冷却熱の残部が窒素に富む流れJ
3及びメタンに富む流れ14の膨張により供給される。
熱の回収技術は当業界で周知であるから、各工程の流れ
に関する熱の回収についての詳細は第2図には示してな
い。
実施例 以下の表は、1日当たり1379.8レトリツク・トン
(letric ton)のアンモニアを製造する場合
について、第2図に基づく方法の重要な各位置における
予測温度、ガス圧力、流速及び組成を示す表である。
下表の流れ番号は、第2図の番号と対応している。流れ
Aは、以下の組成の石炭供給原料である。
重量%表示で以下の元素組成を有する乾燥石炭:炭素 
69.52% 水素 5.33% 酸素 10.02% 窒素 1.25% 硫黄 3.86% 灰分 10.02% 温度: 10.64.kg/H20/100kg乾燥石
炭、即ち、400.3kgモ)Lt/時間・H2O流れ
Bは、湿った石炭供給原料に添加されたプロセス蒸気で
ある。流れUは、低温分離部から入って来て石炭供給原
料と混合されるメタンに富む留分である。流れBとUの
混合物はヒーター22で500℃に加熱された後、石炭
供給流Aと混合される。プロセス空気(流れC)もガス
化反応器23に入る前にヒーター22で760℃に加熱
される。
反応器23からのガス流出流(流れD)は1057℃で
38.4気圧(ケージ圧)である。流れDは、硫黄の存
在を許容する水性ガス添加触媒の存在下で、反応器28
の内部で水性ガスに添加する。粗製合成ガスは、次いで
スフラッパ32で、溶剤としては約6℃の温度でポリエ
チレングリコール・ジメチルエーテルを使用して浄化し
、H2S及びCO2を除去する。溶剤は減圧下で塔33
の内部で再生する。溶剤からは、第2図には示されてい
ない側部で、水分が連続的に取り除かれる6反応器37
でメタン化しくメタネーション反応に供し)ドライヤー
41で乾燥した後、合成ガス(流れH)は低圧のフラッ
シュ・ガス(flash gas) 、即ち流れVと混
合され、得られた混合物は178.3気圧(ゲージ圧)
の合成ループ圧力に圧縮された後、合成ループの還流ガ
ス(流れP)と混合される。低温分離工程から入って来
る水素に富む流れ(流れT)は、主合成ガス流と混合さ
れる。低圧のフラッシュ・ガス、即ち流れVは流れHと
の混合に先立って圧縮される。
(以下余白) 本発明の技術的範囲又は基本的思想を逸脱することなく
、本発明方法に各種の変更及び修正を加え得ること勿論
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の基本的な工程を示す工程図である。 第2図は、第2A図、第2B図及び第2C図より成り、
本発明の好ましい実施例を示す概略説明図である。 1・・・・・ガス化工程、2・・・・水性ガス化工程、
3・・・・・・炭素酸化物類除去工程、4・・・・・ア
ンモニア合成ループ、5・・・・・低温(冷却)分離工
程、22・・・・・・ヒータ、23・・・・・・部分酸
化反応器、25・・・・・・ドラム、28・・・・・・
水性ガス化反応器、31・・・・・・分離器、32・・
・・・・吸収器、33・・・・・・再生器、37・・・
・・・メタネーション反応器、65・・・・・・蒸溜カ
ラム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 炭素含有供給原料からアンモニアを製造する方法であっ
    て、 (a)断熱的に運転されている反応器中で800℃〜1
    700℃の温度で遊離酸素源として空気のみを使用して
    前記供給原料と空気とを反応させて、水素と、炭素酸化
    物類と、メタンと、窒素とを含み、乾燥重量基準でのメ
    タン含有量が10モル%である粗製合成ガスを製造する
    工程と、(b)工程(a)からの流出流を水性ガス化工
    程に供して、該流出流に含有されている一酸化炭素の実
    質的に全量を二酸化炭素と水素とに変換する工程と、 (c)工程(b)からの流出流を該ガスから炭素酸化物
    類及び硫黄化合物類を除去する純化工程に供して、H2
    /N2比が2.4未満の窒素と水素とを含有する純化合
    成ガスを得る工程と、 (d)工程(c)からの流出流をアンモニア合成ループ
    に噴射注入してアンモニアを合成し前記アンモニアを合
    成ループから回収する工程と、(e)前記アンモニア合
    成ループから置換ガスを抽出して、前記置換ガスを処理
    し、水素に富む流れと、窒素に富む流れと、メタンに富
    む流れとを得る工程と、 (f)前記の水素に富むガスを前記アンモニア合成ルー
    プに還流させる工程と、 (g)前記のメタン゛に富むガスの少なくとも一部分を
    処理工程(a)に還流させる工程と を含むことを特徴とする方法。
JP59138084A 1983-07-05 1984-07-05 炭素含有供給流からアンモニアを製造する方法 Granted JPS6036321A (ja)

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