JPS6035248Y2 - マイクロ波集積回路基板体 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案はマイクロ波集積回路基板体の改良に関するも
のである。

通常、マイクロ波帯で使用されるトランジスタは、その
裏面がコレクタ電極になっている。

そこで、マイクロ波集積回路装置内でエミッタ接地また
はベース接地の形式で使用する場合には、前記トランジ
スタの裏面をマイクロ波集積回路装置の基板上にホンデ
ィングし、素子の表面のエミッタ電極またはベース電極
から前記基板上の接地導体へ金、アルミニウムなどから
なるホンディングワイヤを用いて配線を行なっている。

そして、前記ボンディングワイヤがいわゆる接地インダ
クタンスとして働き、トランジスタの高周波利得を低下
させる。

高周波トランジスタは、大電力になればなるほど、入出
力インピーダンスが低下するために、接地インダクタン
スを低減する必要があり、多数本のボンディングワイヤ
使用する。

この多数本のボンディングワイヤをできるだけ短く容易
に配線するために、予めブリッジ体を基板上にスポット
溶接、はんだ付けまたはろう付けによって固定すること
が行なわれている。

第１図は、前述のような集積回路装置のブリッジ体およ
びその近傍を例示するものである。

第１図において１．１はブリッジ体、２はトランジスタ
、３はトランジスタ２の接地導体、４はトランジスタ２
の出力伝送路、５は接地導体、６は基板である。

第１図に示す従来例では、マイクロ波集積回路装置の基
板６上に複数のブリッジを形成する場合に、ブリッジ体
１基板６上の必要な位置に１個ずつろう付けして形威し
なければならない。

このため、工数がかかるだけではなく、ブリッジ体の基
板上での位置精度に問題があった。

前述した第１図に示す従来例の問題を解決して、工数の
低減をはかった他の従来例の概略を第２図に示す。

第２図において、６は基板、７゜８．９はブリッジ体、
１０．１１は入出力端子、１２はブリッジ体？、８．９
を連結するフレーム、１３，１４，１５，１６は電源端
子体、１７は電源端子体１３〜１６とブリッジ体７〜９
とを一体化するフレームである。

第２図に示す他の従来例のマイクロ波集積回路基板体は
、ブリッジ体７〜９、入出力端子１０゜１１、電源端子
１３〜１６をフレーム１２．１７で連結したものを、１
枚の金属板でエツチングなどにより構成し、これを基板
６に刺置合わせをして同時にろう付けしたものである。

なお、第２図に示すマイクロ波集積回路基板体では、入
出力端子１０．１１．電源端子１３〜１６が電気的に接
続しているが、電気的に絶縁したい場合には、基板にブ
リッジ部分ろう付けした後に、互に結しているフレーム
を切断すればよい。

前述した２図の従来例では、ブリッジの位置精度を、ブ
リッジ体を１個ずつ基板にろう付けする場合に比べて、
向上させることができる。

また、ブリッジ相互間の距離は、位置合わせの精度と関
係なく、ブリッジ体とフレームなどを一体化した金属板
のパターンによって決定されるので、予めこのパターン
エツチングなどで形成すれば、１０μｍ〜２０μｍ以下
の誤差範囲で再現性よく構成できる。

しかし、第２図に示すものでは、基板に対するブリッジ
体の位置合わせが必要で欠くことができないのであり、
通常位置合わせ用の治具を使用しても、同様なマイクロ
波集積回路基板体をｍ個製造した場合に、基板に対する
ブリッジ体の位置が１００μｍ程度のばらつきが生じる
欠点があった。

この考案は、前述した欠点を除去するために、入出力端
子および電源端子のような基板体と外部とを連結する接
続端子の一部または全部の先端部を基板の側面に当接さ
せるとにより、ブリッジ体の基板に対する位置を再現性
よく高精度にすることができるようにした、マイクロ波
集積回路基板体を提供することを目的とするものである
。

以下、の考案の実施例につき図面を参照して説明する。

第３図はこの考案の第１実施例を示す概略斜視図、第４
図は第３図のＩＶ−ＩＶ線に沿う拡大断面図である。

第３図、第４図において、６は基板、？、８．９ブリッ
ジ体、１２はブリッジ体７゜８．９を連結するフレーム
、１７は後述する電源端子体、ブリッジ体７〜９とを一
体化するフレームであり、これらは第２図に示し前述し
た従来例のものと同様である。

この実施例では、入出力端子１ｅａ、ｌｌａおよび電源
端子１３ａ〜１６ａの先端部を下方に直角に曲げて、基
板６の側面に当接できる形状にしたおき、前記入出力端
子１０ａ〜１１ａ１電源端子１３ａ〜１６ａの先端部を
基板６の側面に当接させてろう付けしたものである。

このようにすると、ブリッジ体７〜９の基板６上での位
置が決定される。

そこで、ブリッジ体７〜９の位置合わせがきわめて容易
となる。

また、この実施例によるマイクロ波集積回路基板体をｍ
個以上製造した場合に、基板６に対するブリッジ体７〜
９の位置のばらつきを３０μｍ以内におさえることがで
きる。

第５図および第６図はこの考案の第１実施例のマイクロ
波集積回路基板体上にトランジスタ増幅器を設けた場合
の部分斜視図および前記増幅器の回路図を示す。

第５図に示すように、キャパシタ２０をブリッジ体８上
にボンディング腰トランジスタ１８を基板６上にボンデ
ィングし、ブリッジ体７を用いてトランジスタ１Ｂの接
地導体５ａへの接地を行ない、ブリッジ体８上のキャパ
シタ２０と前記トランジスタ１８とをホンディングワイ
ヤで結ぶことによって形成されるインダクタ１９とする
と、第６図の回路が構成される。

このようにブリッジ体を使用する場合に、第６図のイン
ダクタ１９は特性に非常に大きく影響する。

これを第５図のインダクタ１９で実現し、これを構成す
るボンディングワイヤ直線状にすると、再現性よく同一
性能のインダクタを得ることができる。

すなわち、ブリッジ体８の位置精度が悪いと、同一性能
のインダクタを安定して実現することができないが、こ
の考案の第１実施例によるマイクロ波集積回路基板体の
ブリッジ体の位置精度は基板に対し３０μｍ以内に再現
性よく形成することができ、したがって、ブリッジ体を
、トランジスタの電極を直接接地する以外の場所に用い
ても、再現性よく、良好な回路の特性を得ることができ
る。

第７図はこの考案の第２実施例を示す概略斜視図である
。

前述した第１実施例では基板６の４つの側面に入力端子
および電源端子を接着した例を示したが、第２実施例で
は基板６のブリッジ体？、 ８． ９の長手方向と平
行な一側面に対してのみ、入出力端子１０ｂ、ｌｌａお
よび電源端子１３ａを当接させてろう付けしたものであ
る。

この第２実施例のものでも、第５図のＡ−Ｂ方向すなわ
ちブリッジ体７〜９の長手方向と直交する方向に対する
ブリッジ体７〜９の位置は正確に再現性よく合わせるこ
とができる。

したがって、基板６上でＡ−Ｂ方向と直角な方向に対す
る位置の精度をあまり高く必要しない場合には、第２実
施例のものも有効である。

以上の説明から明らかなように、この考案のマイクロ波
集積回路基板体は基板に対するブリッジ体の位置合わせ
が容易で、しかも位置精度がよいという効果があり、し
たがってブリッジ体の位置精度が特性に非常に影響する
ＩＧＨｚ帯および１ＧＨｚ帯以上の高周波帯のマイクロ
波集積回路基板体に用いてとくに有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の一例によるマイクロ波集積回路装置を示
すブリッジ体部分の斜視図、第２図は他の従来例による
マイクロ波集積回路基板体を示す概略斜視図、第３図は
この考案の第１実施例によるマイクロ波集積回路基板体
を示す概略斜視図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線に沿
う拡大断面図、第５図は第１実施例のものの使用例を示
す部分斜視図、第６図は５図の回路図、第７図はこの考
案の第２実施例によるマイクロ波集積回路基板体の概略
斜視図である。 １．７，８．９・・・・・・ブリッジ体、２，１８・・
・・・・トランジスタ、３・・・・・・ボンディングワ
イヤ、４・・・・・・トランジスタの出力伝送路、５，
５ａ・・・・・・接地導体、６−−−−−−基板、１０
，１０ａ、１０ｂ、ＩＬｌｌａ・・・・・・入出力端子
、１２・・・・・・ブリッジ体を連結するフレーム、１
３．１３ａ、１４．１４ａｔ １５？ １５ａｔ
ＩＬ １６ａ・・・・・・電源端子、１７・・・・
・・ブリッジ体および各端子間を連結するフレーム、１
９・・・・・・インダクタ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 同一の金属板で、基板体と外部とを結線する接続端子と
   、フレームと、接地導体として用いる複数個のブリッジ
   体とを構威し、前記金属板を基板にろう付けしたものに
   おいて、基板体と外部とを結線する接続端子の一部また
   は全部の先端部を基板の側面に当接させて取付けたこと
   を特徴とするマイクロ波集積回路基板体。